JP2867819B2 - 多重量子井戸型半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸型半導体レーザInfo
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Description
測器、光情報処理等の光源として用いられる多重量子井
戸型半導体レーザに関する。
ザの活性層は、図3に示すように光閉じこめを大きくす
るためのクラッド層の半導体よりバンドギャップが狭く
屈折率の大きい半導体光導波路層2,10と、量子井戸
に閉じこめられたキャリアーの波動関数が隣の量子井戸
にしみ出さない程の厚さをもつ光導波路層の半導体より
バンドギャップが狭い半導体障壁層4,6,8と、量子
化された電子とホールのエネルギー差が目的の波長にな
る様に厚さを調整された障壁層の半導体のバンドギャッ
プより狭く屈折率が大きい半導体量子井戸層3,5,
7,9からなっている。なお、1はバッファ層,11は
クラッド層,12は電子の第1量子準位,13はホール
の第1量子準位である。
歪を導入して半導体レーザの特性改善が試みられてい
る。また、光閉じこめの為の光導波路層には、クラッド
層の半導体のバンドギャップ及び屈折率から障壁層の半
導体のバンドギャップおよび屈折率までなだらかにバン
ドギャップ及び屈折率を変化させたいわゆるGRIN構
造や、複数のバンドギャップや屈折率の半導体を階段状
に積層させたいわゆる多段SCH構造を採用することも
行われている。
戸型半導体レーザでは、例え量子井戸に歪を導入したと
しても量子井戸層と障壁層のバンドギャップの組み合わ
せは一定であり、それゆえ目的の波長を得るためにすべ
ての量子井戸層の厚さは一定になっている。従って、利
得飽和を避ける為に量子井戸層数を増加した場合、反対
の導電型側の量子井戸へのキャリアーの注入が困難にな
り、各量子井戸に注入されるキャリアーが不均一にな
る。最悪の場合は、ある量子井戸では利得が生じていて
もべつの量子井戸ではまだ利得が得られずその結果とし
て共振器全体としては損失が大きくなり閾値、効率等の
特性に悪影響を及ぼしていた。特に、電子に比べてホー
ルは有効質量が大きい為に、n側に近い量子井戸にはホ
ールが注入されにくいという欠点を有していた。
成されたもので量子井戸層へのキャリアーの注入を改善
し閾値、効率等の半導体レーザの特性を向上させること
を目的とする。
半導体レーザは、活性層に量子サイズ効果が現れる厚さ
以下の厚さをもつ複数の半導体量子井戸層と、量子井戸
層の半導体より広いバンドギャップを有する複数の半導
体障壁層と、障壁層の半導体と同じかそれより広いバン
ドギャップを有し屈折率が小さい半導体光導波路層とを
備える多重量子井戸型半導体レーザにおいて、前記複数
の量子井戸層及び障壁層の少なくとも一つの半導体層に
歪を導入することでバンドギャップを変化させ、量子井
戸層の半導体と障壁層の半導体のバンドギャップの組み
合わせが少なくても2種類以上あり、かつ、それぞれの
組み合わせで量子化された電子及びホールのエネルギー
差が同一である。
導体の少なくとも一層に歪を導入することで量子井戸層
と障壁層のエネルギーギャップの組み合わせを複数にし
ており、かつ、量子化された電子及びホールのエネルギ
ー差が同一になるようにしている為、量子井戸層の厚さ
を変えることができ、また、障壁層の障壁高さも変える
ことができるのでそれぞれの量子井戸へのキャリアーの
注入を制御することができる。
る。図1は本発明の第1の実施例の1.48μm帯多重
量子井戸型半導体レーザの活性層のバンド構造の概念図
である。この半導体レーザの製造にあたっては、n型I
nP基板上に、n型InPバッファ層1を0.4μm程
度成長し、その上にノンドープの1.05μm組成のI
nGaAsP光導波路層2を600オングストローム程
度成長し、第一の量子井戸層として無歪のInGaAs
3を51オングストローム程度成長し、障壁層として
1.05μm組成のInGaAsP4を100オングス
トローム成長し、第二の量子井戸層として0.1%圧縮
歪のInGaAs5を40オングストローム成長し、障
壁層として1.05μm組成のInGaAsP6を10
0オングストローム成長し、第三の量子井戸層として
0.2%圧縮歪のInGaAs7を33オングストロー
ム成長し、障壁層として1.05μm組成のInGaA
sP8を100オングストローム成長し、第四の量子井
戸層として0.8%圧縮歪のInGaAs9を25オン
グストローム成長し、ノンドープの1.05μm組成の
InGaAsP光導波路層10を600オングストロー
ム程度成長し、最後に、p型InPクラッド層11を
0.8μm成長してDH成長を終える。この場合のエピ
タキシャル成長法としては有機金属気相成長法もしくは
分子線成長法を用いる。
程度の光導波路を形成する。さらに、光導波路以外の部
分にpnpnのサイリスタ構造もしくは半絶縁層で電流
阻止層を成長させる。この場合のエピタキシャル成長法
としては液相成長もしくは有機金属気相成長法を用い
る。最後に、p側、n側に電極を形成し、共振器長10
00μmにへき開し半導体レーザチップにする。
半導体レーザでは、n側に向かって量子井戸層のInG
aAsの圧縮歪量は小さくなっているため量子井戸層の
バンドギャップもn側に向かって大きくなっている。従
って、目的の波長1.48μmにすべての量子井戸にお
ける電子とホールのエネルギー差をあわせるために、n
側の量子井戸層厚はp側の量子井戸層厚より厚くなって
いる。このため、有効質量が大きいために各量子井戸層
への注入が不均一だったホールは、n側に向かって量子
井戸厚が徐々に厚くなっているため、p側よりもn側の
ほうの量子井戸に注入され易くなっているので注入の不
均一性が解消されている。
m帯の多重量子井戸型半導体レーザの活性層のバンド構
造の概念図である。この例では量子井戸層の半導体は無
歪のInGaAs3、5、7、9に固定し、障壁層の半
導体としては1.2μm組成のInGaAsPを採用し
p側に向かって、無歪4、0.5%引っ張り歪6、1.
5%引っ張り歪8とすることでn側に無かって障壁層の
バンドギャップを小さくしている。従って、n側に向か
って価電子帯の障壁高さが徐々に下がる為、キャリアー
の高注入時でも各量子井戸層に均一にホールを注入する
ことができる。この場合も製造の仕方は量子井戸の形成
以外は第1の実施例と全く同じである。
壁層の一方にのみ歪を導入したが、もちろん両方同時に
歪を導入しても良いしその歪量は圧縮から引っ張りにわ
たっても良い。
したミラーで共振器を構成するFabry−Perot
半導体レーザを例示したが、回折格子を有するDFBレ
ーザにも適用できるし、1.48μm帯や1.55μm
帯以外の波長の半導体レーザにも適用できることはいう
までもない。更に、上記実施例は量子井戸層数が4層の
場合のみ例示したが単層以外のすべての多重量子井戸型
半導体レーザに適用可能である。
量子井戸型半導体レーザではある発振波長に対して歪を
量子井戸層の半導体または障壁層の半導体に導入し量子
井戸層と障壁層の半導体のエネルギーギャップの組み合
わせを複数にしてあるため量子井戸層の厚さを変えるこ
とや、障壁層の価電子帯の高さを変えることができるの
でキャリアーの注入を制御することができる。
端面に低反射膜と高反射膜をつけて光出力特性を測定し
たところ温度25℃、注入電流500mAで光出力20
0mWの値が得られた。これは、従来の多重量子井戸型
半導体レーザの値の約1.3倍である。
μmで端面に低反射膜と高反射膜をつけてパルス(パル
ス幅1μs,duty1%)で光出力特性を測定したと
ころ光出力特性が注入電流650mAの高注入状態まで
飽和がはじまることがなかった。これは従来の多重量子
井戸型半導体レーザで注入電流が500mAで飽和が始
まったのに比べ、約1.3倍の飽和電流の上昇である。
レーザ活性層のバンド構造の概念図である。
レーザ活性層のバンド構造の概念図である。
ンド構造の概念図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 活性層に量子サイズ効果が現れる厚さ以
下の厚さをもつ複数の半導体量子井戸層と、量子井戸層
の半導体より広いバンドギャップを有する複数の半導体
障壁層と、障壁層の半導体と同じかそれより広いバンド
ギャップを有し屈折率が小さい半導体光導波路層とを備
える多重量子井戸型半導体レーザにおいて、前記複数の
量子井戸層及び障壁層の少なくとも一つの半導体層に歪
を導入することでバンドギャップを変化させ、量子井戸
層の半導体と障壁層の半導体のバンドギャップの組み合
わせが少なくても2種類以上あり、かつ、それぞれの組
み合わせで量子化された電子及びホールのエネルギー差
が同一であることを特徴とする多重量子井戸型半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
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JP29944892A JP2867819B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 多重量子井戸型半導体レーザ |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29944892A JP2867819B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 多重量子井戸型半導体レーザ |
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- 1992-11-10 JP JP29944892A patent/JP2867819B2/ja not_active Expired - Fee Related
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