JP5530229B2 - 半導体発光素子およびそれを用いた光パルス試験器 - Google Patents
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Description
本発明に係る半導体発光素子の第1の実施形態を図1に示す。図1は、第1の実施形態の半導体発光素子10を光の伝搬方向に沿って切断した断面図である。
本発明に係る半導体発光素子の第2の実施形態について図面を用いて説明する。第1の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
複数の異なる波長帯の光を複数の縦モードで発振可能な第1または第2の実施形態の半導体発光素子10、30は、光パルス試験器の光源として用いることができる。以下、半導体発光素子10または半導体発光素子30を備えた光パルス試験器の実施形態について図面を用いて説明する。
2 発光素子駆動回路
3 被測定光ファイバ
4 受光部
5 信号処理部
10、30 半導体発光素子
10a、30a 第1の光出射端面
10b、30b 第2の光出射端面
13a、33a 第1の多重量子井戸型の活性層
13b、33b 第2の多重量子井戸型の活性層
18a 高反射(HR)コート
18b 低反射(LR)コート
19、31 結合導波路層
19a、31a 第1のバットジョイント結合部
19b、31b 第2のバットジョイント結合部
20 回折格子
32a n型InPキャリアブロック層
32b p型InPキャリアブロック層
Claims (6)
- 半導体基板(11)上に、
劈開によって形成された第1の光出射端面(10a、30a)と第2の光出射端面(10b、30b)とを有し、
前記第1の光出射端面に開口し第1の利得波長を有する第1の多重量子井戸型活性層(13a)と前記第2の光出射端面に開口し第2の利得波長を有する第2の多重量子井戸型活性層(13b)とそれらを結晶成長させた後に成長させたバルク結晶であって当該それらを光学的に結合させる結合導波路層(19、31)とが光の導波方向に結合され、
前記第1の多重量子井戸層の上方に第1の電極(17a)を、前記第2の多重量子井戸層の上方に第2の電極(17b)を、前記半導体基板の底面に第3の電極(16)を備えている半導体発光素子において、
前記第1の利得波長は前記第2の利得波長より長く、
前記結合導波路層近傍に、前記第2の利得波長に相当するブラッグ波長を有する回折格子(20)が形成され、
前記第1の電極と前記第3の電極との通電によって前記第1の多重量子井戸型活性層で生成された光が、前記第1の光出射端面と前記第2の光出射端面とで構成される共振器で発振し、前記第2の電極と前記第3の電極との通電によって前記第2の多重量子井戸型活性層で生成された光が、前記回折格子と前記第2の光出射端面とで構成される共振器で発振し、ともに前記第2の光出射端面から出射されることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2の光出射端面の反射率が、前記第1の光出射端面の反射率より低く形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1の利得波長が1.52〜1.58μmであり、
前記第2の利得波長が1.28〜1.34μmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記結合導波路層は、前記第2の利得波長と同じかまたはより短い組成波長を有するバルク型構造であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記結合導波路層の上方に、前記第1の電極および前記第2の電極から拡散してくるキャリアの前記結合導波路層への流入を防止するキャリアブロック層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子、および、該半導体発光素子に光パルスを発するためのパルス状の駆動電流を印加する発光素子駆動回路(2)を有し、該半導体発光素子の前記第2の光出射端面から出射された前記光パルスを被測定光ファイバ(3)に出力する発光部(1)と、
前記被測定光ファイバからの前記光パルスの戻り光を電気信号に変換する受光部(4)と、
前記受光部によって変換された電気信号に基づいて前記被測定光ファイバの損失分布特性を解析する信号処理部(5)と、を備える光パルス試験器。
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