JP2011233829A - 集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール - Google Patents
集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】MMI光合流器13の出力端の辺に、半導体光増幅器14を結合する部分を除いた領域に迷光を導波させるための迷光導波メサ15−1,15−2が形成されており、迷光導波メサ15−1,15−2はコア層として活性層を含む構造を備えるため、活性層で迷光を吸収することができる。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1に係る集積型半導体光素子としての集積型半導体レーザ素子10について説明する。図1は、集積型半導体レーザ素子10の概略平面図である。図1に示すように、この集積型半導体レーザ素子10は、DFB(Distributed Feedback)型の、複数のレーザストライプ11−1〜11−n(nは2以上の整数)と、複数の光導波路12−1〜12−nと、MMI光合流器13と、半導体光増幅器14とを一つの半導体基板上に集積した構造を有する。
まず、レーザストライプ11−1〜11−nの中から選択した1つのレーザストライプを駆動する。すると、複数の光導波路12−1〜12−nのうち駆動するレーザストライプ11−1〜11−nのいずれかと光学的に接続している光導波路12−1〜12−nは、そのレーザストライプからの出力光を導波する。MMI光合流器13は、光導波路12−1〜12−nを導波した光を通過させて出力ポートから出力する。半導体光増幅器14は、MMI光合流器13から出力した光を増幅して出力端から出力する。この半導体光増幅器14では、駆動するレーザストライプからの出力光のMMI光合流器13による光の損失を補い、出力端から所望の強度の光出力が得られるようにしている。
次に、本発明の実施の形態2に係る半導体光素子としての半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態1に係る集積型半導体レーザ素子10を備えるものである。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態1および2の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
11−1〜11−n レーザストライプ
12−1〜12−n 光導波路
13 MMI光合流器
14 半導体光増幅器
15−1,15−2 迷光導波メサ
16 導波路部
17 トレンチ
18 サポートメサ
20 n−InP基板
21 n−InPバッファ層
22 下部SCH層
23 多重量子井戸活性層
24 上部SCH層
25 スペーサ層
26 エッチングストップ層
27 グレーティング層
28a,28b,28c クラッド層
29 コンタクト層
30 絶縁膜
31,31A p側電極
32 平坦化ポリマー
33 n側電極
34 コア層
40 集積型半導体光素子モジュール
41 コリメートレンズ41
41 光アイソレータ
43 ビームスプリッタ
44 パワーモニタPD
45 集光レンズ
46 光ファイバ46
Claims (4)
- 複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体光素子であって、
半導体基板と、前記半導体基板上に配置された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に配置されたコア層と、前記コア層上に配置された上部クラッド層と、を少なくとも有し、前記上部クラッド層の少なくとも一部がメサ状に突出しているリッジ導波路構造からなり、
前記光合流器の出力端に前記半導体光増幅器となる部分を除いた辺に迷光を導波させるための迷光導波メサが形成されており、前記迷光導波メサはコア層として活性層を含むことを特徴とする集積型半導体光素子。 - 前記光合流器は、多モード干渉型光合流器であることを特徴とする請求項1に記載の集積型半導体光素子。
- 前記光増幅器をなすリッジ導波路と前記迷光導波メサの間隔は、2μm以上5μm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の集積型半導体光素子。
- 請求項1〜3のいずれか一つに記載の集積型半導体光素子と、
前記半導体光素子からの出力光を透過および分岐する光分岐素子と、
前記光分岐素子を透過した光を伝送する光ファイバと、
前記光分岐素子により分岐した光の強度を検出する光検出器と、
を備えることを特徴とする集積型半導体光素子モジュール。
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