JP2005175021A - 波長可変光源および光送信器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板11に設けられた導波路12上に、λ/4シフトDFBレーザ13とSOA14が集積化された構造とされ、λ/4シフトDFBレーザ13から出射された光は導波路12を伝搬してSOA14へ入射し光増幅をされて光出力部15から出力される構成となっている。このような波長可変光源の構成では、DFBレーザ13の光出力端側にSOA14を備えているために、光出力強度はSOA14の駆動電流で、発振波長はDFBレーザ13の駆動電流で、それぞれ独立に制御することが可能となり、波長切替動作は基本的にレーザ駆動電流のみで実行することが可能となるため、波長切替の際にレーザ素子の温度制御が不要となり、高速化が可能となる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の波長可変光源の第1のレーザ素子構造の例を説明するための図で、基板11に設けられた導波路12上に、λ/4シフトDFBレーザ13とSOA14が集積化された構造(第1構造)とされている。λ/4シフトDFBレーザ13から出射された光は導波路12を伝搬してSOA14へ入射し光増幅をされて光出力部15から出力される構成となっている。
図5は、チャンネル4と5のチャンネル間の切替えであり、測定の結果、0.1ミリ秒以下の高速切替えが確認された。これは、波長間隔をあらかじめ等間隔に設定したため、各電流量は(たとえばチャンネル4が110.5mA、チャンネル5が118mAなどと)ほぼ同一の値を維持しているために、チャンネル切替え時に発生する熱量の差が小さく、素子温度が迅速に安定化するためである。
12、22b 導波路
13 λ/4シフトDFBレーザ
14、24 SOA
15 光出力部
22a アレイ導波路
23 λ/4シフトDFBレーザアレイ
26 光合波器
100 光モジュール
101 DFBアレイ型波長選択レーザ素子
102 電子冷却素子
103 温度検出素子
104 レンズ
105 光アイソレータ
106a 第1のビームスプリッタ
106b 第2のビームスプリッタ
107 波長検出器
108 光出力検出器
109 レンズ
110 光ファイバ
111 エタロンフィルタ
200 制御部
201 演算部
202 ATC回路
203 AFC回路
204 APC回路
205 電子冷却素子用端子
206 温度検出素子用端子
207 半導体レーザアレイ用端子
208 波長検出器用端子
209 SOA用端子
210 光出力検出器用端子
211 レーザチャンネル切替回路
Claims (6)
- 波長可変な半導体分布帰還型(DFB)レーザ素子に接続された第1の制御部と、半導体光増幅器に接続された第2の制御部と、前記半導体DFBレーザ素子と半導体光増幅器とを光学的に結合する光結合部と、を備え、
前記半導体DFBレーザ素子の発振波長は前記第1の制御部により供給される駆動電流により制御される一方、前記半導体光増幅器から出力される光強度は前記第2の制御部により供給される駆動電流により制御され、前記発振波長と光強度が独立に制御されることを特徴とする波長可変光源。 - 前記半導体DFBレーザ素子の発振波長に対応した駆動電流値を記憶するメモリと、
発振波長に対応した駆動電流値をステップ状に変化させて前記半導体DFBレーザへ駆動電流値を供給するスイッチング手段と、を備え、
前記メモリに記憶された駆動電流値に基づいて発振波長の切替を実行することを特徴とする請求項1に記載の波長可変光源。 - 前記半導体DFBレーザ素子はN本のDFBレーザがアレイ化された半導体レーザアレイであり、当該半導体レーザアレイと前記半導体光増幅器とを光学的に結合させる(1×N)光合波器を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の波長可変光源。
- 前記半導体レーザアレイを構成するN本のDFBレーザの各々の発振波長は、互いに隣接する発振波長が所定の間隔となるように予め調整されていることを特徴とする請求項3に記載の波長可変光源。
- 前記第1の制御部および第2の制御部は、制御遅延時間設定が可能なデジタル制御方式の回路を備えていることを特徴とする請求項4に記載の波長可変光源。
- 請求項1乃至5に記載の波長可変光源からの出力光を光伝送手段に光学的に結合させる光結合手段を備えていることを特徴とする光送信器。
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