JP6257544B2 - 半導体レーザー - Google Patents
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Description
<A−1.構成>
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザー101の構成を示す斜視図である。図2は半導体レーザー101の構成を示す、図1のA−A断面図である。半導体レーザー101は、端面発光型のレーザーダイオード(LD:Laser Diode)101Aと、LDと同一基板上に集積されたモニタ用フォトダイオード(PD:Photo Diode)101Bを備えている。
図4〜図9は、実施の形態1の半導体レーザー101の製造工程を示す断面図である。以下、図4〜図9に沿って半導体レーザー101の製造工程を説明する。
上記の説明では、半導体レーザー101の半導体材料として、長波長光通信素子で用いられるInP基板上のInGaAsP系材料を示したが、これは一例であり、例えばInAlGaAs系材料であってもよい。
実施の形態1に係る半導体レーザー101は、チップ内に設けられ、当該チップのチップ端面22から離れた終端を有する導波路20と、チップ内に設けられ、導波路20の終端から出射しチップ端面22で反射し導波路20に結合しない光を受光する受光部12と、を備えた端面発光型の半導体レーザーである。このように、出力光の一部が分岐された反射光をモニタ用PDの受光部12で受光することにより、変調器や増幅器が集積された半導体レーザーであっても、出力強度の変動をモニタすることが可能である。また、モニタ用PD101Aを集積しない半導体レーザーでも、出力光の一部はチップ端面22で反射するため、出力光を低下させることなく、出力をモニタすることができる。また、複数のレーザーダイオードをアレイ状に配置した複数の出力を有する半導体レーザーであっても、隣接する出力光どうしが重なる前にチップ端面22で反射させた光をモニタするため、個別に出力強度の変動をモニタすることができる。
<B−1.構成>
図10は、モニタPDを集積した2出力の波長可変光源である半導体レーザー102を示す平面模式図である。
図11〜図18は、実施の形態2に係る半導体レーザー102の製造工程を示す断面図であり、図10のB−B断面の製造工程を示す断面図である。以下、図11〜図18に沿って半導体レーザー102の製造工程を示す。なお、図10では2出力の半導体光増幅器18を示したが、ここでは説明の簡単化のため、1出力の半導体光増幅器の製造工程を示す。
実施の形態2に係る半導体レーザー102において、反射ミラーとなる第1メサ溝の側面11cは凹面形状である。従って、反射光の拡散を低減し、受光部12に入射する光を増加させることが出来る。
Claims (5)
- チップ内に設けられ、当該チップのチップ端面から離れた終端を有する導波路と、
前記チップ内に設けられ、前記導波路の終端から出射し前記チップ端面で反射し前記導波路に結合しない光を受光する、受光部と、
前記チップ内に設けられ、前記導波路の終端から出射し前記チップ端面で反射し前記導波路に結合しない光を前記受光部へ反射する反射ミラーと、
を備え、
前記導波路は埋め込み型の導波路であって少なくとも一部が前記チップ端面に垂直な第1方向に沿って延伸し、
前記第1方向に沿って前記導波路を挟む第1クラッド層及び第2クラッド層と、
前記第1クラッド層から前記第2クラッド層まで貫通する、前記第1方向に沿った第1メサ溝と、
前記導波路を介して前記第1メサ溝に対向し、前記第1クラッド層から前記第2クラッド層まで貫通する、前記第1方向に沿った第2メサ溝と、をさらに備え、
前記反射ミラーは、前記第1メサ溝の、前記チップ端面に対向する側面であり、
該側面は、前記チップ端面に対して傾斜し、その傾斜は、前記導波路からの距離が長くなる程前記チップ端面からの距離が増大する傾斜である、
端面発光型の半導体レーザー。 - 前記反射ミラーとなる前記第1メサ溝の側面は凹面形状である、
請求項1に記載の半導体レーザー。 - 前記反射ミラーとなる前記第1メサ溝の側面と前記受光部との間に受光部用導波路をさらに備える、
請求項1又は2に記載の半導体レーザー。 - 前記導波路の終端面と前記チップ端面との間に、前記導波路を構成する半導体よりもバンドギャップの大きい半導体からなる窓構造部をさらに備える、
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザー。 - 前記導波路の終端側は前記チップ端面に垂直な方向から傾斜する、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体レーザー。
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