JPS6332979A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS6332979A JPS6332979A JP17596786A JP17596786A JPS6332979A JP S6332979 A JPS6332979 A JP S6332979A JP 17596786 A JP17596786 A JP 17596786A JP 17596786 A JP17596786 A JP 17596786A JP S6332979 A JPS6332979 A JP S6332979A
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- JP
- Japan
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- resonator
- active layer
- semiconductor laser
- quantum
- loss
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- Granted
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 25
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は同時に１つの活性層から複数の波長のレーザ
光を出す半導体レーザに関するものである。
光を出す半導体レーザに関するものである。
第４図はたとえばアプライド フィツクス レターズ（
Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ）３６．４４１
（１９８０）に記載された４種の異なった光を出すトラ
ンスバース・ジャンクション・ストライプレーザの層構
造を示す図であり、図において、２１は上部電極、２２
はＳｉ３Ｎ４電流阻止層、１２はＮ−Ａ Ｉ、 Ｇａ１
−。
Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ）３６．４４１
（１９８０）に記載された４種の異なった光を出すトラ
ンスバース・ジャンクション・ストライプレーザの層構
造を示す図であり、図において、２１は上部電極、２２
はＳｉ３Ｎ４電流阻止層、１２はＮ−Ａ Ｉ、 Ｇａ１
−。
Ａｓクラフト層、１３はＮ−ＡｌＸｌＧａ、−、、Ａｓ
第１活性層、１４はＮＡ １ ｇｚＧ ａ ｌ−，２Ａ
Ｓ第２活性層、１５はＮ Ａ Ｉ Ｘ３Ｇ ａ ｌ
−Ｘ３Ａ ！３第３活性層、１６はＮ−Ａ １ｘ４Ｇａ
、−Ｘ４Ａｓ第４活性層、１７はｎ−ＧａＡｓ基板、１
８は下部電極、１９の斜線部はＺｎ拡散領域、２０の点
線間はＺｎドライブ領域である。ここで活性層のＡｔＭ
ｉ成比はｘ、＜ｘ、＜ｘ、＜ｘ、である。
第１活性層、１４はＮＡ １ ｇｚＧ ａ ｌ−，２Ａ
Ｓ第２活性層、１５はＮ Ａ Ｉ Ｘ３Ｇ ａ ｌ
−Ｘ３Ａ ！３第３活性層、１６はＮ−Ａ １ｘ４Ｇａ
、−Ｘ４Ａｓ第４活性層、１７はｎ−ＧａＡｓ基板、１
８は下部電極、１９の斜線部はＺｎ拡散領域、２０の点
線間はＺｎドライブ領域である。ここで活性層のＡｔＭ
ｉ成比はｘ、＜ｘ、＜ｘ、＜ｘ、である。
次に動作について説明する。ｐ側の上部電極２１から注
入される正孔（ホール）と、ｎ側の下部電極１８から注
入される電子とは図中の矢印の経路を通り４つの活性Ｊ
Ｗ１３．１４，１５．１６で再結合して発光する。ここ
でｚ、＜ｘ、＜Ｘ３＜ｘ４であるためレーザ光の波長は
λ１〉λ２〉λ。
入される正孔（ホール）と、ｎ側の下部電極１８から注
入される電子とは図中の矢印の経路を通り４つの活性Ｊ
Ｗ１３．１４，１５．１６で再結合して発光する。ここ
でｚ、＜ｘ、＜Ｘ３＜ｘ４であるためレーザ光の波長は
λ１〉λ２〉λ。
〉λ４である。
従来の多波長発振レーザは第４図のようにトランスバー
ス・ジャンクション・ストライプ型であり複数の活性層
からそれぞれ１つの波長の光を出すものであったから、
製造上コストがかかるなどの問題があった。また従来の
このような多波長発振レーザは一度に多波長を発振する
ものであったから、波長を１つずつスイッチして発振す
ることはできないという問題があった。
ス・ジャンクション・ストライプ型であり複数の活性層
からそれぞれ１つの波長の光を出すものであったから、
製造上コストがかかるなどの問題があった。また従来の
このような多波長発振レーザは一度に多波長を発振する
ものであったから、波長を１つずつスイッチして発振す
ることはできないという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、１つの活性層から複数の波長のレーザ光を同
時に発振、あるいはその発振波長をスイッチできる半導
体レーザを得ることを目的とする。
たもので、１つの活性層から複数の波長のレーザ光を同
時に発振、あるいはその発振波長をスイッチできる半導
体レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の活性層
を有する半導体レーザの共振器内部ロス、あるいはミラ
ーロスを高め、２つ以上の量子準位に相当する波長の発
振を行うようにしたもので、注入電流を切り換えること
により、発振波長を切り換える、あるいは所定の注入電
流を与えることにより同時に２以上の波長の発振を行う
ようにしたものである。
を有する半導体レーザの共振器内部ロス、あるいはミラ
ーロスを高め、２つ以上の量子準位に相当する波長の発
振を行うようにしたもので、注入電流を切り換えること
により、発振波長を切り換える、あるいは所定の注入電
流を与えることにより同時に２以上の波長の発振を行う
ようにしたものである。
この発明においては、量子井戸型半導体レーザの共振器
内部ロス、あるいはミラーロスを高めて、高い量子準位
による発振をも可能とし、２つ以上の量子準位に相当す
る波長の発振を行なえるようにしたので、注入電流を切
り換えることにより、発振波長を切り換えて波長のスイ
ッチができ、あるいは所定の注入電流を与えることによ
り２以上の波長のレーザを同時に行なうことができる。
内部ロス、あるいはミラーロスを高めて、高い量子準位
による発振をも可能とし、２つ以上の量子準位に相当す
る波長の発振を行なえるようにしたので、注入電流を切
り換えることにより、発振波長を切り換えて波長のスイ
ッチができ、あるいは所定の注入電流を与えることによ
り２以上の波長のレーザを同時に行なうことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体レーザを示す構成図
であり、図において１は上部電極、２はＳｔｏ、電流阻
止層、３はＰ−ＧａＡｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、５は例えばｐ−ＡＩＡ！−ＧａＡｓ
超格子グレーディッドインデックスウェイブガイド層、
６は例えば１００人のＧａＡｓ活性層、７は例えばｎ−
ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子グレーディフドインデソクス
ウエイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺｎ拡
散部（斜線部）である。
図は本発明の一実施例による半導体レーザを示す構成図
であり、図において１は上部電極、２はＳｔｏ、電流阻
止層、３はＰ−ＧａＡｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、５は例えばｐ−ＡＩＡ！−ＧａＡｓ
超格子グレーディッドインデックスウェイブガイド層、
６は例えば１００人のＧａＡｓ活性層、７は例えばｎ−
ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子グレーディフドインデソクス
ウエイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺｎ拡
散部（斜線部）である。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面を示す図であり、この図に
示すように、活性層ストライプのエッヂは多少凹凸にな
っている。
示すように、活性層ストライプのエッヂは多少凹凸にな
っている。
第３図は本実施例における活性層でのエネルギーバンド
構造を示す図であり、曲線部は該エネルギーバンドがＧ
ＲＩＮ−３ＣＨ構造により放物状に変化している部分で
ある。
構造を示す図であり、曲線部は該エネルギーバンドがＧ
ＲＩＮ−３ＣＨ構造により放物状に変化している部分で
ある。
本実施例による半導体レーザは、上記のように活性層の
上下クラッド層の間に超格子グレーディッドインデック
スウニイブガイド層５，７を設けてＧＲＩ Ｎ−５ＣＨ
構造を構成し、厚み方向の光の閉じ込めをしている。ま
た上下のクラッド層のバンドギャップは充分に高いもの
であり、かつ活性層６の層厚を１００人と充分薄く形成
しているので、活性層６は量子井戸構造を形成し、該活
性層内において注入されたキャリアは量子化されたエネ
ルギーバンドを持つ。またＺｎ拡散領域１１はバンドギ
ャップも高く、屈折率が低いので活性層内のキャリア及
び発生した光はＺｎが拡散されていない図示Ｗの巾に横
とじこめされる。
上下クラッド層の間に超格子グレーディッドインデック
スウニイブガイド層５，７を設けてＧＲＩ Ｎ−５ＣＨ
構造を構成し、厚み方向の光の閉じ込めをしている。ま
た上下のクラッド層のバンドギャップは充分に高いもの
であり、かつ活性層６の層厚を１００人と充分薄く形成
しているので、活性層６は量子井戸構造を形成し、該活
性層内において注入されたキャリアは量子化されたエネ
ルギーバンドを持つ。またＺｎ拡散領域１１はバンドギ
ャップも高く、屈折率が低いので活性層内のキャリア及
び発生した光はＺｎが拡散されていない図示Ｗの巾に横
とじこめされる。
次に動作について説明する。上記のように構成された本
実施例による半導体レーザにキャリアを注入してやると
、電子とホールは活性層６内で注入されたキャリアの数
に応じて量子準位間で遷移を行ない、それぞれの量子準
位に対応した波長の光を発生する。そして電流による利
得が共振器損失より大きくなるとレーザ発振をする。
実施例による半導体レーザにキャリアを注入してやると
、電子とホールは活性層６内で注入されたキャリアの数
に応じて量子準位間で遷移を行ない、それぞれの量子準
位に対応した波長の光を発生する。そして電流による利
得が共振器損失より大きくなるとレーザ発振をする。
第２図に示すように活性層ストライプのエッヂは凹凸に
なっているため、発生した光はこの部分で太き（散乱さ
れて、これは共振器内部ロスになる。さらにこのストラ
イプ幅をせまくすることによっても共振器内部ロスは高
くなる。いまこのストライプ幅を約４μとして、共振器
内部ロスを十分に高めてやれば、注入される電子とホー
ルの数が少ない間、すなわち注入電流が小さい間は、第
３図に示される活性層内の量子準位ｎ＝１の遷移でｎ−
１の量子準位に対応した波長λ１のレーザ発振が生じ、
λ１の光を出す。しかし注入電流を増してやるとｎ＝２
の量子準位でのキャリアの状態密度の方がｎ＝１の量子
準位でのそれよりも大きいため、利得はｎ＝２の遷移に
よるものの方が大きくなり、ｎ−２の量子準位に対応し
た波長λ２の光を出す。これによってｎ ＝ １での発
振はおさえられるが、共振器内部損失の大きさを所定の
値に設定し、所定の電流を流すことによって同時に上記
λ１ とλ２の光を出すことができる。
なっているため、発生した光はこの部分で太き（散乱さ
れて、これは共振器内部ロスになる。さらにこのストラ
イプ幅をせまくすることによっても共振器内部ロスは高
くなる。いまこのストライプ幅を約４μとして、共振器
内部ロスを十分に高めてやれば、注入される電子とホー
ルの数が少ない間、すなわち注入電流が小さい間は、第
３図に示される活性層内の量子準位ｎ＝１の遷移でｎ−
１の量子準位に対応した波長λ１のレーザ発振が生じ、
λ１の光を出す。しかし注入電流を増してやるとｎ＝２
の量子準位でのキャリアの状態密度の方がｎ＝１の量子
準位でのそれよりも大きいため、利得はｎ＝２の遷移に
よるものの方が大きくなり、ｎ−２の量子準位に対応し
た波長λ２の光を出す。これによってｎ ＝ １での発
振はおさえられるが、共振器内部損失の大きさを所定の
値に設定し、所定の電流を流すことによって同時に上記
λ１ とλ２の光を出すことができる。
以上のように本実施例では量子井戸型半導体レーザの共
振器内部ロスを高めてｎ＝２の量子準位での発振をおこ
りやすく構成したから、注入電流を切り換えることによ
り発振波長をスイッチできる。あるいは所定の注入電流
を与えることにより、複数の波長のレーザ光を同時に１
つの活性層から出すことができる効果がある。
振器内部ロスを高めてｎ＝２の量子準位での発振をおこ
りやすく構成したから、注入電流を切り換えることによ
り発振波長をスイッチできる。あるいは所定の注入電流
を与えることにより、複数の波長のレーザ光を同時に１
つの活性層から出すことができる効果がある。
なお、上記実施例では波長の切り換えをｙｌ ｘ、 １
とｎｘ’ｌの量子準位に対応する波長λ１．λ２の間で
行ったが、一般にはｎ＝ｍとｎ＝ｍ＋ｌの量子準位に対
応する波長の間、あるいはｎ”ｍ、ｎｔ−ａ ｍ＋ ｌ
、 ｎ −ｍ ＋ ２ ＋ ・・・の間での切り換
えが可能であり、同時に複数波長を発振する場合も同様
である。
とｎｘ’ｌの量子準位に対応する波長λ１．λ２の間で
行ったが、一般にはｎ＝ｍとｎ＝ｍ＋ｌの量子準位に対
応する波長の間、あるいはｎ”ｍ、ｎｔ−ａ ｍ＋ ｌ
、 ｎ −ｍ ＋ ２ ＋ ・・・の間での切り換
えが可能であり、同時に複数波長を発振する場合も同様
である。
また、本発明による半導体レーザにおいては光伝播の損
失を大きくするとともに注入されたキャリアがエネルギ
ー緩和されに＜クシで高次の量子準位の占を率が高めら
れるようにするために量子井戸活性層の層厚は３００Å
以下、横方向閉じ込めにより形成される光導波路のスト
ライプ幅は３ミクロン以下にすることが望ましい。
失を大きくするとともに注入されたキャリアがエネルギ
ー緩和されに＜クシで高次の量子準位の占を率が高めら
れるようにするために量子井戸活性層の層厚は３００Å
以下、横方向閉じ込めにより形成される光導波路のスト
ライプ幅は３ミクロン以下にすることが望ましい。
また、本発明のレーザの作製法としてはストライプ幅の
狭い活性層を得られる方法であれば従来用いられてきた
どの方法であってもよく、低しきい値化を図るうえでは
例えばジャーナル オプアプライド フィジックス（Ｊ
、Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、） ｖａｔ。
狭い活性層を得られる方法であれば従来用いられてきた
どの方法であってもよく、低しきい値化を図るうえでは
例えばジャーナル オプアプライド フィジックス（Ｊ
、Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、） ｖａｔ。
５８、 ｐ４５１５ （１９８５）の方法などを用いる
ことが望ましい。
ことが望ましい。
また本実施例では活性層は単一量子井戸構造としたが、
これは多重量子井戸構造であってもよい。
これは多重量子井戸構造であってもよい。
また必ずしもＧＲＩＮ−３ＣＨ構造とする必要はない。
また、共振器内部ロスを高める方法は、上記実施例の方
法すなわち、活性層のストライプ幅を狭くする方法とス
トライプエッヂを凹凸にする方法の組み合わせに限るも
のではなく、活性層の光導波路内部に光吸収の大きい部
分を設ける方法、またはこれとストライプ幅を狭くする
方法あるいはストライプエッヂを凹凸にする方法との組
み合わせ、さらにこの３つの方法の組み合わせでもよく
、また先導波路外部の光吸収率を高める方法、またはこ
れと上記３つの方法の各々との組み合わせでもよく、ま
た電流注入の電極を分割して一方の電極から逆バイアス
を印加し、エキシトン吸収ピークのシフトを行うことに
より低準位について損失を高める方法、またはこれと上
記の方法との組み合わせであってもよい。
法すなわち、活性層のストライプ幅を狭くする方法とス
トライプエッヂを凹凸にする方法の組み合わせに限るも
のではなく、活性層の光導波路内部に光吸収の大きい部
分を設ける方法、またはこれとストライプ幅を狭くする
方法あるいはストライプエッヂを凹凸にする方法との組
み合わせ、さらにこの３つの方法の組み合わせでもよく
、また先導波路外部の光吸収率を高める方法、またはこ
れと上記３つの方法の各々との組み合わせでもよく、ま
た電流注入の電極を分割して一方の電極から逆バイアス
を印加し、エキシトン吸収ピークのシフトを行うことに
より低準位について損失を高める方法、またはこれと上
記の方法との組み合わせであってもよい。
また、上記実施例では共振器内部ロスを高めたが、本発
明では、共振器端面に波長選択性をもつ反射膜をコーテ
ィングしたり、回折格子構造を用いるなどして共振器の
ミラーロスを高めてやる方法、共振器長を短くする方法
などで共振器損失を高めてもよ（、また本実施例と同様
の効果を奏する。
明では、共振器端面に波長選択性をもつ反射膜をコーテ
ィングしたり、回折格子構造を用いるなどして共振器の
ミラーロスを高めてやる方法、共振器長を短くする方法
などで共振器損失を高めてもよ（、また本実施例と同様
の効果を奏する。
以上のように、本発明によれば、量子井戸型半導体レー
ザの共振器内部ロス、あるいはミラーロスをある程度高
めて、通常の発振波長の量子準位よりも高い量子準位で
の波長の発振が起こりやすい状態にし、２つ以上の量子
準位に相当する波長の発振を行えるようにしたので、注
入電流を切り換えることにより発振波長を切り換えて、
発振波長をスイッチでき、あるいは所定の注入電流を与
えることにより、同時に２以上の波長の発振を行うこと
ができる効果がある。
ザの共振器内部ロス、あるいはミラーロスをある程度高
めて、通常の発振波長の量子準位よりも高い量子準位で
の波長の発振が起こりやすい状態にし、２つ以上の量子
準位に相当する波長の発振を行えるようにしたので、注
入電流を切り換えることにより発振波長を切り換えて、
発振波長をスイッチでき、あるいは所定の注入電流を与
えることにより、同時に２以上の波長の発振を行うこと
ができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
構成図、第２図は第１図の実施例の活性層のＡ−Ａ断面
を示す図、第３図は第１図の実施例の活性層のエネルギ
ー帯構造を示す図、第４図は従来の多波長のレーザ光を
出す半導体レーザを示す構造図である。 １は上部電極、２はＳｉＯ□電流阻止層、３はｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
５はｐ−ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子超格子グレーディッ
ドインデックスウェイ上ガイド層ＧａＡｓ活性層、７は
ｎ−ＡＩＡｓ−ＧａＡＳ超格子グレーディッドインデッ
クスウニイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺ
ｎ拡散領域。
構成図、第２図は第１図の実施例の活性層のＡ−Ａ断面
を示す図、第３図は第１図の実施例の活性層のエネルギ
ー帯構造を示す図、第４図は従来の多波長のレーザ光を
出す半導体レーザを示す構造図である。 １は上部電極、２はＳｉＯ□電流阻止層、３はｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
５はｐ−ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子超格子グレーディッ
ドインデックスウェイ上ガイド層ＧａＡｓ活性層、７は
ｎ−ＡＩＡｓ−ＧａＡＳ超格子グレーディッドインデッ
クスウニイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺ
ｎ拡散領域。
Claims (6)
- （１）量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにお
いて、 共振器内部ロスを高め、２つ以上の量子準位に相当する
波長の発振を行うようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザ。 - （２）量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにお
いて、 ミラーロスを高め、２つ以上の量子準位に相当する波長
の発振を行うようにしたことを特徴とする半導体レーザ
。 - （３）量子井戸構造の活性層を有し、共振器内部ロスを
高め、２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行う
半導体レーザにおいて、 注入電流を換えることにより発振波長をスイッチするも
のとしたことを特徴とする半導体レーザ。 - （４）量子井戸構造の活性層を有し、ミラーロスを高め
、２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行うよう
にした半導体レーザにおいて、注入電流を換えることに
より発振波長をスイッチするものとしたことを特徴とす
る半導体レーザ。 - （５）量子井戸構造の活性層を有し、共振器内部ロスを
高め、２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行う
ようにした半導体レーザにおいて、所定の注入電流を与
えることにより同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行
うものとしたことを特徴とする半導体レーザ。 - （６）量子井戸構造の活性層を有し、ミラーロスを高め
、２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行うよう
にした半導体レーザにおいて、所定の注入電流を与える
ことにより、同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行う
ものとしたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175967A JPH0644662B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
| DE3751549T DE3751549T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| DE87306520T DE3787769T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| EP87306520A EP0254568B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| DE3751535T DE3751535T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| EP93200588A EP0547043B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| EP93200581A EP0547038B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| EP93200589A EP0547044B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| DE3751548T DE3751548T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| EP19930200587 EP0547042A3 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| US07/078,393 US4817110A (en) | 1986-07-25 | 1987-07-24 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175967A JPH0644662B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332979A true JPS6332979A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0644662B2 JPH0644662B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16005384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175967A Expired - Lifetime JPH0644662B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644662B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111091A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Canon Inc | 多波長半導体レーザ装置 |
| JPH0318080A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 量子井戸半導体レーザ |
| JP2008218913A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Denso Corp | 半導体レーザ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242093A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-10-28 | マツクス‐プランク‐ゲゼルシヤフト ツール フオエルデルングデール ヴイセンシヤフテン エー．フアオ | 改良半導体レーザデバイス |
| JPS62188393A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61175967A patent/JPH0644662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242093A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-10-28 | マツクス‐プランク‐ゲゼルシヤフト ツール フオエルデルングデール ヴイセンシヤフテン エー．フアオ | 改良半導体レーザデバイス |
| JPS62188393A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111091A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Canon Inc | 多波長半導体レーザ装置 |
| JPH0318080A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 量子井戸半導体レーザ |
| JP2008218913A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Denso Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644662B2 (ja) | 1994-06-08 |
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