JP2003258368A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
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- JP2003258368A JP2003258368A JP2002059889A JP2002059889A JP2003258368A JP 2003258368 A JP2003258368 A JP 2003258368A JP 2002059889 A JP2002059889 A JP 2002059889A JP 2002059889 A JP2002059889 A JP 2002059889A JP 2003258368 A JP2003258368 A JP 2003258368A
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- semiconductor optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体光素子に関し、基本モードを保った状
態で波長可変レーザの高光出力化、信頼性の改善を実現
する。 【解決手段】 モノリシックに集積した光合流器８と半
導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過するととも
に、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反射戻
り光が十分小さいモードフィルタ１を設ける。
態で波長可変レーザの高光出力化、信頼性の改善を実現
する。 【解決手段】 モノリシックに集積した光合流器８と半
導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過するととも
に、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反射戻
り光が十分小さいモードフィルタ１を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体光素子に関す
るものであり、特に、高速・大容量の信号を伝送する波
長多重通信システムにおいて光源として用いる半導体光
素子において良好な出力フィールドと高出力、高信頼性
とを同時に実現するためのモードフィルタの構成に特徴
のある半導体光素子に関するものである。
るものであり、特に、高速・大容量の信号を伝送する波
長多重通信システムにおいて光源として用いる半導体光
素子において良好な出力フィールドと高出力、高信頼性
とを同時に実現するためのモードフィルタの構成に特徴
のある半導体光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の通信需要の飛躍的な増大に伴い、
波長の異なる複数の信号光を多重化することで一本の光
ファイバで大容量伝送が可能となる波長多重通信（ＷＤ
Ｍ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｔ
ｉｐｌｅｘ）システムの開発が進んでいる。
波長の異なる複数の信号光を多重化することで一本の光
ファイバで大容量伝送が可能となる波長多重通信（ＷＤ
Ｍ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｔ
ｉｐｌｅｘ）システムの開発が進んでいる。
【０００３】このような波長多重通信システムにおい
て、広い波長選択範囲を実現する光源がシステムを構築
する上で強く求められており、ここに光半導体素子を用
いることは小型化、低コスト化に繋がり非常に有効であ
る。
て、広い波長選択範囲を実現する光源がシステムを構築
する上で強く求められており、ここに光半導体素子を用
いることは小型化、低コスト化に繋がり非常に有効であ
る。
【０００４】従来、この様な波長可変レーザとして、Ｄ
ＦＢレーザダイオードアレイ、光合流器、半導体光増幅
器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｐｔｉｃ
ａｌＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）をモノリシックに集積したア
レイ集積型波長可変レーザが提案されているので、図１
１を参照して説明する。
ＦＢレーザダイオードアレイ、光合流器、半導体光増幅
器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏｐｔｉｃ
ａｌＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）をモノリシックに集積したア
レイ集積型波長可変レーザが提案されているので、図１
１を参照して説明する。
【０００５】図１１参照
図１１は、従来のアレイ集積型波長可変レーザの概略的
斜視図であり、半導体基板上６１上に、回折格子６３の
周期が互いに異なるＤＦＢレーザを集積したＤＦＢレー
ザアレイ６２、ＤＦＢレーザアレイ６２からの光出力を
多モード干渉型（ＭＭＩ型）の光合流器６５に導く接続
導波路アレイ６４、光合流器６５からの出力を半導体光
増幅器６７に導く出力導波路６６から構成されている。
斜視図であり、半導体基板上６１上に、回折格子６３の
周期が互いに異なるＤＦＢレーザを集積したＤＦＢレー
ザアレイ６２、ＤＦＢレーザアレイ６２からの光出力を
多モード干渉型（ＭＭＩ型）の光合流器６５に導く接続
導波路アレイ６４、光合流器６５からの出力を半導体光
増幅器６７に導く出力導波路６６から構成されている。
【０００６】このアレイ集積型波長可変レーザにおいて
は、ＤＦＢレーザアレイ６２の内の一つのＤＦＢレーザ
を駆動し、ＤＦＢレーザから出射されたレーザ光は、光
合流器６５によって1 つの出力導波路６６に光結合され
る。この時、光合流器６５で生じる損失を補償するた
め、出射端側に半導体光増幅器６７を設けて光増幅して
いる。
は、ＤＦＢレーザアレイ６２の内の一つのＤＦＢレーザ
を駆動し、ＤＦＢレーザから出射されたレーザ光は、光
合流器６５によって1 つの出力導波路６６に光結合され
る。この時、光合流器６５で生じる損失を補償するた
め、出射端側に半導体光増幅器６７を設けて光増幅して
いる。
【０００７】一般に、光導波路では、その幅が広いと横
高次モードが発生し、出力フィールドの乱れなどが見ら
れるため、アレイ集積型波長可変レーザにおいては、半
導体光増幅器６７の導波路幅を1 次モードがカットオフ
になる幅より狭くして、半導体光増幅器６７における横
高次モードの発生を抑制している。
高次モードが発生し、出力フィールドの乱れなどが見ら
れるため、アレイ集積型波長可変レーザにおいては、半
導体光増幅器６７の導波路幅を1 次モードがカットオフ
になる幅より狭くして、半導体光増幅器６７における横
高次モードの発生を抑制している。
【０００８】しかし、上記のアレイ集積型波長可変レー
ザにおいて、光出力、信頼性の観点から半導体光増幅器
の導波路幅が広いものが望ましいので、この事情を図１
２及び図１３を参照して説明する。
ザにおいて、光出力、信頼性の観点から半導体光増幅器
の導波路幅が広いものが望ましいので、この事情を図１
２及び図１３を参照して説明する。
【０００９】図１２参照
図１２は、アレイ集積型波長可変レーザの光出力の半導
体光増幅器の導波路幅依存性の説明図であり、半導体光
増幅器の導波路幅がある程度広いほど飽和光出力、利得
が大きくなることが理解される。
体光増幅器の導波路幅依存性の説明図であり、半導体光
増幅器の導波路幅がある程度広いほど飽和光出力、利得
が大きくなることが理解される。
【００１０】図１３参照
図１３は、アレイ集積型波長可変レーザの半導体光増幅
器の電流密度の半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明
図であり、同じ光出力を得るための電流密度は、導波路
幅が広いほうが小さくなることが理解される。
器の電流密度の半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明
図であり、同じ光出力を得るための電流密度は、導波路
幅が広いほうが小さくなることが理解される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
飽和光出力、利得を大きくするために、半導体光増幅器
の導波路幅を広くした場合、横高次モードが生じる可能
性があり、特に、光合流器の出射端側に導波路幅の広い
半導体光増幅器を集積した場合は、ＤＦＢレーザアレイ
から出射された光が光合流器を通過する際に光合流器出
射端において発生する横高次モードが、半導体光増幅器
に伝搬し、その結果、光半導体増幅器において横高次モ
ードが顕著に発生し、半導体光増幅器の出射端における
光の出力フィールドの悪化が見られるという問題がある
ので、この事情を図１４及び図１５を参照して説明す
る。
飽和光出力、利得を大きくするために、半導体光増幅器
の導波路幅を広くした場合、横高次モードが生じる可能
性があり、特に、光合流器の出射端側に導波路幅の広い
半導体光増幅器を集積した場合は、ＤＦＢレーザアレイ
から出射された光が光合流器を通過する際に光合流器出
射端において発生する横高次モードが、半導体光増幅器
に伝搬し、その結果、光半導体増幅器において横高次モ
ードが顕著に発生し、半導体光増幅器の出射端における
光の出力フィールドの悪化が見られるという問題がある
ので、この事情を図１４及び図１５を参照して説明す
る。
【００１２】図１４参照
図１４は、アレイ集積型波長可変レーザの光合流器出射
端における光強度分布図であり、光合流器出射端におい
て横高次モードは発生しており、この光が幅２．０μｍ
の導波路に伝播した場合に、その導波路において１次モ
ードが生じることが理解される。
端における光強度分布図であり、光合流器出射端におい
て横高次モードは発生しており、この光が幅２．０μｍ
の導波路に伝播した場合に、その導波路において１次モ
ードが生じることが理解される。
【００１３】図１５（ａ）参照
図１５（ａ）は、導波路幅が１．６μｍの場合の水平方
向出力フィールドを示す図であり、０次モード、即ち、
基本モードが増幅されて出力されていることが理解され
る。
向出力フィールドを示す図であり、０次モード、即ち、
基本モードが増幅されて出力されていることが理解され
る。
【００１４】図１５（ｂ）参照
図１５（ｂ）は、導波路幅が２．０μｍの場合の水平方
向出力フィールドを示す図であり、０次モードと１次モ
ードが混合した状態で増幅されて出力されていることが
理解される。この様に０次モードと１次モードが混合し
て増幅されると、光ファイバとの光結合効率を低下させ
ることになる。
向出力フィールドを示す図であり、０次モードと１次モ
ードが混合した状態で増幅されて出力されていることが
理解される。この様に０次モードと１次モードが混合し
て増幅されると、光ファイバとの光結合効率を低下させ
ることになる。
【００１５】したがって、従来においては、上述の様
に、半導体光増幅器の導波路幅を１次モードがカットオ
フになる幅より狭く、例えば、１．６μｍ以下にせざる
を得ず、そうすると、半導体光増幅器の改善による波長
可変レーザの高光出力化、信頼性の改善が実現できない
という問題に直面していた。
に、半導体光増幅器の導波路幅を１次モードがカットオ
フになる幅より狭く、例えば、１．６μｍ以下にせざる
を得ず、そうすると、半導体光増幅器の改善による波長
可変レーザの高光出力化、信頼性の改善が実現できない
という問題に直面していた。
【００１６】したがって、本発明は、基本モードを保っ
た状態で波長可変レーザの高光出力化、信頼性の改善を
実現することを目的とする。
た状態で波長可変レーザの高光出力化、信頼性の改善を
実現することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理的
構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明に
おける課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明は、半導体光素子
において、少なくとも光合流器８と半導体光増幅器７を
集積した半導体光素子において、前記光合流器８と前記
半導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過するとと
もに、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反射
戻り光が十分小さいモードフィルタ１を設けたことを特
徴する。
構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明に
おける課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明は、半導体光素子
において、少なくとも光合流器８と半導体光増幅器７を
集積した半導体光素子において、前記光合流器８と前記
半導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過するとと
もに、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反射
戻り光が十分小さいモードフィルタ１を設けたことを特
徴する。
【００１８】上述の特性を有するモードフィルタ１を用
いることにより、基本モード光のみが出力側導波路３の
中央導波路４に伝播し、1 次モード光は両側の側部導波
路５，６に伝搬するので、光合流器８において発生した
横１次モード光は取り除かれ、また、反射戻り光が素子
特性を劣化させない程度に十分に小さくしているので、
安定した動作特性を得ることができる。
いることにより、基本モード光のみが出力側導波路３の
中央導波路４に伝播し、1 次モード光は両側の側部導波
路５，６に伝搬するので、光合流器８において発生した
横１次モード光は取り除かれ、また、反射戻り光が素子
特性を劣化させない程度に十分に小さくしているので、
安定した動作特性を得ることができる。
【００１９】したがって、中央導波路４を半導体光増幅
器７に結合すれば、半導体光増幅器７には横１次モード
光が取り除かれた光が伝播することになり、半導体光増
幅器７の飽和光出力、利得を増加させ、かつ、半導体光
増幅器７へ注入する電流密度を減少させることができ
る。
器７に結合すれば、半導体光増幅器７には横１次モード
光が取り除かれた光が伝播することになり、半導体光増
幅器７の飽和光出力、利得を増加させ、かつ、半導体光
増幅器７へ注入する電流密度を減少させることができ
る。
【００２０】例えば、導波路幅が２．０μｍの半導体光
増幅器７を用いた場合、１．２μｍ幅の場合に比べて、
アレイ集積型波長可変レーザの最大光出力を１．２５倍
にすることができ、また、同光出力における電流密度を
比較すると、導波路幅が２．０μｍの半導体光増幅器７
では、１．２μｍ幅の場合と比較して少なくとも３／５
以下になるため、半導体光増幅器７の信頼性の向上も実
現できる。
増幅器７を用いた場合、１．２μｍ幅の場合に比べて、
アレイ集積型波長可変レーザの最大光出力を１．２５倍
にすることができ、また、同光出力における電流密度を
比較すると、導波路幅が２．０μｍの半導体光増幅器７
では、１．２μｍ幅の場合と比較して少なくとも３／５
以下になるため、半導体光増幅器７の信頼性の向上も実
現できる。
【００２１】この場合、半導体光増幅器７の幅は、高光
出力化のためには、１次モードのカットオフ幅より広
く、且つ、２次モードのカットオフ幅より狭くする必要
がある。この時、１次モードはモードフィルタ１によっ
て除去されているので半導体光増幅器７で増幅されるこ
とはなく、また、２次モードはカットオフされるのでや
はり増幅されることはない。
出力化のためには、１次モードのカットオフ幅より広
く、且つ、２次モードのカットオフ幅より狭くする必要
がある。この時、１次モードはモードフィルタ１によっ
て除去されているので半導体光増幅器７で増幅されるこ
とはなく、また、２次モードはカットオフされるのでや
はり増幅されることはない。
【００２２】また、モードフィルタ１としては、４×４
多モード干渉導波路の特性を有する１×３構造の導波路
であって、出力側導波路３は、入力側導波路２と同じ幅
を有する中央導波路４と、前記中央導波路４の半分の幅
を有する両側の側部導波路５，６によって構成されるモ
ードフィルタが好適である。
多モード干渉導波路の特性を有する１×３構造の導波路
であって、出力側導波路３は、入力側導波路２と同じ幅
を有する中央導波路４と、前記中央導波路４の半分の幅
を有する両側の側部導波路５，６によって構成されるモ
ードフィルタが好適である。
【００２３】この場合、出射端面における横１次モード
光の不所望な反射を防止して、入射側への戻り光を抑制
するためには、中央導波路４と両側の側部導波路５，６
との間隔を出射端面に向かうほど広くすることが望まし
い。
光の不所望な反射を防止して、入射側への戻り光を抑制
するためには、中央導波路４と両側の側部導波路５，６
との間隔を出射端面に向かうほど広くすることが望まし
い。
【００２４】また、モードフィルタ１の入力側に設ける
入力側導波路２の導波路幅或いは出力側に設ける出力側
導波路３の導波路幅は、１次モードのカットオフ幅より
狭くしても良い。
入力側導波路２の導波路幅或いは出力側に設ける出力側
導波路３の導波路幅は、１次モードのカットオフ幅より
狭くしても良い。
【００２５】その場合、入力側導波路２と出力側導波路
３のモードフィルタ本体部との接続部においては同じ幅
であった方が設計上望ましいので、入力側導波路２或い
は出力導波路３を１次モードのカットオフ幅より狭い直
線導波路部と、半導体光増幅器７と同と同じ幅へ移行す
るテーパ導波路部とにより構成することが望ましい。
３のモードフィルタ本体部との接続部においては同じ幅
であった方が設計上望ましいので、入力側導波路２或い
は出力導波路３を１次モードのカットオフ幅より狭い直
線導波路部と、半導体光増幅器７と同と同じ幅へ移行す
るテーパ導波路部とにより構成することが望ましい。
【００２６】また、出射端面における不所望な反射光を
より確実に除去するために、側部導波路５，６の出射端
部に、光吸収体を設けることが望ましい。
より確実に除去するために、側部導波路５，６の出射端
部に、光吸収体を設けることが望ましい。
【００２７】また、モードフィルタ１としては、シング
ルモード導波路を用いても良く、その場合には、高次モ
ード光は導波路内を伝播せず放射されてしまうため、長
さを十分長く、例えば、１００μｍ以上にすることによ
って、高次モード光を除去することができる。
ルモード導波路を用いても良く、その場合には、高次モ
ード光は導波路内を伝播せず放射されてしまうため、長
さを十分長く、例えば、１００μｍ以上にすることによ
って、高次モード光を除去することができる。
【００２８】この場合、シングルモード導波路と半導体
光増幅器７との接続部にテーパ導波路部を挿入すること
が望ましい。なお、シングルモード導波路では高次モー
ド光は放射されるため、導波路に結合する反射光は少な
くなる。
光増幅器７との接続部にテーパ導波路部を挿入すること
が望ましい。なお、シングルモード導波路では高次モー
ド光は放射されるため、導波路に結合する反射光は少な
くなる。
【００２９】また、光合流器８の半導体光増幅器７と対
向する側の反対側に、半導体レーザアレイ９、及び、半
導体レーザアレイ９と光合流器８を結合する接続用導波
路アレイ１０を集積することによって、光源と増幅器と
が一体になったアレイ集積型波長可変レーザを構成する
ことができる。
向する側の反対側に、半導体レーザアレイ９、及び、半
導体レーザアレイ９と光合流器８を結合する接続用導波
路アレイ１０を集積することによって、光源と増幅器と
が一体になったアレイ集積型波長可変レーザを構成する
ことができる。
【００３０】また、光合流器８としては、多モード干渉
導波路型光合流器、テーパ状導波路型光合流器、或い
は、スターカプラ型光合流器のいずれを用いても良いも
のである。即ち、どのような光合流器８を用いても、そ
の出射端において光強度分布が乱れ、高次モード光が発
生することから、高次モード光の影響を取り除く本発明
は、光合流器８の種類を問わず効果がある。
導波路型光合流器、テーパ状導波路型光合流器、或い
は、スターカプラ型光合流器のいずれを用いても良いも
のである。即ち、どのような光合流器８を用いても、そ
の出射端において光強度分布が乱れ、高次モード光が発
生することから、高次モード光の影響を取り除く本発明
は、光合流器８の種類を問わず効果がある。
【００３１】
【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図４を参照し
て、本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長可変
レーザを説明するが、全体の外観は上記の図１に示した
通りであるので、ここでは平面図と断面図によって説明
する。 図２参照 図２は、本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異
なる複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザ
アレイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力を多
モード干渉型（ＭＭＩ型）の光合流器１３に導く接続導
波路アレイ１２、光合流器１３からの出力光を長さが、
例えば、６００μｍで、幅Ｗsoa が２．０μｍの半導体
光増幅器１７に導くモードフィルタ１４から構成されて
おり、出射端面には反射防止膜２０が設けられている。
て、本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長可変
レーザを説明するが、全体の外観は上記の図１に示した
通りであるので、ここでは平面図と断面図によって説明
する。 図２参照 図２は、本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異
なる複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザ
アレイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力を多
モード干渉型（ＭＭＩ型）の光合流器１３に導く接続導
波路アレイ１２、光合流器１３からの出力光を長さが、
例えば、６００μｍで、幅Ｗsoa が２．０μｍの半導体
光増幅器１７に導くモードフィルタ１４から構成されて
おり、出射端面には反射防止膜２０が設けられている。
【００３２】なお、図においては、ＤＦＢレーザアレイ
１１を８本のλ／４シフト型ＤＦＢレーザから構成され
ており、各々の共振器長は、例えば、３００μｍであ
り、また、ストライプ幅は、例えば、１．４μｍである
が、８本は単なる一例であり、８本に特別の意味はな
い。
１１を８本のλ／４シフト型ＤＦＢレーザから構成され
ており、各々の共振器長は、例えば、３００μｍであ
り、また、ストライプ幅は、例えば、１．４μｍである
が、８本は単なる一例であり、８本に特別の意味はな
い。
【００３３】この場合、モードフィルタ１４は、モード
フィルタ１４の本体部が、例えば、幅Ｗmf＝９μｍ、長
さＬmf＝１００μｍの４×４多モード干渉型モードフィ
ルタの特性を有する１×３型で構成され、入力側導波路
１５の幅は、半導体光増幅器１７の幅と等しく、横１次
モードのカットオフ幅より広く、且つ、横２次モードの
カットオフ幅より狭く、例えば、２．０μｍで、長さ
は、例えば、１００μｍである。
フィルタ１４の本体部が、例えば、幅Ｗmf＝９μｍ、長
さＬmf＝１００μｍの４×４多モード干渉型モードフィ
ルタの特性を有する１×３型で構成され、入力側導波路
１５の幅は、半導体光増幅器１７の幅と等しく、横１次
モードのカットオフ幅より広く、且つ、横２次モードの
カットオフ幅より狭く、例えば、２．０μｍで、長さ
は、例えば、１００μｍである。
【００３４】一方、出力側の導波路は、幅が半導体光増
幅器１７の幅Ｗsoa と同じ幅、例えば、２．０μｍで、
半導体光増幅器１７に結合する中央導波路１６、及び、
幅が、Ｗsoa ／２＝１．０μｍの２本の側部導波路１
８，１９から構成される。
幅器１７の幅Ｗsoa と同じ幅、例えば、２．０μｍで、
半導体光増幅器１７に結合する中央導波路１６、及び、
幅が、Ｗsoa ／２＝１．０μｍの２本の側部導波路１
８，１９から構成される。
【００３５】この時、中央導波路１６の両側に設けた側
部導波路１８，１９は、出射端面に向かうに連れて、中
央導波路１６との間隔が広くなるように形成するととも
に、出射端面まで延在させる。この様な構成によって、
側部導波路１８，１９を伝播する横１次モード光は、反
射防止膜２０の作用と相まって出射端面で反射すること
なく、素子外部に放出される。
部導波路１８，１９は、出射端面に向かうに連れて、中
央導波路１６との間隔が広くなるように形成するととも
に、出射端面まで延在させる。この様な構成によって、
側部導波路１８，１９を伝播する横１次モード光は、反
射防止膜２０の作用と相まって出射端面で反射すること
なく、素子外部に放出される。
【００３６】次に、図３を参照して、本発明の第１のア
レイ集積型波長可変レーザの製造工程を説明するが、図
３（ａ）は図２におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿っ
た半導体光増幅器１７の概略的断面図であり、また、図
３（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ′を結ぶ一点鎖線に沿っ
た入力側導波路１５の概略的断面図である。なお、ＤＦ
Ｂレーザアレイ１１の積層構造は図３（ａ）に示す構造
と基本的に同様であり、また、接続導波路１２、光合流
器１３、モードフィルタ１４、中央導波路１６、及び、
側部導波路１８，１９の積層構造は図３（ｂ）に示す構
造と基本的に同様である。
レイ集積型波長可変レーザの製造工程を説明するが、図
３（ａ）は図２におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿っ
た半導体光増幅器１７の概略的断面図であり、また、図
３（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ′を結ぶ一点鎖線に沿っ
た入力側導波路１５の概略的断面図である。なお、ＤＦ
Ｂレーザアレイ１１の積層構造は図３（ａ）に示す構造
と基本的に同様であり、また、接続導波路１２、光合流
器１３、モードフィルタ１４、中央導波路１６、及び、
側部導波路１８，１９の積層構造は図３（ｂ）に示す構
造と基本的に同様である。
【００３７】図３（ａ）参照
まず、ｎ型ＩｎＰ基板２１上に、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）を用いて、下部クラッド層を兼ねるｎ
型ＩｎＰバッファ層２２を堆積させたのち、ＤＦＢレー
ザアレイを形成する領域に、互いに周期異なる回折格子
を各ＤＦＢレーザに対応するように島状に並列に形成す
る。
（ＭＯＣＶＤ法）を用いて、下部クラッド層を兼ねるｎ
型ＩｎＰバッファ層２２を堆積させたのち、ＤＦＢレー
ザアレイを形成する領域に、互いに周期異なる回折格子
を各ＤＦＢレーザに対応するように島状に並列に形成す
る。
【００３８】次いで、再び、ＭＯＣＶＤ法を用いて全面
に、厚さが、例えば、５０ｎｍで、ＰＬ（フォトルミネ
ッセンス）波長が１．１５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰＳ
ＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層２３、ＭＱＷ活性層
２４、厚さが、例えば、５０ｎｍで、ＰＬ波長が１．１
５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２５、及び、ｐ型
ＩｎＰ層２６を順次堆積させる。
に、厚さが、例えば、５０ｎｍで、ＰＬ（フォトルミネ
ッセンス）波長が１．１５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰＳ
ＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層２３、ＭＱＷ活性層
２４、厚さが、例えば、５０ｎｍで、ＰＬ波長が１．１
５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２５、及び、ｐ型
ＩｎＰ層２６を順次堆積させる。
【００３９】次いで、ＳｉＯ2 膜を堆積させたのち、Ｄ
ＦＢレーザアレイ１１全体に対応する幅広パターン及び
半導体光増幅器１７に対応するとともに、半導体光増幅
器１７より若干幅広のパターンにパターニングしてＳｉ
Ｏ2 マスク（図示を省略）とし、このＳｉＯ2 マスクを
マスクとしてエッチングすることによって、ＩｎＧａＡ
ｓＰＳＣＨ層２３までを除去してｎ型ＩｎＰバッファ層
２２を露出させる。
ＦＢレーザアレイ１１全体に対応する幅広パターン及び
半導体光増幅器１７に対応するとともに、半導体光増幅
器１７より若干幅広のパターンにパターニングしてＳｉ
Ｏ2 マスク（図示を省略）とし、このＳｉＯ2 マスクを
マスクとしてエッチングすることによって、ＩｎＧａＡ
ｓＰＳＣＨ層２３までを除去してｎ型ＩｎＰバッファ層
２２を露出させる。
【００４０】図３（ｂ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスクをそのまま選択成長マスクとし
て利用して、再び、ＭＯＣＶＤ法を用いて、厚さが、例
えば、２００ｎｍでＰＬ波長が１．３μｍ組成のＩｎＧ
ａＡｓＰコア層２７及びｉ型ＩｎＰ層２８を順次選択的
に堆積させる。なお、この場合のＭＱＷ活性層２４は、
ギャップ波長λg が使用する波長範囲に適した組成で、
厚さが、例えば、１０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア
層と、ギャップ波長λg が使用する波長範囲に適した組
成で、厚さが、例えば、５．１ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ井戸層とをｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層が６層になるよ
うに交互に成長させたものである。
て利用して、再び、ＭＯＣＶＤ法を用いて、厚さが、例
えば、２００ｎｍでＰＬ波長が１．３μｍ組成のＩｎＧ
ａＡｓＰコア層２７及びｉ型ＩｎＰ層２８を順次選択的
に堆積させる。なお、この場合のＭＱＷ活性層２４は、
ギャップ波長λg が使用する波長範囲に適した組成で、
厚さが、例えば、１０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア
層と、ギャップ波長λg が使用する波長範囲に適した組
成で、厚さが、例えば、５．１ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ井戸層とをｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層が６層になるよ
うに交互に成長させたものである。
【００４１】次いで、ＳｉＯ2 マスクを除去したのち、
新たにＳｉＯ2 膜を堆積させ、図２に示したＤＦＢレー
ザアレイ１１、接続導波路アレイ１２、光合流器１３、
入力側導波路１５、モードフィルタ１４、中央導波路１
６、半導体光増幅器１７、及び、側部導波路１８，１９
に対応するパターンにパターニングしてＳｉＯ2 マスク
（図示を省略）とし、このＳｉＯ2 マスクをマスクとし
てエッチングすることによって、メサ構造を形成すると
ともにｎ型ＩｎＰバッファ層２２を再び露出させる。
新たにＳｉＯ2 膜を堆積させ、図２に示したＤＦＢレー
ザアレイ１１、接続導波路アレイ１２、光合流器１３、
入力側導波路１５、モードフィルタ１４、中央導波路１
６、半導体光増幅器１７、及び、側部導波路１８，１９
に対応するパターンにパターニングしてＳｉＯ2 マスク
（図示を省略）とし、このＳｉＯ2 マスクをマスクとし
てエッチングすることによって、メサ構造を形成すると
ともにｎ型ＩｎＰバッファ層２２を再び露出させる。
【００４２】次いで、再び、ＳｉＯ2 マスクをそのまま
選択成長マスクとして利用してＭＯＣＶＤ法によって、
厚さが、例えば、１．５μｍのｐ型ＩｎＰ埋込層２９及
びｎ型ＩｎＰ電流ブロッキング層３０を順次選択的に成
長させてメサ側部を埋め込む。
選択成長マスクとして利用してＭＯＣＶＤ法によって、
厚さが、例えば、１．５μｍのｐ型ＩｎＰ埋込層２９及
びｎ型ＩｎＰ電流ブロッキング層３０を順次選択的に成
長させてメサ側部を埋め込む。
【００４３】次いで、ＳｉＯ2 膜を除去したのち、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いて全面に、厚さが、例えば、２．０μｍ
ｐ型ＩｎＰクラッド層３１及び厚さが、例えば、０．５
μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３２を順次堆積さ
せる。
ＣＶＤ法を用いて全面に、厚さが、例えば、２．０μｍ
ｐ型ＩｎＰクラッド層３１及び厚さが、例えば、０．５
μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３２を順次堆積さ
せる。
【００４４】次いで、全面に厚さが、例えば、０．４μ
ｍのＳｉＯ2 膜を形成したのち、各ＤＦＢレーザ及び半
導体光増幅器１７に対応する開口部を形成してＳｉＯ2
保護膜３３とし、全面にＡｕＺｎ／Ａｕからなる２層導
電膜を堆積させたのち各ＤＦＢレーザ及び半導体光増幅
器１７に対応する形状にパターニングすることによって
ｐ側電極３４を形成する。一方、ｎ型ＩｎＰ基板２１の
裏面には、ＡｕＳｎ／Ａｕからなる２層構造のｎ側電極
３５を形成する。
ｍのＳｉＯ2 膜を形成したのち、各ＤＦＢレーザ及び半
導体光増幅器１７に対応する開口部を形成してＳｉＯ2
保護膜３３とし、全面にＡｕＺｎ／Ａｕからなる２層導
電膜を堆積させたのち各ＤＦＢレーザ及び半導体光増幅
器１７に対応する形状にパターニングすることによって
ｐ側電極３４を形成する。一方、ｎ型ＩｎＰ基板２１の
裏面には、ＡｕＳｎ／Ａｕからなる２層構造のｎ側電極
３５を形成する。
【００４５】最後に、劈開によって所定の大きさに素子
分割したのち、各ＤＦＢレーザ及び半導体光増幅器１７
のｐ側電極３４に通電用のワイヤをボンディングすると
ともに、出射端面に２層ＡＲ膜をコートして反射防止膜
２０を形成することによってアレイ集積化波長可変レー
ザの基本構成が完成する。
分割したのち、各ＤＦＢレーザ及び半導体光増幅器１７
のｐ側電極３４に通電用のワイヤをボンディングすると
ともに、出射端面に２層ＡＲ膜をコートして反射防止膜
２０を形成することによってアレイ集積化波長可変レー
ザの基本構成が完成する。
【００４６】次に、図４を参照して、本発明の第１の実
施の形態に用いる４×４多モード干渉型モードフィルタ
特性を有する１×３型のモードフィルタ１４のモードフ
ィルタ原理を説明する。 図４参照 モードフィルタ１４は、１本の入射側導波路１５と、入
射側導波路１５と同じ幅の中央導波路１６及び幅が中央
導波路１６の半分の幅の２本の側部導波路１８，１９か
らなる出力側導波路と結合して１×３型になっている。
施の形態に用いる４×４多モード干渉型モードフィルタ
特性を有する１×３型のモードフィルタ１４のモードフ
ィルタ原理を説明する。 図４参照 モードフィルタ１４は、１本の入射側導波路１５と、入
射側導波路１５と同じ幅の中央導波路１６及び幅が中央
導波路１６の半分の幅の２本の側部導波路１８，１９か
らなる出力側導波路と結合して１×３型になっている。
【００４７】しかし、入力側においては、仮想的に４本
の導波路ＷＧin1 ，導波路ＷＧin2，導波路ＷＧin3 ，
導波路ＷＧin3 から構成され、中央の２本の導波路ＷＧ
in2及び導波路ＷＧin3 が結合して、光合流器１３から
の出力光をモードフィルタ１４の本体部に導く入力側導
波路１５を構成していると考えることができる。
の導波路ＷＧin1 ，導波路ＷＧin2，導波路ＷＧin3 ，
導波路ＷＧin3 から構成され、中央の２本の導波路ＷＧ
in2及び導波路ＷＧin3 が結合して、光合流器１３から
の出力光をモードフィルタ１４の本体部に導く入力側導
波路１５を構成していると考えることができる。
【００４８】一方、出力側においても、仮想的に４本の
導波路ＷＧout1，ＷＧout2，ＷＧou t3，ＷＧout4から構
成され、中央の２本の導波路ＷＧout2及び導波路ＷＧ
out3が結合して１本の中央導波路１６を構成し、両側の
ＷＧout1及び導波路ＷＧout4は、夫々側部導波路１８，
１９を構成していると考えることができる。
導波路ＷＧout1，ＷＧout2，ＷＧou t3，ＷＧout4から構
成され、中央の２本の導波路ＷＧout2及び導波路ＷＧ
out3が結合して１本の中央導波路１６を構成し、両側の
ＷＧout1及び導波路ＷＧout4は、夫々側部導波路１８，
１９を構成していると考えることができる。
【００４９】この様なモードフィルタ１４において、モ
ードフィルタ１４の長さＬmfを、入力側導波路１５から
入射される実線で示す基本モードのみが中央導波路１６
に伝播し、且つ、入力側導波路１５から入射される破線
で示す１次モードが両側の側部導波路１８，１９に伝播
する長さに設定することによって、基本モードのみを半
導体光増幅器１７に導くモードフィルタとすることがで
きる。
ードフィルタ１４の長さＬmfを、入力側導波路１５から
入射される実線で示す基本モードのみが中央導波路１６
に伝播し、且つ、入力側導波路１５から入射される破線
で示す１次モードが両側の側部導波路１８，１９に伝播
する長さに設定することによって、基本モードのみを半
導体光増幅器１７に導くモードフィルタとすることがで
きる。
【００５０】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、基本モード光のみを出力側導波路の中央導波路
１６に伝播するモードフィルタ１４を用いているので、
1 次モード光は両側の側部導波路１８，１９に伝搬し
て、光合流器８において発生した１次モード光は取り除
かれ、出射端面の水平方向出力フィールドが悪化するこ
とがなく、光ファイバ（図示を省略）との光結合効率が
向上する。
いては、基本モード光のみを出力側導波路の中央導波路
１６に伝播するモードフィルタ１４を用いているので、
1 次モード光は両側の側部導波路１８，１９に伝搬し
て、光合流器８において発生した１次モード光は取り除
かれ、出射端面の水平方向出力フィールドが悪化するこ
とがなく、光ファイバ（図示を省略）との光結合効率が
向上する。
【００５１】また、中央導波路１６及び半導体光増幅器
１７の幅を、１次モードのカットオフ幅より広く、且
つ、２次モードのカットオフ幅より狭くしているので、
半導体光増幅器１７の飽和光出力、利得を増加させ、か
つ、半導体光増幅器１７へ注入する電流密度を減少させ
ることができ、それによって、信頼性を向上することが
できる。
１７の幅を、１次モードのカットオフ幅より広く、且
つ、２次モードのカットオフ幅より狭くしているので、
半導体光増幅器１７の飽和光出力、利得を増加させ、か
つ、半導体光増幅器１７へ注入する電流密度を減少させ
ることができ、それによって、信頼性を向上することが
できる。
【００５２】因に、上述のように、導波路幅Ｗsoa が
２．０μｍの半導体光増幅器１７を用いた場合、１．２
μｍ幅の場合に比べて、アレイ集積型波長可変レーザの
最大光出力を１．２５倍にすることができ、また、同光
出力における電流密度を比較すると、導波路幅Ｗsoa が
２．０μｍの半導体光増幅器１７では、１．２μｍ幅の
場合と比較して少なくとも３／５以下になる。
２．０μｍの半導体光増幅器１７を用いた場合、１．２
μｍ幅の場合に比べて、アレイ集積型波長可変レーザの
最大光出力を１．２５倍にすることができ、また、同光
出力における電流密度を比較すると、導波路幅Ｗsoa が
２．０μｍの半導体光増幅器１７では、１．２μｍ幅の
場合と比較して少なくとも３／５以下になる。
【００５３】また、両側の側部導波路１８，１９は、出
射端面まで延在させるとともに、出射端面に向かって中
央導波路１６との間隔が徐々に広くなるように形成して
いるので、側部導波路１８，１９の光軸と出射端面とが
垂直に交わることはなく、それによって、反射防止膜２
０の作用と相まって１次モード光は反射して戻り光にな
ることがない。
射端面まで延在させるとともに、出射端面に向かって中
央導波路１６との間隔が徐々に広くなるように形成して
いるので、側部導波路１８，１９の光軸と出射端面とが
垂直に交わることはなく、それによって、反射防止膜２
０の作用と相まって１次モード光は反射して戻り光にな
ることがない。
【００５４】次に、図５を参照して、本発明の第２実施
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、光
吸収体を設けた以外は、上記の第１の実施の形態と全く
同様であるので、配置構成のみを説明する。 図５参照 図５は、本発明の第２実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をＭＭ
Ｉ型の光合流器１３に導く接続導波路アレイ１２、光合
流器１３からの出力光を長さが、例えば、６００μｍ
で、幅Ｗsoa が２．０μｍの半導体光増幅器１７に導く
モードフィルタ１４から構成されており、出射端面には
反射防止膜２０が設けられている。
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、光
吸収体を設けた以外は、上記の第１の実施の形態と全く
同様であるので、配置構成のみを説明する。 図５参照 図５は、本発明の第２実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をＭＭ
Ｉ型の光合流器１３に導く接続導波路アレイ１２、光合
流器１３からの出力光を長さが、例えば、６００μｍ
で、幅Ｗsoa が２．０μｍの半導体光増幅器１７に導く
モードフィルタ１４から構成されており、出射端面には
反射防止膜２０が設けられている。
【００５５】この第２の実施の形態においては、両側の
側部導波路１８，１９の先端部には、１次モード光を吸
収する光吸収体４１，４２を設けたもので、この光吸収
体４１，４２は、半導体光増幅器１７と同じ成膜工程
で、同じ層構造で形成する。
側部導波路１８，１９の先端部には、１次モード光を吸
収する光吸収体４１，４２を設けたもので、この光吸収
体４１，４２は、半導体光増幅器１７と同じ成膜工程
で、同じ層構造で形成する。
【００５６】この場合、半導体光増幅器１７においては
電流を注入しているのでレーザ光を増幅するが、この光
吸収体４１，４２においてはｐ側電極を設けないので電
流が注入されず、したがって、光吸収体４１，４２のＭ
ＱＷ活性層部において１次モード光が吸収されることに
なる。
電流を注入しているのでレーザ光を増幅するが、この光
吸収体４１，４２においてはｐ側電極を設けないので電
流が注入されず、したがって、光吸収体４１，４２のＭ
ＱＷ活性層部において１次モード光が吸収されることに
なる。
【００５７】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、側部導波路１８，１９の先端部には、１次モー
ド光を吸収する光吸収体４１，４２を設けているので、
側部導波路１８，１９を伝播する1 次モード光を効率的
に除去することが可能になる。
いては、側部導波路１８，１９の先端部には、１次モー
ド光を吸収する光吸収体４１，４２を設けているので、
側部導波路１８，１９を伝播する1 次モード光を効率的
に除去することが可能になる。
【００５８】次に、図６を参照して、本発明の第３実施
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタとしてシングルモードフィルタを用いた以
外は、上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、
配置構成のみを説明する。 図６参照 図６は、本発明の第３実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をＭＭ
Ｉ型の光合流器１３に導く接続導波路アレイ１２、光合
流器１３からの出力光を半導体光増幅器１７に導く長さ
Ｌmfが１００μｍ以上、例えば、３００μｍで、幅Ｗmf
が１．０μｍの直線導波路部４４と長さが、例えば、２
０μｍのテーパ導波路部４５とからなるシングルモード
導波路型のモードフィルタ４３から構成されており、出
射端面には反射防止膜２０が設けられている。
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタとしてシングルモードフィルタを用いた以
外は、上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、
配置構成のみを説明する。 図６参照 図６は、本発明の第３実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をＭＭ
Ｉ型の光合流器１３に導く接続導波路アレイ１２、光合
流器１３からの出力光を半導体光増幅器１７に導く長さ
Ｌmfが１００μｍ以上、例えば、３００μｍで、幅Ｗmf
が１．０μｍの直線導波路部４４と長さが、例えば、２
０μｍのテーパ導波路部４５とからなるシングルモード
導波路型のモードフィルタ４３から構成されており、出
射端面には反射防止膜２０が設けられている。
【００５９】このモードフィルタ４３においては、直線
導波路部４４の幅Ｗmfが、１．０μｍと１モードをカッ
トオフする幅であるので、直線導波路部４４内を伝播す
る高次モードは導波路内を伝播せず放射されてしまうた
め、長さＬmfを十分長く、例えば、１００μｍ以上にす
ることによって、高次モード光を除去することができ
る。
導波路部４４の幅Ｗmfが、１．０μｍと１モードをカッ
トオフする幅であるので、直線導波路部４４内を伝播す
る高次モードは導波路内を伝播せず放射されてしまうた
め、長さＬmfを十分長く、例えば、１００μｍ以上にす
ることによって、高次モード光を除去することができ
る。
【００６０】この場合、直線導波路部４４と半導体光増
幅器１７との間をテーパ導波路部４５によってスムーズ
に結合させているので、結合部において反射が生ずるこ
とがなく、また、シングルモード導波路では高次モード
光は放射されるため、導波路に結合する反射光は少なく
なる。
幅器１７との間をテーパ導波路部４５によってスムーズ
に結合させているので、結合部において反射が生ずるこ
とがなく、また、シングルモード導波路では高次モード
光は放射されるため、導波路に結合する反射光は少なく
なる。
【００６１】次に、図７を参照して、本発明の第４実施
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタに接続する入力側導波路の構造以外は、上
記の第１の実施の形態と全く同様であるので、モードフ
ィルタ近傍の配置構成のみを図示した。 図７参照 図７は、本発明の第４実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的要部平面図であり、ＭＭＩ型の光合流
器１３と１×３型のモードフィルタ１４との間に設ける
入力側導波路４６を、幅Ｗinが、例えば、１．６μｍの
直線導波路部４７と、１．６μｍの幅を２．０μｍまで
拡げるテーパ導波路部４８とによって構成したものであ
る。
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタに接続する入力側導波路の構造以外は、上
記の第１の実施の形態と全く同様であるので、モードフ
ィルタ近傍の配置構成のみを図示した。 図７参照 図７は、本発明の第４実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的要部平面図であり、ＭＭＩ型の光合流
器１３と１×３型のモードフィルタ１４との間に設ける
入力側導波路４６を、幅Ｗinが、例えば、１．６μｍの
直線導波路部４７と、１．６μｍの幅を２．０μｍまで
拡げるテーパ導波路部４８とによって構成したものであ
る。
【００６２】一般に、入力側導波路４６と中央導波路１
６のモードフィルタ１４との結合部における幅は、伝播
モード特性を決定する設計上の問題で同じ幅にすること
が望ましいが、モードフィルタ１４の前後の光導波路全
体の幅を同じにする必要はなく、入力側導波路４６を狭
くした場合には、テーパ導波路部４８を設けることによ
って、半導体光増幅器１７との幅の整合性を取ることが
できる。
６のモードフィルタ１４との結合部における幅は、伝播
モード特性を決定する設計上の問題で同じ幅にすること
が望ましいが、モードフィルタ１４の前後の光導波路全
体の幅を同じにする必要はなく、入力側導波路４６を狭
くした場合には、テーパ導波路部４８を設けることによ
って、半導体光増幅器１７との幅の整合性を取ることが
できる。
【００６３】この本発明の第４の実施の形態において
は、入力側導波路４６の直線導波路部４７の幅を１．６
μｍ、即ち、１次モードをカットオフする幅にしている
ので、高次モード光をより効率的に除去することができ
る。
は、入力側導波路４６の直線導波路部４７の幅を１．６
μｍ、即ち、１次モードをカットオフする幅にしている
ので、高次モード光をより効率的に除去することができ
る。
【００６４】次に、図８を参照して、本発明の第５実施
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタに接続する出力側導波路の構造以外は、上
記の第１の実施の形態と全く同様であるので、モードフ
ィルタ近傍の配置構成のみを図示した。 図８参照 図８は、本発明の第５実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的要部平面図であり、１×３型のモード
フィルタ１４と半導体光増幅器の間に設ける中央導波路
４９を、幅が、例えば、１．６μｍの直線導波路部５０
と、１．６μｍの幅を２．０μｍまで拡げるテーパ導波
路部５１とによって構成したものである。
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、モ
ードフィルタに接続する出力側導波路の構造以外は、上
記の第１の実施の形態と全く同様であるので、モードフ
ィルタ近傍の配置構成のみを図示した。 図８参照 図８は、本発明の第５実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的要部平面図であり、１×３型のモード
フィルタ１４と半導体光増幅器の間に設ける中央導波路
４９を、幅が、例えば、１．６μｍの直線導波路部５０
と、１．６μｍの幅を２．０μｍまで拡げるテーパ導波
路部５１とによって構成したものである。
【００６５】この本発明の第５の実施の形態において
は、出力側導波路を構成する中央導波路４９の直線導波
路部５０の幅を１．６μｍ、即ち、１次モードをカット
オフする幅にしているので、高次モード光をより効率的
に除去することができる。
は、出力側導波路を構成する中央導波路４９の直線導波
路部５０の幅を１．６μｍ、即ち、１次モードをカット
オフする幅にしているので、高次モード光をより効率的
に除去することができる。
【００６６】次に、図９を参照して、本発明の第６実施
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、光
合流器としてテーパ導波路型光合流器を用いた以外は、
上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、配置構
成のみを説明する。 図９参照 図９は、本発明の第６実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をテー
パ導波路型光合流器５３に導く接続導波路アレイ１２、
テーパ導波路型光合流器５３からの出力光を１×３型の
モードフィルタ１４に導く入力側導波路１５、モードフ
ィルタ１４からの基本モード光の半導体光増幅器１７に
導く中央導波路１６、中央導波路１６の両側に設けられ
１次モード光を伝播して外部に放出する側部導波路１
８，１９によって構成されており、出射端面には反射防
止膜２０が設けられている。
の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、光
合流器としてテーパ導波路型光合流器を用いた以外は、
上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、配置構
成のみを説明する。 図９参照 図９は、本発明の第６実施の形態のアレイ集積型波長可
変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異な
る複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザア
レイ１１、ＤＦＢレーザアレイ１１からの光出力をテー
パ導波路型光合流器５３に導く接続導波路アレイ１２、
テーパ導波路型光合流器５３からの出力光を１×３型の
モードフィルタ１４に導く入力側導波路１５、モードフ
ィルタ１４からの基本モード光の半導体光増幅器１７に
導く中央導波路１６、中央導波路１６の両側に設けられ
１次モード光を伝播して外部に放出する側部導波路１
８，１９によって構成されており、出射端面には反射防
止膜２０が設けられている。
【００６７】この第６の実施の形態においては、光合流
器として、テーパ導波路型光合流器５３を用いているの
で、光合流器の素子長さをＭＭＩ型光合流器に比べて短
くすることができ、それによって、アレイ集積型波長可
変レーザの長さを短く、小型化することができる。
器として、テーパ導波路型光合流器５３を用いているの
で、光合流器の素子長さをＭＭＩ型光合流器に比べて短
くすることができ、それによって、アレイ集積型波長可
変レーザの長さを短く、小型化することができる。
【００６８】次に、図１０を参照して、本発明の第７実
施の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、
光合流器としてスターカプラ型光合流器を用いた以外
は、上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、配
置構成のみを説明する。 図１０参照 図１０は、本発明の第７実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異
なる複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザ
アレイ５４、ＤＦＢレーザアレイ５４からの光出力をス
ターカプラ型光合流器５６に導く接続導波路アレイ５
５、スターカプラ型光合流器５６からの出力光を１×３
型のモードフィルタ１４に導く入力側導波路１５、モー
ドフィルタ１４からの基本モード光の半導体光増幅器１
７に導く中央導波路１６、中央導波路１６の両側に設け
られ１次モード光を伝播して外部に放出する側部導波路
１８，１９によって構成されており、出射端面には反射
防止膜２０が設けられている。
施の形態のアレイ集積型波長可変レーザを説明するが、
光合流器としてスターカプラ型光合流器を用いた以外
は、上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、配
置構成のみを説明する。 図１０参照 図１０は、本発明の第７実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図であり、互いに発振波長の異
なる複数のＤＦＢレーザを並列に配置したＤＦＢレーザ
アレイ５４、ＤＦＢレーザアレイ５４からの光出力をス
ターカプラ型光合流器５６に導く接続導波路アレイ５
５、スターカプラ型光合流器５６からの出力光を１×３
型のモードフィルタ１４に導く入力側導波路１５、モー
ドフィルタ１４からの基本モード光の半導体光増幅器１
７に導く中央導波路１６、中央導波路１６の両側に設け
られ１次モード光を伝播して外部に放出する側部導波路
１８，１９によって構成されており、出射端面には反射
防止膜２０が設けられている。
【００６９】このスターカプラ型光合流器５６において
は、ガウス型の光強度分布を考慮して外側へ行くほど接
続導波路アレイの各導波路の幅を太くしており、それに
併せてＤＦＢレーザの幅も太くしている。
は、ガウス型の光強度分布を考慮して外側へ行くほど接
続導波路アレイの各導波路の幅を太くしており、それに
併せてＤＦＢレーザの幅も太くしている。
【００７０】この第７の実施の形態のように、スターカ
プラ型光結合器を光合流器として用いてもＭＭＩ型光結
合器やテーパ導波路型結合器と同様の作用効果を得るこ
とができる。
プラ型光結合器を光合流器として用いてもＭＭＩ型光結
合器やテーパ導波路型結合器と同様の作用効果を得るこ
とができる。
【００７１】即ち、半導体光増幅器１７に入射したレー
ザ光をスターカプラ型光合流器５６によって８本に均一
なレーザ光に分岐させ、各ＤＦＢレーザに入力させるこ
とができ、各ＤＦＢレーザの発振波長に合致したＤＦＢ
レーザにおいてのみレーザ光を増幅することができ、そ
れによって、光ファイバ中を長距離伝播することによっ
て、波長範囲が広がったレーザ光の単色性を高めること
ができる。
ザ光をスターカプラ型光合流器５６によって８本に均一
なレーザ光に分岐させ、各ＤＦＢレーザに入力させるこ
とができ、各ＤＦＢレーザの発振波長に合致したＤＦＢ
レーザにおいてのみレーザ光を増幅することができ、そ
れによって、光ファイバ中を長距離伝播することによっ
て、波長範囲が広がったレーザ光の単色性を高めること
ができる。
【００７２】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
第４乃至第７の実施の形態においては、側部導波路を出
射端面まで延在させているが、上記の第２の実施の形態
と同様に側部導波路の先端部に光吸収体を設けても良い
ものである。
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
第４乃至第７の実施の形態においては、側部導波路を出
射端面まで延在させているが、上記の第２の実施の形態
と同様に側部導波路の先端部に光吸収体を設けても良い
ものである。
【００７３】また、上記第４乃至第５の実施の形態にお
いては、光合流器としてＭＭＩ型の光合流器を用いてい
るが、上記の第６或いは第７の実施の形態と同様に、テ
ーパ導波路型光合流器或いはスターカプラ型光合流器を
用いても良いものである。
いては、光合流器としてＭＭＩ型の光合流器を用いてい
るが、上記の第６或いは第７の実施の形態と同様に、テ
ーパ導波路型光合流器或いはスターカプラ型光合流器を
用いても良いものである。
【００７４】また、上記の各実施の形態においては、全
体構成を１．５５μｍ帯のアレイ集積型波長可変レーザ
として説明しているが、ＭＱＷ活性層及びＳＣＨ層の組
成を変化させることによって、１．３μｍ帯のアレイ集
積型波長可変レーザとしても良いものである。
体構成を１．５５μｍ帯のアレイ集積型波長可変レーザ
として説明しているが、ＭＱＷ活性層及びＳＣＨ層の組
成を変化させることによって、１．３μｍ帯のアレイ集
積型波長可変レーザとしても良いものである。
【００７５】さらには、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系に限
られるものではなく、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系等の他
のIII-Ｖ族化合物半導体、或いは、量子井戸構造におけ
るサブバンド間遷移を利用したナイトライド系III-Ｖ族
化合物半導体からなるアレイ集積型波長可変レーザにも
適用されるものである。
られるものではなく、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系等の他
のIII-Ｖ族化合物半導体、或いは、量子井戸構造におけ
るサブバンド間遷移を利用したナイトライド系III-Ｖ族
化合物半導体からなるアレイ集積型波長可変レーザにも
適用されるものである。
【００７６】また、本発明は、上記の各要素を集積した
アレイ集積型波長可変レーザに限られるものではなく、
必要に応じて、半導体光増幅器の前段或いは後段に光変
調器等を挿入しても良いものである。
アレイ集積型波長可変レーザに限られるものではなく、
必要に応じて、半導体光増幅器の前段或いは後段に光変
調器等を挿入しても良いものである。
【００７７】また、上記の各実施の形態においては、Ｄ
ＦＢレーザアレイを集積化したアレイ集積型波長可変レ
ーザとして説明しているが、本発明はこの様なアレイ集
積型波長可変レーザに限られるものではなく、分岐導波
路アレイ−光合流器−モードフィルタ−半導体光増幅器
のみを集積化しても良い。
ＦＢレーザアレイを集積化したアレイ集積型波長可変レ
ーザとして説明しているが、本発明はこの様なアレイ集
積型波長可変レーザに限られるものではなく、分岐導波
路アレイ−光合流器−モードフィルタ−半導体光増幅器
のみを集積化しても良い。
【００７８】また、上記の各実施の形態においては、各
要素部をＰＢＨ構造における電流狭窄機構をｎ型電流ブ
ロッキング層／ｐ型埋込層構造で構成しているが、ｎ型
電流ブロッキング層／ｐ型埋込層構造に限られるもので
はなく、ＦｅドープＩｎＰ埋込層で構成しても良いもの
である。
要素部をＰＢＨ構造における電流狭窄機構をｎ型電流ブ
ロッキング層／ｐ型埋込層構造で構成しているが、ｎ型
電流ブロッキング層／ｐ型埋込層構造に限られるもので
はなく、ＦｅドープＩｎＰ埋込層で構成しても良いもの
である。
【００７９】また、上記の各実施の形態においては、各
要素部をＰＢＨ構造で構成しているが、必ずしもＦＢＨ
構造に限られるものではなく、各種の公知の電流狭窄構
造を伴うストライプ構造で構成しても良いものである。
要素部をＰＢＨ構造で構成しているが、必ずしもＦＢＨ
構造に限られるものではなく、各種の公知の電流狭窄構
造を伴うストライプ構造で構成しても良いものである。
【００８０】ここで、再び図１を参照して、改めて本発
明の詳細な特徴を説明する。 再び、図１参照 （付記１） 少なくとも光合流器８と半導体光増幅器７
を集積した半導体光素子において、前記光合流器８と前
記半導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過すると
ともに、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反
射戻り光が十分小さいモードフィルタ１を設けたことを
特徴とする半導体光素子。 （付記２） 上記半導体光増幅器７の幅が、１次モード
のカットオフ幅より広く、且つ、２次モードのカットオ
フ幅より狭いことを特徴とする付記１記載の半導体光素
子。 （付記３） 上記モードフィルタ１として、４×４多モ
ード干渉導波路の特性を有する１×３構造の導波路であ
って、出力側導波路３は、入力側導波路２と同じ幅を有
する中央導波路４と、前記中央導波路４の半分の幅を有
する両側の側部導波路５，６によって構成されることを
特徴とする付記１または２に記載の半導体光素子。 （付記４） 上記中央導波路４と両側の側部導波路５，
６との間隔が、出射端面に向かうほど広くなっているこ
とを特徴とする付記３記載の半導体光素子。 （付記５） 上記モードフィルタ１の入力側に設ける入
力側導波路２を、１次モードのカットオフ幅より狭い直
線導波路部と、上記半導体光増幅器７と同じ幅へ移行す
るテーパ導波路部とにより構成することを特徴とする付
記３または４に記載の半導体光素子。 （付記６） 上記モードフィルタ１の出力側に設ける中
央側導波路を、１次モードのカットオフ幅より狭い直線
導波路部と、上記半導体光増幅器７と同じ幅へ移行する
テーパ導波路部とにより構成することを特徴とする付記
３または４に記載の半導体光素子。 （付記７） 上記側部導波路５，６の出射端部に、光吸
収体を設けたことを特徴とする付記３乃至６のいずれか
１に記載の半導体光素子。 （付記８） 上記モードフィルタ１として、長さが１０
０μｍ以上のシングルモード導波路を用いたことを特徴
とする付記１または２に記載の半導体光素子。 （付記９） 上記シングルモード導波路と、上記半導体
光増幅器７との接続部にテーパ導波路部を挿入したこと
を特徴とする付記８記載の半導体光素子。 （付記１０） 上記光合流器８の半導体光増幅器７と対
向する側の反対側に、半導体レーザアレイ９、及び、前
記半導体レーザアレイ９と前記光合流器８を結合する接
続用導波路アレイ１０を集積したことを特徴とする付記
１乃至９のいずれか１に記載の半導体光素子。 （付記１１） 上記光合流器８として、多モード干渉導
波路型光合流器、テーパ状導波路型光合流器、或いは、
スターカプラ型光合流器のいずれかを用いたことを特徴
とする付記１乃至１０のいずれか１に記載の半導体光素
子。
明の詳細な特徴を説明する。 再び、図１参照 （付記１） 少なくとも光合流器８と半導体光増幅器７
を集積した半導体光素子において、前記光合流器８と前
記半導体光増幅器７の間に、基本モード光を透過すると
ともに、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反
射戻り光が十分小さいモードフィルタ１を設けたことを
特徴とする半導体光素子。 （付記２） 上記半導体光増幅器７の幅が、１次モード
のカットオフ幅より広く、且つ、２次モードのカットオ
フ幅より狭いことを特徴とする付記１記載の半導体光素
子。 （付記３） 上記モードフィルタ１として、４×４多モ
ード干渉導波路の特性を有する１×３構造の導波路であ
って、出力側導波路３は、入力側導波路２と同じ幅を有
する中央導波路４と、前記中央導波路４の半分の幅を有
する両側の側部導波路５，６によって構成されることを
特徴とする付記１または２に記載の半導体光素子。 （付記４） 上記中央導波路４と両側の側部導波路５，
６との間隔が、出射端面に向かうほど広くなっているこ
とを特徴とする付記３記載の半導体光素子。 （付記５） 上記モードフィルタ１の入力側に設ける入
力側導波路２を、１次モードのカットオフ幅より狭い直
線導波路部と、上記半導体光増幅器７と同じ幅へ移行す
るテーパ導波路部とにより構成することを特徴とする付
記３または４に記載の半導体光素子。 （付記６） 上記モードフィルタ１の出力側に設ける中
央側導波路を、１次モードのカットオフ幅より狭い直線
導波路部と、上記半導体光増幅器７と同じ幅へ移行する
テーパ導波路部とにより構成することを特徴とする付記
３または４に記載の半導体光素子。 （付記７） 上記側部導波路５，６の出射端部に、光吸
収体を設けたことを特徴とする付記３乃至６のいずれか
１に記載の半導体光素子。 （付記８） 上記モードフィルタ１として、長さが１０
０μｍ以上のシングルモード導波路を用いたことを特徴
とする付記１または２に記載の半導体光素子。 （付記９） 上記シングルモード導波路と、上記半導体
光増幅器７との接続部にテーパ導波路部を挿入したこと
を特徴とする付記８記載の半導体光素子。 （付記１０） 上記光合流器８の半導体光増幅器７と対
向する側の反対側に、半導体レーザアレイ９、及び、前
記半導体レーザアレイ９と前記光合流器８を結合する接
続用導波路アレイ１０を集積したことを特徴とする付記
１乃至９のいずれか１に記載の半導体光素子。 （付記１１） 上記光合流器８として、多モード干渉導
波路型光合流器、テーパ状導波路型光合流器、或いは、
スターカプラ型光合流器のいずれかを用いたことを特徴
とする付記１乃至１０のいずれか１に記載の半導体光素
子。
【００８１】
【発明の効果】本発明により、レーザアレイとそれを一
つの光導波路に光結合する光合流器とその後段に半導体
光増幅器を集積した光半導体素子において、光合流器と
半導体光増幅器との間に基本モード光を透過するととも
に１次モード光の伝播を阻止する特性を有するモードフ
ィルタを介在させているので、半導体光増幅器の導波路
幅を１次モードのカットオフ幅より広く、且つ、２次モ
ードのカットオフ幅より狭くすることができ、それによ
って、良好な出力フィールドを維持したまま、高光出
力、高信頼性を実現でき、ひいては、波長多重通信の普
及・進展に寄与するところが大きい。
つの光導波路に光結合する光合流器とその後段に半導体
光増幅器を集積した光半導体素子において、光合流器と
半導体光増幅器との間に基本モード光を透過するととも
に１次モード光の伝播を阻止する特性を有するモードフ
ィルタを介在させているので、半導体光増幅器の導波路
幅を１次モードのカットオフ幅より広く、且つ、２次モ
ードのカットオフ幅より狭くすることができ、それによ
って、良好な出力フィールドを維持したまま、高光出
力、高信頼性を実現でき、ひいては、波長多重通信の普
及・進展に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図である。
可変レーザの概略的平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの断面図である。
可変レーザの断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に用いる４×４多モ
ード干渉型モードフィルタの原理説明図である。
ード干渉型モードフィルタの原理説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図である。
可変レーザの概略的平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図である。
可変レーザの概略的平面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的要部平面図である。
可変レーザの概略的要部平面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的要部平面図である。
可変レーザの概略的要部平面図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態のアレイ集積型波長
可変レーザの概略的平面図である。
可変レーザの概略的平面図である。
【図１０】本発明の第７の実施の形態のアレイ集積型波
長可変レーザの概略的平面図である。
長可変レーザの概略的平面図である。
【図１１】従来のアレイ集積型波長可変レーザの概略的
斜視図である。
斜視図である。
【図１２】アレイ集積型波長可変レーザの光出力の半導
体光増幅器の導波路幅依存性の説明図である。
体光増幅器の導波路幅依存性の説明図である。
【図１３】アレイ集積型波長可変レーザの半導体光増幅
器の電流密度の半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明
図である。
器の電流密度の半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明
図である。
【図１４】アレイ集積型波長可変レーザの光合流器出射
端における光強度分布図である。
端における光強度分布図である。
【図１５】アレイ集積型波長可変レーザの水平方向出力
フィールドの半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明図
である。
フィールドの半導体光増幅器の導波路幅依存性の説明図
である。
１ モードフィルタ
２ 入力側導波路
３ 出力側導波路
４ 中央導波路
５ 側部導波路
６ 側部導波路
７ 半導体光増幅器
８ 光合流器
９ 半導体レーザアレイ
１０ 接続導波路アレイ
１１ ＤＦＢレーザアレイ
１２ 接続導波路アレイ
１３ 光合流器
１４ モードフィルタ
１５ 入力側導波路
１６ 中央導波路
１７ 半導体光増幅器
１８ 側部導波路
１９ 側部導波路
２０ 反射防止膜
２１ ｎ型ＩｎＰ基板
２２ ｎ型ＩｎＰバッファ層
２３ ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層
２４ ＭＱＷ活性層
２５ ＩｎＧａＡｓＳＣＨ層
２６ ｐ型ＩｎＰ層
２７ ＩｎＧａＡｓコア層
２８ ｉ型ＩｎＰ層
２９ ｐ型ＩｎＰ埋込層
３０ ｎ型ＩｎＰ電流ブロッキング層
３１ ｐ型ＩｎＰクラッド層
３２ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
３３ ＳｉＯ2 保護膜
３４ ｐ側電極
３５ ｎ側電極
４１ 光吸収体
４２ 光吸収体
４３ モードフィルタ
４４ 直線導波路部
４５ テーパ導波路部
４６ 入力側導波路
４７ 直線導波路部
４８ テーパ導波路部
４９ 中央導波路
５０ 直線導波路部
５１ テーパ導波路部
５３ テーパ導波路型光合流器
５４ ＤＦＢレーザアレイ
５５ 接続導波路アレイ
５６ スターカプラ型光合流器
６１ 半導体基板
６２ ＤＦＢレーザアレイ
６３ 回折格子
６４ 接続導波路アレイ
６５ 光合流器
６６ 出力導波路
６７ 半導体光増幅器
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも光合流器と半導体光増幅器を
集積した半導体光素子において、前記光合流器と前記半
導体光増幅器の間に、基本モード光を透過するととも
に、少なくとも１次モード光の伝播を阻止し且つ反射戻
り光が十分小さいモードフィルタを設けたことを特徴と
する半導体光素子。 - 【請求項２】 上記半導体光増幅器の幅が、１次モード
のカットオフ幅より広く、且つ、２次モードのカットオ
フ幅より狭いことを特徴とする請求項１記載の半導体光
素子。 - 【請求項３】 上記モードフィルタとして、４×４多モ
ード干渉導波路の特性を有する１×３構造の導波路であ
って、出力側導波路は、入力側導波路と同じ幅を有する
中央導波路と、前記中央導波路の半分の幅を有する両側
の側部導波路によって構成されることを特徴とする請求
項１または２に記載の半導体光素子。 - 【請求項４】 上記モードフィルタとして、長さが１０
０μｍ以上のシングルモード導波路を用いたことを特徴
とする請求項１または２に記載の半導体光素子。 - 【請求項５】 上記光合流器の半導体光増幅器と対向す
る側の反対側に、半導体レーザアレイ、及び、前記半導
体レーザアレイと前記光合流器を結合する接続用導波路
アレイを集積したことを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか１項に記載の半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059889A JP3887744B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 半導体光素子 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059889A JP3887744B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 半導体光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258368A true JP2003258368A (ja) | 2003-09-12 |
| JP3887744B2 JP3887744B2 (ja) | 2007-02-28 |
Family
ID=28669414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002059889A Expired - Lifetime JP3887744B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 半導体光素子 |
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|---|---|
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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