JPH04302481A

JPH04302481A - 半導体光素子

Info

Publication number: JPH04302481A
Application number: JP3092880A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Yoshidaya; 弘明吉田谷
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 1991-03-29
Filing date: 1991-03-29
Publication date: 1992-10-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、低コヒーレンス発光素
子及び、半導体光直接増幅素子に関する。

【０００２】

【従来技術】低コヒーレンス発光素子（Ｓｕｐｅｒ　Ｌ
ｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　Ｄｉｏｄｅ　以下、ＳＬＤとい
う）は低コヒーレンスの為、光ファイバや光デイスクか
らの戻り光により誘起される光源の雑音発生や、例えば
、光ファイバ中で僅かに光路の異なる光波が干渉して起
きるスッペクル雑音が本質的に生じ難く、またスペクト
ル幅の広さから近似的な白色光源に成り得る事から、フ
ァイバジャイロや光導波路光パルス試験器（ＯＴＤＲ）
等の光計測用として近年精力的に開発されている。

【０００３】半導体光直接増幅素子（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ　Ｌａｓｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ　以下、
ＳＬＡという）は、例えば最近、各方面で研究が行われ
ているエルビウムドープ光ファイバアンプに比較し、光
直接増幅の波長帯域が広く、かつ、増幅される光信号波
長の自由度も圧倒的に大きい。また、例えば、同じ（ガリウム・インジウム・ヒ素・リ
ン混晶）等のＩＩＩ　−Ｖ族混晶材料から作製される半
導体レーザ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ　以下、ＬＤとい
う）、光変調器、受光素子、トランジスタ等との集積化
が可能な為、将来の光交換システムを含めた長距離高速
大容量光通信網の中核素子として開発が急がれている。

【０００４】以上述べた、ＳＬＤ及びＳＬＡの基本的動
作は、半導体レーザの光出射光導波路端面における光反
射の内、光導波路に結合する成分（以下、光導波路結合
反射率という）を抑圧し、高電流注入においてもレーザ
発振を生じさせない状態で行うという点共通している。上記のように光導波路結合反射率を低減する為には、一
般に以下（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に記載する４
手法がある。（ａ）ＬＤの光出射光導波路端面に無反射膜を施す。（ｂ）光導波路端に光吸収領域を設け、反射光を吸収さ
せる。（ｃ）光導波路端を光吸収の無い物質で埋め込み、光導
波路から放射された光を拡散させる窓領域を設け端面反
射光の導波路に結合する成分を削減する。（ｄ）光出射光導波路端面に対して光導波路を傾斜させ
て設け、端面反射の光導波路に結合する成分を抑圧する
。

【０００５】しかし、これらの手法には以下に記載する
問題点がそれぞれある。（ａ）の問題点は、無反射膜を用いた場合、反射率≦１
０マイナス３乗とする為には層厚を６ｎｍ以内、屈折率
を０．０５以内の精度で制御する必要がある（例えば、
ＯＱＥ８４−９３，Ｐ−２９，Ｔ．Ｍｕｋａｉ　ｅｔａ
ｌ．　）。　　また、ＴＥ、ＴＭ両モードに付いて同時
に、同一のレベルまで低減できないと報告されている（
例えば、Ｇ．Ａ．Ａｌｐｈｏｎｓｅ　ｅｔａｌ．，Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５５（２２），ｐ−２２８
９，１９８９　　）。そのうえ、この手法は光波の共振
現象によっている為、光スペクトルの広い範囲に渡って
安定して低反射率を実現できない。

【０００６】（ｂ）の問題点は、光導波路端に光吸収領
域を設けた場合、この領域は過飽和吸収帯として働く為
に、光導波路中の光密度しきい値を境として急激に吸収
が変化し、かつ、この変化は欠陥等により素子間で不安
定である事から安定した素子特性が得られ難いばかりで
なく、光直接増幅素子が得られない。

【０００７】（ｃ）の問題点は、窓領域と接した光導波
路の光出射光導波路端面からその窓領域に入射した光は
その窓領域中を拡散しながら、その窓領域の終端面を経
てその光導波路の端面に戻って来る。その結果、その拡
散により光導波路の端面を通過し、光導波路中に帰還す
る光成分を著しく抑圧させるというものである。しかし
、例えば、埋め込み構造をとる（ガリウム・インジウム
・ヒ素・リン混晶）／（インジウム・リン）化合物半導
体系光素子においては、光導波路の端面と窓領域との境
界における光反射を十分に抑圧できない。その化合物半
導体系により窓領域を結晶成長により形成するが、一般
にその光導波路の端面に対する化合物半導体の結晶成長
に再現性が乏しいためである。また、光導波路の端面よ
り窓領域へ出射した光はその窓領域の終端面とその光導
波路の端面の間にある（ガリウム・インジウム・ヒ素・
リン）混晶材が電極金属もしくは空気と接触する界面で
反射された光と、この様な反射を受けない窓領域を直進
する光との間で干渉し窓領域の終端面よりの出射光にお
いて光出力と出射方向の間に周期的な変化が現れる。これは近視野像、及び遠視野像の乱れであるので、出射
光を光ファイバに入射する場合、その出射光の内光ファ
イバに入射する割合いわゆる光結合効率が低下する。

【０００８】（ｄ）の問題点は、傾斜導波路型の素子形
成は容易であるが、スネルの法則に従う光導波路の傾斜
角と光出射角の関係があり、より低い反射率を求めて光
導波路の傾斜角を大きくするに連れて出射光方向が光出
射光導波路端面の法線方向から離れて行く為、この法線
方向に平行な光伝送線路に沿っている光ファイバとの結
合が難しく成る。又、この様に傾きを大きく取った場合
、出射光を受ける光ファイバも必然的に傾くので、ファ
イバの受光効率を向上する為、素子端面とファイバ端を
例えば１０μｍ程度に接近させる必要があるが、これに
よりファイバ端が素子端面に当たる様になる。これらの
理由から光導波路の光出射光導波路端面の法線方向に対
する角度は最大５〜７度に限られ、特に効率の高い屈折
率導波型素子では光導波路と、その他の領域で屈折率差
が大きい為に光導波路に帰還する反射光量が多く（例え
ば、Ｃ．Ｅ．Ｚａｈ　ｅｔａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．
Ｌｅｔｔ．２３，ｐ−９９０（１９８７））十分に光導
波路結合反射率を抑圧できない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】つまり、いずれの手法
によっても、十分に光導波路結合反射率を低減すること
は達成できていない。一方、ＬＤに比較してＳＬＤ及び
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉ
ｏｄｅ以下、ＬＥＤという）の光出射光導波路端面にお
ける反射損失が大きい為、誘導放出光成分が少ない。こ
れ故に素子中の光子寿命が短くなり光増幅率が小さく、
かつ、低コヒーレンス、つまり光の波長スペクトルが広
いものとなる。この様に光増幅率が小さい事から素子中
の光伝播方向が広がり光出射導波路端面における全光子
の内全反射成分が相対的に多くなる事から出力成分とな
り得ない光が多くなり光出力の相対的低下をもたらす。

【００１０】これに加えて、例えばＳＬＤにおいてはレ
ーザ発振以下の電流注入条件で駆動しているのであるが
、光出力を得るため電流注入量を増すと共に活性層中の
キャリア密度が上昇する。これにより、キャリア密度の
３乗に比例するオージェ効果及びキャリア密度に比例し
、かつ、温度依存性を有する価電子帯間吸収効果に依る
非発光再結合の割合が顕著に成り光出力の飽和並びに高
電流注入領域での急激な光出力の低下を引き起こす。例えば（ガリウム・インジウム・ヒ素・リン混晶）／（
インジウム・リン）系のＳＬＤにおいてはスペクトル幅
約３０〜５０ｎｍで光出力は数ｍＷ程度で飽和ないしは
光出力の低下が生じている。この様な低光出力では光計
測において高いＳ／Ｎ比を得る事が困難になるという問
題点がある。

【００１１】さらに、従来、傾斜光導波路を有するＳＬ
Ｄは、図１２に素子の俯かん図、図１３に見取図を模式
的に示す如く光出射光導波路端面７は、へき開により形
成されて居る。そして、素子をダイアモンド等のヒート
シンク１２に接合する工程が、へき開端面を方向設定の
基準としている為、通常のシステムにおいて光伝送線路
に一致する、へき開端面の法線８に対してθｉ傾斜した
光導波路６中を伝播する光９は、スネルの法則に従い、
図１２中θｒの角度を有する出射光１０となる為、ＳＬ
Ｄとした場合、該出射光が端面の法線方向８から離れる
様に出射し、従来行われている素子系の組立工程におい
ては、出射光と光ファイバの結合が難しくなる。一方、
ＳＬＡとした場合、光ファイバから素子に入射する光線
と素子から光ファイバへ出射する光線が一直線に配置し
ない為、良好な光結合を有する素子系の組立工程を困難
なものとする。

【００１２】従来の技術課題を要約すると次の３点とな
る。（１）光導波路結合反射率を低減できない。（２）光ファイバに入射する光出力が低下する。（３）光ファイバへの良好な光結合を有する組立工程が
困難である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体光素子においては、傾斜した光導波路
６を有し、出射光５が光ファイバ２９との光結合が良好
になるように光導波路６方向と光出射光導波路端面２方
向の間において、光出射光導波路端面２に仮想的に立て
た法線に対して光の進行角の正弦と媒質の屈折率の積が
保存される、いわゆるスネルの法則に従って設定した、
光出射光導波路端面２に向かって互いに徐々に近づく複
数本の利得を持つ光導波路６ａ、６ｂを構成する事を特
徴とする半導体光素子である。すなわち、この半導体光
素子は、

【００１４】■導波する光９が、第１の基準面４に対し
て垂直方向に光が入射（または出射）する様に、その一
つの光出射光導波路端面２の角度をスネルの法則に従っ
て配設した第１の光導波路６が半導体基板１１上に形成
され、その第１の光導波路６の光出射光導波路端面２か
ら出射される光を入射（または出射）する。■そして上
記のごとく定めた第１の基準面４に対して平行に配設さ
れる第２の基準面１とを有する第２の光導波路３とを備
えている。■そして、互いに非平行である第１の光導波
路６ａ、６ｂを複数備えている。■さらに、該相互に非
平行な複数の第１の光導波路６ａ、６ｂは、その一方の
光出射光導波路端面２ａを互いに接近させて、他方の光
出射光導波路端面２ｂを互いに間隔を開いて形成されて
いる。

【００１５】

【作用】このように構成された半導体光素子によれば、
図５に示すように、光導波路結合反射率は光出射光導波
路端面２に対する光導波路６の傾き角θｎ　と共に急激
に減少し、例えば図４に表した結晶系において光出射光
導波路端面２の方向が法線方向８に対して４５度傾いて
いる場合は、光導波路結合反射率として屈折率導波路構
造においても５×１０マイナス４乗が得られる。

【００１６】そして同様の事が、光出射光導波路端面２
ｂでも起きる事は明かであり、光導波路６及び光出射光
導波路端面２の関係を前記の角度条件と対称に取れば、
前記法線方向８に進む２本の光束が放射され、よってこ
の方向には２倍の出力が放射されるＳＬＤとなる。また
、光導波路結合反射率を抑圧した上で、光を基準面に対
して平行（または垂直）に出射（または入射）できる。

【００１７】

【実施例】（第一の実施例）図１に俯かん図、図２に見
取図を模式的に示す本発明における構成の１例として２
本の導波路を有する場合では光出射光導波路端面２ａ及
び２ｂに向い互いに徐々に近ずく利得を有する２本の光
導波路６ａ及び６ｂの出射光５ａ及び５ｂが、へき開端
面に対し垂直の方向で、かつ、水平方向に放射され光フ
ァイバ２９との光結合可能となる様に、鉛直な光出射光
導波路端面２ａ及び２ｂをウエットもしくは、ドライエ
ッチングにより形成した事を特徴とする。

【００１８】次に、エッチングに依り形成された光出射
光導波路端面２からの出射光５の方向が、へき開面７の
法線方向８に一致する条件を、例えば（ガリウム・イン
ジウム・ヒ素・リン混晶）／（インジウム・リン）（λ
ｇ　＝１．５５μｍ）に適用した場合、光導波路６と光
出射光導波路端面２の間に成立する関係を図４に示す。図４中の角度θｎ　は、前記光出射光導波路端面２に対
する光導波路６の傾き，以下角度θｆ　は方向８に対す
る光出射光導波路端面２の傾き，角度θｉ　は方向８’
に対する光導波路６の傾きである。また、図３は光出射
光導波路端面２付近を拡大した図である。

【００１９】一方、この様な構成をＳＬＡに適用すると
、光直接増幅機能を有するＹ分岐素子となる。次に、本
発明の半導体光素子の製造方法の一実施例を光導波路数
が２の場合として図８、図９にて説明する。例えば、第
１導電性を有する（インジウム・リン）基板１１上に第
１導伝層の（インジウム・リン）緩衝層１３，活性層１
４，第２導伝層のクラッド層１５を順次結晶成長したダ
ブルヘテロ基板（図８（ａ））に基板の（０１１）もし
くは（０１１）方向に直角方向のへき開面２６方向に対
し傾けたメサ１６を通常の半導体レーザと同様な手法に
より形成（図８（ｂ））した後、これを第２導伝層１７
，第１導伝層１８の（インジウム・リン）にて順次埋め
込み成長を行う（図８（ｃ））。次に、該基板上にエッ
チングマスクと成る誘電体層１９をプラズマＣＶＤ等に
よって被着した後、光導波路となるメサ方向と光出射光
導波路端面の角度を考慮し後に光出射光導波路端面を含
む削孔を形成する為のレジストパターン２０を形成する
（図８（ｄ））。

【００２０】次に、該溝を形成する過程を図８（ｄ）中
Ａ−Ａ’断面で図９で説明する。図８（ｄ）の基板上の
誘電体層１９をレジストパターン２０状にエッチングし
た後、電極材料２１を基板の表裏両面に各々の導伝性に
合わせて蒸着する（図９（ａ））。そして、レジスト２
０をアセトン等で溶解しパターン上の電極材料をリフト
オフした後熱処理を施し、電極２２を形成する（図９（
ｂ））。この様に電極が形成された基板上に、再び誘電
体層２３を被着し（図９（ｃ））、レジスト２４塗布後
、前記レジストパターン２０に合わせて窓３０を開ける
（図９（ｄ））。引き続いて、レジスト２４をマスクと
して誘電体層除去（図９（ｅ））後、誘電体層をマスク
に（ガリウム・インジウム・ヒ素・リン混晶）／（イン
ジウム・リン）結晶にウエット法やドライ法を用いて四
角柱状にエッチングを施す（図９（ｆ））。この工程に
より削孔２７を有する基板が形成される（図８（ｅ））
。次に、削孔２７の垂直部分に活性層を含む光出射光導
波路端面が一致する様に該基板を、へき開もしくはダイ
シングによって分割し、本発明に依る傾斜導波路素子２
５を得る事が出来る（図８（ｆ））。そして、該傾斜導
波路素子２５をダイアモンド等のヒートシンク１２の端
面に結晶へき開面７を一致させてダイボンデイングした
後、傾斜導波路素子２５へのワイアー２８のボンデイン
グを順次行いＳＬＤ素子系を完成する（図８（ｇ））。

【００２１】この素子系は、ワイアー２８を通して電流
もしくは電子を傾斜導波路素子２５に注入する事により
機能するが、従来の傾斜導波路素子とは異なり通常の光
伝送線路に一致する光ファイバ２９への放射光が結晶へ
き開面７（素子端面７）に対して垂直入射となる為、従
来の半導体レーザ組立工程を適用した場合においても光
ファイバ端と素子端面の機械的な干渉がなく、かつ、通
常の光伝送線路と良好な光結合が容易に実現される。

【００２２】また、傾斜導波路素子端面からの放射光量
は該端面に低反射膜を被着する事により向上するが、傾
斜この場合、厚さ及び組成が高度に制御された膜を必要
とせず例えば該膜により光導波路端面での光反射率とし
て数％程度で十分である。何故なら本光導波路構造は本
質的にファブリ・ペローモードによるレーザ発振が効果
的に抑圧されている為と、これ以上反射率を低下させて
も放射光量の向上が飽和するからである。その上、この
様に最適化されていない低反射膜を介した光反射は、光
波長依存性が弱い（例えば、ＯＱＥ８４−９３，Ｐ−２
９，Ｔ．Ｍｕｋａｉ　ｅｔａｌ）事から、傾斜導波路素
子の特長の一つでもある、ほぼ波長無依存なる光反射特
性を損なう事が少ないと言う利点を維持し続けることは
いうまでもない。

【００２３】（第二の実施例）図１０には変形例として
、分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に本発明を
適用した例を示した。本発明の変形例に於けるＤＦＢ−
ＬＤは活性層１４に沿って具備したガイド層に特定な光
波長を選択する回折格子３１が２本の光導波路各々に具
備しており、例えば、各々の光導波路に作り付けられる
回折格子のピッチを変えておくと、異なる波長の出射光
を１本の光ファイバに入射させることが出来る。この構
造における回折格子はそれぞれの光導波路方向に光を回
折する様にダブルヘテロ基板の形成時に作り込まれてお
り、それ以後の埋め込み成長工程は前記実施例にあるＳ
ＬＤやＳＬＡと基本的に同一である。

【００２４】ＤＦＢ及びＤＢＲ−ＬＤは光出射光導波路
端面における回折格子の位相がレーザ発振の特性に強い
影響を与える事が知られている（例えば、“ＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＰ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌａｓｅ
ｒｓ　ｉｎ　１．５　μｍ　Ｒａｎｇｅ．”，Ｓ．ＡＫ
ＩＢＡ，Ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ　ｔｏ　Ｔｏｋｙｏ　Ｉｎ
ｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９８
４）。例えば、（ガリウム・インジウム・ヒ素・リン混
晶）／（インジウム・リン）系半導体レーザに於いて、
１次回折格子のピッチは、２００〜２５０ｎｍと微細で
あるから、へき開等による光出射光導波路端面形成にお
いて回折格子の位相制御は現在ほぼ不可能であるが故に
、これらＤＦＢ及びＤＢＲ−ＬＤに於けるファブリ・ペ
ローモードの混在に依る発振特性の不安定性を除去する
為、光出射光導波路端面における光導波路への反射光を
抑圧する必要がある。

【００２５】本発明は、この様な問題の解決に対しても
有効である事はこれまでの説明からも明かであると同時
に、素子からの出射光が異なる二つの波長となり、集積
化された波長多重光源と成る。

【００２６】（第三の実施例）図１１には第２の変形例
としてＹ型分岐光素子を示す。例えば、図中の電極３２
ａ、３２ｂに注入する電流Ｉ１　、Ｉ２　をＩ１　＝Ｉ
２　と設定し活性層領域の利得と損失が釣りあう様にレ
ーザ発振しない程度の電流レベルで本変形例を動作させ
る事により、Ｙ型分岐素子とすることができる。また、
電流注入を増し利得＞損失とするとＹ分岐型の直接光増
幅素子となる。一方、２つの導波路に異なる電流Ｉ１　
、Ｉ２　を注入する事によりＹ分岐の内、一方の分岐を
任意に選択して動作させる事が可能となり、即ちＹ型分
岐光スイッチとしての機能を有する光素子となる。更に
、この活性層領域に回折格子を組み込んでおけば波長選
択性を有するＹ型分岐素子となる。ここで述べた全ての
構造は、先に説明した（ガリウム・インジウム・ヒ素・
リン混晶）／（インジウム・リン）系以外の半導体光素
子に付いても同様に適用できる事は明白である。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、傾斜した光導波路
６を有し、出射光５が光ファイバ２９との光結合が良好
になるように光導波路６方向と光出射光導波路端面２方
向の間において、光出射光導波路端面２に仮想的に立て
た法線に対して光の進行角の正弦と媒質の屈折率の積が
保存される、いわゆるスネルの法則に従って設定した、
光出射光導波路端面２ａ、２ｂに向かって互いに徐々に
近づく複数本の利得を持つ光導波路６ａ、６ｂからなる
構成とした。そのため、３つの課題、（１）光導波路結合反射率を低減できない。（２）光ファイバに入射する光出力が低下する。（３）光ファイバへの良好な光結合を有する組立工程が
困難である。を解決した。

【００２８】つまり、従来の素子構造に比較し光出射光
導波路端面２に対する光導波路６の角度を遥かに大きく
設定し、例えば、極高精度な製膜技術より成る無反射膜
に依るレベル程度の光導波路結合反射率の低減を容易に
実現し得る。よってファブリ・ペローモードを、従来以
上に強く抑圧できる。かつ、この反射率の低減は無反射
膜による場合の様な波長依存性を、ほぼ持たないため広
範囲の波長にわたって、ファブリ・ペローモード発振の
抑圧が可能となる事はいうまでもない。

【００２９】また、近接した対称な二つの光出射光導波
路端面２ａ、２ｂより同時に光出射が行われる為、光出
力が従来の単一導波路素子の２倍となる。例えば、図６
に示す様に光導波路数が２の場合シングルモードファイ
バ（ＳＭＦ）との光結合量を光出射光導波路端面２ａ、
２ｂと光ファイバ２９の間隔Ｌをパラメータとした時、
光出射光導波路端面における２本の光導波路６ａ、６ｂ
端の間隔Ｄ（Ｄ／２をファイバの中心軸と一方の導波路
端中心までの距離とする）の関数として光導波路数１で
ある従来構造に対する比Ｍと言う表現にて図７に示した
。この図６からも、Ｄ≦７μｍの場合光ファイバ端面と
光出射光導波路端面の間隔が３０μｍ以内では従来構造
である光導波路数１の素子に比較し、光ファイバへの光
入射量が５割以上向上する。

【００３０】また、光出射光導波路端面以外の、へき開
面により素子の位置合わせを通常の半導体レーザ同様容
易にできる。さらに、上記以外として、以下■から■の
効果がある。■半導体光素子からの光出射方向を任意に
制御できる。■光ファイバ端面と干渉する傾いた光出射
光導波路端面の幅をエッチングにより狭く形成できる為
、光ファイバと光出射光導波路端面の干渉を回避できる
。■二つの光導波路が光出射光導波路端面以外では離れ
ている為、光導波路間の結合が弱く高次の横モードが生
じ難く光出射方向が安定する。■２本の光導波路に異な
る電流を注入すると、各々の光導波路でのバンドフィリ
ング効果に差が生じ、放射光の波長スペクトル（プロフ
ァイル）に異なりができ、これら２本の光導波路より出
射する光スペクトルの総体が広がり、より低コヒーレン
トな光源と成る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体光素子の第一の実施例の俯かん
図。

【図２】本発明の半導体光素子の第一の実施例を模式的
に示した見取図。

【図３】光出射光導波路端面付近を拡大した図。

【図４】第一の光出射光導波路端面との間に成立する関
係を説明する図。

【図５】光出射光導波路端面における入射光が元の第一
の光導波路に帰還する割合（光導波路結合反射率）の例
を図３に示す端面に対する光導波路傾き角θｎの関数と
して示した図。

【図６】光導波路数が２の場合シングルモードファイバ
（ＳＭＦ）との光結合を示す模式図。

【図７】図６における間隔Ｄに対する光結合量を示した
図。

【図８】本発明の半導体素子の製造工程を示す図。

【図９】本発明の半導体素子の製造工程を示す図。

【図１０】本発明を適用した分布帰還型半導体レーザを
模式的に示した見取図。

【図１１】本発明をＹ型分岐光素子に適用した模式図。

【図１２】従来の半導体光素子の俯かん図。

【図１３】従来の半導体光素子のを模式的に示した見取
図。

【符号の説明】

１　　第１の基準面。２　　光出射光導波路端面。２ａ　　光出射光導波路端面。２ｂ　　光出射光導波路端面。３　　第２の光導波路。４　　第１の基準面。５　　出射光。６　　第１の光導波路。６ａ　　光導波路。６ｂ　　光導波路。９　　光。１１　　半導体基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　第１の基準面（４）を有する半導体基
板（１１）と、該半導体基板（１１）上に形成され、そ
れが導波する光（９）がスネルの法則にしたがって第１
の基準面（４）に対して垂直または平行方向に光を出射
または入射するような角度を持って、その一つの光出射
光導波路端面（２）が配設されている第１の光導波路（
６）と、該第１の光導波路（６）の前記光出射光導波路
端面（２）より出射される出射光（５）を入射または出
射し、かつ、前記第１の基準面（４）と平行または垂直
に配設される第２の基準面（１）とを有する第２の光導
波路（３）とを備えた半導体光素子において、前記第１
の光導波路が複数の光導波路（６ａ、６ｂ）から成り、
かつ、該複数の光導波路の一端が、それぞれの光出射光
導波路端面（２ａ、２ｂ）に向かって、互いの間隔が狭
まるように配置されたことを特徴とする半導体光素子。