JP2011077069A - 波長可変光源モジュール及び波長可変光送信器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡素な構成で温度変化に対する発振波長安定性を高めた、温度制御型の波長可変光源モジュールを実現する。
【解決手段】波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７を、同一の温度制御素子基板１０２上に搭載する。この場合、波長ロッカー１０７のエタロン素子のＦＳＲを、波長可変光源素子１０３のＬＤチャネル間隔からある一定値ずらして選択する。そして、サーミスタ素子１０４を波長可変光源素子１０３の近傍に搭載し、且つ、波長可変光源素子１０３とエタロン素子を同一温度で動作させる。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、光通信システムで用いる波長可変光源モジュール及び波長可変光送信器の構成に関し、特に温度制御型の波長可変光源素子を有する波長可変光源モジュール及び波長可変光送信器の構成に関するものである。

近年、高速大容量の光通信を実現するため、複数の波長の光を高密度に多重化して伝送する波長分割多重光通信（ＷＤＭ：wavelength division multiplexing）システムの研究開発が盛んである。このようなシステムにおいて単一波長出力の半導体ＬＤ（laser diode）モジュールを用いた場合には、異なる波長を出力する複数のＬＤモジュールが必要となり、また、保守用に同数のバックアップ用光源を準備すると膨大なコストがかかる。
そこで、１つの素子で所望の発振波長（光周波数）を設定できる半導体ＬＤモジュールを用いれば、在庫の共通化を図ることができるため保守コストの低減に有効である。

図５に発振波長を任意に設定できる代表的な波長可変光源素子の構成を示す（非特許文献１参照）。図５において、１は基板、２はＤＦＢ（distributed-feedback）−ＬＤアレイ、３は１×Ｎの光合波器（図５ではＮ＝１２）、４は半導体光増幅器、５はＤＦＢ−ＬＤアレイ２と光合波器３を光学的に結合する光導波路、６は光合波器３と半導体光増幅器４を光学的に結合する光導波路、７は出力部である。
ＤＦＢ−ＬＤアレイ２の各ＤＦＢレーザから出力したレーザ光は、光合波器３によって合波されて半導体光増幅器４に入力し、光増幅されて光出力部７から出力される構成となっている。
上記波長可変光源素子の特徴は、ＤＦＢ−ＬＤアレイ２と半導体光増幅器４が同一の半導体基板１上に一体的に集積化されている点である。

通常、ＤＦＢ−ＬＤ発振波長は温度上昇に伴い長波長側（低周波数側）にシフトする。この原理を利用して、上記素子（図５に示す波長可変光源素子）では温度制御によって出力波長を設定する。

図６に素子制御温度に対する各出力波長（光周波数）の例を示す。隣接する出力周波数のチャネル間隔は５０ＧＨｚ、１２ＬＤアレイ、８チャネル/ＬＤで全９６チャネルのいずれかを出力することができる。１２ＬＤのいずれかを駆動させ、素子温度が決まると出力チャネルが決まる。
また、各ＤＦＢ−ＬＤの構造は同じ温度範囲で発振する周波数範囲が重ならないように設計されている。

一般的にＷＤＭシステムにおいて半導体ＬＤモジュールは、その出力波長と強度の双方において高精度且つ安定な出力が望まれる。このような要求に対し、半導体ＬＤモジュールでは出力波長と強度を検出して制御する波長ロッカー（Wavelength Locker）と呼ばれる機能素子を標準的に搭載している。

図７に代表的な波長ロッカーの構成を示す（非特許文献２参照）。図７において、１１は基板、１２は波長検出用のフォトダイオード（ＰＤ）、１３は光強度検出用のフォトダイオード（ＰＤ）であり、１４は第１のビームスプリッタ（ＢＳ）、１５は第２のビームスプリッタ（ＢＳ）、１６は光干渉型フィルタとして機能するエタロン素子、１７はエタロン素子の温度検出抵抗素子（サーミスタ素子）である。

波長ロッカーに入射した入射ビームはＢＳ１４とＢＳ１５によって分岐されＰＤ１２とＰＤ１３で各々受光される。また、ＢＳ１５とＰＤ１２との間にエタロン素子１６を挿入し、ＰＤ１２、ＰＤ１３の受光パワーから、各々波長と光強度とを検出する。

また、図５のような波長可変光源素子に対しては、波長ロッカーは波長可変光源素子の前方に配置されることが多い。このような配置にすることにより、波長可変光源素子から出力された光が、波長ロッカーを通過すると共に、波長ロッカーにおいて光の一部が分岐されて、光の波長（周波数）や光の強度が検出される。

図８に従来の温度制御型の波長可変光源モジュールの構成を示す（非特許文献３参照）。図８において、２１は筐体、２２は波長可変光源素子用の温度制御素子（ペルチェ素子）、２３は波長ロッカー用の温度制御素子（ペルチェ素子）、２４は温度検出抵抗素子（サーミスタ素子）、２５は波長可変光源素子、２６ａ，２６ｂはレンズ、２７は光アイソレータ、２８は波長ロッカー（基板のみ表示、構成は図７と同じ）、２９は光ファイバである。
図８に示す波長可変光源モジュールでは、波長可変光源素子２５と波長ロッカー２８が、２個の温度制御素子（ペルチェ素子）２２，２３によって個別に温度制御されている。

波長ロッカーによる波長の固定方法は以下のようなものである。
図９に、エタロン素子１６（図７参照）を通過した後のレーザ光が、波長検出用のＰＤ１２（図７参照）に入射したときの受光電流特性の例を示す。図９に示すように、ある一定温度において、光周波数（横軸）に対して周期的に振幅が変化する光電流信号が検出される。
したがって、図８に示す温度制御型の波長可変光源モジュールにおいては、波長可変光源素子２５の制御温度と駆動電流の設定によって、ある１つの光周波数が発生している条件下において、波長ロッカー２８に備えた波長検出用のＰＤ１２の検出電流がある一定値（図９ロックポイント）になるように、波長可変光源素子２５の制御温度に負帰還制御をかけることにより（つまり、温度制御素子２２による発熱温度に負帰還制御をかけることにより）波長の固定を行う。

上記のような温度制御を行うためには波長ロッカー２８のエタロン素子１６の温度を厳密に制御する必要がある。そのため、通常、半導体素子（波長可変光源素子２５）用の温度制御素子２２とは別の温度制御素子２３を用いて、波長ロッカー２８のエタロン素子１６の温度を固定する。
更に全チャネルに対してエタロン素子を同温度で用いたい場合には、エタロン素子のＦＳＲ（free spectral range）をＬＤチャネル間隔と一致させる必要もある。

図１０に従来の波長可変光源モジュールにおける各出力チャネルに対するＬＤ制御温度（波長可変光源素子の制御温度）と波長ロッカー制御温度を示す。ＬＤは複数温度で制御されるのに対し波長ロッカー温度は一定で用いられる。エタロン素子のＦＳＲの設定によっては波長ロッカー制御温度T_WLが複数になる場合もあるが、あくまで温度制御は半導体素子とは個別に行う。

上述したように、一般に波長可変光源素子の出力光の発振波長を安定化させるためには、光干渉型フィルタ（例えばエタロン素子）と光検出器を用いて出力光の発振波長の変化をモニタし、発振波長のゆれを検知したら発振波長制御機構にフィードバックする、という手法を用いている。
しかし、波長可変光源素子の波長可変手段が温度制御型の場合、そこからの輻射熱等で光干渉型フィルタの干渉特性まで変化してしまうため、別途、光干渉型フィルタの温度を一定に保つ温度制御機構（例えばペルチェ素子）を組み合わせることが必須となっていた。
なお、温度依存性を極力抑えた特殊な光干渉型フィルタも存在してはいたが、非常に高価なため、コスト要求の強い光送信器用途に用いるのは困難であった。

M. Bouda et. al., "Compact high-power wavelength selectable lasers for WDM applications", Technical digest of OFC 2000, TuL1, pp.178-180, 2000. H. Ishii et al., "High-power (40mW) L-band tunable DFB laser array module using current tuning," OFC 2005, OTuE1, 2005. Y. Yokoyama et. Al., "Multiwavelength locker integrated wide-band wavelength-selectable light source module", IEEE Photonics technology letters, vol. 15, No.2, pp290-292, Feb. 2003.

従来の温度制御型の波長可変光源モジュールにおいては次のような問題がある。
（１）波長可変光源素子と波長ロッカーを個別に温度制御するため、温度制御用の部材が２系統必要となり部材・実装コストがかさむ。
（２）温度制御用の使用ピン数も２系統必要となり、使用ピン数の制限される小型筐体化の実現が困難である。

そこで本発明では、従来技術とは逆に光干渉型フィルタの干渉特性が温度依存性を持つことを積極的に利用する。即ち、波長可変光源素子の温度変化に対する発振波長変化と、その温度変化に対して光干渉型フィルタの干渉特性、特にピーク周波数の変化とが一定の関係を保つように光干渉型フィルタを設計し、温度制御型の波長可変光源素子の温度制御部に光干渉型フィルタも一緒に搭載する。
そうすることにより、温度制御機構は一つで済むようになり、また、特殊な光干渉型フィルタを用いる必要も無い事から、低消費電力でかつ低コストな構成とする事ができる。また、発振波長のフィードバック精度も損なわずに済むようになる。

つまり、本発明では、波長ロッカーのエタロン素子（光干渉型フィルタ）のＦＳＲをＬＤチャネル間隔からある一定値ずらして選択する。その上で、波長可変光源素子と波長ロッカーを１つの温度制御素子基板上に搭載し、サーミスタ素子を波長可変光源素子近傍に搭載し、且つ、波長可変光源素子とエタロン素子を同一温度で動作させることにより上記課題を解決する。

より具体的には、上記課題を解決する本発明に係る波長可変光源モジュールの構成は、
分布帰還型半導体レーザ素子を有しており、温度を制御することにより出力する光の波長が制御される温度制御型の波長可変光源素子と、
前記波長可変光源素子から出力された光が通過すると共に、通過する光の一部を分岐して光干渉型フィルタを透過させた後の光を検出することにより光の波長を検出し、且つ、通過する光の一部を分岐して光の強度を検出する波長ロッカーとが、
同一の温度制御素子基板上に搭載されており、
前記光干渉型フィルタは、その隣接したピーク周波数間隔FSRe(GHz)が、前記波長可変光源素子の隣接した出力チャネルの周波数間隔Δf_LD(GHz)、前記分布帰還型半導体レーザ素子の出力周波数の温度変化率a(GHz/℃)、および前記光干渉型光フィルタのピーク周波数の温度変化率b(GHz/℃)を用いて、FSRe＝Δf_LD×(1−b/a)となるように選択されていることを特徴とする。

また本発明の波長可変光源モジュールの構成は、
前記波長可変光源素子は、単一または複数の分布帰還型半導体レーザ素子を含む構成であること、
または、前記波長可変光源素子は、分布帰還型半導体レーザ素子アレイと半導体光増幅器とそれらを光学的に結合する光合波器とが一体的に集積されていること、
または、前記波長可変光源素子と光変調器とが同一基板上に一体的に集積されていること、
または、前記光変調器が電界吸収型光変調器であること、
または、前記光変調器がマッハ・ツェンダ型光変調器であることを特徴とする。

また本発明の波長可変光源モジュールの構成は、
前記光干渉型フィルタはエタロン素子であること、
または、前記光干渉型フィルタはリング共振器であること、
または、前記光干渉型フィルタはマッハ・ツェンダ干渉計であることを特徴とする。

また本発明の波長可変光送信器の構成は、
前記の波長可変光源モジュールと、
前記波長ロッカーにより検出した光の波長の値によって前記波長可変光源素子の制御温度に負帰還制御をかける出力波長制御機構と、
前記波長ロッカーにより検出した光の強度の値によって、前記波長可変光源素子に備えた半導体光増幅器の駆動電流に負帰還制御をかける出力光パワー制御機構とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、温度制御型の波長可変光源素子と波長ロッカーを１つの温度制御素子基板上に搭載し、波長ロッカーの光干渉型フィルタのＦＳＲを、波長可変光源素子のＬＤ出力チャネル間隔からＬＤと光干渉型フィルタの出力周波数の温度変化率の比の分だけずらして選択することによって、波長可変光源素子と波長ロッカーの光フィルタとを同一温度で動作させる。これによって、温度制御回路が１系統の波長可変光送信器を実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る波長可変光源モジュールを示す構成図である。 本発明の第２の実施形態に係る波長可変光送信器を示す構成図である。 本発明の第１の実施形態における制御温度が変化した際の波長検出用ＰＤの受光電流特性（エタロン透過特性）を示す特性図である。 エタロンフィネスに対するΔｆ_20-80の変化を表した特性図である。 本発明の第１の実施形態におけるＬＤ各出力周波数チャネルにおけるＬＤ、エタロン素子の制御温度を示す表である。 代表的な温度制御型波長可変光源素子の構成を示す構成図である。 図４のＬＤ制御温度に対する出力周波数チャネルを示す特性図である。 代表的な波長ロッカーの構成を示す構成図である。 従来の温度制御型の波長可変光源モジュールを示す構成図である。 従来の光周波数に対する波長検出用ＰＤの受光電流特性（エタロン透過特性）を示す特性図である。 従来の温度制御型の波長可変光源モジュールのＬＤ各出力周波数チャネルにおけるＬＤ、エタロン素子の制御温度を示す表である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１Ａに本発明の第一の実施形態に係る波長可変光源モジュール１００を示す。図１Ａにおいて、１０１は筐体、１０２は温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）、１０３は波長可変光源素子、１０４は温度検出抵抗素子（サーミスタ素子）、１０５ａ，１０５ｂはレンズ、１０６はアイソレータ、１０７は波長ロッカー、１０８は光ファイバを示す。

温度制御型の波長可変光源素子１０３は、図５に示す構成のものと同じであり、ＤＦＢ−ＬＤアレイや光合波器や半導体光増幅器等を有している。
波長ロッカー１０７は、図７に示す波長ロッカー構成においてサーミスタ素子１７を除く構成のものであり、第１及び第２のビームスプリッタや光干渉型フィルタ（エタロン素子）や波長検出用ＰＤや光強度検出用ＰＤを有している。
波長可変光源素子１０３から出力された光は、波長ロッカー１０７を通過すると共に、通過する光の一部が分岐され光干渉型フィルタを透過して波長検出用ＰＤにより光の波長が検出され、且つ、通過する光の一部が分岐されて光強度検出用ＰＤにより光の強度が検出される。

本実施形態に係る波長可変光源モジュール１００では、波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７は、同一の温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）１０２上に搭載されている。また、波長可変光源素子１０３の温度を検出する温度検出抵抗素子（サーミスタ素子）１０４は、波長可変光源素子１０３の近傍で温度制御素子基板１０２上に配置されている。

結局、この波長可変光源モジュール１００では、１つの温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）１０２のみを有しており、波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７を、同一の温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）１０２上に搭載している。

ここで、波長可変光源素子１０３の出力周波数のチャネル間隔をΔｆ_LD（ＧＨｚ）、出力周波数を１チャネル変えるために必要なＤＦＢ−ＬＤ温度変化をΔＴ_LD（℃）、ＬＤの出力周波数の温度特性係数をa(GHz/℃)、波長ロッカー１０７に備えられた光干渉型フィルタとして機能するエタロン素子のピーク周波数の温度特性係数をb(GHz/℃) とすると、本実施形態に係る波長可変光源モジュール１００では、エタロン素子の隣接したピーク周波数間隔ＦＳＲe（ＧＨｚ）はＦＳＲe＝Δｆ_LD×(1-b/a)となるように選択している。

このようにエタロン素子の素子特性を選択していることにより、波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７の光干渉型フィルタ（エタロン素子）とを、同一の温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）１０２上に搭載して同一温度で動作させることができ、これによって、温度制御回路が１系統の波長可変光源モジュール１００を実現している。

上記のようにＦＳＲe＝Δｆ_LD×(1-b/a)となるように素子特性を選択することにより、波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７の光干渉型フィルタ（エタロン素子）とを同一温度で動作させることができる波長可変光源モジュール１００を実現できることを、以下に説明する。

図２にエタロン素子が水晶の場合（ｂ＜０）のＬＤ温度が変化したときの、波長検出用ＰＤの受光電流特性（エタロン透過特性）の変化を示す。水晶は温度係数が負であるため、温度が下がると（Ｔ８→Ｔ７→Ｔ６）、ピーク周波数は高周波側にシフトする。例えばＬＤ制御温度がＴ８→Ｔ７へΔＴ_LD（℃）だけ変化すると、エタロン素子の温度も同量変化すると、エタロンピーク周波数feはｂ（ＧＨｚ/℃）×ΔＴ_LD（℃）だけシフトする。
また、ΔＴ_LD＝Δf_LD/aより、
ＦＳＲe＝Δf_LD−Δfe＝Δf_LD−（ｂ×ΔＴ_LD）＝Δf_LD−（ｂ×Δf_LD/a）＝Δf_LD×（1-b/a）
と表すことができる。

例えば、Δf_LD =50(GHz)、a=−0.6(GHz/℃)（水晶c軸に水平な向きをエタロン共振器に使った場合）、b=−12.5(GHz/℃)とするとFSRe=47.6(GHz)に設定すればよい。また、水晶ｃ軸に垂直方向をエタロン共振器に用いた場合（a=−1.2(GHz/℃)）、FSRe=45.2(GHz)に、溶融シリカ（a=+1.2(GHz/℃)）をエタロン素子に用いた場合はFSRe=54.8(GHz)に設定すればよい。

次にエタロンＦＳＲの作製許容度について説明する。エタロンＦＳＲの作製許容度を±ΔＦＳＲとすると、100ch離れたチャネルでは100×（±ΔＦＳＲ）だけロックポイント波長がずれることになる。例えば、ΔＦＳＲ＝±30ＭＨｚとすると100ｃｈ先ではロックポイント波長は±3ＧＨｚずれることになる。また、通常、エタロン透過特性のピーク値とボトム値を各々100％と0％としたとき、約20％から80％の間の傾斜度の高い範囲にロックポイントを設定する。100ｃｈ先でロックポイント波長が±3ＧＨｚずれた場合でも上記傾斜部（20−80％）の周波数帯域Δｆ_20-80（ＧＨｚ）に入っていれば問題ない。つまり、ΔＦＳＲはΔｆ_20-80の約1/2以下に設定すればよい。

図３にエタロン素子のフィネス（横軸）に対するΔｆ_20-80の変化を示す。フィネスが大きくなるとΔｆ_20-80は減少し、フィネスが0.1、0.3、0.6の場合、ΔＦＳＲは各々±5、±4.4、±2.5（ＧＨｚ）以内であればよい。

図４に本発明の実施形態に係る波長可変光源モジュール１００の各出力チャネルに対するＬＤ制御温度と波長ロッカー温度を示す。同図に示すように、波長可変光源素子１０３のＬＤと同じ制御温度で波長ロッカー１０７は動作する。

（第２の実施形態）
ここで、上述した波長可変光源モジュール１００を用いた波長可変送信器２００を、本発明の第２の実施形態として、図１Ｂを参照して説明する。

波長可変送信器２００は、波長可変光源モジュール１００（図１Ａ参照）と、出力波長制御機構１５０と、出力光パワー制御機構１５１とで構成されている。
波長ロッカー１０７に備えた波長検出用のＰＤ１２の出力信号、即ち、波長検出信号は、出力波長制御機構１５０に送られるようなっている。
また、波長ロッカー１０７に備えた光強度検出用のＰＤ１３の出力信号、即ち、光強度検出信号は、出力光パワー制御機構１５１に送られるようなっている。

出力波長制御機構１５０は、波長検出信号の値に応じて、波長可変光源モジュール１００から出力される光の波長が所望の波長となるように、温度制御素子基板１０２による制御温度に対して負帰還制御をかけて波長可変光源素子１０３の温度制御をする。
出力光パワー制御機構１５１は、光強度検出信号の値に応じて、波長可変光源モジュール１００から出力される光の強度が所望の強度となるように、波長可変光源素子１０３の半導体光増幅器の駆動電流に対して負帰還制御をかける。
かくして、波長可変光源モジュール１００から出力される光の周波数が固定される共に、光強度が一定となる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の各種変形例を、第３の実施形態として以下に説明する。
本発明で用いる波長可変光源素子としては、温度制御型の波長可変機構を備えていれば何を用いても構わない。ＤＦＢレーザ単体はいうまでもなく、ＤＦＢレーザアレイやＤＦＢレーザアレイを含む外部共振器型の波長可変光源素子でも構わない。
但し、半導体光増幅器を含まない構成の場合、光出力はＤＦＢレーザの駆動電流に負帰還制御がかかるため出力波長に影響を与え、光出力と波長の双方を安定化するための制御シーケンスが複雑化する可能性がある。

また、本発明で用いる波長ロッカーの構成としては図７に示した構成に限らない（例えば非特許文献３参照）。
また、本実施例では半導体素子が波長可変光源素子の場合のみ示したが、電界吸収（ＥＡ）型光変調器やマッハ・ツェンダ（ＭＺ）型光変調器等の各種光変調器が波長可変光源素子と一体的に集積化された光変調器付き波長可変光源素子についても、図１と同様のモジュール構成が可能である。

また、エタロン素子は干渉型光学フィルタ（光干渉型フィルタ）であれば他の構成でも構わず、例えばリング型光共振器やＭＺフィルタを用いても構わない。

１００ 波長可変光源モジュール
１０１ 筐体
１０２ 温度制御素子基板（ペルチェ素子基板）
１０３ 波長可変光源素子
１０４ 温度検出抵抗素子（サーミスタ素子）
１０５ａ，１０５ｂ レンズ
１０６ アイソレータ
１０７ 波長ロッカー
１０８ 光ファイバ
１５０ 出力波長制御機構
１５１ 出力光パワー制御機構
２００ 波長可変光送信器

Claims (10)

1. 分布帰還型半導体レーザ素子を有しており、温度を制御することにより出力する光の波長が制御される温度制御型の波長可変光源素子と、
   前記波長可変光源素子から出力された光が通過すると共に、通過する光の一部を分岐して光干渉型フィルタを透過させた後の光を検出することにより光の波長を検出し、且つ、通過する光の一部を分岐して光の強度を検出する波長ロッカーとが、
   同一の温度制御素子基板上に搭載されており、
   前記光干渉型フィルタは、その隣接したピーク周波数間隔FSRe(GHz)が、前記波長可変光源素子の隣接した出力チャネルの周波数間隔Δf_LD(GHz)、前記分布帰還型半導体レーザ素子の出力周波数の温度変化率a(GHz/℃)、および前記光干渉型光フィルタのピーク周波数の温度変化率b(GHz/℃)を用いて、FSRe＝Δf_LD×(1−b/a)となるように選択されていることを特徴とする波長可変光源モジュール。
2. 請求項１において、
   前記波長可変光源素子は、単一または複数の分布帰還型半導体レーザ素子を含む構成であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記波長可変光源素子は、分布帰還型半導体レーザ素子アレイと半導体光増幅器とそれらを光学的に結合する光合波器とが一体的に集積されている構成であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記波長可変光源素子と光変調器とが同一基板上に一体的に集積されていることを特徴とする波長可変光源モジュール。
5. 請求項４において、
   前記光変調器が電界吸収型光変調器であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
6. 請求項４において、
   前記光変調器がマッハ・ツェンダ型光変調器であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記光干渉型フィルタはエタロン素子であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記光干渉型フィルタはリング共振器であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
9. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記光干渉型フィルタはマッハ・ツェンダ干渉計であることを特徴とする波長可変光源モジュール。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項の波長可変光源モジュールと、
    前記波長ロッカーにより検出した光の波長の値によって前記波長可変光源素子の制御温度に負帰還制御をかける出力波長制御機構と、
    前記波長ロッカーにより検出した光の強度の値によって、前記波長可変光源素子に備えた半導体光増幅器の駆動電流に負帰還制御をかける出力光パワー制御機構と、
    を備えたことを特徴とする波長可変光送信器。

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