JPS6332985A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6332985A JPS6332985A JP17597386A JP17597386A JPS6332985A JP S6332985 A JPS6332985 A JP S6332985A JP 17597386 A JP17597386 A JP 17597386A JP 17597386 A JP17597386 A JP 17597386A JP S6332985 A JPS6332985 A JP S6332985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- gain
- electrode
- injected
- quantum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザに関し、特に発振波長を選択、
切り換えを可能とした半導体レーザに関する。
切り換えを可能とした半導体レーザに関する。
第２図は従来の量子井戸型半導体レーザを示す斜視図で
あり、図において、１．２は電流端子、３．４は電極、
５はｎ型ＧａＡｓ基板、６はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、７は量子井戸活性層、８はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、９はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、ＩＯは絶縁膜、
１１．１２は対向する臂開面である。
あり、図において、１．２は電流端子、３．４は電極、
５はｎ型ＧａＡｓ基板、６はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、７は量子井戸活性層、８はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、９はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、ＩＯは絶縁膜、
１１．１２は対向する臂開面である。
ＡｌＧａＡｓクラフトＪ！６．８と量子井戸層７は層の
厚さ方向の光の閉じ込めを行う導波路を構成する。臂開
面１１．１２はファプリベローキャビティ （共振器）
を構成する。
厚さ方向の光の閉じ込めを行う導波路を構成する。臂開
面１１．１２はファプリベローキャビティ （共振器）
を構成する。
第３図は、利得スペクトルの注入キャリア濃度依存性を
示す図である。ここで注入電流計を増していくと、まず
ｎ−１の量子準位に対応する波長λ１でピークを保ちな
がら利得ｇ１が増す、さらに注入電流を増すとｎ−’ｌ
の量子準位にもバンドがキャリアに満たされることによ
り新たにｎ＝２の量子準位に対応する波長λ８でピーク
を保ちながら利得ｇ２が増し、ある電流量以上ではｇ２
がｇ、より大きくなる。このｇ２がｇｌより大き（なる
ことに対してはｎ＝２の量子準位におけるキャリ゛アの
状態密度がｎ−１の量子準位におけるそれよりも大きい
ことと、バンドフィリングとが関与している。
示す図である。ここで注入電流計を増していくと、まず
ｎ−１の量子準位に対応する波長λ１でピークを保ちな
がら利得ｇ１が増す、さらに注入電流を増すとｎ−’ｌ
の量子準位にもバンドがキャリアに満たされることによ
り新たにｎ＝２の量子準位に対応する波長λ８でピーク
を保ちながら利得ｇ２が増し、ある電流量以上ではｇ２
がｇ、より大きくなる。このｇ２がｇｌより大き（なる
ことに対してはｎ＝２の量子準位におけるキャリ゛アの
状態密度がｎ−１の量子準位におけるそれよりも大きい
ことと、バンドフィリングとが関与している。
なお、ここでいうｎ−１の量子準位に対応する波長λ１
とは最低のサブ量子準位にある自由電子と最低のサブ量
子準位にある重い正孔との結合によって生ずる光の波長
のことであり、ｎ＝２の量子準位に対応する波長λ２と
はその次のサブ量子準位にある自由電子と重い正孔との
結合による光の波長のことである。軽い正孔の寄与に関
しては説明を簡単にするため考えないものとする。
とは最低のサブ量子準位にある自由電子と最低のサブ量
子準位にある重い正孔との結合によって生ずる光の波長
のことであり、ｎ＝２の量子準位に対応する波長λ２と
はその次のサブ量子準位にある自由電子と重い正孔との
結合による光の波長のことである。軽い正孔の寄与に関
しては説明を簡単にするため考えないものとする。
次に動作について説明する。を流端子１．２に順方向の
電流を流すと電子はｐ型ＧａＡｓコンタクト７１９、ｐ
型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層８を通って量子井
戸活性層７に注入され同時に正孔がｎ型ＧａＡｓ基板５
、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッドＮ６を通って量子井戸活性
層７に注入される。この２種のキャリアが量子井戸活性
Ｎ７で発光再結合する。絶縁膜１０は電流注入される領
域をストライプ状に制限する役割を持つ。従ってストラ
イプ状の量子井戸活性層７の領域で発光再結合が起こる
。
電流を流すと電子はｐ型ＧａＡｓコンタクト７１９、ｐ
型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層８を通って量子井
戸活性層７に注入され同時に正孔がｎ型ＧａＡｓ基板５
、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッドＮ６を通って量子井戸活性
層７に注入される。この２種のキャリアが量子井戸活性
Ｎ７で発光再結合する。絶縁膜１０は電流注入される領
域をストライプ状に制限する役割を持つ。従ってストラ
イプ状の量子井戸活性層７の領域で発光再結合が起こる
。
注入電流密度によって決まる利得ｇが上記ストライプ状
の導波路の吸収損失αとファブリペロエタロンキャビテ
ィーの長さＬと臂開面１１の反射率Ｒで決まる反射損失 との和を越えると、この発光はレーザ発振に変わる。こ
の発振波長は量子井戸層厚をＬ８とすれば、次に示すエ
ネルギーに対応する。
の導波路の吸収損失αとファブリペロエタロンキャビテ
ィーの長さＬと臂開面１１の反射率Ｒで決まる反射損失 との和を越えると、この発光はレーザ発振に変わる。こ
の発振波長は量子井戸層厚をＬ８とすれば、次に示すエ
ネルギーに対応する。
ここでＥｇはＧａＡｓのバンド間隙に相当するエネルギ
ー、ｍ、” 、ｍ、”はそれぞれ電子と正孔の有効質量
であり、ｎは１．２．３・・・なる整数である。
ー、ｍ、” 、ｍ、”はそれぞれ電子と正孔の有効質量
であり、ｎは１．２．３・・・なる整数である。
従来の半導体レーザは動作電流を低くするためが満たさ
れ、ｎ−１の量子準位に相当する波長でのみ発振する。
れ、ｎ−１の量子準位に相当する波長でのみ発振する。
そのためさらに短い波長発振、複数の波長の同時発振は
行えず不便であるなどの問題があった。
行えず不便であるなどの問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、発振波長の切り換え、及び複数波長の同時
発振が可能な半導体レーザを得ることを目的とする。
れたもので、発振波長の切り換え、及び複数波長の同時
発振が可能な半導体レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、電流注入すべき電極を
分割し、該分割した電極への電流注入量を個々に制御す
ることにより、実効的に吸収損失α及び反射損失 □ｌ、、□を変化させるように構成したＬ
Ｒ 毒ものである。
分割し、該分割した電極への電流注入量を個々に制御す
ることにより、実効的に吸収損失α及び反射損失 □ｌ、、□を変化させるように構成したＬ
Ｒ 毒ものである。
この発明においては、電流を注入すべき電極を分割し、
該実効的に吸収損失及び反射損失を変化させるように構
成したから、発振のおこる量子準位を制御することがで
きる。
該実効的に吸収損失及び反射損失を変化させるように構
成したから、発振のおこる量子準位を制御することがで
きる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１．２Ａ、２Ｂは電流端子。
図において、１．２Ａ、２Ｂは電流端子。
３．４Ａ、４Ｂは電極、５はｎ” −ＧａＡｓ基板、６
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７は量子井戸活性層、
８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラフト層、９はｐ”−ＧａＡｓ
コンタクト層、１０は絶縁膜、１３はｐ型ドーパントの
拡散フロント、１４は電極４Ａと４Ｂを分離するための
溝である。１１．１２は臂開面でありファプリーペロー
共振器を構成する。拡散されたｐ型ドーパントは共振器
の軸に垂直なストライプ状の光導波路を量子井戸活性層
７に形成する役割を果たす。一般にストライプ幅をせま
くするとその導波路の近傍の拡散領域において導波され
ている光の自由キャリアによる吸収が生じる。
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７は量子井戸活性層、
８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラフト層、９はｐ”−ＧａＡｓ
コンタクト層、１０は絶縁膜、１３はｐ型ドーパントの
拡散フロント、１４は電極４Ａと４Ｂを分離するための
溝である。１１．１２は臂開面でありファプリーペロー
共振器を構成する。拡散されたｐ型ドーパントは共振器
の軸に垂直なストライプ状の光導波路を量子井戸活性層
７に形成する役割を果たす。一般にストライプ幅をせま
くするとその導波路の近傍の拡散領域において導波され
ている光の自由キャリアによる吸収が生じる。
次に動作について説明する。電極４Ａの下にある光導波
路の共振器長方向の長さをＬＡ％該光導光導波路域にお
ける電流利得をｇＡ、該領域における共振器内部損失を
α１とし、電極４Ｂの下にある光導波路の共振器長方向
の長さをＬｗ、該光導波路の領域における電流利得をｇ
Ｂ、該領域における共振器内部損失をα３として、臂開
面１１゜１２の反射率をＲとした場合に、電流端子１と
２Ａ、及び電流端子１と２Ｂの間に順方向電流を流し、
この電流注入によって利得ｇＡ、ｇｍを増加させ、 ｇａ Ｌａ ＋ｇ、 Ｌ、 ＞αＡＬＡ＋α、Ｌ３＋れ
−・・・（２）が満たされたとき、このレーザは発振
する。ここで電極４Ａを発振させるための電極、電極４
Ｂを波長制御のための電極と考えると、（２）式を次式
のように書きかえることが出来る。
路の共振器長方向の長さをＬＡ％該光導光導波路域にお
ける電流利得をｇＡ、該領域における共振器内部損失を
α１とし、電極４Ｂの下にある光導波路の共振器長方向
の長さをＬｗ、該光導波路の領域における電流利得をｇ
Ｂ、該領域における共振器内部損失をα３として、臂開
面１１゜１２の反射率をＲとした場合に、電流端子１と
２Ａ、及び電流端子１と２Ｂの間に順方向電流を流し、
この電流注入によって利得ｇＡ、ｇｍを増加させ、 ｇａ Ｌａ ＋ｇ、 Ｌ、 ＞αＡＬＡ＋α、Ｌ３＋れ
−・・・（２）が満たされたとき、このレーザは発振
する。ここで電極４Ａを発振させるための電極、電極４
Ｂを波長制御のための電極と考えると、（２）式を次式
のように書きかえることが出来る。
この式は電極を分割していない場合の不等式（１）に比
べて実効的に損失（αｙｒ ｇａ ） Ｌｓ ／ＬＡ
が付加された形となっている。
べて実効的に損失（αｙｒ ｇａ ） Ｌｓ ／ＬＡ
が付加された形となっている。
今、電極４Ｂに電流を流さず（ｇｍ−０となる）、電極
４Ａに電流を流していくとして、αＩＩＬＩ／ＬＡをあ
る程度大きくとっておけば、ｎ＝１の量子準位に対する
利得ｇＡ＋では上記（３）式を満たすことができず、ｎ
−１の量子準位に対するレーザ発振はおこらない。さら
に注入電流量を増すと、ｎ＝２の量子準位に対する電流
利得ｇｈｚがｇＡ＋より大きくなり、ｇａｔによって（
３）式が満たされることとなる。このとき、本実施例に
よる半導体レーザはｎ＝２の量子準位に対応する波長で
レーザ発振を行う。
４Ａに電流を流していくとして、αＩＩＬＩ／ＬＡをあ
る程度大きくとっておけば、ｎ＝１の量子準位に対する
利得ｇＡ＋では上記（３）式を満たすことができず、ｎ
−１の量子準位に対するレーザ発振はおこらない。さら
に注入電流量を増すと、ｎ＝２の量子準位に対する電流
利得ｇｈｚがｇＡ＋より大きくなり、ｇａｔによって（
３）式が満たされることとなる。このとき、本実施例に
よる半導体レーザはｎ＝２の量子準位に対応する波長で
レーザ発振を行う。
次にこの状態で電ｉ４Ｂに電流を流していくと、利得ｇ
、が増大していき、（３）式における実効的な損失（α
ｍ−ｇ箇）Ｌｍ ／Ｌａの大きさは減少していくため、
利得ｇＡ＋でも（３）式を満たしうる状態となりｎ−１
の量子準位に対応する波長のレーザ発振を行うようにな
る。
、が増大していき、（３）式における実効的な損失（α
ｍ−ｇ箇）Ｌｍ ／Ｌａの大きさは減少していくため、
利得ｇＡ＋でも（３）式を満たしうる状態となりｎ−１
の量子準位に対応する波長のレーザ発振を行うようにな
る。
従って本実施例では電極４Ｂからの注入電流を変えるこ
とによりレーザ発振をｎ−１の発振とｎ−２の発振との
間で切換えることができる。また、ｎ＝２からｎ＝１の
レーザ発振に遷移するときの過渡的な状態を用いれば、
ｎ−２とｎ−１の両波長のレーザ発振を同時に行なわせ
ることが可能である。
とによりレーザ発振をｎ−１の発振とｎ−２の発振との
間で切換えることができる。また、ｎ＝２からｎ＝１の
レーザ発振に遷移するときの過渡的な状態を用いれば、
ｎ−２とｎ−１の両波長のレーザ発振を同時に行なわせ
ることが可能である。
なお、本発明による半導体レーザにおいては光伝播の損
失を大きくするとともに注入されたキャリアがエネルギ
ー緩和されに＜クシで高次の量子準位の占有率が高めら
れるようにするために量子井戸活性層の層厚は３００Å
以下、横とじこめによる先導波路のストライプ幅は３ミ
クロン以下にすることが望ましい。
失を大きくするとともに注入されたキャリアがエネルギ
ー緩和されに＜クシで高次の量子準位の占有率が高めら
れるようにするために量子井戸活性層の層厚は３００Å
以下、横とじこめによる先導波路のストライプ幅は３ミ
クロン以下にすることが望ましい。
また上記実施例では活性層を単一量子井戸層としたが、
多重量子井戸層、あるいはいわゆるセパレートコンファ
インメント構造をあわせもつ量子井戸層でもよい。
多重量子井戸層、あるいはいわゆるセパレートコンファ
インメント構造をあわせもつ量子井戸層でもよい。
また電極の分割数は２としたが、これをより多（すると
、制御が困難な損失αの不確定さを補償することができ
、上記切換機能を持つ半導体レーザを容易に作ることが
できる。
、制御が困難な損失αの不確定さを補償することができ
、上記切換機能を持つ半導体レーザを容易に作ることが
できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、量子井戸型半導体レ
ーザにおいて電流注入電極を複数に分割してそれぞれ独
立に電流注入量を制御できるようにしたので波長の切り
換え、及び複数波長の同時発振を電流により制御できる
半導体レーザを安価に得られる効果がある。
ーザにおいて電流注入電極を複数に分割してそれぞれ独
立に電流注入量を制御できるようにしたので波長の切り
換え、及び複数波長の同時発振を電流により制御できる
半導体レーザを安価に得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
斜視図である。第２図は従来の半導体レーザを示す斜視
図である。第３図は量子井戸層を活性層とする半導体レ
ーザの利得スペクトルのキャリア濃度依存性を示す図で
ある。 １．２，２Ａ、２Ｂは電流端子、３，４．４Ａ。 ４Ｂは’ａｉ、５はｎ”−ＧａＡｓ基板、６はｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、７は量子井戸活性層、８はｐ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層、９はＰ″″−〇ａＡｓコンタク
ト層、１０は絶縁膜、１１．１２は臂開面、１３はｐ型
ドーパントの拡散フロント、１４は電極分離のための溝
。
斜視図である。第２図は従来の半導体レーザを示す斜視
図である。第３図は量子井戸層を活性層とする半導体レ
ーザの利得スペクトルのキャリア濃度依存性を示す図で
ある。 １．２，２Ａ、２Ｂは電流端子、３，４．４Ａ。 ４Ｂは’ａｉ、５はｎ”−ＧａＡｓ基板、６はｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、７は量子井戸活性層、８はｐ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層、９はＰ″″−〇ａＡｓコンタク
ト層、１０は絶縁膜、１１．１２は臂開面、１３はｐ型
ドーパントの拡散フロント、１４は電極分離のための溝
。
Claims (2)
- （１）量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにお
いて、 該半導体レーザの電流注入用の電極を複数に分割し、各
注入用電極への注入電流レベルを各電極で独立に制御す
ることにより種々の量子準位での発振を可能にしたこと
を特徴とする半導体レーザ。 - （２）上記分割した電極のうちの１つはレーザ発振用の
電流を供給するために用いられ、他の１つは吸収領域に
対し電流を供給するために用いられることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17597386A JPS6332985A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
| DE3751549T DE3751549T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| DE3751535T DE3751535T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| EP93200588A EP0547043B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| EP87306520A EP0254568B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| DE3751548T DE3751548T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaser. |
| EP19930200587 EP0547042A3 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| EP93200589A EP0547044B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| DE87306520T DE3787769T2 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| EP93200581A EP0547038B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | A semiconductor laser device |
| US07/078,393 US4817110A (en) | 1986-07-25 | 1987-07-24 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17597386A JPS6332985A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332985A true JPS6332985A (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=16005479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17597386A Pending JPS6332985A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6332985A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231474A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの発振制御法 |
| US5161164A (en) * | 1990-08-28 | 1992-11-03 | Mitsubishi Deni Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6052400A (en) * | 1997-04-17 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Variable wavelength semiconductor laser |
| US6396861B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17597386A patent/JPS6332985A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231474A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの発振制御法 |
| US5161164A (en) * | 1990-08-28 | 1992-11-03 | Mitsubishi Deni Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5177749A (en) * | 1990-08-28 | 1993-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6052400A (en) * | 1997-04-17 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Variable wavelength semiconductor laser |
| US6396861B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6104739A (en) | Series of strongly complex coupled DFB lasers | |
| EP0332453A2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser device and current injection method therefor | |
| EP0480697B1 (en) | Tunable semiconductor laser | |
| US4982408A (en) | Variable oscillation wavelength semiconduction laser device | |
| JP2867819B2 (ja) | 多重量子井戸型半導体レーザ | |
| JPS6332985A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60124887A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| EP0905837B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| Kish et al. | Coupled‐stripe in‐phase operation of planar native‐oxide index‐guided Al y Ga1− y As‐GaAs‐In x Ga1− x As quantum‐well heterostructure laser arrays | |
| WO2020204053A1 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH03268379A (ja) | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 | |
| JPS6332986A (ja) | 集積化半導体レ−ザ | |
| JPS61283190A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6332979A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| Dong et al. | Single mode multiple-element laser array with grating filter | |
| Salzman et al. | Lateral coupled cavity semiconductor laser | |
| JPH02305487A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3040262B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2683092B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS6332980A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5856992B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04245494A (ja) | 多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法 | |
| JPH11168261A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0439985A (ja) | 光ビーム偏向器 |