CN112135502A - 电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件。电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一个载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入基材内的多个量子点。本发明提供的电磁波屏蔽件可减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。
Description
技术领域
本发明涉及一种电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件，特别是涉及一种可在信号传输时有效抑制串扰的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件。
背景技术
近年来，随着电子产品朝向轻薄短小的趋势发展，高频与高速的信号传输需求，电子产品内的各个芯片(如：无线通信芯片)之间，以及应用于传输高频信号的缆线内部的传输导线的配置也越来越密集。
据此，芯片所产生的电磁波很容易对其他芯片造成电磁干扰。相似地，当高频以及低频信号通过缆线内部的传输线传递时，两相邻的传输线之间很容易因为电磁波的耦合或者漫射而相互串扰(Crosstalk)。在现有技术手段中，通常会将金属屏蔽层覆盖于芯片外部或者是覆盖在用以传输信号的缆线，以防止电磁干扰。
然而，金属屏蔽层无法吸收频率1GHz以上高频电磁波，而仍有可能干扰其他传输线所传输的信号。据此，如何屏蔽高频电磁波，以减少信号传输的噪声，仍为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种电磁波屏蔽件，以减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电磁波屏蔽件，其包括一量子阱结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。
更进一步地，基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。另外，基材为非化学计量比化合物，且具有多个阴离子空缺。
更进一步地，量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。
更进一步地，载流子限制层的材料为半导体、金属、合金或其任意组合。
更进一步地，电磁波屏蔽件还进一步包括：一电子传输结构，其设置于量子阱结构的其中一侧，电子传输结构的至少一部分具有导电性。
更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第一层或者第二层的至少其中一个为一复合导电层，复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，导电部分与绝缘部分在一水平方向上交错分布。
更进一步地，阻挡层的厚度大于载流子限制层的厚度。
更进一步地，量子阱结构为多重量子阱结构，量子阱结构包括交替堆叠的多个阻挡层以及多个载流子限制层，且位于最外侧的其中一阻挡层为复合材料层。
更进一步地，两层阻挡层都是复合材料层，且两层复合材料层分别具有不同材料的基材。
更进一步地，两层阻挡层都是复合材料层，且两层复合材料层分别具有不同材料的量子点。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种传输线组件，其包括一导线组以及一电磁波屏蔽件。导线组包括至少一导线以及包覆导线的一绝缘层。电磁波屏蔽件设置在导线组上，且电磁波屏蔽件包括一量子阱结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入基材内的多个量子点。
更进一步地，基材为导电材料，量子点的材料为绝缘材料。
更进一步地，基材的能隙宽度小于量子点的材料的能隙宽度。
更进一步地，量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。
更进一步地，传输线组件还进一步包括：一电子传输结构，其位于量子阱结构以及导线组之间，其中，电子传输结构的至少一部分具有导电性。
本发明的其中一有益效果在于，在本发明所提供的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件中，通过“电磁波屏蔽件包括量子阱结构”以及“两层阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材以及埋入基材内的多个量子点”的技术方案，可吸收高频以及低频的电磁波噪声，以抑制电磁干扰。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电磁波屏蔽件的示意图。
图2为本发明第一实施例的量子阱结构的能带结构示意图。
图3为本发明第二实施例的电磁波屏蔽件的示意图。
图4为本发明第三实施例的电磁波屏蔽件的示意图。
图5为本发明另一实施例的电子传输结构的示意图。
图6为本发明又一实施例的电子传输结构的示意图。
图7为本发明第四实施例的电磁波屏蔽件的示意图。
图8为本发明第一实施例的传输线组件的剖面示意图。
图9为本发明第二实施例的传输线组件的剖面示意图。
图10为本发明第三实施例的传输线组件的剖面示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
在本发明实施例中，是通过使电磁波屏蔽件1至少具有量子阱结构11，来屏蔽低频以及高频电磁干扰。请参照图1。图1显示本发明第一实施例的电磁波屏蔽件的示意图。
电磁波屏蔽件1至少包括量子阱结构11，并具有一第一侧S1以及与第一侧S1相反的一第二侧S2。
请配合参照图1以及图2，图2为本发明第一实施例的量子阱结构的能带结构示意图。量子阱结构11包括至少两个阻挡层110、110’以及位于两个阻挡层110、110’之间的至少一载流子限制层111。在其他实施例中，量子阱结构11也可以包括多层阻挡层110、110’以及多层载流子限制层111，本发明并不限制。
请配合参照图2，每一阻挡层110、110’的能隙宽度Eg1、Eg1’会大于每一载流子限制层111的能隙宽度Eg2。换句话说，阻挡层110、110’的材料为宽能隙材料，而载流子限制层111的材料为窄能隙材料。
另外，每一阻挡层110、110’的导电带110Ec、110’Ec，与相邻的载流子限制层111的导电带111Ec之间形成一能隙差值ΔEc(或称能障)。在一实施例中，每一阻挡层110的导电带110Ec、110’Ec与每一载流子限制层111的导电带110Ec之间所形成的能隙差值ΔEc至少0.2eV。如图2所示，两层阻挡层110、110’与夹设于其中的载流子限制层111的能带结构形成一量子阱。
值得说明的是，阻挡层110、110’的材料与厚度，以及载流子限制层111的材料及厚度会与量子阱结构11所能吸收的电磁波波段相关。据此，通过选用特定的材料作为阻挡层110以及载流子限制层111，以及使阻挡层110以及载流子限制层111分别具有特定厚度，可以使量子阱结构11对于特定波段的电磁波有较好的吸收效果。在一实施例中，载流子限制层111的材料选择由半导体、金属、合金所组成的群组。
在本发明实施例中，两层阻挡层110、110’中的至少其中一个，为复合材料层。在本实施例中，阻挡层110为复合材料层，且包括一基材M1以及埋入基材M1内的多个量子点QD。此外，另一阻挡层110’的材料与基材M1的材料相同，但本发明并不以此为限。在其他实施例中，另一阻挡层110’的材料也可以和基材M1的材料不同。
量子点QD的材料的能隙宽度会大于基材M1的能隙宽度。举例而言，基材M1的材料可以是氧化物、氮化物、氮氧化物或其任意组合。量子点QD的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。
请参照图2，掺杂在基材M1内的量子点QD可产生多个缺陷陷阱能级(defect traplevels)。因此，相较于未掺杂量子点QD的另一阻挡层110’而言，量子点QD会使阻挡层110内的电洞(hole)数量增加，而可增加捕捉电子的机率。另外，相较于另一阻挡层110’的价带110’Ev而言，由于阻挡层110内具有较多的电洞，阻挡层110的价带110Ev也会向下偏移，而使阻挡层110的能隙宽度Eg1大于阻挡层110’的能隙宽度Eg1’。在一实施例中，量子点QD的半径是由1.8nm至5nm，且量子点QD的体积百分比是介于6至15％。
据此，当电磁波EM进入量子阱结构11时，阻挡层110吸收电磁波，而使阻挡层110的价带110Ev中的电子被激发至导电带110Ec。既然量子点QD可增加阻挡层110中的电洞数量，被激发至导电带110Ec的其中一部分电子很容易与阻挡层110中的电洞复合(recombination)。也就是说，阻挡层110本身即可作为吸波材料，而可提升电磁波吸收的效果。
另一部分未与阻挡层110中的电洞复合的电子会进入量子阱，并且被局限在量子阱内。因此，进入量子阱结构11的电磁波EM会被吸收，而难以穿透或者反射至量子阱结构11外部。
另外，具有量子点QD的阻挡层110可具有较大的能隙宽度Eg1。据此，阻挡层110可进一步辅助量子阱结构11吸收更高频段的电磁波。在一实施例中，量子阱结构11可至少用以吸收频率范围介于1GHz至300GHz之间的至少一种电磁波。
在一实施例中，阻挡层110的基材M1本身为非化学计量比化合物，且具有多个阴离子空缺(vacancy)。进一步而言，当基材M1为氧化物、氮化物或是氮氧化物时，基材M1会具有氧空缺或者氮空缺。如此，也可使阻挡层110内的电洞数目增加，并可吸收更高频的电磁波。
每一阻挡层110、110’的厚度介于0.1nm至500nm之间，且每一载流子限制层111的厚度是介于0.1nm至500nm之间。如图1所示，阻挡层110的厚度T1与载流子限制层111的厚度T2不一定要相同。在本实施例中，阻挡层110的厚度T1会大于载流子限制层111的厚度T2。
在一实施例中，至少两层载流子限制层111会分别具有不同的厚度或者不同的能隙宽度。在另一实施例中，两层具有不同能隙宽度的载流子限制层111可彼此邻接。只要能使电磁波屏蔽件1的能带结构具有量子阱，本发明并不限制量子阱结构11的实施方式。
据此，在本发明实施例中，通过调整各个阻挡层110的材料与厚度，或者调整各个载流子限制层111的材料与厚度，量子阱结构11可至少用以吸收频率范围介于1GHz至300GHz之间的至少一种电磁波。
量子阱结构11的多个阻挡层110以及多个载流子限制层111可以通过物理气相沉积或者化学气相沉积来制作。在一实施例中，量子阱结构11是通过溅镀来制备，可降低制造成本。
[第二实施例]
请参照图3，显示本发明第二实施例的电磁波屏蔽件的示意图。在本实施例中，两层阻挡层110都是复合材料层，且每一阻挡层110都包括基材M1以及埋入基材M1内的多个量子点QD。如此，两层阻挡层110都可作为吸波材料，而可进一步提升电磁波吸收的效果。
[第三实施例]
请参照图4，显示本发明第三实施例的电磁波屏蔽件的示意图。本实施例与前一实施例相同或者相似的组件具有相同的标号，且相同的部分不再赘述。
本实施例的电磁波屏蔽件1’中，两层阻挡层110、110”都是复合材料层，且两层复合材料层分别具有不同材料的基材M1、M2或者不同材料的量子点QD1、QD2。
详细而言，在本实施例的量子阱结构11中，其中一阻挡层110的基材M1与另一阻挡层110”的基材M2不同。另外，埋入基材M1的量子点QD1的材料与埋入基材M2的量子点QD2的材料也不相同。
通过选用不同的基材M1以及基材M2，或者选用不同的量子点QD1与量子点QD2，可以使两层阻挡层110、110”分别具有不同的能隙宽度，进而可吸收不同波段的电磁波。在一实施例中，基材M1的能隙宽度会大于基材M2的能隙宽度。
另外，在本实施例中，电磁波屏蔽件1’还包括电子传输结构12。电子传输结构12设置于量子阱结构11的其中一侧，且电子传输结构12的至少一部分具有导电性。电子传输结构12可辅助量子阱结构11吸收更多电磁波EM。
具体而言，电子传输结构12包括至少一单一导电层或至少一复合导电层。也就是说，电子传输结构12可以是单层结构或者是多层结构，本发明并不限制。
请先参照图4，电子传输结构12为单一导电层，且单一导电层会直接接触于量子阱结构11。在一实施例中，单一导电层的材料可以选择导电性以及导热性较好的材料，如：金属或者是合金。金属例如是，但不限于，铜、镍、钼、金、银、铝、锌、铟等。合金例如，但不限于，硅锗合金、镍铝合金、铜锌合金、铜镍合金等等。
据此，电子传输结构12的导电带与价带之间的能隙宽度非常小。不论电子传输结构12的功函数(work function)是否高于阻挡层110的功函数，当电磁波EM由电子传输结构12(第一侧S1)进入时，电子会逐渐累积在电子传输结构12内，并且很容易地越过电子传输结构12与阻挡层110之间的能障，从而进入到量子阱内。据此，电子传输结构12配合量子阱结构11，可以使电磁波EM更容易进入量子阱内而被吸收。
在一实施例中，电子传输结构12的材料可以进一步选择较能吸收低频电磁波的材料，如：铜、镍、钼或者是其合金。据此，电子传输结构12除了具有良好的导电性之外，对于低频电磁波也具有良好的屏蔽特性。前述的低频电磁波是指频率范围由100kHz至1GHz的电磁波。
需说明的是，电子传输结构12的导电性越好，对于低频电磁波的屏蔽性越好。另外，电子传输结构12的总厚度也会影响低频电磁波的屏蔽性。若电子传输结构12的总厚度太薄，导电性可能会太低，而不足以屏蔽低频电磁波。另一方面，若电子传输结构12的总厚度太厚，电子传输结构12与量子阱结构11的应力可能过大。据此，在一实施例中，电子传输结构12的总厚度的范围是由50nm至5000nm。
也就是说，本发明实施例的电磁波屏蔽件1具有量子阱结构11以及电子传输结构12，不仅可吸收高频电磁波(频率范围由1GHz至300GHz)，也可吸收低频电磁波(频率范围由100MHz至1GHz)。因此，当电磁波屏蔽件1被应用于传输线组件或者是电子封装结构中时，可更有效地屏蔽电磁干扰以及抑制信号互扰。
另外，电子传输结构12的材料也选择具有良好导电性与导热性的材料。如此，当电磁波屏蔽件1应用在传输线组件或者是电子封装结构时，电磁波屏蔽件1的电子传输结构12可对导线或是芯片散热。
本发明实施例的电子传输结构12也可以是多层结构。请参照图5显示本发明另一实施例的电子传输结构的示意图。在图5所示的实施例中，电子传输结构12包括一第一层120以及一第二层121。
第一层120为电子传输结构12位于最外侧的一层，而第二层121是位于量子阱结构11以及第一层120之间。详细而言，第一层120的外侧即为电磁波屏蔽件1的第一侧S1，第二层121是位于量子阱结构11的阻挡层110与第一层120之间。
第一层120与第二层121的材料不一定要相同。换句话说，第一层120与第二层121也可以是分别由两种不同的导电材料所构成的导电层。举例而言，第一层120可以是铜层，而第二层121可以是镍层，但本发明并不以此例为限。另外，第一层120与第二层121的厚度并不一定要相同。
请参照图6，其显示本发明另一实施例的电子传输结构的示意图。本实施例与前一实施例不同的是，在本实施例中，第一层120为单一导电层，而第二层121’为一复合导电层。第二层121’包括一导电部分121a以及一绝缘部分121b。也就是说，第二层121’并不一定要完全都由导电材料所构成，也可以包含一部分绝缘材料。
另外，导电部分121a与绝缘部分121b在一水平方向上交错分布。需说明的是，导电部分121a的俯视形状可以是连续的图案或者是包括多个彼此分离的部分。因此，虽然在图4所示出电子传输结构12的剖面示意图中，导电部分121a具有多个彼此分离的部分，但本发明并不以此为限。
在另一实施例中，第一层120也可以是复合导电层，而第二层121也可以是单一导电层。在又一实施例中，第一层120与第二层121也可以都是复合导电层，且第一层120的导电部分以及第二层121的导电部分会相互错开。在其他实施例中，电子传输结构12是一复合导电层。
需说明的是，图1中的电子传输结构12可替换为图5至图6中的任一个电子传输结构12。基于上述，只要电子传输结构12具有连接于量子阱结构11的单一导电层或者是导电部分(如：导电部分121a)，当电磁波屏蔽件1应用于传输线组件或电子封装结构中时，电子传输结构12都可以辅助量子阱结构11吸收电磁波EM。然而，在电子传输结构12中，具有导电性的部分所占的体积比例越高，电磁波屏蔽件1对于低频电磁波的屏蔽效果会越好。
请参照图7，其显示本发明第四实施例的电磁波屏蔽件的示意图。本实施例的电磁波屏蔽件1’还进一步包括：另一电子传输结构12’。两个电子传输结构12、12’是分别位于量子阱结构11的相反两侧。据此，其中一电子传输结构12的最外侧为电磁波屏蔽件1’的第一侧S1，而另一电子传输结构12’的最外侧为电磁波屏蔽件1’的第二侧S2。
另外，在本实施例中，量子阱结构11为多重量子阱结构，也就是包括多个交替堆叠的阻挡层110、110’以及多个载流子限制层111(图7示出2层为例)。值得注意的是，多重量子阱结构中，位于最外侧的两层都是阻挡层110、110’。也就是说，在本实施例中，两个电子传输结构12、12’是分别连接于量子阱结构11的两层阻挡层110、110’。
多层阻挡层110、110’之中，不一定每一层都是复合材料层。也就是说，可以只有其中一部分阻挡层110为复合材料层，另一部分阻挡层110’为单一材料层。在本实施例中，连接于其中一电子传输结构12的阻挡层110为复合材料层，而连接于另一电子传输结构12’的阻挡层110’为单一材料层。
另外，另一个电子传输结构12’的至少一部分会具有导电性。具体而言，另一个电子传输结构12’也会包括至少一单一导电层或至少一复合导电层。电子传输结构12’可以是单层结构或者多层结构。换言之，电子传输结构12’的结构可以与图4至图6中的任一个电子传输结构12相同，以下不再详细说明电子传输结构12’的实施方式。
两个电子传输结构12、12’的结构不一定要完全相同。举例而言，其中一个电子传输结构12为多层结构，另一个电子传输结构12’的结构可以是单层结构，但本发明不以此例为限。
当本实施例的电磁波屏蔽件1’应用于传输线组件中时，其中一个电子传输结构12可配合量子阱结构11吸收由传输线组件所产生的信号。另一个电子传输结构12’可配合量子阱结构11进一步吸收传输线组件外部的电磁波，以避免外部电磁波进入传输线组件内，而影响信号传输质量。此外，由于电子传输结构12’的一部分可兼具有导电性以及导热性，因此也可对传输线组件提供散热。以下进一步说明电磁波屏蔽件1、1’应用在传输线组件中的不同实施例。
请参照图8，其显示本发明第一实施例的传输线组件的剖面示意图。本实施例的传输线组件P1包括一导线组2以及电磁波屏蔽件1(1’)。
具体而言，传输线组件P1可以是软扁平电缆、软性电路板、软性扁平电缆或者同轴电缆。在本实施例中，导线组2包括至少一用来传输信号的导线21(图9示出多个为例)以及一包覆导线的绝缘层22。
绝缘层22的材料例如是聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚芳基酸酯(polyarylate)或其它合适的材料，但本发明不以此为限。
电磁波屏蔽件1(1’)的详细结构可参照图1至图7，在此并不赘述。电磁波屏蔽件1(1’)设置在导线组2上。具体而言，电磁波屏蔽件1(1’)会围绕导线组2，也就是覆盖于绝缘层22的外表面，以屏蔽电磁波干扰。在图8的实施例中，电磁波屏蔽件1(1’)是完全包覆整个导线组2。然而，在其他实施例中，电磁波屏蔽件1(1’)也可以只覆盖导线组2的部分表面。
值得注意的是，在本实施例中，电磁波屏蔽件1(1’)是以第一侧S1朝向导线组2设置。也就是说，当电磁波屏蔽件1(1’)设置于导线组2上时，具有量子点QD的阻挡层110或者电子传输结构12会连接于导线组2。据此，当导线21传输高频信号时所辐射的高频电磁波，大部分可以被量子阱结构11所吸收，可避免信号互扰。
在一实施例中，电子传输结构12(12’)的至少一部分是由具有导电性以及导热性的材料(如：金属或合金)所构成。相较于其他实施例，量子阱结构11配合电子传输结构12(12’)，除了可更有效地屏蔽低频电磁波以及高频电磁波之外，还可对导线组2散热。
请参照图9，其为本发明第二实施例的传输线组件的局部剖面示意图。本实施例的传输线组件P2为软性扁平电缆，并至少包括导线组2以及电磁波屏蔽件1(1’)。本实施例的导线组2包括多条彼此分离的导线21以及至少一绝缘层22。在本实施例中，两层绝缘层22通过绝缘胶层(图未示)设置于导线21的两相反侧。
电磁波屏蔽件1(1’)的详细结构可参照图1至图7，在此并不赘述。电磁波屏蔽件1(1’)设置于导线组2上，用以防止电磁波干扰。进一步而言，电磁波屏蔽件1(1’)可以通过一导电胶层(图未示)而设置在其中一绝缘层22上，并以第一侧S1(阻挡层110或者电子传输结构12)朝向绝缘层22设置。
请参照图10，其为本发明另一实施例的传输线组件的剖面示意图。如图10所示，传输线组件P3为同轴电缆，且包括至少一导线21、一绝缘层22、一电磁波屏蔽件1(1’)以及一披覆层3。
导线21被包覆在绝缘层22内，用以传输信号。电磁波屏蔽件1(1’)包覆绝缘层22的外表面，且电磁波屏蔽件1(1’)位于披覆层3与绝缘层22之间，用以屏蔽电磁干扰。披覆层3的材料为绝缘材料，且为传输线组件P3的最外层，以作为保护层。
电磁波屏蔽件1的第一侧S1会朝向导线21，而第二侧S2会朝向披覆层3面对绝缘层22。若电磁波屏蔽件1不具有电子传输结构12，具有量子点QD的阻挡层110会位于绝缘层22与载流子限制层111之间。
若电磁波屏蔽件1’只具有一个电子传输结构12，电子传输结构12会位于绝缘层22与量子阱结构11之间，并且量子阱结构11的外表面会朝向披覆层3。在另一实施例中，电磁波屏蔽件1’具有两个电子传输结构12、12’，其中一个电子传输结构12位于量子阱结构11与绝缘层22之间。另一个电子传输结构12’是位于量子阱结构11与披覆层3之间，可用以屏蔽外部的低频电磁波并可辅助散热。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，在本发明所提供的电磁波屏蔽件1(1’)以及应用其的传输线组件P1至P3中，通过“电磁波屏蔽件1(1’)包括量子阱结构11”以及“两层阻挡层110、110’中的至少其中一个为复合材料层，且复合材料层包括一基材M1以及埋入基材M1内的多个量子点QD”的技术方案，可使电磁波屏蔽件1(1’)应用于吸收高频以及低频的电磁波噪声，以抑制电磁干扰。
进一步而言，本发明实施例的电磁波屏蔽件1(1’)中，具有量子点QD的阻挡层110、110”本身可作为吸波材料，而可提升电磁波吸收的效果。另外，具有量子点QD的阻挡层110、110”可具有较大的能隙宽度Eg1。据此，阻挡层110、110”可进一步辅助量子阱结构11吸收更高频段的电磁波。
另外，本发明实施例的电磁波屏蔽件1’中，电子传输结构12(12’)可辅助量子阱结构11更容易吸收电磁波，来抑制信号之间的串扰。另外，电子传输结构12(12’)本身也可吸收频率范围由100kHz至1GHz的低频电磁波。
据此，本发明实施例的电磁波屏蔽件1(1’)，不仅可吸收高频电磁波(频率范围由1GHz至300GHz)，也可吸收低频电磁波(频率范围由100MHz至1GHz)。因此，当电磁波屏蔽件1被应用于传输线组件P1至P3中或者是电子封装结构中时，可更有效地屏蔽电磁干扰以及抑制信号互扰。据此，本发明实施例的电磁波屏蔽件1(1’)在实际应用于传输线组件P1至P3时，可减少信号损失、有效吸收反射波及避免造成串扰。
另外，电子传输结构12(12’)的材料可选择具有良好导电性与导热性的材料。如此，当电磁波屏蔽件1应用在传输线组件P1至P3或者是电子封装结构时，电磁波屏蔽件1的电子传输结构12(12’)可提升散热效率。
现有技术中，以铁氧体涂层或石墨烯涂层作为电磁波屏蔽层，其总厚度约100至300μm。相较之下，本发明实施例的电磁波屏蔽件1(1’)的总厚度为1μm或者更薄。也就是说，本发明实施例的电磁波屏蔽件1的总厚度更为轻薄，也就是仅为现有电磁波屏蔽层的总厚度的1/100倍至1/300倍，但却可应用于屏蔽频率范围更宽的电磁波。
另外，现有的电磁波屏蔽层通常是通过化学涂布工艺来制备，而在化学涂布工艺中，化学反应后的废液可能会造成环境污染。相较之下，本发明实施例的电磁波屏蔽件1的制备方式(如：溅镀)可减少环境污染。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，非因此局限本发明的权利要求的保护范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求的保护范围内。
Claims (16)
1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层，其中，两层所述阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且所述复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。
3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基材为非化学计量比化合物，且具有多个阴离子空缺。
4.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。
5.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述载流子限制层的材料选择由半导体、金属、合金所组成的群组中的其中一种。
6.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还进一步包括：一电子传输结构，设置于所述量子阱结构的其中一侧，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。
7.如权利要求6所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第一层或者所述第二层的至少其中一个为一复合导电层，所述复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，所述导电部分与所述绝缘部分在一水平方向上交错分布。
8.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于所述载流子限制层的厚度。
9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子阱结构为多重量子阱结构，所述量子阱结构包括交替堆叠的多个所述阻挡层以及多个所述载流子限制层，且位于最外侧的其中一所述阻挡层为复合材料层。
10.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，两层所述阻挡层都是所述复合材料层，且两层所述复合材料层分别具有不同材料的基材。
11.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，两层所述阻挡层都是所述复合材料层，且两层所述复合材料层分别具有不同材料的量子点。
12.一种传输线组件，其特征在于，所述传输线组件包括：
一导线组，包括至少一导线以及包覆所述导线的一绝缘层；以及
一电磁波屏蔽件，设置在所述导线组上，且所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层，其中，两层所述阻挡层中的至少其中一个为复合材料层，且所述复合材料层包括一基材以及埋入所述基材内的多个量子点。
13.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述基材为导电材料，所述量子点的材料为绝缘材料。
14.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述基材的能隙宽度小于所述量子点的材料的能隙宽度。
15.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述量子点的材料选择由氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、p型半导体所组成的群组中的其中一种。
16.如权利要求12所述的传输线组件，其特征在于，所述传输线组件还进一步包括：一电子传输结构，位于所述量子阱结构以及所述导线组之间，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。
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