JP5718007B2 - 半導体光導波路素子の製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1に係る半導体光導波路素子について説明する。以下では、はじめに本実施の形態1に係る半導体光導波路素子の構成を説明し、つぎにこの半導体光導波路素子の動作を説明し、つぎにこの半導体光導波路素子の製造方法の一例を説明する。
図1は、実施の形態1に係る半導体光導波路素子の模式的な平面図である。図1に示すように、この半導体光導波路素子100は、順次接続した、スポットサイズ変換部であるスポットサイズ変換器11と、曲げ導波路12と、電流または電圧で動作制御を行なう能動部である半導体光増幅器13と、曲げ導波路14と、スポットサイズ変換器15とを備えている。図1は、これらの導波路のコア層(または活性コア層)の幅方向の形状を示している。
つぎに、この半導体光導波路素子100の動作を説明する。まず、この半導体光導波路素子100を、たとえばPLC導波路に接続する。そして、入力側のPLC導波路から波長1.55μm帯の光を入力して、光入射端面100aおよび窓構造100cを介してスポットサイズ変換器11に入力させる。
つぎに、本実施の形態1に係る半導体光導波路素子100の製造方法の一例について、図5〜図10を用いて説明する。
本発明の実施例1として、上記の製造方法に従って半導体光導波路素子100の構造を有する半導体光導波路素子を製造した。そして、実施例1の半導体光導波路素子をキャリアにボンディングし、PLC導波路との結合損失を評価した。なお、PLC導波路は、コア層とクラッド部との比屈折率差Δが1.2%であり、コア層の断面のサイズが6μm×6μmのものを使用した。その結果、結合損失は約0.5dBと非常に良好であった。
また従来の形態の半導体光導波路素子において、半導体光増幅器13の上部のクラッド領域C1に相当する領域の厚さを本発明の実施例1におけるコア層110の上部のクラッド領域C2の厚さと同じにした場合と比較すると、素子抵抗で約1Ωの低減が可能であり、消費電力は約20〜30%低減が可能であった。
つぎに、本発明の実施の形態2に係る半導体光導波路素子について説明する。以下では、はじめに本実施の形態2に係る半導体光導波路素子の構成を説明し、つぎにこの半導体光導波路素子の動作を説明し、つぎにこの半導体光導波路素子の製造方法の一例を説明する。
図11は、実施の形態2に係る半導体光導波路素子の模式的な平面図である。図11に示すように、この半導体光導波路素子200は、図1に示す実施の形態1の係る半導体光導波路素子100と同様に、順次接続した、スポットサイズ変換器21と、曲げ導波路22と、半導体光増幅器23と、曲げ導波路24と、スポットサイズ変換器25とを備えている。図11は、これらの導波路のコア層(または活性コア層)の幅方向の形状を示している。
この半導体光導波路素子200は、半導体光導波路素子100と同様に動作させることができる。すなわち、半導体光導波路素子200をたとえばPLC導波路に接続し、半導体光増幅器23に電流を注入するとともに入力側のPLC導波路から波長1.55μm帯の光を入力することによって、増幅光を出力側のPLC導波路に出力することができる。
つぎに、本実施の形態2に係る半導体光導波路素子200の製造方法の一例について、図15〜図18を用いて説明する。
本発明の実施例2として、上記の製造方法に従って半導体光導波路素子200の構造を有する半導体光導波路素子を製造した。そして、実施例2の半導体光導波路素子をキャリアにボンディングし、PLC導波路との結合損失を評価した。なお、PLC導波路は、コア層とクラッド部との比屈折率差Δが1.2%であり、コア層の断面のサイズが6μm×6μmのものを使用した。その結果、結合損失は約0.7dBと非常に良好であった。
12、14、22、24 曲げ導波路
13、23 半導体光増幅器
100、200 半導体光導波路素子
100a、200a 光入射端面
100b、200b 光出射端面
100c、100d、200c、200d 窓構造
101、201 n側電極
102、202 基板
103、203 下部クラッド層
104、204 活性コア層
105、107、111、205、207、211 上部クラッド層
106、206 埋込層
106a、206a 半絶縁層
106b、206b n型InP層
108、208 コンタクト層
109,209 p側電極
110、210 コア層
112、212 保護膜
AA1、AA2 能動領域
C1〜C4 クラッド領域
M1 マスク
M2、M3 ストライプパターンマスク
M4 選択成長用マスク
Mesa メサ構造
O 開口部
PA1、PA2 受動領域
Wg 開口幅
Wm マスク幅
Claims (2)
- 埋込型の半導体光導波路素子の製造方法であって、
活性コア層を含む半導体積層構造を形成する能動領域形成工程と、
前記活性コア層に接続するように形成したコア層を含む積層構造を形成する受動領域形成工程と、
前記活性コア層を含む積層構造および前記コア層を含む積層構造の上にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを用いたエッチングにより、前記活性コア層を含むメサ構造と、前記コア層を含み、前記活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に該コア層を形成したメサ構造とを形成するメサ構造形成工程と、
前記受動領域の少なくとも一部において前記エッチングマスクを除去する第1マスク除去工程と、
前記形成したメサ構造を埋め込む埋込層を成長する埋込成長工程と、
前記能動領域において前記エッチングマスクを除去する第2マスク除去工程と、
前記能動領域および前記受動領域に上部クラッド層を形成する上部クラッド層形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体光導波路素子の製造方法。 - 埋込型の半導体光導波路素子の製造方法であって、
活性コア層を含む半導体積層構造を形成する能動領域形成工程と、
前記活性コア層に接続するように形成したコア層を含む積層構造を形成する受動領域形成工程と、
前記活性コア層を含む積層構造および前記コア層を含む積層構造の上にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを用いたエッチングにより、前記活性コア層を含むメサ構造と、前記コア層を含み、前記活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に該コア層を形成したメサ構造とを形成するメサ構造形成工程と、
前記形成したメサ構造を埋め込む埋込層を成長する埋込成長工程と、
前記エッチングマスクを除去するマスク除去工程と、
前記受動領域の上に、前記メサ構造を挟むように選択成長マスクを形成する選択成長マスク形成工程と、
前記能動領域および前記受動領域に上部クラッド層を形成する上部クラッド層形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体光導波路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010214261A JP5718007B2 (ja) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | 半導体光導波路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012069799A JP2012069799A (ja) | 2012-04-05 |
JP5718007B2 true JP5718007B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=46166686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010214261A Active JP5718007B2 (ja) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | 半導体光導波路素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5718007B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9742150B1 (en) | 2016-09-06 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Optical amplifier devices and silicon photonic circuit devices comprising such optical amplifier devices |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6247944B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-12-13 | 日本オクラロ株式会社 | 水平共振器面出射型レーザ素子 |
JP7247120B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2023-03-28 | 古河電気工業株式会社 | 光集積素子および光モジュール |
WO2020144752A1 (ja) | 2019-01-09 | 2020-07-16 | 三菱電機株式会社 | 光半導体集積素子 |
US20220376474A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-11-24 | Nippontelegraph And Telephone Corporation | Optical Transmitter |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915435A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光結合デバイスおよび光機能デバイス |
JPH10117045A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子 |
JP3450210B2 (ja) * | 1999-03-01 | 2003-09-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-09-24 JP JP2010214261A patent/JP5718007B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9742150B1 (en) | 2016-09-06 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Optical amplifier devices and silicon photonic circuit devices comprising such optical amplifier devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012069799A (ja) | 2012-04-05 |
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