JPH0644662B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

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JPH0644662B2
JPH0644662B2 JP61175967A JP17596786A JPH0644662B2 JP H0644662 B2 JPH0644662 B2 JP H0644662B2 JP 61175967 A JP61175967 A JP 61175967A JP 17596786 A JP17596786 A JP 17596786A JP H0644662 B2 JPH0644662 B2 JP H0644662B2
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JP
Japan
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clad layer
lower electrode
semiconductor laser
active layer
injection current
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JP61175967A
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安紀 徳田
賢三 藤原
紀昭 塚田
啓介 小島
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Priority to EP93200581A priority patent/EP0547038B1/en
Priority to DE87306520T priority patent/DE3787769T2/de
Priority to DE3751535T priority patent/DE3751535T2/de
Priority to EP19930200587 priority patent/EP0547042A3/en
Priority to EP87306520A priority patent/EP0254568B1/en
Priority to EP93200588A priority patent/EP0547043B1/en
Priority to DE3751548T priority patent/DE3751548T2/de
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は１つの活性層から複数の波長のレーザ光を出
す半導体レーザに関するものである。
〔従来の技術〕
第４図はたとえばアプライド フィジクス レターズ(A
ppl.Phys.Lett.)36.441(1980)に記載された４種の異な
った光を出すトランスバース・ジャンクション・ストラ
イプレーザの層構造を示す図であり、図において、２１
は上部電極、２２はＳｉ３Ｎ４電流阻止層、１２はＮ−
ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層、１３はＮ−Ａｌｘ１
Ｇａ１−ｘ１Ａｓ第１活性層、１４はＮ−Ａｌｘ２Ｇａ
１−ｘ２Ａｓ第２活性層、１５はＮ−Ａｌｘ３Ｇａ
１−ｘ３Ａｓ第３活性層、１６はＮ−Ａｌｘ４Ｇａ
１−ｘ４Ａｓ第４活性層、１７はｎ−ＧａＡｓ基板、１
８は下部電極、１９の斜線部はＺｎ拡散領域、２０の点
線間はＺｎドライブ領域である。ここで活性層のＡｌ組
成比はｘ１＜ｘ２＜ｘ３＜ｘ４である。
次に動作について説明する。ｐ側の上部電極２１から注
入される正孔（ホール）と、ｎ側の下部電極１８から注
入される電子とは図中の矢印の経路を通り４つの活性層
１３，１４，１５，１６で再結合して発光する。ここで
ｘ１＜ｘ２＜ｘ３＜ｘ４であるためレーザ光の波長はλ
１＞λ２＞λ３＞λ４である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の多波長発振レーザは第４図のようにトランスバー
ス・ジャンクション・ストライプ型であり複数の活性層
からそれぞれ１つの波長の光を出すものであったから、
製造上コストがかかるなどの問題があった。また従来の
このような多波長発振レーザは一度に多波長を発振する
ものであったから、波長を１つずつスイッチして発振す
ることはできないという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、１つの活性層から複数の波長のレーザ光を同
時に発振、あるいはその発振波長をスイッチできる半導
体レーザを得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の活性層
と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下
クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の
上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下
部電極とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極
と下部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の
量子準位に相当する波長の発振を行なう程度に、その共
振器内部ロスが高い導波路構造を備えたものである。
また、この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の
活性層と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層
及び下クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた
上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極
と、単一の導波路構造とを有する半導体レーザにおい
て、上記上部電極と下部電極から注入電流を与えること
により２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行な
う程度にミラーロスを高めるミラーロス増大手段を備え
たものである。
また、この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の
活性層と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層
及び下クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた
単一の上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた単
一の下部電極とを有する半導体レーザにおいて、上記上
部電極と下部電極から注入電流を与えることにより２つ
以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度に、
その共振器内部ロスが高い導波路構造を備え、上記上部
電極と下部電極からの注入電流を切り換えることにより
発振波長をスイッチするものとしたものである。
また、この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の
活性層と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層
及び下クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた
上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極
と、単一の導波路構造とを有する半導体レーザにおい
て、上記上部電極と下部電極から注入電流を与えること
により２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行な
う程度にミラーロスを高めるミラーロス増大手段を備
え、上記上部電極と下部電極からの注入電流を切り換え
ることにより発振波長をスイッチするものとしたもので
ある。
また、この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の
活性層と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層
及び下クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた
単一の上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた単
一の下部電極とを有する半導体レーザにおいて、上記上
部電極と下部電極か注入電流を与えることにより２つ以
上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度に、そ
の共振器内部ロスが高い導波路構造を備え、上記上部電
極と下部電極から所定の注入電流を与えることにより同
時に２つ以上の波長のレーザ発振を行なうものとしても
のである。
また、この発明に係る半導体レーザは、量子井戸構造の
活性層と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層
及び下クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた
上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極
と、単一の導波路構造とを有する半導体レーザにおい
て、上記上部電極と下部電極から注入電流を与えること
により２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行な
う程度にミラーロスを高めるミラーロス増大手段を備
え、上記上部電極と下部電極から所定の注入電流を与え
ることにより同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行な
うものとしたものである。
〔作用〕
この発明においては、量子井戸構造の活性層と、該活性
層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド層
と、上記上クラッド層側に設けられた単一の上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下部電極と
を有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下部電
極から注入電流を与えることにより２つ以上の量子準位
に相当する波長の発振を行なう程度に、その共振器内部
ロスが高い導波路構造を備えたから、単一の上部，及び
単一の下部電極から注入電流を与えることによって２つ
以上の量子準位に相当する波長の発振を行なうことので
きる半導体レーザを実現できる。
また、この発明においては、量子井戸構造の活性層と、
該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラ
ッド層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一
の導波路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上
部電極と下部電極から注入電流を与えることにより２つ
以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミ
ラーロスを高めるミラーロス増大手段を備えたから、２
つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう単一導
波路の半導体レーザを実現できる。
また、この発明においては、量子井戸構造の活性層と、
該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラ
ッド層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の上部
電極と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下部電
極とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下
部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の量子
準位に相当する波長の発振を行なう程度に、その共振器
内部ロスが高い導波路構造を備え、上記上部電極と下部
電極からの注入電流を切り換えることにより発振波長を
スイッチするものとしたから、単一の上部、及び下部電
極からの注入電流を切り換えることによって、その発振
波長をスイッチ可能な半導体レーザを実現できる。
また、この発明においては、量子井戸構造の活性層と、
該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラ
ッド層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一
の導波路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上
部電極と下部電極から注入電流を与えることにより２つ
以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミ
ラーロスを高めるミラーロス増大手段を備え、上記上部
電極と下部電極からの注入電流を切り換えることにより
発振波長をスイッチするものとしてから、注入電流を切
り換えることによって発振波長をスイッチ可能な単一導
波路の半導体レーザを実現できる。
また、この発明においては、量子井戸構造の活性層と、
該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラ
ッド層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の上部
電極と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下部電
極とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下
部電極か注入電流を与えることにより２つ以上の量子準
位に相当する波長の発振を行なう程度に、その共振器内
部ロスが高い導波路構造を備え、上記上部電極と下部電
極から所定の注入電流を与えることにより同時に２つ以
上の波長のレーザ発振を行なうものとしたから、単一の
上部，及び下部電極からの所定の注入電流を与えること
により、同時に２以上の波長を発振の行う半導体レーザ
を実現できる。
また、この発明においては、量子井戸構造の活性層と、
該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラ
ッド層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一
の導波路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上
部電極と下部電極から注入電流を与えることにより２つ
以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミ
ラーロスを高めるミラーロス増大手段を備え、上記上部
電極と下部電極から所定の注入電流を与えることにより
同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行なうものとした
から、所定の注入電流を与えることによって、同時に２
以上の波長の発振を行う単一導波路の半導体レーザを実
現できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体レーザを示す構成図
であり、図において１は上部電極、２はＳｉＯ２電流阻
止層、３はＰ−ＧａＡｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、５は例えばｐ−ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ
超格子グレーディッドインドデックスウェイブガイド
層、６は例えば100ÅのＧａＡｓ活性層、７は例えばｎ
−ＡｌＡｓＧａＡｓ超格子グレーディッドインデックス
ウエイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺｎ拡
散部（斜線部）である。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面を示す図であり、この図に
示すように、活性層ストライプのエッヂは多少凹凸にな
っている。
第３図は本実施例における活性層でのエネルギーハンド
構造を示す図であり、曲線部は該エネルギーバンドがＧ
ＲＩＮ−ＳＣＨ構造により放物状に変化している部分で
ある。
本実施例による半導体レーザは、上記のように活性層の
上下クラッド層の間に超格子グレーディッドインデック
スウェイブガイド層５，７を設けてＧＲＩＮ−ＳＣＨ構
造を構成し、厚み方向の光の閉じ込めをしている。また
上下のクラッド層のバンドギャップは充分に高いもので
あり、かつ活性層６の層厚を100Åと充分薄く形成して
いるので、活性層６は量子井戸構造を形成し、該活性層
内において注入されたキャリアは量子化されたエネルギ
ーバンドを持つ。またＺｎ拡散領域１１はバンドギャッ
プも高く、屈折率が低いので活性層内のキャリア及び発
生した光はＺｎが拡散されていない図示Ｗの巾に横とじ
こめされる。
次に動作について説明する。上記のように構成された本
実施例による半導体レーザにキャリアを注入してやる
と、電子とホールは活性層６内で注入されたキャリアの
数に応じて量子準位間で遷移を行ない、それぞれの量子
準位に対応した波長の光を発生する。そして電流による
利得が共振器損失より大きくなるとレーザ発振をする。
第２図に示すように活性層ストライプのエッヂは凹凸に
なっているため、発生した光はこの部分で大きく散乱さ
れて、これは共振器内部ロスを増大させる。さらにこの
ストライプ幅をせまくすることによって共振器内部ロス
はより高くなる。いまこのストライプ幅を約４μとし
て、共振器内部ロスを十分に高めてやれば、注入される
電子とホールの数が少ない間、すなわち注入電流が小さ
い間は、第３図に示される活性層内の量子準位ｎ＝１の
遷移でｎ＝１の量子準位に対応した波長λ１のレーザ発
振が生じ、λ１の光を出す。しかし注入電流を増してや
るとｎ＝２の量子準位でのキャリアの状態密度の方がｎ
＝１の量子準位でのそれよりも大きいため、利得はｎ＝
２の遷移によるものの方が大きくなり、ｎ＝２の量子準
位に対応した波長λ２の光を出す。これによってｎ＝１
での発振はおさえられるが、共振器内部損失の大きさを
所定の値に設定し、所定の電流を流すことによって同時
に上記λ１とλ２の光を出すことができる。
以上のように本実施例では量子井戸型半導体レーザの共
振器内部ロスを高めてｎ＝２の量子準位での発振をおこ
りやすく構成したから、注入電流を切り換えることによ
り発振波長をスイッチできる。あるいは所定の注入電流
を与えることにより、複数の波長のレーザ光を同時に１
つの活性層から出すことができる。
なお、上記実施例では波長の切り換えをｎ＝１とｎ＝２
の量子準位に対応する波長λ１，λ２の間で行ったが、
一般にはｎ＝ｍとｎ＝ｍ＋１の量子準位に対応する波長
の間、あるいはｎ＝ｍ，ｎ＝ｍ＋１，ｎ＝ｍ＋２，…の
間での切り換えが可能であり、同時に複数波長を発振す
る場合も同様である。
また、本発明による半導体レーザにおいては光伝播の損
失を大きくするとともに注入されたキャリアがエネルギ
ー緩和されにくくして高次の量子準位の占有率が高めら
れるようにするために量子井戸活性層の層厚は300Å以
下、横方向閉じ込めにより形成される光導波路のストラ
イプ幅は数ミクロン以下にすることが望ましい。
また、本発明のレーザの作製法としてはストライプ幅の
狭い活性層を得られる方法であれば従来用いられてきた
どの方法であってもよく、低しきい値化を図るうえでは
例えばジャーナル オブ アプライド フィジックス
(J.Appl.phys.)vol.58,p4515(1985)の方法などを用いる
ことが望ましい。
また本実施例では活性層は単一量子井戸構造としたが、
これは多重量子井戸構造であってもよい。また必ずしも
ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造とする必要はない。
また、共振器内部ロスを高める方法は、上記実施例の方
法すなわち、活性層のストライプ幅を狭くする方法とス
トライプエッヂを凹凸にする方法の組み合わせに限るも
のではなく、活性層の光導波路内部に光吸収の大きい部
分を設ける方法、またはこれとストライプ幅を狭くする
方法あるいはストライプエッヂを凹凸にする方法との組
み合わせ、さらにこの３つの方法の組み合わせでもよ
く、また光導波路外部の光吸収率を高める方法、または
これと上記３つの方法の各々との組に合わせでもよい。
また、上記実施例では共振器内部ロスを高めたが、本発
明では、共振器端面に波長選択性をもつ反射膜をコーテ
ィングしたりして、共振器のミラーロスを高めてやる方
法、共振器長を短くする方法などで共振器損失を高めて
もよく、また本実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、量子井戸構造の活性層
と、該活性層をはさんで配置された上クラッド層及び下
クラッド層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の
上部電極と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下
部電極とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極
と下部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の
量子準位に相当する波長の発振を行なう程度に、その共
振器内部ロスが高い導波路構造を備えたから、単一の上
部，及び単一の下部電極から注入電流を与えることによ
って２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう
ことのできる半導体レーザを実現できる効果がある。
また、本発明によれば、量子井戸構造の活性層と、該活
性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド
層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極と、上
記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一の導波
路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極
と下部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の
量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミラーロ
スを高めるミラーロス増大手段を備えたから、２つ以上
の量子準位に相当する波長の発振を行なう単一導波路の
半導体レーザを実現できる効果がある。
また、本発明によれば、量子井戸構造の活性層と、該活
性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド
層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下部電極と
を有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下部電
極から注入電流を与えることにより２つ以上の量子準位
に相当する波長の発振を行なう程度に、その共振器内部
ロスが高い導波路構造を備え、上記上部電極と下部電極
からの注入電流を切り換えることにより発振波長をスイ
ッチするものとしたから、単一の上部，及び下部電極か
らの注入電流を切り換えることによって、その発振波長
をスイッチ可能な半導体レーザを実現できる効果があ
る。
また、本発明によれば、量子井戸構造の活性層と、該活
性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド
層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極と、上
記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一の導波
路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極
と下部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の
量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミラーロ
スを高めるミラーロス増大手段を備え、上記上部電極と
下部電極からの注入電流を切り換えることにより発振波
長をスイッチするものとしたから、注入電流を切り換え
ることによって発振波長をスイッチ可能な単一導波路の
半導体レーザを実現できる効果がある。
また、本発明によれば、量子井戸構造の活性層と、該活
性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド
層と、上記上クラッド層側に設けられた単一の上部電極
と、上記下クラッド層側に設けられた単一の下部電極と
を有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下部電
極か注入電流を与えることにより２つ以上の量子準位に
相当する波長の発振を行なう程度に、その共振器内部ロ
スが高い導波路構造を備え、上記上部電極と下部電極か
ら所定の注入電流を与えることにより同時に２つ以上の
波長のレーザ発振を行なうものとしたから、単一の上
部，及び下部電極からの所定の注入電流を与えることに
より、同時に２以上の波長の発振を行う半導体レーザを
実現できる効果がある。
また、本発明によれば、量子井戸構造の活性層と、該活
性層をはさんで配置された上クラッド層及び下クラッド
層と、上記上クラッド層側に設けられた上部電極と、上
記下クラッド層側に設けられた下部電極と、単一の導波
路構造とを有する半導体レーザにおいて、上記上部電極
と下部電極から注入電流を与えることにより２つ以上の
量子準位に相当する波長の発振を行なう程度にミラーロ
スを高めるミラーロス増大手段を備え、上記上部電極と
下部電極から所定の注入電流を与えることにより同時に
２つ以上の波長のレーザ発振を行なうものとしたから、
所定の注入電流を与えることによって同時に２つ以上の
波長の発振を行う単一導波路の半導体レーザを実現でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
構成図、第２図は第１図の実施例の活性層のＡ−Ａ断面
を示す図、第３図は第１図の実施例の活性層のエネルギ
ー帯構造を示す図、第４図は従来の多波長のレーザ光を
出す半導体レーザを示す構造図である。 １は上部電極、２はＳｉＯ２電流阻止層、３はｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
５はｐ−ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子グレーディッドイン
デックスウェイブガイド層、６はＧａＡｓ活性層、７は
ｎ−ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子グレーディッドインデッ
クスウェイブガイド層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、９はｎ−ＧａＡｓ基板、１０は下部電極、１１はＺ
ｎ拡散領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 啓介 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−188393（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−242093（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−27786（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた単一の上部電極と、上記下
    クラッド層側に設けられた単一の下部電極とを有する半
    導体レーザにおいて、 上記上部電極と下部電極から注入電流を与えることによ
    り２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程
    度に、その共振器内部ロスが高い導波路構造を備えたこ
    とを特徴とする半導体レーザ。
  2. 【請求項２】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた上部電極と、上記下クラッ
    ド層側に設けられた下部電極と、単一の導波路構造とを
    有する半導体レーザにおいて、 上記上部電極と下部電極から注入電流を与えることによ
    り２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程
    度にミラーロスを高めるミラーロス増大手段を備えたこ
    とを特徴とする半導体レーザ。
  3. 【請求項３】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた単一の上部電極と、上記下
    クラッド層側に設けられた単一の下部電極とを有する半
    導体レーザにおいて、 上記上部電極と下部電極から注入電流を与えることによ
    り２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程
    度に、その共振器内部ロスが高い導波路構造を備え、上
    記上部電極と下部電極からの注入電流を切り換えること
    により発振波長をスイッチするものとしたことを特徴と
    する半導体レーザ。
  4. 【請求項４】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた上部電極と、上記下クラッ
    ド層側に設けられた下部電極と、単一の導波路構造とを
    有する半導体レーザにおいて、上記上部電極と下部電極
    から注入電流を与えることにより２つ以上の量子準位に
    相当する波長の発振を行なう程度にミラーロスを高める
    ミラーロス増大手段を備え、上記上部電極と下部電極か
    らの注入電流を切り換えることにより発振波長をスイッ
    チするものとしたことを特徴とする半導体レーザ。
  5. 【請求項５】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた単一の上部電極と、上記下
    クラッド層側に設けられた単一の下部電極とを有する半
    導体レーザにおいて、 上記上部電極と下部電極か注入電流を与えることにより
    ２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程度
    に、その共振器内部ロスが高い導波路構造を備え、上記
    上部電極と下部電極から所定の注入電流を与えることに
    より同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行なうものと
    したことを特徴とする半導体レーザ。
  6. 【請求項６】量子井戸構造の活性層と、該活性層をはさ
    んで配置された上クラッド層及び下クラッド層と、上記
    上クラッド層側に設けられた上部電極と、上記下クラッ
    ド層側に設けられた下部電極と、単一の導波路構造とを
    有する半導体レーザにおいて、 上記上部電極と下部電極から注入電流を与えることによ
    り２つ以上の量子準位に相当する波長の発振を行なう程
    度にミラーロスを高めるミラーロス増大手段を備え、上
    記上部電極と下部電極から所定の注入電流を与えること
    により同時に２つ以上の波長のレーザ発振を行なうもの
    としたことを特徴とする半導体レーザ。
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