TWI696256B - 電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件與電子元件。電磁波屏蔽件可被應用於傳輸線組件以及電子封裝結構中，以屏蔽電磁波雜訊。電磁波屏蔽件包括量子井結構以及電子傳輸結構。量子井結構包括至少兩個阻障層以及位於兩個阻障層之間的至少一載子侷限層。電子傳輸結構位於量子井結構的其中一側，且電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。

Description

電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件

本發明涉及一種電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件，特別是涉及一種可在信號傳輸時有效抑制串擾的電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件。

近年來，隨著電子產品朝向輕薄短小的趨勢發展，高頻與高速的信號傳輸需求，電子產品內的各個晶片(如:無線通訊晶片)之間，以及應用於傳輸高頻訊號的纜線內部的傳輸導線的配置也越來越密集。

據此，晶片所產生的電磁波很容易對其他晶片造成電磁干擾。相似地，當高頻以及低頻信號通過纜線內部的傳輸線傳遞時，兩相鄰的傳輸線之間很容易因為電磁波的耦合或者漫射而相互串擾(Crosstalk)。在現有技術手段中，通常會將金屬屏蔽層覆蓋於晶片外部或者是覆蓋在用以傳輸訊號的纜線上，以防止電磁干擾。

然而，金屬屏蔽層無法吸收頻率1GHz以上高頻電磁波，而仍有可能干擾其他傳輸線所傳輸的信號。據此，如何屏蔽高頻以及低頻電磁波，以減少信號傳輸的雜訊，仍為本領域技術人員努力的方向。

本發明所要解決的技術問題在於，提供一種電磁波屏蔽件，以減少電磁波雜訊對信號傳輸線所造成的串擾。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種電磁波屏蔽件，其包括量子井結構及電子傳輸結構。量子井結構包括至少兩個阻障層以及位於兩個阻障層之間的至少一載子侷限層。電子傳輸結構設置於量子井結構的其中一側。電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種傳輸線組件，其包括導線組以及電磁波屏蔽件。導線組至少包括一導線以及包覆導線的絕緣層。電磁波屏蔽件設置在所述導線組上，並包括量子井結構及電子傳輸結構。量子井結構包括至少兩個阻障層以及位於兩個阻障層之間的至少一載子侷限層。電子傳輸結構位於量子井結構以及導線組之間，且電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。

本發明的其中一有益效果在於，在本發明所提供的電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件中，通過“電磁波屏蔽件包括量子井結構以及電子傳輸結構，且電子傳輸結構的至少一部分具有導電性”的技術方案，可吸收高頻以及低頻的電磁波雜訊，以抑制電磁干擾。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

在本發明實施例中，是通過使電磁波屏蔽件1至少具有量子井結構11以及電子傳輸結構12，來屏蔽低頻以及高頻電磁干擾。請參照圖1。圖1顯示本發明第一實施例的電磁波屏蔽件的示意圖。

電磁波屏蔽件1包括量子井結構11以及電子傳輸結構12，電子傳輸結構12是位於量子井結構11的其中一側。電磁波屏蔽件1具有一第一側S1以及與第一側S1相反的一第二側S2。在本實施例中，電子傳輸結構12的最外側為電磁波屏蔽件1的第一側S1，而量子井結構11的最外側為電磁波屏蔽件1的第二側S2。

請配合參照圖1以及圖2，圖2為本發明第一實施例的量子井結構的能帶結構示意圖。量子井結構11包括至少兩個阻障層110以及位於兩個阻障層110之間的至少一載子侷限層111。在其他實施例中，量子井結構11也可以包括多層阻障層110以及多層載子侷限層111，本發明並不限制。

請配合參照圖2，每一阻障層110的能隙寬度Eg ₁會大於每一載子侷限層111的能隙寬度Eg ₂。換句話說，阻障層110的材料為寬能隙材料，而載子侷限層111的材料為窄能隙材料。

另外，每一阻障層110的導電帶110E，與相鄰的載子侷限層111的導電帶111E之間形成一能隙差值ΔEc(或稱能障)。在一實施例中，每一阻障層110的導電帶110E與每一載子侷限層111的導電帶110E之間所形成的能隙差值ΔEc至少0.2eV。如圖2所示，兩層阻障層110與夾設於其中的載子侷限層111的能帶結構形成一量子井。

進一步而言，阻障層110的材料可以是氧化物、氮化物、氮氧化物或其任意組合。每一阻障層110的厚度介於0.1nm至500nm之間。載子侷限層111的材料可以是半導體、金屬、合金或其任意組合。每一載子侷限層111的厚度是介於0.1nm至500nm之間。

量子井結構11的多個阻障層110以及多個載子侷限層111可以通過物理氣相沉積或者化學氣相沉積來製作。在一實施例中，量子井結構11是通過濺鍍來製備，可降低製造成本。

值得說明的是，阻障層110的材料與厚度，以及載子侷限層111的材料及厚度會與量子井結構11所能吸收的電磁波波段相關。據此，通過選用特定的材料作為阻障層110以及載子侷限層111，以及使阻障層110以及載子侷限層111分別具有特定厚度，可以使量子井結構11對於特定波段的電磁波有較好的吸收效果。

據此，當電磁波EM進入量子井結構11時，阻障層110吸收電磁波而使其價帶電子被激發至導電帶110E，隨後，被激發至導電帶110E的電子會進入量子井並且被侷限在量子井內。因此，進入量子井結構11的電磁波會被吸收，而難以穿透或者反射至量子井結構11外部。

如圖1所示，阻障層110的厚度T1與載子侷限層111的厚度T1不一定要相同。在本實施例中，阻障層110的厚度T1會大於載子侷限層111的厚度T2。

另外，多個阻障層110的材料以及厚度不一定要相同，且多個載子侷限層111的材料與厚度也不一定要相同，以使量子井結構11可用於吸收不同波段的電磁波。也就是說，在一實施例中，至少兩層阻障層110會分別具有不同的厚度或者不同的能隙寬度。在另一實施例中，兩層具有不同能隙寬度的載子侷限層可彼此鄰接，只要能使電磁波屏蔽件1的能帶結構具有量子井，本發明並不限制量子井結構11的實施方式。

據此，在本發明實施例中，通過調整各個阻障層110的材料與厚度，或者調整各個載子侷限層111的材料與厚度，量子井結構11可至少用以吸收頻率範圍介於1GHz至300GHz之間的至少一種電磁波。

請參照圖1以及圖2，本實施例的電磁波屏蔽件1還包括電子傳輸結構12。電子傳輸結構12設置於量子井結構11的其中一側，且電子傳輸結構12的至少一部分具有導電性。電子傳輸結構12可輔助量子井結構11吸收更多電磁波EM。電子傳輸結構12包括至少一單一導電層或至少一複合導電層。也就是說，電子傳輸結構12可以是單層結構或者是多層結構，本發明並不限制。

請先參照圖2，電子傳輸結構12為單一導電層，且導電帶與價帶之間的能隙寬度非常小。不論電子傳輸結構12的功函數(work function)是否高於阻障層110的功函數，當電磁波EM由電子傳輸結構12進入時，電子會逐漸累積在電子傳輸結構12內，並且很容易地越過電子傳輸結構12與阻障層110之間的能障，從而進入到量子井內。據此，電子傳輸結構12配合量子井結構11，可以使電磁波EM更容易進入量子井內而被吸收。

在本實施例中，電子傳輸結構12為單一導電層，且單一導電層會直接接觸於量子井結構11。在一實施例中，單一導電層的材料可以選擇導電性以及導熱性較好的材料，如：金屬或者是合金。金屬例如是，但不限於，銅、鎳、鉬、金、銀、鋁、鋅、銦等。合金例如，但不限於，矽鍺合金、鎳鋁合金、銅鋅合金、銅鎳合金等等。

另一方面，電子傳輸結構12的材料可以選擇較能吸收低頻電磁波的材料，如：銅、鎳、鉬或者是其合金。據此，電子傳輸結構12除了具有良好的導電性之外，對於低頻電磁波也具有較佳的屏蔽特性。前述的低頻電磁波是指頻率範圍由100kHz至1GHz的電磁波。

須說明的是，電子傳輸結構12的導電性越好，對於低頻電磁波的屏蔽性越好。另外，電子傳輸結構12的總厚度也會影響低頻電磁波的屏蔽性。若電子傳輸結構12的總厚度太薄，導電性可能會太低，而不足以屏蔽低頻電磁波。另一方面，若電子傳輸結構12的總厚度太厚，電子傳輸結構12與量子井結構11的應力可能過大。據此，在一實施例中，電子傳輸結構12的總厚度的範圍是由50nm至5000nm。

也就是說，本發明實施例的電磁波屏蔽件1具有量子井結構11以及電子傳輸結構12，不僅可吸收高頻電磁波(頻率範圍由1GHz至300GHz)，也可吸收低頻電磁波(頻率範圍由100MHz至1GHz)。因此，當電磁波屏蔽件1被應用於傳輸線組件或者是電子封裝結構中時，可更有效地屏蔽電磁干擾以及抑制信號互擾。

另外，電子傳輸結構12的材料也選擇具有較佳導電性與導熱性的材料。如此，當電磁波屏蔽件1應用在傳輸線組件或者是電子封裝結構時，電磁波屏蔽件1的電子傳輸結構12可對導線或是晶片散熱。

本發明實施例的電子傳輸結構12也可以是多層結構。請參照圖3顯示本發明一實施例的電子傳輸結構的示意圖。在本實施例中，電子傳輸結構12包括一第一層120以及一第二層121。

第一層120為電子傳輸結構12位於最外側的一層，而第二層121是位於量子井結構11以及第一層120之間。詳細而言，第二層121是位於量子井結構11的阻障層110與第一層120之間。

第一層120與第二層121的材料不一定要相同。換句話說，第一層120與第二層121也可以是分別由兩種不同的導電材料所構成的導電層。舉例而言，第一層120可以是銅層，而第二層121可以是鎳層，但本發明並不以此例為限。另外，第一層120與第二層121的厚度並不一定要相同。

請參照圖4，其顯示本發明另一實施例的電子傳輸結構的示意圖。本實施例與前一實施例不同的是，在本實施例中，第一層120為一複合導電層，而第二層121為單一導電層。第一層120包括一第一導電部分120a以及一第一絕緣部分120b。也就是說，第一層120並不一定要完全都由導電材料所構成，也可以包含一部分絕緣材料。

另外，第一導電部分120a與第一絕緣部分120b在一水平方向上交錯分布。須說明的是，第一導電部分120a的俯視形狀可以是連續的圖案或者是包括多個彼此分離的部分。因此，雖然在圖4所繪示電子傳輸結構12的剖面示意圖中，第一導電部分120a具有多個彼此分離的部分，但本發明並不以此為限。

請參照圖5，其顯示本發明又一實施例的電子傳輸結構的示意圖。本實施例與圖4的實施例不同的地方在於，在本實施例中，第一層120為一單一導電層，而第二層121為複合導電層。也就是說，第二層121包括一第二導電部分121a以及一第二絕緣部分121b。

與圖4的實施例相似，第二導電部分121a與第二絕緣部分121b在一水平方向上交錯分布。另外，第二導電部分121a的俯視形狀可以是連續的圖案或者是包括多個彼此分離的部分。因此，雖然在圖5所繪示電子傳輸結構12的剖面示意圖中，第二導電部分121a具有多個彼此分離的部分，但本發明並不以此為限。

請參照圖6，其顯示本發明再一實施例的電子傳輸結構的示意圖。電子傳輸結構12也可以是一複合導電層，且複合導電層包括一導電部分12a以及一絕緣部分12b，且導電部分12a與絕緣部分12b在水平方向上交錯分布。在本實施例中，導電部分12a與絕緣部分12b都會直接連接於量子井結構11。

請參照圖7，其顯示本發明又另一實施例的電子傳輸結構的示意圖。本實施例的電子傳輸結構12包括第一層120以及位於第一層120上的第二層121。由於第一層120是位於電子傳輸結構12的最外層，因此，第一層120的外側即為電磁波屏蔽件1的第一側S1。第二層121會位於量子井結構11與第一層120之間。

在本實施例中，第一層120與第二層121都是複合導電層。進一步而言，第一層120包括一第一導電部分120a以及一第一絕緣部分120b，且第一導電部分120a與第一絕緣部分120b在一水平方向上交錯分布。

第二層121包括一第二導電部分121a以及一第二絕緣部分121b，且第二導電部分121a與第二絕緣部分121b在一水平方向上交錯分布。在本實施例中，第二導電部分121a與第二絕緣部分121b都會連接於量子井結構11。另外，在本實施例中，第一導電部分120a與第二導電部分121a會相互錯開。

在本實施例中，第二導電部分121a會與第一絕緣部分120b在電子傳輸結構12的厚度方向上完全重疊。另一方面，第二絕緣部分121b與第一導電部分121a也會在電子傳輸結構12的厚度方向上完全重疊。在本實施例中，第二導電部分121a與第一導電部分120a是部分地重疊，本發明並不以此例為限。在其他實施例中，第二導電部分121a與第一導電部分120a也可以完全不重疊。

須說明的是，圖1中的電子傳輸結構12可替換為圖3至圖7中的任一個電子傳輸結構12。基於上述，只要電子傳輸結構12具有連接於量子井結構11的單一導電層或者是導電部分(如：導電部分12a、第一導電部分120a或第二導電部分121a)，當電磁波屏蔽件1應用於傳輸線組件或電子封裝結構中時，電子傳輸結構12都可以輔助量子井結構11吸收電磁波EM。然而，在電子傳輸結構12中，具有導電性的部分所佔的體積比例越高，電磁波屏蔽件1對於低頻電磁波的屏蔽效果會越好。

請參照圖8，其顯示本發明第二實施例的電磁波屏蔽件的示意圖。本實施例的電磁波屏蔽件1’還進一步包括：另一電子傳輸結構12’。兩個電子傳輸結構12、12’是分別位於量子井結構11的兩相反側。據此，其中一電子傳輸結構12的最外側為電磁波屏蔽件1’的第一側S1，而另一電子傳輸結構12’的最外側為電磁波屏蔽件1’的第二側S2。

另外，在本實施例中，量子井結構11為多重量子井結構，也就是包括多個交替堆疊的阻障層110以及多個載子侷限層111(圖8繪示2層為例)。值得注意的是，多重量子井結構中，位於最外側的兩層都是阻障層110。也就是說，在本實施例中，兩個電子傳輸結構12、12’是分別連接於量子井結構11的兩層阻障層110。

另一個電子傳輸結構12’的至少一部分會具有導電性。具體而言，另一個電子傳輸結構12’也會包括至少一單一導電層或至少一複合導電層。另外，電子傳輸結構12’可以是單層結構或者多層結構。電子傳輸結構12’的結構可以與圖1至圖7中的任一個電子傳輸結構12相同，以下不再詳細說明電子傳輸結構12’的實施態樣。

然而，兩個電子傳輸結構12、12’的結構不一定要完全相同。舉例而言，其中一個電子傳輸結構12為多層結構，另一個電子傳輸結構12’的結構可以是單層結構，但本發明不以此例為限。

當本實施例的電磁波屏蔽件1’應用於傳輸線組件中時，其中一個電子傳輸結構12可配合量子井結構11吸收由傳輸線組件所產生的訊號。另一個電子傳輸結構12’可配合量子井結構11進一步吸收傳輸線組件外部的電磁波，以避免外部電磁波進入傳輸線組件內，而影響信號傳輸品質。此外，由於電子傳輸結構12’的一部分可兼具有導電性以及導熱性，因此也可對傳輸線組件提供散熱。以下進一步說明電磁波屏蔽件1、1’應用在傳輸線組件中的不同實施例。

請參照圖9，其顯示本發明第一實施例的傳輸線組件的剖面示意圖。本實施例的傳輸線組件M1包括一導線組2以及電磁波屏蔽件1(1’)。

具體而言，傳輸線組件M1可以是軟排線、軟性電路板、軟性扁平電纜或者同軸電纜。在本實施例中，導線組2包括至少一用來傳輸信號的導線21(圖9繪示多個為例)以及一包覆導線的絕緣層22。

絕緣層22的材料例如是聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚芳基酸酯(polyarylate)或其它合適的材料，但本發明不以此為限。

電磁波屏蔽件1(1’)的詳細結構可參照圖1至圖8，在此並不贅述。電磁波屏蔽件1(1’)設置在導線組2上。具體而言，電磁波屏蔽件1(1’)會圍繞導線組2，也就是覆蓋於絕緣層22的外表面，以屏蔽電磁波干擾。在圖9的實施例中，電磁波屏蔽件1(1’)是完全包覆整個導線組2。然而，在其他實施例中，電磁波屏蔽件1(1’)也可以只覆蓋導線組2的部分表面。

值得注意的是，在本實施例中，電磁波屏蔽件1(1’)是以第一側S1朝向導線組2設置。也就是說，當電磁波屏蔽件1(1’)設置於導線組2上時，電子傳輸結構12會位於量子井結構11與導線組2之間。據此，當導線21傳輸高頻信號時所輻射的高頻電磁波，大部分可以被量子井結構11所吸收，可避免信號互擾。

在一實施例中，電子傳輸結構12(12’)的至少一部分是由具有導電性以及導熱性的材料(如：金屬或合金)所構成。相較於其他實施例，量子井結構11配合電子傳輸結構12(12’)，除了可更有效地屏蔽低頻電磁波以及高頻電磁波之外，還可對導線組2散熱。

請參照圖10，其為本發明第二實施例的傳輸線組件的局部剖面示意圖。本實施例的傳輸線組件M2為軟性扁平電纜，並至少包括導線組2以及電磁波屏蔽件1(1’)。

本實施例的導線組2包括多條彼此分離的導線21以及至少一絕緣層22。在本實施例中，兩層絕緣層22通過絕緣膠層(圖未示)設置於導線21的兩相反側。

電磁波屏蔽件1(1’)的詳細結構可參照圖1至圖8，在此並不贅述。電磁波屏蔽件1(1’)設置於導線組2上，用以防止電磁波干擾。進一步而言，電磁波屏蔽件1(1’)可以通過一導電膠層(圖未示)而設置在其中一絕緣層22上，並以電子傳輸結構12(第一側S1)朝向絕緣層22設置。

請參照圖11，其為本發明另一實施例的傳輸線組件的剖面示意圖。如圖11所示，傳輸線組件M3為同軸電纜，且包括至少一導線21、一絕緣層22、一電磁波屏蔽件1(1’)以及一披覆層3。

導線21被包覆在絕緣層22內，用以傳輸信號。電磁波屏蔽件1(1’)包覆絕緣層22的外表面，且電磁波屏蔽件1(1’)位於披覆層3與絕緣層22之間，用以屏蔽電磁干擾。披覆層3的材料為絕緣材料，且為傳輸線組件M3的最外層，以作為保護層。

電磁波屏蔽件1的第一側S1會朝向導線21，而第二側S2會朝向披覆層3面對絕緣層22。若電磁波屏蔽件1只具有一個電子傳輸結構12，電子傳輸結構12會位於絕緣層22與量子井結構11之間，並且量子井結構11的外表面會朝向披覆層3。在另一實施例中，電磁波屏蔽件1’具有兩個電子傳輸結構12、12’，其中一個電子傳輸結構12位於量子井結構11與絕緣層22之間。另一個電子傳輸結構12’是位於量子井結構11與披覆層3之間，可用以屏蔽外部的低頻電磁波並可輔助散熱。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，在本發明所提供的電磁波屏蔽件1(1’)以及應用其的傳輸線組件M1~M3中，通過“電磁波屏蔽件1包括量子井結構11以及電子傳輸結構12(12’)，且電子傳輸結構12(12’)的至少一部分具有導電性”的技術方案，可吸收高頻以及低頻的電磁波雜訊，以抑制電磁干擾。

進一步而言，本發明實施例的電磁波屏蔽件1中，電子傳輸結構12(12’)可輔助量子井結構11更容易吸收由導線21在傳輸信號時所產生的電磁波，並可避免將電磁波反射回導線21，而可有效地抑制串擾。

另外，電子傳輸結構12(12’)本身也可吸收頻率範圍由100kHz至1GHz的低頻電磁波。據此，本發明實施例的電磁波屏蔽件1具有量子井結構11以及電子傳輸結構12(12’)，不僅可吸收高頻電磁波(頻率範圍由1GHz至300GHz)，也可吸收低頻電磁波(頻率範圍由100MHz至1GHz)。因此，當電磁波屏蔽件1被應用於傳輸線組件M1~M3中或者是電子封裝結構中時，可更有效地屏蔽電磁干擾以及抑制信號互擾。據此，本發明實施例的電磁波屏蔽件1(1’)在實際應用於傳輸線組件M1~M3時，可減少信號損失、有效吸收反射的電磁波及避免造成串擾。

另外，電子傳輸結構12(12’)的材料可選擇具有較佳導電性與導熱性的材料。如此，當電磁波屏蔽件1應用在傳輸線組件M1~M3或者是電子封裝結構時，電磁波屏蔽件1的電子傳輸結構12(12’)可提升散熱效率。

現有技術中，以鐵氧體塗層或石墨烯塗層作為電磁波屏蔽層，其總厚度約100至300μm。相較之下，本發明實施例的具有量子井結構11以及電子傳輸結構12(12’)的電磁波屏蔽件1的總厚度約1 μm。也就是說，本發明實施例的電磁波屏蔽件1的總厚度僅為現有電磁波屏蔽層的總厚度的1/100倍至1/300倍，卻可應用於屏蔽頻率範圍更寬的電磁波。

另外，現有的電磁波屏蔽層通常是通過化學塗佈製程來製備，而在化學塗佈製程中，化學反應後的廢液可能會造成環境汙染。相較之下，本發明實施例的電磁波屏蔽件1的製備方式(如:濺鍍)可減少環境汙染。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

1、1’:電磁波屏蔽件

S1:第一側

S2:第二側

11:量子井結構

110:阻障層

Eg1:阻障層能隙寬度

110E:阻障層導電帶

T1:阻障層厚度

111:載子侷限層

Eg2:載子侷限層能隙寬度

111E:載子侷限層導電帶

ΔEc:能隙差值

T2:載子侷限層厚度

12、12’:電子傳輸結構

12a:導電部分

12b:絕緣部分

120、120’:第一層

120a:第一導電部分

120b:第一絕緣部分

121、121’:第二層

121a:第二導電部分

121b:第二絕緣部分

EM:電磁波

M1~M3:傳輸線組件

2:導線組

21:導線

22:絕緣層

3:披覆層

圖1顯示本發明第一實施例的電磁波屏蔽件的示意圖。

圖2為本發明第一實施例的量子井結構的局部放大示意圖。

圖3為本發明一實施例的電子傳輸結構的示意圖。

圖4為本發明另一實施例的電子傳輸結構的示意圖。

圖5為本發明又一實施例的電子傳輸結構的示意圖。

圖6為本發明再一實施例的電子傳輸結構的示意圖。

圖7為本發明又另一實施例的電子傳輸結構的示意圖。

圖8為本發明第二實施例的電磁波屏蔽件的示意圖。

圖9為本發明第一實施例的傳輸線組件的剖面示意圖。

圖10為本發明第二實施例的傳輸線組件的剖面示意圖。

圖11為本發明第三實施例的傳輸線組件的剖面示意圖。

1:電磁波屏蔽件

S1:第一側

S2:第二側

11:量子井結構

110:阻障層

T1:阻障層厚度

T2:載子侷限層厚度

111:載子侷限層

12:電子傳輸結構

Claims (15)

1. 一種電磁波屏蔽件，其包括：一量子井結構，其中，所述量子井結構包括至少兩個阻障層以及位於兩個所述阻障層之間的至少一載子侷限層；以及兩個電子傳輸結構，其分別設置於所述量子井結構的兩相反側，其中，至少一個所述電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。
2. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，至少一個所述電子傳輸結構包括至少一單一導電層或至少一複合導電層。
3. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，至少一個所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層，所述第一層為一複合導電層，且包括一第一導電部分以及一第一絕緣部分，所述第一導電部分與所述第一絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
4. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，至少一個所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層，所述第二層為一複合導電層，並包括一第二導電部分以及一第二絕緣部分，所述第二導電部分與所述第二絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
5. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，至少一個所述電子傳輸結構為一複合導電層，所述複合導電層包括一導電部分以及一絕緣部分，所述導電部分與所述絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
6. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，至少一個所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層；所述第一層為一複合導電層，且 包括一第一導電部分以及一第一絕緣部分，所述第一導電部分與所述第一絕緣部分在一水平方向上交錯分布；其中，所述第二層為一另一複合導電層，並包括一第二導電部分以及一第二絕緣部分，所述第二導電部分與所述第二絕緣部分在一水平方向上交錯分布；其中，每一所述第一導電部分與每一所述第二導電部分相互錯開。
7. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，每一所述阻障層的導電帶與相鄰的所述載子侷限層的導電帶之間所形成的能隙差值至少0.2eV。
8. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波屏蔽件，其中，所述阻障層的厚度大於所述載子侷限層的厚度。
9. 一種傳輸線組件，其包括：一導線組，其包括至少一導線以及包覆所述導線的一絕緣層；以及一電磁波屏蔽件，其設置在所述導線組上，且所述電磁波屏蔽件包括：一量子井結構，其包括至少兩個阻障層以及位於兩個所述阻障層之間的至少一載子侷限層；以及一電子傳輸結構，其位於所述量子井結構以及所述導線組之間，其中，所述電子傳輸結構的至少一部分具有導電性。
10. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電子傳輸結構包括至少一單一導電層或至少一複合導電層。
11. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層，所述第一層為一複合導電層，且包括一第一導電部分以及一第一絕緣部分，所述第一導電部分與所述第一絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
12. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層，所述第二層為一複合導電層，並包括一第二導電部分以及一第二絕緣部分，所述第二導電部分與所述第二絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
13. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電子傳輸結構為一複合導電層，所述複合導電層包括一導電部分以及一絕緣部分，所述導電部分與所述絕緣部分在一水平方向上交錯分布。
14. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電子傳輸結構包括一第一層以及位於所述第一層以及所述量子井結構之間的一第二層；所述第一層為一複合導電層，且包括一第一導電部分以及一第一絕緣部分，所述第一導電部分與所述第一絕緣部分在一水平方向上交錯分布；其中，所述第二層為一另一複合導電層，並包括一第二導電部分以及一第二絕緣部分，所述第二導電部分與所述第二絕緣部分在一水平方向上交錯分布；其中，每一所述第一導電部分與每一所述第二導電部分相互錯開。
15. 如申請專利範圍第9項所述的傳輸線組件，其中，所述電磁波屏蔽件還包括另一電子傳輸結構，兩個所述電子傳輸結構分別位於所述量子井結構的兩相反側。

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