JP2000199802A - 反射防止膜及びそれを施した光学系 - Google Patents
反射防止膜及びそれを施した光学系Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長３００ｎｍ以下で広帯域の紫外光の波長
領域に対して耐環境性が良く、良好な反射防止特性を有
した反射防止膜及びそれを施した光学系を得ること。 【解決手段】 基板上にＡｌ2 Ｏ3 を含む高屈折率層と
ＡｌＦ3 を含む低屈折率層とを複数層設け、波長１６０
ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ
０があり、空気に接する最終の層はＣａＦ2 より成るオ
ーバーコート膜であり、該オーバーコート膜の光学膜厚
ＤＣは、 【数１】 を満足すること。
領域に対して耐環境性が良く、良好な反射防止特性を有
した反射防止膜及びそれを施した光学系を得ること。 【解決手段】 基板上にＡｌ2 Ｏ3 を含む高屈折率層と
ＡｌＦ3 を含む低屈折率層とを複数層設け、波長１６０
ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ
０があり、空気に接する最終の層はＣａＦ2 より成るオ
ーバーコート膜であり、該オーバーコート膜の光学膜厚
ＤＣは、 【数１】 を満足すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜及びそ
れを施した光学系に関し、特に蛍石や石英等の光学素子
基板の表面に所定の屈折率層（薄膜）を複数積層し、波
長３００ｎｍ以下での紫外光領域での反射防止を行っ
た、例えば半導体デバイス製造用の各種の光学系に適用
したときに有効なものである。
れを施した光学系に関し、特に蛍石や石英等の光学素子
基板の表面に所定の屈折率層（薄膜）を複数積層し、波
長３００ｎｍ以下での紫外光領域での反射防止を行っ
た、例えば半導体デバイス製造用の各種の光学系に適用
したときに有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より紫外光用の反射防止膜としての
Ａｌ2 Ｏ3 膜を含む高屈折率層とＳｉＯ2 を含む低屈折
率層を透明基板面に交互の複数積層した反射防止膜が、
例えば特開平7-218701号公報で提案されている。
Ａｌ2 Ｏ3 膜を含む高屈折率層とＳｉＯ2 を含む低屈折
率層を透明基板面に交互の複数積層した反射防止膜が、
例えば特開平7-218701号公報で提案されている。
【０００３】又、フッ素化物膜を用いた反射防止膜が、
例えば特開昭61-77001号公報や特公平5-8801号公報や、
特開平7-244205号公報や特開平7-244217号公報等で提案
されている。
例えば特開昭61-77001号公報や特公平5-8801号公報や、
特開平7-244205号公報や特開平7-244217号公報等で提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来より紫外光用の反
射防止膜において、波長３００ｎｍ以下の紫外域におい
て、耐環境性（高温度，高湿度の環境下での特性の安定
性能）に良好でしかも良好なる反射防止する膜構成を得
るのは難しかった。
射防止膜において、波長３００ｎｍ以下の紫外域におい
て、耐環境性（高温度，高湿度の環境下での特性の安定
性能）に良好でしかも良好なる反射防止する膜構成を得
るのは難しかった。
【０００５】例えば前述したフッ化物膜を用いた特開平
7-244205号公報、特開平7-244217号公報で提案されてい
る反射防止膜はフッ化物の高屈折率膜（ＮｄＦ3 ，Ｌａ
Ｆ3等）が耐環境性において酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 膜）に
比べると劣るという問題点があった。従って、半導体デ
バイスの製造用のステッパー用の屈折型の投影光学系の
ように多数枚のレンズを用いる光学系の場合、経時変化
により１面の反射防止特性が微小変化しても投影系全体
では大きな特性シフトになってしまうという問題点があ
った。更に真空紫外及び紫外領域波長のレーザーを長期
間照射を行うと、反射防止膜の空気側最終層表面に膜が
形成されるという問題点があった。
7-244205号公報、特開平7-244217号公報で提案されてい
る反射防止膜はフッ化物の高屈折率膜（ＮｄＦ3 ，Ｌａ
Ｆ3等）が耐環境性において酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 膜）に
比べると劣るという問題点があった。従って、半導体デ
バイスの製造用のステッパー用の屈折型の投影光学系の
ように多数枚のレンズを用いる光学系の場合、経時変化
により１面の反射防止特性が微小変化しても投影系全体
では大きな特性シフトになってしまうという問題点があ
った。更に真空紫外及び紫外領域波長のレーザーを長期
間照射を行うと、反射防止膜の空気側最終層表面に膜が
形成されるという問題点があった。
【０００６】本発明は、所定の屈折率を有する基板上に
高屈折率層と低屈折率層、そしてオーバーコート層とを
適切な光学的膜厚で積層することによって、波長３００
ｎｍ以下の紫外領域において良好なる反射防止を行った
反射防止膜及びそれを施した光学系の提供を目的とす
る。
高屈折率層と低屈折率層、そしてオーバーコート層とを
適切な光学的膜厚で積層することによって、波長３００
ｎｍ以下の紫外領域において良好なる反射防止を行った
反射防止膜及びそれを施した光学系の提供を目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の反射防
止膜は、基板上にＡｌ2 Ｏ3 を含む高屈折率層とＡｌＦ
3 を含む低屈折率層とを複数層設け、波長１６０ｎｍか
ら波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ０があ
り、空気に接する最終の層はＣａＦ2 より成るオーバー
コート膜であり、該オーバーコート膜の光学膜厚ＤＣ
は、
止膜は、基板上にＡｌ2 Ｏ3 を含む高屈折率層とＡｌＦ
3 を含む低屈折率層とを複数層設け、波長１６０ｎｍか
ら波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ０があ
り、空気に接する最終の層はＣａＦ2 より成るオーバー
コート膜であり、該オーバーコート膜の光学膜厚ＤＣ
は、
【０００８】
【数２】
【０００９】を満足することを特徴としている。
【００１０】請求項２の発明の反射防止膜は、基板上に
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層の５つの薄膜を施した反射防止膜であっ
て、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に
設計中心波長λ０があり、各層の光学的膜厚（屈折率×
幾何学的膜厚）を第１層から第５層まで順にｄ１，ｄ
２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と表すとき、第１層と第３層がＡ
ｌ2 Ｏ3 層であり、第２層と第４層がＡｌＦ3 層で第５
層がＣａＦ2 層であって、 ０．４０×λ０≦ｄ１≦０．４５×λ０ ０．３６×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．１９×λ０≦ｄ３≦０．２４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層の５つの薄膜を施した反射防止膜であっ
て、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に
設計中心波長λ０があり、各層の光学的膜厚（屈折率×
幾何学的膜厚）を第１層から第５層まで順にｄ１，ｄ
２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と表すとき、第１層と第３層がＡ
ｌ2 Ｏ3 層であり、第２層と第４層がＡｌＦ3 層で第５
層がＣａＦ2 層であって、 ０．４０×λ０≦ｄ１≦０．４５×λ０ ０．３６×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．１９×λ０≦ｄ３≦０．２４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
【００１１】請求項３の発明の反射防止膜は、基板上に
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層，第６層の６つの薄膜を施した反射防止膜
であって、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍまでの間
の光に設計中心波長λ０があり、各層の光学的膜厚（屈
折率×幾何学的膜厚）を第１層から第６層まで順にｄ
１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６と表すとき、第１層
と第３層と第５層がＡｌＦ3 層であり、第２層と第４層
がＡｌ2 Ｏ3 層で第６層がＣａＦ2 層であって、 ０．３６×λ０≦ｄ１≦０．４１×λ０ ０．３７×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．３２×λ０≦ｄ３≦０．３７×λ０ ０．１８×λ０≦ｄ４≦０．２３×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ６≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層，第６層の６つの薄膜を施した反射防止膜
であって、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍまでの間
の光に設計中心波長λ０があり、各層の光学的膜厚（屈
折率×幾何学的膜厚）を第１層から第６層まで順にｄ
１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６と表すとき、第１層
と第３層と第５層がＡｌＦ3 層であり、第２層と第４層
がＡｌ2 Ｏ3 層で第６層がＣａＦ2 層であって、 ０．３６×λ０≦ｄ１≦０．４１×λ０ ０．３７×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．３２×λ０≦ｄ３≦０．３７×λ０ ０．１８×λ０≦ｄ４≦０．２３×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ６≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
【００１２】請求項４の発明の反射防止膜は、基板上に
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層，第６層，第７層の７つの薄膜を施した反
射防止膜であって、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍ
までの間の光に設計中心波長λ０があり、各層の光学的
膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を第１層から第７層まで
順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７と表す
とき、第１層と第３層と第５層がＡｌ2 Ｏ3 層であり、
第２層と第４層と第６層がＡｌＦ3 層で第７層がＣａＦ
2 層であって、 ０．４１×λ０≦ｄ１≦０．４６×λ０ ０．３１×λ０≦ｄ２≦０．３９×λ０ ０．４４×λ０≦ｄ３≦０．５０×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．２０×λ０ ０．２３×λ０≦ｄ５≦０．２８×λ０ ０．１０×λ０≦ｄ６≦０．１５×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ７≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
該基板側から空気側へ順に第１層，第２層，第３層，第
４層，第５層，第６層，第７層の７つの薄膜を施した反
射防止膜であって、波長１６０ｎｍから波長３００ｎｍ
までの間の光に設計中心波長λ０があり、各層の光学的
膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を第１層から第７層まで
順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７と表す
とき、第１層と第３層と第５層がＡｌ2 Ｏ3 層であり、
第２層と第４層と第６層がＡｌＦ3 層で第７層がＣａＦ
2 層であって、 ０．４１×λ０≦ｄ１≦０．４６×λ０ ０．３１×λ０≦ｄ２≦０．３９×λ０ ０．４４×λ０≦ｄ３≦０．５０×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．２０×λ０ ０．２３×λ０≦ｄ５≦０．２８×λ０ ０．１０×λ０≦ｄ６≦０．１５×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ７≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴としている。
【００１３】請求項５の発明は請求項１の発明から請求
項４の発明のいずれか１つにおいて、前記基板は石英又
は蛍石を含んでいることを特徴としている。
項４の発明のいずれか１つにおいて、前記基板は石英又
は蛍石を含んでいることを特徴としている。
【００１４】請求項６の発明の反射防止膜の製造方法
は、請求項１から５のいずれか１項の反射防止膜を構成
する前記Ａｌ2 Ｏ3 層と前記ＡｌＦ3 層、そして前記Ｃ
ａＦ2 層を真空蒸着法で製造することを特徴としてい
る。
は、請求項１から５のいずれか１項の反射防止膜を構成
する前記Ａｌ2 Ｏ3 層と前記ＡｌＦ3 層、そして前記Ｃ
ａＦ2 層を真空蒸着法で製造することを特徴としてい
る。
【００１５】請求項７の発明の反射防止膜の製造方法
は、請求項１から５のいずれか１項の反射防止膜をアル
ミニウムターゲットを用い、ガス種をＡｒ，Ｈｅ，Ｘｅ
等の不活性ガスと酸素ガスとフッ素系ガスとを切り替
え、スパッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 とＡｌＦ3 の膜
を製造し、ＣａＦ2 膜はＣａＦ2 ターゲットとを用い、
不活性ガスとフッ素系ガスを主成分とするスパッタリン
グ法により製造することを特徴としている。
は、請求項１から５のいずれか１項の反射防止膜をアル
ミニウムターゲットを用い、ガス種をＡｒ，Ｈｅ，Ｘｅ
等の不活性ガスと酸素ガスとフッ素系ガスとを切り替
え、スパッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 とＡｌＦ3 の膜
を製造し、ＣａＦ2 膜はＣａＦ2 ターゲットとを用い、
不活性ガスとフッ素系ガスを主成分とするスパッタリン
グ法により製造することを特徴としている。
【００１６】請求項８の発明の光学系は請求項１の発明
から請求項５の発明のいずれか１つの、反射防止膜を施
したレンズを備えることを特徴としている。
から請求項５の発明のいずれか１つの、反射防止膜を施
したレンズを備えることを特徴としている。
【００１７】請求項９の発明の照明装置は請求項８の発
明の、光学系を用いて光源手段からの光束で所定面を照
明していることを特徴としている。
明の、光学系を用いて光源手段からの光束で所定面を照
明していることを特徴としている。
【００１８】請求項１０の発明の露光装置は請求項８の
発明の、光学系により原版のパターンを基板上に結像す
ることを特徴としている。
発明の、光学系により原版のパターンを基板上に結像す
ることを特徴としている。
【００１９】請求項１１の発明の露光装置は請求項８の
発明の、光学系により原版を照明し、かつ該原版のパタ
ーンを基板上に投影することを特徴としている。
発明の、光学系により原版を照明し、かつ該原版のパタ
ーンを基板上に投影することを特徴としている。
【００２０】請求項１２の発明のデバイス製造方法は請
求項１０の発明又は請求項１１の発明の、露光装置を用
いて原版のパターンを基板上に転写する工程を有するこ
とを特徴としている。
求項１０の発明又は請求項１１の発明の、露光装置を用
いて原版のパターンを基板上に転写する工程を有するこ
とを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】本実施形態の反射防止膜は、４〜
６層程度の多層構成とオーバーコート膜より成り、高屈
折率材料としてＡｌ2 Ｏ3 を用い低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 を用い、そしてオーバーコート膜としてＣａＦ2
を用いている。
６層程度の多層構成とオーバーコート膜より成り、高屈
折率材料としてＡｌ2 Ｏ3 を用い低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 を用い、そしてオーバーコート膜としてＣａＦ2
を用いている。
【００２２】Ａｌ2 Ｏ3 膜は紫外波長域で利用可能な他
の高屈折率膜材料の中で最も緻密な膜が製造可能であ
る。そこで本発明では反射防止膜の耐環境性能（光学特
性の経時的安定性）を向上させる為に、高屈折率膜とし
てＡｌ2 Ｏ3 を用いて特性の安定化を図っている。Ａｌ
Ｆ3 は紫外域用の低屈折率材料として好ましいが吸湿性
がある。特に、最終層にＡｌＦ3 を用いた反射防止膜を
湿度の高い環境で使用すると、経時的に変化してくる場
合がある。
の高屈折率膜材料の中で最も緻密な膜が製造可能であ
る。そこで本発明では反射防止膜の耐環境性能（光学特
性の経時的安定性）を向上させる為に、高屈折率膜とし
てＡｌ2 Ｏ3 を用いて特性の安定化を図っている。Ａｌ
Ｆ3 は紫外域用の低屈折率材料として好ましいが吸湿性
がある。特に、最終層にＡｌＦ3 を用いた反射防止膜を
湿度の高い環境で使用すると、経時的に変化してくる場
合がある。
【００２３】又、真空紫外及び紫外領域の波長を長期間
照射すると反射防止膜表面に膜が形成されてくる場合が
ある。そこで、本実施形態では、反射防止膜の最終層に
湿気を防ぐ層と付着膜形成防止層として疎水性を有する
ＣａＦ2 を薄くオーバーコートしている。これにより光
学特性をさほど劣化させず防湿効果及び膜形成防止効果
を得ている。ＣａＦ2 層構成の光学膜厚ＤＣ（屈折率×
幾何学的膜厚）としては、設計中心波長λ０の１／２０
〜１／５程度としている。特に好ましくは、 ０．０９×λ０＜ＤＣ＜０．１１×λ０ とするのが良い。
照射すると反射防止膜表面に膜が形成されてくる場合が
ある。そこで、本実施形態では、反射防止膜の最終層に
湿気を防ぐ層と付着膜形成防止層として疎水性を有する
ＣａＦ2 を薄くオーバーコートしている。これにより光
学特性をさほど劣化させず防湿効果及び膜形成防止効果
を得ている。ＣａＦ2 層構成の光学膜厚ＤＣ（屈折率×
幾何学的膜厚）としては、設計中心波長λ０の１／２０
〜１／５程度としている。特に好ましくは、 ０．０９×λ０＜ＤＣ＜０．１１×λ０ とするのが良い。
【００２４】本実施形態における膜形成方法は、真空蒸
着法でも良い結果を得られたが、スパッタ法により緻密
な膜形成が可能となり、この結果、耐環境性能（経時的
光学特性安定性能）及び長期レーザー照射性能はより向
上した。
着法でも良い結果を得られたが、スパッタ法により緻密
な膜形成が可能となり、この結果、耐環境性能（経時的
光学特性安定性能）及び長期レーザー照射性能はより向
上した。
【００２５】次に本実施形態の具体的な膜構成について
説明する。
説明する。
【００２６】図１は本発明の反射防止膜の実施形態１，
４の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層は高
屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、第２層，第４層は低屈折率材
料のＡｌＦ3 、そして第５層にオーバーコート膜として
ＣａＦ2 を用いている。
４の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層は高
屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、第２層，第４層は低屈折率材
料のＡｌＦ3 、そして第５層にオーバーコート膜として
ＣａＦ2 を用いている。
【００２７】５層構成の反射防止膜では、各層の光学的
膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１
層から第５層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と
表すとき、 ０．４０×λ０≦ｄ１≦０．４５×λ０ ０．３６×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．１９×λ０≦ｄ３≦０．２４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１１×λ０ を満足するようにしている。
膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１
層から第５層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と
表すとき、 ０．４０×λ０≦ｄ１≦０．４５×λ０ ０．３６×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．１９×λ０≦ｄ３≦０．２４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１１×λ０ を満足するようにしている。
【００２８】これにより、耐環境性（耐湿気）が良く、
かつ波長３００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射
防止効果のある反射防止膜を達成している。
かつ波長３００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射
防止効果のある反射防止膜を達成している。
【００２９】図２は本発明の反射防止膜の実施形態２，
５の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第
５層に低屈折率材料のＡｌＦ3 、第２層，第４層に高屈
折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、そして第６層にオーバーコート
膜としてのＣａＦ2 を用いている。
５の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第
５層に低屈折率材料のＡｌＦ3 、第２層，第４層に高屈
折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、そして第６層にオーバーコート
膜としてのＣａＦ2 を用いている。
【００３０】６層構成の場合は、各層の光学的膜厚（屈
折率×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１層から第
６層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６と表
すとき、 ０．３６×λ０≦ｄ１≦０．４１×λ０ ０．３７×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．３２×λ０≦ｄ３≦０．３７×λ０ ０．１８×λ０≦ｄ４≦０．２３×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ６≦０．１１×λ０ を満たすようにしている。
折率×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１層から第
６層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６と表
すとき、 ０．３６×λ０≦ｄ１≦０．４１×λ０ ０．３７×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．３２×λ０≦ｄ３≦０．３７×λ０ ０．１８×λ０≦ｄ４≦０．２３×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ６≦０．１１×λ０ を満たすようにしている。
【００３１】これにより、耐環境性が良く、かつ波長３
００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射防止効果の
ある反射防止膜を達成している。
００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射防止効果の
ある反射防止膜を達成している。
【００３２】図３は本発明の反射防止膜の実施形態３，
６の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第
５層は高屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、第２層，第４層，第
６層は低屈折率材料のＡｌＦ 3 、そして第７層にオーバ
ーコート膜としてのＣａＦ2 を用いている。
６の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（合成石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第
５層は高屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 、第２層，第４層，第
６層は低屈折率材料のＡｌＦ 3 、そして第７層にオーバ
ーコート膜としてのＣａＦ2 を用いている。
【００３３】７層構成では、各層の光学的膜厚（屈折率
×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１層から第７層
まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７と
表すとき、 ０．４１×λ０≦ｄ１≦０．４６×λ０ ０．３１×λ０≦ｄ２≦０．３９×λ０ ０．４４×λ０≦ｄ３≦０．５０×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．２０×λ０ ０．２３×λ０≦ｄ５≦０．２８×λ０ ０．１０×λ０≦ｄ６≦０．１５×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ７≦０．１１×λ０ を満たすようにしている。
×幾何学的膜厚）を基板側から数えて第１層から第７層
まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７と
表すとき、 ０．４１×λ０≦ｄ１≦０．４６×λ０ ０．３１×λ０≦ｄ２≦０．３９×λ０ ０．４４×λ０≦ｄ３≦０．５０×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．２０×λ０ ０．２３×λ０≦ｄ５≦０．２８×λ０ ０．１０×λ０≦ｄ６≦０．１５×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ７≦０．１１×λ０ を満たすようにしている。
【００３４】これにより、耐環境性が良く、かつ波長３
００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射防止効果の
ある反射防止膜を達成している。
００ｎｍ以下で広帯域の紫外光に対して反射防止効果の
ある反射防止膜を達成している。
【００３５】次に本発明の反射防止膜の各実施形態の具
体的な数値例について説明する。
体的な数値例について説明する。
【００３６】実施例１ 高屈折率膜Ａｌ2 Ｏ3 と低屈折率膜ＡｌＦ3 ，ＣａＦ2
を用い、設計中心波長λ０＝１９３ｎｍの紫外光に対す
る５層の反射防止膜の構成を表１に示す。合成石英基板
を用い、表１の膜厚で反射防止膜を製作した。製作した
反射特性を測定した結果を図４に示す。反射率０．５％
以下の波長帯域幅が約３８ｎｍと広いことが確認され
た。
を用い、設計中心波長λ０＝１９３ｎｍの紫外光に対す
る５層の反射防止膜の構成を表１に示す。合成石英基板
を用い、表１の膜厚で反射防止膜を製作した。製作した
反射特性を測定した結果を図４に示す。反射率０．５％
以下の波長帯域幅が約３８ｎｍと広いことが確認され
た。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例２ 設計中心波長λ０＝１９３ｎｍの紫外光に対する６層構
成の反射防止膜構成を表２に示す。合成石英基板を用
い、表２の膜厚で反射防止膜を製作した。製作した反射
防止膜の反射特性を測定した結果を図５に示す。波長２
００ｎｍ以下の真空紫外波長域でも、反射率０．５％以
下の波長帯域幅が約３９ｎｍと広い膜構成が可能である
ことをが確認された。
成の反射防止膜構成を表２に示す。合成石英基板を用
い、表２の膜厚で反射防止膜を製作した。製作した反射
防止膜の反射特性を測定した結果を図５に示す。波長２
００ｎｍ以下の真空紫外波長域でも、反射率０．５％以
下の波長帯域幅が約３９ｎｍと広い膜構成が可能である
ことをが確認された。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例３ 設計中心波長λ０＝１９３ｎｍの紫外光に対する７層構
成の反射防止膜構成を表３に示す。合成石英基板を用
い、表３の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図６に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍ以下の真空紫外波長域でも、反射率０．５％
以下の波長帯域幅が４４ｎｍと広い膜構成が可能である
ことを確認された。
成の反射防止膜構成を表３に示す。合成石英基板を用
い、表３の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図６に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍ以下の真空紫外波長域でも、反射率０．５％
以下の波長帯域幅が４４ｎｍと広い膜構成が可能である
ことを確認された。
【００４１】
【表３】
【００４２】実施例４ 高屈折率膜Ａｌ2 Ｏ3 と低屈折率膜ＡｌＦ3 ，ＣａＦ2
を用い、設計中心波長λ０＝２４８ｎｍの紫外光に対す
る５層の反射防止膜の構成を表４に示す。合成石英基板
を用い、表４の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特
性を測定した。図７に反射率光学特性測定結果を示す。
反射率０．５％以下の波長帯域幅が約５０ｎｍと広いこ
とが確認された。
を用い、設計中心波長λ０＝２４８ｎｍの紫外光に対す
る５層の反射防止膜の構成を表４に示す。合成石英基板
を用い、表４の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特
性を測定した。図７に反射率光学特性測定結果を示す。
反射率０．５％以下の波長帯域幅が約５０ｎｍと広いこ
とが確認された。
【００４３】
【表４】
【００４４】実施例５ 設計中心波長λ０＝２４８ｎｍの紫外光に対する６層構
成の反射防止膜構成を表５に示す。合成石英基板を用
い、表５の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図８に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍから３００ｎｍの紫外波長域でも、反射率
０．５％以下の波長帯域幅が約６０ｎｍと広い膜構成が
可能であることが確認された。
成の反射防止膜構成を表５に示す。合成石英基板を用
い、表５の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図８に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍから３００ｎｍの紫外波長域でも、反射率
０．５％以下の波長帯域幅が約６０ｎｍと広い膜構成が
可能であることが確認された。
【００４５】
【表５】
【００４６】実施例６ 設計中心波長λ０＝２４８ｎｍの紫外光に対する７層構
成の反射防止膜構成を表６に示す。合成石英基板を用
い、表６の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図９に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍから３００ｎｍの紫外波長域でも、反射率
０．５％以下の波長帯域幅が約６７ｎｍと広い膜構成が
可能であることが確認された。
成の反射防止膜構成を表６に示す。合成石英基板を用
い、表６の膜厚で反射防止膜を製作し、その反射特性を
測定した。図９に反射率光学特性測定結果を示す。波長
２００ｎｍから３００ｎｍの紫外波長域でも、反射率
０．５％以下の波長帯域幅が約６７ｎｍと広い膜構成が
可能であることが確認された。
【００４７】
【表６】
【００４８】実施例７ 実施例１から６の反射防止膜は、真空蒸着法及びスパッ
タリング法で製作した。
タリング法で製作した。
【００４９】真空蒸着は、真空度を１０-5Ｐａ以下まで
排気後、Ａｌ2 Ｏ3 は酸素ガスを約２０SCCM導入し電子
銃で蒸着し、ＡｌＦ3 及びＣａＦ2 は高真空状態で抵抗
加熱で蒸着した。基板温度は２００℃以上加熱した。
排気後、Ａｌ2 Ｏ3 は酸素ガスを約２０SCCM導入し電子
銃で蒸着し、ＡｌＦ3 及びＣａＦ2 は高真空状態で抵抗
加熱で蒸着した。基板温度は２００℃以上加熱した。
【００５０】スパッタリングは９９．９９９％のアルミ
ニウムターゲットを用い、Ａｌ2 Ｏ 3 を成膜するときは
酸素ガスを主成分とするプロセスガスを用い、ＡｌＦ3
を成膜するときはＸｅガス及びＮＦ3 混合ガスを用い
た。ＡｌＦ3 成膜時はＡｒ，Ｈｅ等の他の不活性ガス及
び不活性ガス希釈のＦ2 ガスやＣＦ4 等のフッ素系ガス
でも可能である。
ニウムターゲットを用い、Ａｌ2 Ｏ 3 を成膜するときは
酸素ガスを主成分とするプロセスガスを用い、ＡｌＦ3
を成膜するときはＸｅガス及びＮＦ3 混合ガスを用い
た。ＡｌＦ3 成膜時はＡｒ，Ｈｅ等の他の不活性ガス及
び不活性ガス希釈のＦ2 ガスやＣＦ4 等のフッ素系ガス
でも可能である。
【００５１】又、ＣａＦ2 は、単結晶ＣａＦ2 ターゲッ
トを用いＡｌＦ3 と同様なプロセスで成膜を行った。従
って、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットでガスのみを切り替えＡｌ
2 Ｏ 3 とＡｌＦ3 は成膜し、ＣａＦ2 膜はＣａＦ2 ター
ゲットを用いて成膜した。
トを用いＡｌＦ3 と同様なプロセスで成膜を行った。従
って、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットでガスのみを切り替えＡｌ
2 Ｏ 3 とＡｌＦ3 は成膜し、ＣａＦ2 膜はＣａＦ2 ター
ゲットを用いて成膜した。
【００５２】（比較例）表１〜６の反射防止膜（Ａ群）
と最終層にオーバーコート膜のＣａＦ2 がない膜構成の
反射防止膜（Ｂ群）の耐環境性を比較する為、６０℃−
相対湿度９０％の環境下に１０００時間放置し、外観、
密着性の比較を行った。
と最終層にオーバーコート膜のＣａＦ2 がない膜構成の
反射防止膜（Ｂ群）の耐環境性を比較する為、６０℃−
相対湿度９０％の環境下に１０００時間放置し、外観、
密着性の比較を行った。
【００５３】６０℃−相対湿度９０％の環境下に１００
０時間放置した結果は、共に有意差はなかったが、２０
００時間放置ではＢ群反射防止膜は、外観に曇りが生じ
はじめているものが見られた。
０時間放置した結果は、共に有意差はなかったが、２０
００時間放置ではＢ群反射防止膜は、外観に曇りが生じ
はじめているものが見られた。
【００５４】（比較例）表１〜６の反射防止膜（Ａ群）
と最終層にオーバーコート膜のＣａＦ2 がない膜構成の
反射防止膜（Ｂ群）に設計中心波長と同じ波長のレーザ
ーを照射して外観及び特性を比較した。
と最終層にオーバーコート膜のＣａＦ2 がない膜構成の
反射防止膜（Ｂ群）に設計中心波長と同じ波長のレーザ
ーを照射して外観及び特性を比較した。
【００５５】１９３ｎｍのＡｒＦレーザー照射強度は、
５ｍｊ／ｃｍ2 で１×１０10パルス回照射した。又、２
４８ｎｍのＫｒＦレーザー照射強度は２０ｍｊ／ｃｍ2
で１×１０10パルス回照射した。
５ｍｊ／ｃｍ2 で１×１０10パルス回照射した。又、２
４８ｎｍのＫｒＦレーザー照射強度は２０ｍｊ／ｃｍ2
で１×１０10パルス回照射した。
【００５６】結果は、Ａ群，Ｂ群共にＫｒＦレーザー照
射では有意差はなかったが、ＡｒＦレーザー照射のＢ群
反射防止膜のみ、外観に曇りが観測され膜付着が観測さ
れた。
射では有意差はなかったが、ＡｒＦレーザー照射のＢ群
反射防止膜のみ、外観に曇りが観測され膜付着が観測さ
れた。
【００５７】本発明では前述した構成の反射防止膜を各
レンズ面やミラー面等に適用した光学系を紫外光領域を
対象とした各種の装置に用いている。例えば、前述した
構成の反射防止膜を施した光学系を半導体デバイスを製
造するときに回路パターンが形成されているレチクル面
を照明するときの照明装置やレチクル面上のパターンを
ウエハ面上に投影露光するときの露光装置等に用いてい
る。又、このときの露光装置によって得られたウエハを
現像処理工程を介してデバイスを製造するようにしてい
る。
レンズ面やミラー面等に適用した光学系を紫外光領域を
対象とした各種の装置に用いている。例えば、前述した
構成の反射防止膜を施した光学系を半導体デバイスを製
造するときに回路パターンが形成されているレチクル面
を照明するときの照明装置やレチクル面上のパターンを
ウエハ面上に投影露光するときの露光装置等に用いてい
る。又、このときの露光装置によって得られたウエハを
現像処理工程を介してデバイスを製造するようにしてい
る。
【００５８】図１０は本発明の反射防止膜を備える光学
系を用いた半導体デバイス製造用の露光装置の要部概略
図である。
系を用いた半導体デバイス製造用の露光装置の要部概略
図である。
【００５９】図中、１はエキシマレーザ等の紫外光を放
射する光源である。２は照明装置であり、光源１からの
光束でレチクル４を照明している。３はミラー面であ
る。５は投影光学系であり、レチクル４面上のパターン
をウエハ６に投影している。
射する光源である。２は照明装置であり、光源１からの
光束でレチクル４を照明している。３はミラー面であ
る。５は投影光学系であり、レチクル４面上のパターン
をウエハ６に投影している。
【００６０】本実施形態ではミラー３、そして照明装置
２や投影光学系５に使われているレンズ等の光学要素に
は本発明の反射防止膜が施されている。これによって光
束の各面での反射防止を図り、フレアーやゴーストの発
生を防止して良好なる投影パターン像を得ている。
２や投影光学系５に使われているレンズ等の光学要素に
は本発明の反射防止膜が施されている。これによって光
束の各面での反射防止を図り、フレアーやゴーストの発
生を防止して良好なる投影パターン像を得ている。
【００６１】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００６２】図１１は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
【００６３】本実施例において、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
【００６４】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前行程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前行程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００６５】次のステップ５（組立）は後行程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００６６】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６７】図１２は上記ステップ４のウエハプロセス
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【００６８】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６９】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７０】尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高
集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る。
集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る。
【００７１】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、所定の屈
折率を有する透明基板上に高屈折率層、低屈折率層、そ
してオーバーコート膜とを適切な光学的膜厚で積層する
ことによって、耐環境性が良く、膜厚が小さく生産性が
良く、かつ波長３００ｎｍ以下で広帯域の紫外領域にお
いて良好なる反射防止を行った反射防止膜及びそれを施
した光学系を達成することができる。
折率を有する透明基板上に高屈折率層、低屈折率層、そ
してオーバーコート膜とを適切な光学的膜厚で積層する
ことによって、耐環境性が良く、膜厚が小さく生産性が
良く、かつ波長３００ｎｍ以下で広帯域の紫外領域にお
いて良好なる反射防止を行った反射防止膜及びそれを施
した光学系を達成することができる。
【００７２】この他本発明によれば、設計中心波長の約
１／１０の光学膜厚でＣａＦ2 層が最終層となる膜構成
にすることにより、耐環境性の優れた紫外用の反射防止
膜を提供することができる。又、膜構成を最適化するこ
とにより５，６，７層構造で広帯域幅の紫外用の反射防
止膜及びその製造方法を提供することができる。
１／１０の光学膜厚でＣａＦ2 層が最終層となる膜構成
にすることにより、耐環境性の優れた紫外用の反射防止
膜を提供することができる。又、膜構成を最適化するこ
とにより５，６，７層構造で広帯域幅の紫外用の反射防
止膜及びその製造方法を提供することができる。
【図１】 本発明の反射防止膜の実施形態１，４の要部
断面概略図
断面概略図
【図２】 本発明の反射防止膜の実施形態２，５の要部
断面概略図
断面概略図
【図３】 本発明の反射防止膜の実施形態３，６の要部
断面概略図
断面概略図
【図４】 本発明の反射防止膜の実施形態１の反射特性
図
図
【図５】 本発明の反射防止膜の実施形態２の反射特性
図
図
【図６】 本発明の反射防止膜の実施形態３の反射特性
図
図
【図７】 本発明の反射防止膜の実施形態４の反射特性
図
図
【図８】 本発明の反射防止膜の実施形態５の反射特性
図
図
【図９】 本発明の反射防止膜の実施形態６の反射特性
図
図
【図１０】 本発明の露光装置の要部概略図
【図１１】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
ート
【図１２】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
ート
【符号の説明】 Ｇ 基板 １ 光源 ２ 照明装置 ３ ミラー ４，Ｒ レチクル ５ 投影光学系 ６，Ｗ ウエハ
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 批榔 竜二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金沢 秀宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA08 BB02 BB04 CC01 CC03 CC06 DD04 DD05 EE00 EE02 4G059 AA20 AC04 EA01 EA09 EB04 GA02 GA04 GA12 5F046 BA03 CA08 CB01 CB12
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上にＡｌ2 Ｏ3 を含む高屈折率層と
ＡｌＦ3 を含む低屈折率層とを複数層設け、波長１６０
ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ
０があり、空気に接する最終の層はＣａＦ2 より成るオ
ーバーコート膜であり、該オーバーコート膜の光学膜厚
ＤＣは、 【数１】 を満足することを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項２】 基板上に該基板側から空気側へ順に第１
層，第２層，第３層，第４層，第５層の５つの薄膜を施
した反射防止膜であって、波長１６０ｎｍから波長３０
０ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ０があり、各層の
光学的膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を第１層から第５
層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と表すとき、
第１層と第３層がＡｌ2 Ｏ3 層であり、第２層と第４層
がＡｌＦ3 層で第５層がＣａＦ2 層であって、 ０．４０×λ０≦ｄ１≦０．４５×λ０ ０．３６×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．１９×λ０≦ｄ３≦０．２４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項３】 基板上に該基板側から空気側へ順に第１
層，第２層，第３層，第４層，第５層，第６層の６つの
薄膜を施した反射防止膜であって、波長１６０ｎｍから
波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ０があ
り、各層の光学的膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）を第１
層から第６層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６と表すとき、第１層と第３層と第５層がＡｌＦ3 層
であり、第２層と第４層がＡｌ2 Ｏ3 層で第６層がＣａ
Ｆ2 層であって、 ０．３６×λ０≦ｄ１≦０．４１×λ０ ０．３７×λ０≦ｄ２≦０．４２×λ０ ０．３２×λ０≦ｄ３≦０．３７×λ０ ０．１８×λ０≦ｄ４≦０．２３×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ５≦０．１４×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ６≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項４】 基板上に該基板側から空気側へ順に第１
層，第２層，第３層，第４層，第５層，第６層，第７層
の７つの薄膜を施した反射防止膜であって、波長１６０
ｎｍから波長３００ｎｍまでの間の光に設計中心波長λ
０があり、各層の光学的膜厚（屈折率×幾何学的膜厚）
を第１層から第７層まで順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，
ｄ５，ｄ６，ｄ７と表すとき、第１層と第３層と第５層
がＡｌ 2 Ｏ3 層であり、第２層と第４層と第６層がＡｌ
Ｆ3 層で第７層がＣａＦ2 層であって、 ０．４１×λ０≦ｄ１≦０．４６×λ０ ０．３１×λ０≦ｄ２≦０．３９×λ０ ０．４４×λ０≦ｄ３≦０．５０×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ４≦０．２０×λ０ ０．２３×λ０≦ｄ５≦０．２８×λ０ ０．１０×λ０≦ｄ６≦０．１５×λ０ ０．０９×λ０≦ｄ７≦０．１１×λ０ を満たすことを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項５】 前記基板は石英又は蛍石を含んでいるこ
とを特徴とする請求項１から４のいずれか１項の反射防
止膜。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項の反射防
止膜を構成する前記Ａｌ2 Ｏ3 層と前記ＡｌＦ3 層、そ
して前記ＣａＦ2 層を真空蒸着法で製造することを特徴
とする反射防止膜の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から５のいずれか１項の反射防
止膜をアルミニウムターゲットを用い、ガス種をＡｒ，
Ｈｅ，Ｘｅ等の不活性ガスと酸素ガスとフッ素系ガスと
を切り替え、スパッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 とＡｌ
Ｆ3 の膜を製造し、ＣａＦ2 膜はＣａＦ2 ターゲットと
を用い、不活性ガスとフッ素系ガスを主成分とするスパ
ッタリング法により製造することを特徴とする反射防止
膜の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１から５のいずれか１項記載の反
射防止膜を施したレンズを備えることを特徴とする光学
系。 - 【請求項９】 請求項８の光学系を用いて光源手段から
の光束で所定面を照明していることを特徴とする照明装
置。 - 【請求項１０】 請求項８の光学系により原版のパター
ンを基板上に結像することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１１】 請求項８の光学系により原版を照明
し、かつ該原版のパターンを基板上に投影することを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１の露光装置を用い
て原版のパターンを基板上に転写する工程を有すること
を特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002228A JP2000199802A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002228A JP2000199802A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199802A true JP2000199802A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11523509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002228A Pending JP2000199802A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000199802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007126091A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法、エッチングマスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN103018798A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低损耗深紫外多层膜的制备方法 |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP11002228A patent/JP2000199802A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007126091A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法、エッチングマスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN103018798A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低损耗深紫外多层膜的制备方法 |
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