JP2007250889A - 集積型半導体レーザ素子および半導体レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
まず、本発明の実施の形態1に係る集積型半導体レーザ素子の構造と製造方法について説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る集積型半導体レーザ素子を模式的に表した平面概略図である。
次に、本発明の実施の形態2に係る集積型半導体レーザ素子について説明する。本実施の形態2に係る集積型半導体レーザ素子は、実施の形態1に係る集積型半導体レーザ素子と同様の構造を有し、同様の方法で製造できるが、反射溝が素子の前方に向かって複数設けられている点が異なる。
次に、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態3に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態2に係る集積型半導体レーザ素子50を備えるものである。
11−1〜11−n、51−1〜51−n DFBレーザストライプ
12−1〜12−n、52−1〜52−n 光導波路
13、53 MMI光合流器
13a、53a 出力ポート
13b、53b 出力側端面
14、54 半導体光増幅器
14a、54a出力端
15、55 埋め込み部
16a、16b 反射溝
17−1〜17−m、57−1〜57−m トレンチ溝
21 n型InP基板
22 n型InPバッファ層
23 下部InGaAsP−SCH層
24 MQW活性層24
25 上部InGaAsP−SCH層
26 InPスペーサ層
27 InGaAsPグレーティング層
28 p型InP層
29 格子溝
30 InGaAsPコア層
31 i型InP層
32 p型InP埋め込み層
33 n型電流ブロッキング層
34 p型InPクラッド層
35 InGaAsコンタクト層
36a、36b パターン
37−1〜37−m パターン
38 保護膜
39 p側電極
40 n側電極
56a、56b 複数の反射溝
60 半導体レーザモジュール
61 コリメートレンズ
62 光アイソレータ
63 ビームスプリッタ
64 パワーモニタPD
65 集光レンズ
66 光ファイバ
Claims (9)
- 複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、
前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことを特徴とする集積型半導体レーザ素子。 - 前記反射手段は、前記半導体光増幅器を埋め込む埋め込み部に幅方向にわたって設けた溝であることを特徴とする請求項1に記載の集積型半導体レーザ素子。
- 前記溝を複数設けたことを特徴とする請求項2に記載の集積型半導体レーザ素子。
- 前記反射手段の反射面と前記光合流器の出力ポート側の端面とのなす角度が0度より大きく45度より小さいことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子。
- 前記半導体光増幅器と前記反射手段の該半導体光増幅器に近い端部との距離は、該半導体光増幅器を導波する光の幅方向の強度分布が最大値から1/e2となる位置よりも離れていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子。
- 前記反射手段の前記光合流器に近い反射面と前記光合流器の出力ポート側の端面との距離の最大値Lと、前記光合流器の厚さ方向の中心位置からの前記反射面の下端部までの深さDと、前記光合流器の出力ポート側の端面における該端面からの前記埋め込み部への放射光の前記厚さ方向の強度分布が最大値から1/e2となる幅の半値W0と、前記埋め込み部の屈折率nと、前記放射光の波長λとの間に、
W0√(1+(λL/πnW0 2)2)<D
なる関係が成り立つことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子。 - 前記複数の半導体レーザの間の埋め込み部に溝を設けたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子。
- 前記光合流器は多モード干渉型光合流器であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の集積型半導体レーザ素子と、
前記集積型半導体レーザ素子からの出力光を透過および分岐する光分岐素子と、
前記光分岐素子を透過した光を伝送する光ファイバと、
前記光分岐素子により分岐した光の強度を検出する光検出器と、
を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
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---|---|
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010110152A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
WO2011142469A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module |
JP2011233829A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール |
US20120068090A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Frequency tunable terahertz transceivers and method of manufacturing dual wavelength laser |
CN102474069A (zh) * | 2009-07-30 | 2012-05-23 | 古河电气工业株式会社 | 集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统 |
JP2013130638A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光デバイス |
JP2014033127A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリ |
JP2016149529A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源および波長可変光源モジュール |
CN107546569A (zh) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
WO2019111401A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
WO2020088503A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 华为技术有限公司 | 光源备份方法、装置以及系统 |
WO2020145284A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 日本電信電話株式会社 | 平面光導波回路 |
WO2021005723A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 日本電信電話株式会社 | 光合波回路 |
WO2023223432A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | モードフィールド変換光回路 |
EP4116750A4 (en) * | 2020-03-04 | 2024-02-28 | Seiren Kst Corp | OPTICAL MULTIPLEXER ALLOWING A REDUCTION OF AMBIENT LIGHT |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0313906A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
JP2003014963A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Nec Corp | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール |
JP2003078209A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
JP2003258368A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体光素子 |
JP2005175021A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源および光送信器 |
JP2005191028A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005311308A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006073149A patent/JP4652995B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0313906A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
JP2003014963A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Nec Corp | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール |
JP2003078209A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
JP2003258368A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体光素子 |
JP2005175021A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源および光送信器 |
JP2005191028A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005311308A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010110152A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
US8665919B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-03-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
CN102362400B (zh) * | 2009-03-26 | 2013-06-12 | 古河电气工业株式会社 | 半导体激光模块 |
US20110310916A1 (en) * | 2009-03-26 | 2011-12-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
CN102362400A (zh) * | 2009-03-26 | 2012-02-22 | 古河电气工业株式会社 | 半导体激光模块 |
JPWO2010110152A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2012-09-27 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
CN102474069A (zh) * | 2009-07-30 | 2012-05-23 | 古河电气工业株式会社 | 集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统 |
EP2461434A4 (en) * | 2009-07-30 | 2017-11-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Integrated-type semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system |
US8457169B2 (en) | 2009-07-30 | 2013-06-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system |
JP2011233829A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール |
WO2011142469A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module |
US8731019B2 (en) | 2010-05-11 | 2014-05-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module |
CN102472876A (zh) * | 2010-05-11 | 2012-05-23 | 古河电气工业株式会社 | 激光模块 |
US20120068090A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Frequency tunable terahertz transceivers and method of manufacturing dual wavelength laser |
US8649414B2 (en) * | 2010-09-17 | 2014-02-11 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Frequency tunable terahertz transceivers and method of manufacturing dual wavelength laser |
US9236711B2 (en) | 2010-09-17 | 2016-01-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of manufacturing frequency tunable terahertz transceiver |
JP2013130638A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光デバイス |
JP2014033127A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリ |
JP2016149529A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源および波長可変光源モジュール |
CN107546569A (zh) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
WO2019111401A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
JPWO2019111401A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-12-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
WO2020088503A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 华为技术有限公司 | 光源备份方法、装置以及系统 |
US11451301B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-09-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Light source backup method, apparatus, and system |
WO2020145284A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 日本電信電話株式会社 | 平面光導波回路 |
WO2021005723A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 日本電信電話株式会社 | 光合波回路 |
JPWO2021005723A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | ||
JP7436881B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 光合波回路 |
EP4116750A4 (en) * | 2020-03-04 | 2024-02-28 | Seiren Kst Corp | OPTICAL MULTIPLEXER ALLOWING A REDUCTION OF AMBIENT LIGHT |
WO2023223432A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | モードフィールド変換光回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4652995B2 (ja) | 2011-03-16 |
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