JPS6097684A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPS6097684A JPS6097684A JP20532583A JP20532583A JPS6097684A JP S6097684 A JPS6097684 A JP S6097684A JP 20532583 A JP20532583 A JP 20532583A JP 20532583 A JP20532583 A JP 20532583A JP S6097684 A JPS6097684 A JP S6097684A
- Authority
- JP
- Japan
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- layer
- reflective film
- layers
- refractive index
- qas
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｐ（またはｎ）−ＧａＡｓ基板上にｐ（また
はｎ）−ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ層（第１クラッド層とい
う）と、Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ Ｉ−ｙ Ａ ｓ層（活性
層という）と、ｎ（またはｐ） −ＡｌｚＧａ、ｚＡｓ
層（第２クラッド層という）とを形成してなるストライ
プ形半導体レーザおよびその製造方法に関する。
はｎ）−ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ層（第１クラッド層とい
う）と、Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ Ｉ−ｙ Ａ ｓ層（活性
層という）と、ｎ（またはｐ） −ＡｌｚＧａ、ｚＡｓ
層（第２クラッド層という）とを形成してなるストライ
プ形半導体レーザおよびその製造方法に関する。
第１図は、従来例の半導体レーザの発光面方向から見た
構造断面図である。第１図において、符号１はｐ（また
はｎ）−ＧａＡｓ基板、２１まｐ（またはｎ）−Ａ １
ｘＧａ＋−ｘＡｓｆｆｉ（ｆｌ’＜ １クラッド層とい
う）、３はＡＩ’ｙＧａ＋−ｙＡｓ層（活性層というた
だしｙ＜ｘ、ｙ＜ｚ）、４は、ｎ（またはｐ） −Ａ
１ｚＧａ１’−ｚＡｓ層（第２クラッド層という）、５
はｎ＋（またはｐ” ）−ＧａＡｓ層、６はＴｉ層、７
はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。このような半導体レ
ーザでは、連続発振動作時にはスペクトル的にシングル
モードで発振するが高速変調時のみならずレーザ光の戻
り光が変化する場合には前記シングルモードではレーザ
発振しない場合がある。これを解決するものとして従来
から例えば分布帰還型、分布反射型、二重共振器型等の
半導体レーザが開発されている。しかしながら、これら
従来のものではいずれも構造が複雑であるために量産に
は不向きであり、かつ製造コストも高くつくという欠点
があった。
構造断面図である。第１図において、符号１はｐ（また
はｎ）−ＧａＡｓ基板、２１まｐ（またはｎ）−Ａ １
ｘＧａ＋−ｘＡｓｆｆｉ（ｆｌ’＜ １クラッド層とい
う）、３はＡＩ’ｙＧａ＋−ｙＡｓ層（活性層というた
だしｙ＜ｘ、ｙ＜ｚ）、４は、ｎ（またはｐ） −Ａ
１ｚＧａ１’−ｚＡｓ層（第２クラッド層という）、５
はｎ＋（またはｐ” ）−ＧａＡｓ層、６はＴｉ層、７
はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。このような半導体レ
ーザでは、連続発振動作時にはスペクトル的にシングル
モードで発振するが高速変調時のみならずレーザ光の戻
り光が変化する場合には前記シングルモードではレーザ
発振しない場合がある。これを解決するものとして従来
から例えば分布帰還型、分布反射型、二重共振器型等の
半導体レーザが開発されている。しかしながら、これら
従来のものではいずれも構造が複雑であるために量産に
は不向きであり、かつ製造コストも高くつくという欠点
があった。
本発明は、簡単な構造で量産に適し、製造コストを低減
しその上、縦モードの安定性を良くすることを目的とす
る。
しその上、縦モードの安定性を良くすることを目的とす
る。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。この実施例は屈折率導波型半導体レーザに適用し
て説明する。第２図はこの実施例の構造断面図であ１）
、第１図と対応する部分には同一の符号を付す。第２図
において符号１はｐ（またはｎ）−ＧａＡｓ基板、２は
ｐ（またはｎ） −Ａ ＩｘＧａ。
する。この実施例は屈折率導波型半導体レーザに適用し
て説明する。第２図はこの実施例の構造断面図であ１）
、第１図と対応する部分には同一の符号を付す。第２図
において符号１はｐ（またはｎ）−ＧａＡｓ基板、２は
ｐ（またはｎ） −Ａ ＩｘＧａ。
−ｘＡｓ層（第１クラッド層という）、３はＡ ｌ ｙ
Ｇ ａ ＋ −ｙＡｓ層（活性層というただし、ｙ＜
ｘ、ｙ＜ｚ）、４はｎ（またはｐ）−ＡｌｚＧａ＋−ｚ
Ａｓ層（第２クラ・ンド層という）である。６はＴｉ層
、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。前記第１クラッ
ド層２内に該第１クラッド層２と同伝導型でｐ（または
ｎ）−Ａ １ｐＧａ＋−ｐＡｓ層９１とｐ（またはｎ）
−ＡｌｑＧａ、−ｑＡｓ層９２とを交互に多層積層して
なる第１反射膜層９が形成され、前記第２クラッド層４
内に該第２クラツドｙｖＩ４と同伝導型でｎ（またはｐ
）−ＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓ層１０１とｎ（またはｐ）
−Ａ ＩｑＧａｌ−ｑＡｓ層１１０２ （ただし、ｙ＜
ｘ、 ｙ＜ｚ、 ｐ；’Ｑ、 ０２２％ Ｑ≧ｚ、 ｐ
≧ｘ％ｑ≧×）とｉ−交互に多層積層してなる第２反射
膜層１０が形成され、前記両反射膜層９，１０のそれぞ
れの膜厚はλ／４ｎ、、λ／４ｎ２（ただし、λは中心
発光波長、ｎ１１１２はそれぞれ第１．第２反射膜層９
゜１０の各屈折率）に設定される。まｔこ前記両反射膜
７！９．１０間の距離はλ／２ｎ＊（ただし、ｎ、は両
反射膜層９，１０間の屈折率）の整数倍に設定される。
Ｇ ａ ＋ −ｙＡｓ層（活性層というただし、ｙ＜
ｘ、ｙ＜ｚ）、４はｎ（またはｐ）−ＡｌｚＧａ＋−ｚ
Ａｓ層（第２クラ・ンド層という）である。６はＴｉ層
、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。前記第１クラッ
ド層２内に該第１クラッド層２と同伝導型でｐ（または
ｎ）−Ａ １ｐＧａ＋−ｐＡｓ層９１とｐ（またはｎ）
−ＡｌｑＧａ、−ｑＡｓ層９２とを交互に多層積層して
なる第１反射膜層９が形成され、前記第２クラッド層４
内に該第２クラツドｙｖＩ４と同伝導型でｎ（またはｐ
）−ＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓ層１０１とｎ（またはｐ）
−Ａ ＩｑＧａｌ−ｑＡｓ層１１０２ （ただし、ｙ＜
ｘ、 ｙ＜ｚ、 ｐ；’Ｑ、 ０２２％ Ｑ≧ｚ、 ｐ
≧ｘ％ｑ≧×）とｉ−交互に多層積層してなる第２反射
膜層１０が形成され、前記両反射膜層９，１０のそれぞ
れの膜厚はλ／４ｎ、、λ／４ｎ２（ただし、λは中心
発光波長、ｎ１１１２はそれぞれ第１．第２反射膜層９
゜１０の各屈折率）に設定される。まｔこ前記両反射膜
７！９．１０間の距離はλ／２ｎ＊（ただし、ｎ、は両
反射膜層９，１０間の屈折率）の整数倍に設定される。
したがって、この実施例によれば第１の７アブリ・ペロ
反射器であるへきかい面によるレーザ光は、前記各クラ
ッド層内に設けられた第２の７７ブリ・ベロ反射器とな
る各反射膜層９，１０によるこのレーザ光と垂直な共振
光との開で堺導放出過程を介して干渉する。このとき、
第２の７７ブリ・ペロ反射器長は光中心波長λと同じオ
ーダーであるためモードｌＩ］隔が極端に広くなり、こ
の結果へきかい面からのレーザ光が１波長にロックされ
る。この場合、垂直方向にもレーザ条件を満足すれば、
より充分なロックが可能となる。尚、前記各反射膜層９
，１０を構成する各層９１，９２、ｉ ｏ ｉ 、、ｉ
０２のそれぞれの膜厚は前記の通り設定されているが
、このようにＡ１の組成が互いに異なり、かつ膜厚が前
記のように設定された層がこのように多数積層されると
中心発光波長大を中心とした一定域の波長が選択的に反
射される。したがってこのような反射膜層９，１０を有
する半導体レーザでは該反射膜層９，１０で反射される
ことになる。第３図は、縦軸に反射率を、横軸に波長を
それぞれとり、ＡｌｐＧａｌ−ｐＡｓ層における組成を
ｐ＝０．３５（屈折率ｒｊｌ ＝＝３．６ ）、膜厚５
７０オングストロームと、ＡＩｑＧａ、ｑＡｓ層におけ
る組成をｑ＝０．７（屈折率ｎ、＝ ３．３）、膜厚６
２０オングストロームの合計４９層を積層したときの波
長に対する反射率を示す図である。第３図からあきらか
なように波長λが８２０ｎｍのときに反射率が９４％程
度になる。
反射器であるへきかい面によるレーザ光は、前記各クラ
ッド層内に設けられた第２の７７ブリ・ベロ反射器とな
る各反射膜層９，１０によるこのレーザ光と垂直な共振
光との開で堺導放出過程を介して干渉する。このとき、
第２の７７ブリ・ペロ反射器長は光中心波長λと同じオ
ーダーであるためモードｌＩ］隔が極端に広くなり、こ
の結果へきかい面からのレーザ光が１波長にロックされ
る。この場合、垂直方向にもレーザ条件を満足すれば、
より充分なロックが可能となる。尚、前記各反射膜層９
，１０を構成する各層９１，９２、ｉ ｏ ｉ 、、ｉ
０２のそれぞれの膜厚は前記の通り設定されているが
、このようにＡ１の組成が互いに異なり、かつ膜厚が前
記のように設定された層がこのように多数積層されると
中心発光波長大を中心とした一定域の波長が選択的に反
射される。したがってこのような反射膜層９，１０を有
する半導体レーザでは該反射膜層９，１０で反射される
ことになる。第３図は、縦軸に反射率を、横軸に波長を
それぞれとり、ＡｌｐＧａｌ−ｐＡｓ層における組成を
ｐ＝０．３５（屈折率ｒｊｌ ＝＝３．６ ）、膜厚５
７０オングストロームと、ＡＩｑＧａ、ｑＡｓ層におけ
る組成をｑ＝０．７（屈折率ｎ、＝ ３．３）、膜厚６
２０オングストロームの合計４９層を積層したときの波
長に対する反射率を示す図である。第３図からあきらか
なように波長λが８２０ｎｍのときに反射率が９４％程
度になる。
以上のように本発明によれば前記第１クラッド層内に該
第１クラッド層と同伝導型でｐ（またはｎ）−ＡｌｐＧ
ａｌ−ｐＡｓ層とｐ（またはｎ） −Ａ ＩｑＧａ＋−
ｑＡｓ層とを交互に多層積層してなる第１反射膜層が形
成され、前記第２クラッド層内に該第２クラッド層と同
伝導型でｎ（またはｐ）−ＡＩｐＧａ＋−ｐＡｓ層とｎ
（またはｐ） −Ａ １ｑＧａ１−ｑＡｓｊｉ（ただし
、ｙ＜ｘ、ｙく２、 ｐ≠ｑ、 ｐ≧ｚ、ｑ≧ｚ、 ｐ
≧ｘ、 ｑ≧Ｘ）とを交互に多層積層してなる第２反射
膜層が形成され、前記両反射膜層のそれぞれの膜厚はλ
／４ｎ、、λ／４ｎ２（ただし、、−λは中心発光波長
、ｎ１１１２はそれぞれ第１゜第２反射膜層の各屈折率
）に設定され、また前記両反射膜層間の距離はλ／２ｎ
３（ただし、ｎ３は両反射膜眉間の屈折率）の整数倍に
設定されたので、第１の７７ブリ・ペロ反射器であるへ
きかい面によるレーザ光は、前記各クラッド層内に設け
られた第２の７７ブリ・ペロ反射器となる各反射膜層に
よるこのレーザ光と垂直な共振光との間で誘導放出過程
を介して干渉する。このと外、第２の７アブリ・ペロ反
射器長は光中心波長λと同じオーダーであるためモード
間隔が極端に広くなり、この結果へ外かい面からのレー
ザ光が１波長に口・ンクされる。したがって、活性層が
温度変化や戻り光の変化による影響などにより他の縦モ
ードへ飛ぼうとしても該縦モードは強力にロン２される
ことになり、該縦モードの安定化が計れる。
第１クラッド層と同伝導型でｐ（またはｎ）−ＡｌｐＧ
ａｌ−ｐＡｓ層とｐ（またはｎ） −Ａ ＩｑＧａ＋−
ｑＡｓ層とを交互に多層積層してなる第１反射膜層が形
成され、前記第２クラッド層内に該第２クラッド層と同
伝導型でｎ（またはｐ）−ＡＩｐＧａ＋−ｐＡｓ層とｎ
（またはｐ） −Ａ １ｑＧａ１−ｑＡｓｊｉ（ただし
、ｙ＜ｘ、ｙく２、 ｐ≠ｑ、 ｐ≧ｚ、ｑ≧ｚ、 ｐ
≧ｘ、 ｑ≧Ｘ）とを交互に多層積層してなる第２反射
膜層が形成され、前記両反射膜層のそれぞれの膜厚はλ
／４ｎ、、λ／４ｎ２（ただし、、−λは中心発光波長
、ｎ１１１２はそれぞれ第１゜第２反射膜層の各屈折率
）に設定され、また前記両反射膜層間の距離はλ／２ｎ
３（ただし、ｎ３は両反射膜眉間の屈折率）の整数倍に
設定されたので、第１の７７ブリ・ペロ反射器であるへ
きかい面によるレーザ光は、前記各クラッド層内に設け
られた第２の７７ブリ・ペロ反射器となる各反射膜層に
よるこのレーザ光と垂直な共振光との間で誘導放出過程
を介して干渉する。このと外、第２の７アブリ・ペロ反
射器長は光中心波長λと同じオーダーであるためモード
間隔が極端に広くなり、この結果へ外かい面からのレー
ザ光が１波長に口・ンクされる。したがって、活性層が
温度変化や戻り光の変化による影響などにより他の縦モ
ードへ飛ぼうとしても該縦モードは強力にロン２される
ことになり、該縦モードの安定化が計れる。
実施例による反射膜層の波長に対する反射率を示す図で
ある。 １はｐ（またはｎ）−ＧａＡｓ基板、２は＋１（または
口）−ＡｌｘＧａ、ｘＡｓ層（第１クラッド層）、３は
ＡｌｙＧａｔ−ｙＡｓ層（活性層）、４は１１（または
ｐ） ＡｌｚＧａ、−ｚＡｓ層（第２クラツドＷＡ）、
６はＴｉ層、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層、９は第１反
射膜層、１０は第２反射膜層 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 岡田和秀 ＬＥＩ！ミ誉〆
ある。 １はｐ（またはｎ）−ＧａＡｓ基板、２は＋１（または
口）−ＡｌｘＧａ、ｘＡｓ層（第１クラッド層）、３は
ＡｌｙＧａｔ−ｙＡｓ層（活性層）、４は１１（または
ｐ） ＡｌｚＧａ、−ｚＡｓ層（第２クラツドＷＡ）、
６はＴｉ層、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層、９は第１反
射膜層、１０は第２反射膜層 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 岡田和秀 ＬＥＩ！ミ誉〆
Claims (2)
- （１）ｐ（＊たはｎ）−ＧａＡｓ基板上にｐ（またはｎ
）−ＡｌｘＧａ、ｘＡｓ層（第１クラッド層という）と
、ＡｌｙＧａ、−、ｙＡｓ層（活性層という）と、ｎ（
マたはｒ＋）−ＡＩＺＧＩＬＩ−ＺＡＳ層（第２クラッ
ド層という）とが形成されるストライプ形の半導体レー
ザにおいて、前記第１クラッド層内に該第１クラッド層
と同伝導型でｐ（＊たはｎ）−ＡｌｙＧａｐ−ｐＡｓ層
とｐ（またはｎ）−ＡｌｑＧａ＋−ＱＡＳ層とを交互に
多層積層してなる第１反射膜層が形成され、前記第２ク
ラッド層内に該第２クラッド層と同伝導型でｎ（または
ｐ） −Ａ １ｐＧａ、ｐＡｓＷ！Ｉとｎ（またはｐ）
−Ａ １ｑＧａｌ−ｑＡｓ層（ただし、 ｙ＜ｘ、 ｙ
＜２． ｐ；′Ｑ、 ｌ）≧Ｚ、Ｑ≧Ｚｓ ｐ≧ｘ、ｑ
≧Ｘ）とを交互に多層積層してなる第２反射膜層が形成
され、前記両反射膜層のそれぞれの膜厚はλ／４＋１＋
ｗλ／４ｎ２（ただし、λは中心発光波長、ｎ１ｔｎ２
はそれぞれ第１．第２反射膜層の各屈折率）に設定され
、また前記両反射膜眉間の距離はλ／２ｎ。 （ただし、ｎ、は両反射膜層間の屈折率）の整数倍に設
定されてなる半導体レーザ。 - （２）ｐ（またはｎ ） −、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に
ｐ（またはｎ） −ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ層（第１クラ
ッド層という）と、ＡｌｙＧａｐ−ｙＡｓ層（活性層と
いう）と、１１（またはｐ）−ＡｌｚＧａ＋−ｚＡｓ層
（第２クラッド層という）とを形成してストライプ形の
半導体レーザを製造する方法において、前記第１クラッ
ド層内に該第１クラッド層と同伝導型でｐ（またはｎ）
−ＡｌｙＧａｐ−ｐＡｓ層とｐ（またはｎ）−ＡｌｑＧ
ａ＋−ｑＡｓ層とを交互に多層積層してなる第１反射膜
層を形成し、前記第２クラッド層内に該第２クラッド層
と同伝導型でｎ（またはｐ）−ＡｌｐＧａ、ｐＡｓ層と
ｎ（またはｐ）−Ａ １ｑＧａ＋−ｑＡｓ層（ただし、
ｙ＜ｘ、ｙ＜ｚ、ｐ≠ｑ、ｐ≧ｚ、ｑ≧Ｚ、ｐ≧×、ｑ
≧Ｘ）とを交互に多層積層してなる第２反射膜層を形成
し、前記両反射膜層のそれぞれの膜厚はλ／４ｎ、、λ
／４ｎ２（ただし、λは中心発光波長、ｎ１Ｉｎ２はそ
れぞれ第１．第２反射膜層の各屈折率）に設定し、また
前記両反射膜層間の距離はλ／２ｎ、（ただし、ｎ、は
両反射膜層間の屈折率）の整数倍に設定することにより
半導体レーザを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20532583A JPS6097684A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20532583A JPS6097684A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097684A true JPS6097684A (ja) | 1985-05-31 |
| JPS645474B2 JPS645474B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=16505063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20532583A Granted JPS6097684A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097684A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943970A (en) * | 1988-10-24 | 1990-07-24 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | Surface emitting laser |
| US4999842A (en) * | 1989-03-01 | 1991-03-12 | At&T Bell Laboratories | Quantum well vertical cavity laser |
| US5018157A (en) * | 1990-01-30 | 1991-05-21 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity semiconductor lasers |
| US5031187A (en) * | 1990-02-14 | 1991-07-09 | Bell Communications Research, Inc. | Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
| US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
| US5244749A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Article comprising an epitaxial multilayer mirror |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| US6900465B2 (en) | 1994-12-02 | 2005-05-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light-emitting device |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20532583A patent/JPS6097684A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943970A (en) * | 1988-10-24 | 1990-07-24 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | Surface emitting laser |
| US4999842A (en) * | 1989-03-01 | 1991-03-12 | At&T Bell Laboratories | Quantum well vertical cavity laser |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
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| US5244749A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Article comprising an epitaxial multilayer mirror |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| US6900465B2 (en) | 1994-12-02 | 2005-05-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645474B2 (ja) | 1989-01-30 |
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