JP2000269600A - 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス - Google Patents
高出力広帯域光源及び光増幅デバイスInfo
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- JP2000269600A JP2000269600A JP11073903A JP7390399A JP2000269600A JP 2000269600 A JP2000269600 A JP 2000269600A JP 11073903 A JP11073903 A JP 11073903A JP 7390399 A JP7390399 A JP 7390399A JP 2000269600 A JP2000269600 A JP 2000269600A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅利得が大きく帯域幅が広い高出力広帯域
光源及び光増幅デバイスを提供する。 【解決手段】 スラブ状の活性層３の真上の上部第２ク
ラッド層５、コンタクト層６及び上部電極７が略矩形断
面形状を有し、かつ所望幅パターン形状に形成されてい
るので、光は上記各層の略真下の活性層３の領域内に閉
じ込められて自然放出光が発生し、パターン形状の略真
下の活性層３内を導波しながら増幅されるので、大きな
増幅利得が得られる。広帯域化に関しては、上部第２ク
ラッド層５、コンタクト層６及び上部電極７を積層体の
一方の端面から他方の端面に向かって少なくとも複数並
列に分離して設け、それぞれの上部電極７に独立に電流
を流すことによって実現することができる。
光源及び光増幅デバイスを提供する。 【解決手段】 スラブ状の活性層３の真上の上部第２ク
ラッド層５、コンタクト層６及び上部電極７が略矩形断
面形状を有し、かつ所望幅パターン形状に形成されてい
るので、光は上記各層の略真下の活性層３の領域内に閉
じ込められて自然放出光が発生し、パターン形状の略真
下の活性層３内を導波しながら増幅されるので、大きな
増幅利得が得られる。広帯域化に関しては、上部第２ク
ラッド層５、コンタクト層６及び上部電極７を積層体の
一方の端面から他方の端面に向かって少なくとも複数並
列に分離して設け、それぞれの上部電極７に独立に電流
を流すことによって実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力広帯域光源
及び光増幅デバイスに関する。
及び光増幅デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い、幹線系、
アクセス系、データコム等で情報伝送が急増しており、
大規模な波長多重光通信システムの実現が望まれてい
る。このシステムを実現する上では高出力で多波長の光
を出力する光源が主要な光部品の一つであり、開発が急
がれている。この種の光源として、以下の四つの方式が
提案されている。すなわち、 (1) ＤＦＢレーザアレイ (2) ＤＢＲレーザアレイ (3) 広い発光スペクトルを有する光源の光を分波器等で
スライスする方式（スペクトルスライス多波長光源） (4) 多波長外部グレーティングレーザアレイ である。上記(3) の方式の中には、ＬＥＤ光源方式、ス
ーパールミネッセントダイオード方式、スーパーコンテ
ィニューム方式、モードロックＬＤ方式がある。
アクセス系、データコム等で情報伝送が急増しており、
大規模な波長多重光通信システムの実現が望まれてい
る。このシステムを実現する上では高出力で多波長の光
を出力する光源が主要な光部品の一つであり、開発が急
がれている。この種の光源として、以下の四つの方式が
提案されている。すなわち、 (1) ＤＦＢレーザアレイ (2) ＤＢＲレーザアレイ (3) 広い発光スペクトルを有する光源の光を分波器等で
スライスする方式（スペクトルスライス多波長光源） (4) 多波長外部グレーティングレーザアレイ である。上記(3) の方式の中には、ＬＥＤ光源方式、ス
ーパールミネッセントダイオード方式、スーパーコンテ
ィニューム方式、モードロックＬＤ方式がある。
【０００３】特にスーパールミネッセントダイオード方
式は大出力が得られ、広帯域な発光スペクトルが得られ
ることで有望視されている。
式は大出力が得られ、広帯域な発光スペクトルが得られ
ることで有望視されている。
【０００４】図７は高出力広帯域光源としてのスーパー
ルミネッセントダイオードの従来例を示す外観斜視図で
ある。図８（ａ）は図７に示した高出力広帯域光源の電
流−光出力特性を示す図であり、図８（ｂ）は図７に示
した高出力広帯域光源の発光スペクトルを示す図であ
る。図８（ａ）において横軸が電流を示し、縦軸が光出
力を示し、図８（ｂ）において横軸は波長を示し、縦軸
が光強度を示す。
ルミネッセントダイオードの従来例を示す外観斜視図で
ある。図８（ａ）は図７に示した高出力広帯域光源の電
流−光出力特性を示す図であり、図８（ｂ）は図７に示
した高出力広帯域光源の発光スペクトルを示す図であ
る。図８（ａ）において横軸が電流を示し、縦軸が光出
力を示し、図８（ｂ）において横軸は波長を示し、縦軸
が光強度を示す。
【０００５】図７に示すスーパールミネッセントダイオ
ードは、ＩｎＰからなる基板４０上にスラブ状のＧａＩ
ｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ多重量子井戸構造の活性層４１
を形成し、その活性層４１の上をスラブ状のＩｎＰから
なる上部クラッド層４２で覆い、その上部クラッド層４
２の上にＳｉＯ2 膜４３をパターニングすることによ
り、テーパ状の上部電極（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）４４を形
成したものである。
ードは、ＩｎＰからなる基板４０上にスラブ状のＧａＩ
ｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ多重量子井戸構造の活性層４１
を形成し、その活性層４１の上をスラブ状のＩｎＰから
なる上部クラッド層４２で覆い、その上部クラッド層４
２の上にＳｉＯ2 膜４３をパターニングすることによ
り、テーパ状の上部電極（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）４４を形
成したものである。
【０００６】上部電極４４とＩｎＰ基板裏面に形成され
た下面電極（ＡｕＧｅ／Ａｕ）４５との間に電流を注入
すると、活性層領域各所で自然放出光が発生し、この自
然放出光が導波構造によって活性層領域中を伝搬する。
この誘導放出により光増幅が行われる。
た下面電極（ＡｕＧｅ／Ａｕ）４５との間に電流を注入
すると、活性層領域各所で自然放出光が発生し、この自
然放出光が導波構造によって活性層領域中を伝搬する。
この誘導放出により光増幅が行われる。
【０００７】そこで、このダイオード長を数ｍｍ程度ま
で長くすることによって高出力化が図られている。しか
し、この高出力化により出力端付近での光強度が非常に
強くなるために、誘導放出によってキャリアが消費され
てしまい、利得が飽和して出力が制限されてしまう。
で長くすることによって高出力化が図られている。しか
し、この高出力化により出力端付近での光強度が非常に
強くなるために、誘導放出によってキャリアが消費され
てしまい、利得が飽和して出力が制限されてしまう。
【０００８】そのため、テーパ構造の上部電極４４を用
いることにより、パワー密度を低減し利得飽和が防止さ
れている。また、ダイオードの両端の劈開面５５−１、
５５−２からの反射光が活性層４１に戻るとレーザ発振
を起こし、スーパールミネッセントダイオードとして動
作しなくなるので、両劈開面５５−１、５５−２に対し
て上部電極４４のパターンを傾斜させると共に、後端側
４６には非励起の吸収領域を設けることによってレーザ
発振の抑制を行っている（森、他：多波長スペクトルス
ライス光源のための高出力ＳＬＤの特性解析と試作、信
学技報ＯＰＥ９８−６、１９９８−５、ｐ．３１〜ｐ．
３６）。
いることにより、パワー密度を低減し利得飽和が防止さ
れている。また、ダイオードの両端の劈開面５５−１、
５５−２からの反射光が活性層４１に戻るとレーザ発振
を起こし、スーパールミネッセントダイオードとして動
作しなくなるので、両劈開面５５−１、５５−２に対し
て上部電極４４のパターンを傾斜させると共に、後端側
４６には非励起の吸収領域を設けることによってレーザ
発振の抑制を行っている（森、他：多波長スペクトルス
ライス光源のための高出力ＳＬＤの特性解析と試作、信
学技報ＯＰＥ９８−６、１９９８−５、ｐ．３１〜ｐ．
３６）。
【０００９】図７に示すような構造において、図８
（ａ）、（ｂ）より、高出力（８００ｍＷ）及び広帯域
（３ｄＢ帯域で約３０ｎｍ）特性が得られている。
（ａ）、（ｂ）より、高出力（８００ｍＷ）及び広帯域
（３ｄＢ帯域で約３０ｎｍ）特性が得られている。
【００１０】図９（ａ）はスーパールミネッセントダイ
オードの他の従来例を示す外観斜視図であり、図９
（ｂ）は図９（ａ）に示したスーパールミネッセントダ
イオードのＡ−Ａ線断面図である。
オードの他の従来例を示す外観斜視図であり、図９
（ｂ）は図９（ａ）に示したスーパールミネッセントダ
イオードのＡ−Ａ線断面図である。
【００１１】同図９（ａ）に示すダイオードは基板４０
上に矩形断面構造で、かつ伝搬方向にエクスポネーシャ
ルなテーパ形状に変化した活性層４１を形成し、その活
性層４１の上に導波層４７及び上部クラッド層４２を形
成した埋め込み型の半導体光増幅器であり、上部電極４
４と下面電極４５との間に電流を注入し、領域５２に入
射した光を領域５４から高い利得（２０ｄＢ以上）で増
幅して出射させることができる。
上に矩形断面構造で、かつ伝搬方向にエクスポネーシャ
ルなテーパ形状に変化した活性層４１を形成し、その活
性層４１の上に導波層４７及び上部クラッド層４２を形
成した埋め込み型の半導体光増幅器であり、上部電極４
４と下面電極４５との間に電流を注入し、領域５２に入
射した光を領域５４から高い利得（２０ｄＢ以上）で増
幅して出射させることができる。
【００１２】図１０及び図１１はスーパールミネッセン
トダイオードの他の従来例を示す外観斜視図である。
トダイオードの他の従来例を示す外観斜視図である。
【００１３】これらのダイオードも図７に示したダイオ
ードと同様にスラブ状の活性層４１を用いて構成したも
のである。
ードと同様にスラブ状の活性層４１を用いて構成したも
のである。
【００１４】すなわち、図１０に示したダイオードは、
基板４０上にスラブ状の下部クラッド層４８、活性層４
１、上部クラッド層４２及びコンタクト層４９を順次形
成し、コンタクト層４９の上に誘電体層５０を形成し、
誘電体層５０の上に二つのテーパ状の上部電極４４−
１、４４−２を形成したものであり、図１１に示したダ
イオードは、誘電体層５０の上に四つのテーパ状の上部
電極４４−１〜４４−４を形成したものであり、共に上
部電極と下面電極４５との間に電流を注入するようにし
たものである。領域５２から活性層４１内に入射した光
を光増幅領域５３で増幅し、大出力の光を光出射領域５
４から出射させるようにしたものである。このような構
成において電極パターンが複数設けられているのは、い
ずれの電極に電流を注入するかによって出射光のビーム
偏向を電気的に制御するためである。
基板４０上にスラブ状の下部クラッド層４８、活性層４
１、上部クラッド層４２及びコンタクト層４９を順次形
成し、コンタクト層４９の上に誘電体層５０を形成し、
誘電体層５０の上に二つのテーパ状の上部電極４４−
１、４４−２を形成したものであり、図１１に示したダ
イオードは、誘電体層５０の上に四つのテーパ状の上部
電極４４−１〜４４−４を形成したものであり、共に上
部電極と下面電極４５との間に電流を注入するようにし
たものである。領域５２から活性層４１内に入射した光
を光増幅領域５３で増幅し、大出力の光を光出射領域５
４から出射させるようにしたものである。このような構
成において電極パターンが複数設けられているのは、い
ずれの電極に電流を注入するかによって出射光のビーム
偏向を電気的に制御するためである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７か
ら図１１に示した従来例には以下のような問題がある。 (1) 図７、図１０及び図１１に示した構成は、活性層が
スラブ構造であり、その活性層内への光の閉じ込めは上
部電極パターン及びその電極に流す電流に依存している
が、その光閉じ込め性は悪いため、増幅利得を大きくと
るのが難しい。また、電流を増加すると出力は増加する
が、消費電力も増加してしまう。さらに、帯域特性につ
いて考慮すると、図７に示した構成で３１ｎｍ程度の帯
域が得られているが、それよりも広帯域化を図ろうとす
ると、ダイオードの素子長を短くせねばならず、高出力
化が困難である。
ら図１１に示した従来例には以下のような問題がある。 (1) 図７、図１０及び図１１に示した構成は、活性層が
スラブ構造であり、その活性層内への光の閉じ込めは上
部電極パターン及びその電極に流す電流に依存している
が、その光閉じ込め性は悪いため、増幅利得を大きくと
るのが難しい。また、電流を増加すると出力は増加する
が、消費電力も増加してしまう。さらに、帯域特性につ
いて考慮すると、図７に示した構成で３１ｎｍ程度の帯
域が得られているが、それよりも広帯域化を図ろうとす
ると、ダイオードの素子長を短くせねばならず、高出力
化が困難である。
【００１６】(2) 図９に示した構成は活性層の断面が矩
形状に形成されているので、その活性層内への光の閉じ
込め性は良好であるものの、活性層を矩形状にエッチン
グ加工するときに生じる活性層の側面荒れに起因する光
の伝搬損失が増加し、光出力が大幅に低下する。この光
出力を増加させようとすると、電流値を大きくしなけれ
ばならず、消費電力が増加してしまう。また、このよう
な構成は、活性層を矩形断面形状にドライエッチングす
る工程と、活性層を覆うようにクラッド層及びコンタク
ト層を結晶成長させる工程とを付加しなければならず、
低コストで製造するのが困難である。
形状に形成されているので、その活性層内への光の閉じ
込め性は良好であるものの、活性層を矩形状にエッチン
グ加工するときに生じる活性層の側面荒れに起因する光
の伝搬損失が増加し、光出力が大幅に低下する。この光
出力を増加させようとすると、電流値を大きくしなけれ
ばならず、消費電力が増加してしまう。また、このよう
な構成は、活性層を矩形断面形状にドライエッチングす
る工程と、活性層を覆うようにクラッド層及びコンタク
ト層を結晶成長させる工程とを付加しなければならず、
低コストで製造するのが困難である。
【００１７】(3) 図７、図１０及び図１１に示したダイ
オードに共通した問題点として、広帯域化を図ろうとす
ると、両端面に広帯域にわたって低反射率のコーティン
グ膜を形成しなければならない。しかし、５０ｎｍ以上
の広帯域にわたって低反射率のコーティング膜を実現す
ることは困難である。このため、テーパ状の電極パター
ン幅を広げたり、テーパ状活性層の幅を広げることがな
されているが、活性層の幅をあまり広くすると、出射光
を光ファイバへ結合させるのにレンズを設けなければな
らない。
オードに共通した問題点として、広帯域化を図ろうとす
ると、両端面に広帯域にわたって低反射率のコーティン
グ膜を形成しなければならない。しかし、５０ｎｍ以上
の広帯域にわたって低反射率のコーティング膜を実現す
ることは困難である。このため、テーパ状の電極パター
ン幅を広げたり、テーパ状活性層の幅を広げることがな
されているが、活性層の幅をあまり広くすると、出射光
を光ファイバへ結合させるのにレンズを設けなければな
らない。
【００１８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、増幅利得が大きく帯域幅が広い高出力広帯域光源及
び光増幅デバイスを提供することにある。
し、増幅利得が大きく帯域幅が広い高出力広帯域光源及
び光増幅デバイスを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の高出力広帯域光源は、裏面に下面電極を有す
る化合物半導体基板上にスラブ状の下部クラッド層、活
性層及び上部第１クラッド層が順次積層され、この上部
第１クラッド層の上に、略矩形断面形状の上部第２クラ
ッド層及びコンタクト層が順次積層され、上部第２クラ
ッド層の側面、コンタクト層の側面及び上部第１クラッ
ド層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ層が順次
形成され、コンタクト層の上に上部電極が形成された積
層体の両端面が無反射コーティング層で覆われ、上部第
２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が上記積層体
の一方の端面から他方の端面に向かって所望長さだけ直
線状に形成されると共に、さらに他方の端面に向かって
幅が広がるテーパ状に形成され、上部電極から下面電極
に電流を流すと他方の端面から光を出射するものであ
る。
に本発明の高出力広帯域光源は、裏面に下面電極を有す
る化合物半導体基板上にスラブ状の下部クラッド層、活
性層及び上部第１クラッド層が順次積層され、この上部
第１クラッド層の上に、略矩形断面形状の上部第２クラ
ッド層及びコンタクト層が順次積層され、上部第２クラ
ッド層の側面、コンタクト層の側面及び上部第１クラッ
ド層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ層が順次
形成され、コンタクト層の上に上部電極が形成された積
層体の両端面が無反射コーティング層で覆われ、上部第
２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が上記積層体
の一方の端面から他方の端面に向かって所望長さだけ直
線状に形成されると共に、さらに他方の端面に向かって
幅が広がるテーパ状に形成され、上部電極から下面電極
に電流を流すと他方の端面から光を出射するものであ
る。
【００２０】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、積層体の他方の端面から出射される光はインコヒー
レント光であってもよい。
は、積層体の他方の端面から出射される光はインコヒー
レント光であってもよい。
【００２１】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、積層体の一方の端面から同一幅で所望長さを有する
上部電極は、一方の端面の近傍が除去されていてもよ
い。
は、積層体の一方の端面から同一幅で所望長さを有する
上部電極は、一方の端面の近傍が除去されていてもよ
い。
【００２２】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極は
両端面に対して斜めに設けられていてもよい。
は、上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極は
両端面に対して斜めに設けられていてもよい。
【００２３】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、上部第２クラッド、コンタクト層及び上部電極は積
層体の一方の端面から他方の端面に向かって複数、並列
に分離して形成され、各上部電極に独立に電流が流れる
ようにしてもよい。
は、上部第２クラッド、コンタクト層及び上部電極は積
層体の一方の端面から他方の端面に向かって複数、並列
に分離して形成され、各上部電極に独立に電流が流れる
ようにしてもよい。
【００２４】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、上部第２クラッド、コンタクト層及び上部電極のテ
ーパ状に幅を広げた構造は直線的かあるいは曲線的な広
がり構造であってもよい。
は、上部第２クラッド、コンタクト層及び上部電極のテ
ーパ状に幅を広げた構造は直線的かあるいは曲線的な広
がり構造であってもよい。
【００２５】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、下部クラッドと活性層との間に、屈折率が下部クラ
ッド層の屈折率よりも高く活性層の屈折率よりも低いバ
ッファ層が設けられていてもよい。
は、下部クラッドと活性層との間に、屈折率が下部クラ
ッド層の屈折率よりも高く活性層の屈折率よりも低いバ
ッファ層が設けられていてもよい。
【００２６】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、活性層はバルク構造あるいは多重量子井戸構造のい
ずれかであるのが好ましい。
は、活性層はバルク構造あるいは多重量子井戸構造のい
ずれかであるのが好ましい。
【００２７】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、活性層は井戸層の厚さが異なった不均一量子井戸構
造を有するのが好ましい。
は、活性層は井戸層の厚さが異なった不均一量子井戸構
造を有するのが好ましい。
【００２８】上記構成に加え本発明の高出力広帯域光源
は、無反射コーティング層が積層体の一方の端面にのみ
形成されていてもよい。
は、無反射コーティング層が積層体の一方の端面にのみ
形成されていてもよい。
【００２９】本発明の光増幅デバイスは、裏面に下面電
極を有する化合物半導体基板上にスラブ状の下部クラッ
ド層、活性層及び上部第１クラッド層が順次積層され、
この上部第１クラッド層の上に、略矩形断面形状の上部
第２クラッド層及びコンタクト層が順次積層され、上部
第２クラッド層の側面、コンタクト層の側面及び上部第
１クラッド層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ
層が順次形成され、コンタクト層の上に上部電極が形成
された積層体の両端面が無反射コーティング層で覆わ
れ、上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が
積層体の一方の端面から他方の端面に向かって所望長さ
だけ直線状に形成され、さらに他方の端面に向かって幅
が広がるテーパ状に形成され、上部電極から下面電極に
電流を流すと、一方の端面の活性層に入射された光が増
幅されて他方の端面から出射するものである。
極を有する化合物半導体基板上にスラブ状の下部クラッ
ド層、活性層及び上部第１クラッド層が順次積層され、
この上部第１クラッド層の上に、略矩形断面形状の上部
第２クラッド層及びコンタクト層が順次積層され、上部
第２クラッド層の側面、コンタクト層の側面及び上部第
１クラッド層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ
層が順次形成され、コンタクト層の上に上部電極が形成
された積層体の両端面が無反射コーティング層で覆わ
れ、上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が
積層体の一方の端面から他方の端面に向かって所望長さ
だけ直線状に形成され、さらに他方の端面に向かって幅
が広がるテーパ状に形成され、上部電極から下面電極に
電流を流すと、一方の端面の活性層に入射された光が増
幅されて他方の端面から出射するものである。
【００３０】本発明によれば、スラブ状の活性層の真上
の上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が略
矩形断面形状を有し、かつ所望幅パターン形状に形成さ
れているので、光は上記各層の略真下の活性層領域内に
閉じ込められて自然放出光が発生し、パターン形状の略
真下の活性層内を導波しながら増幅されるので、大きな
増幅利得が得られる。
の上部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極が略
矩形断面形状を有し、かつ所望幅パターン形状に形成さ
れているので、光は上記各層の略真下の活性層領域内に
閉じ込められて自然放出光が発生し、パターン形状の略
真下の活性層内を導波しながら増幅されるので、大きな
増幅利得が得られる。
【００３１】また、活性層はその上下のクラッド層で一
様にサンドイッチ状態に連続的に結晶成長で積層されて
いるので、界面の不整がほとんどない。このため、導波
損失も少なく、結果的に低消費電力で大きな光出力を得
ることができる。
様にサンドイッチ状態に連続的に結晶成長で積層されて
いるので、界面の不整がほとんどない。このため、導波
損失も少なく、結果的に低消費電力で大きな光出力を得
ることができる。
【００３２】さらに下部クラッド層、活性層、上部第１
クラッド層、上部第２クラッド層及びコンタクト層は連
続的に成膜することができるので、不純物の混入やパタ
ーニング時の界面の不整等を回避できる。また、プロセ
スが簡易なため低コスト化が期待できる。
クラッド層、上部第２クラッド層及びコンタクト層は連
続的に成膜することができるので、不純物の混入やパタ
ーニング時の界面の不整等を回避できる。また、プロセ
スが簡易なため低コスト化が期待できる。
【００３３】広帯域化に関しては、略矩形断面形状の上
部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極を積層体
の一方の端面から他方の端面に向かって少なくとも複数
並列に分離して設け、それぞれの上部電極に独立に電流
を流すことによって実現することができる。すなわち、
広い波長域を複数箇所で分担し、トータルで広帯域化を
図るようになっている。また複数の並列分離構成は本発
明の光源の素子長を最も広帯域になるように選定し、素
子長の最適化による光出力の低下を複数部構成で抑える
と共に、さらに高出力化を図ることができる。
部第２クラッド層、コンタクト層及び上部電極を積層体
の一方の端面から他方の端面に向かって少なくとも複数
並列に分離して設け、それぞれの上部電極に独立に電流
を流すことによって実現することができる。すなわち、
広い波長域を複数箇所で分担し、トータルで広帯域化を
図るようになっている。また複数の並列分離構成は本発
明の光源の素子長を最も広帯域になるように選定し、素
子長の最適化による光出力の低下を複数部構成で抑える
と共に、さらに高出力化を図ることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００３５】図１（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
一実施の形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
左側面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の右側面図、図１
（ｄ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
一実施の形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
左側面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の右側面図、図１
（ｄ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３６】この光源は、波長１．５μｍ帯用の光源を
示したものである。裏面に下面電極８を有するＩｎＰ
（ｎ+ ）からなる基板１の基板表面にスラブ状のＩｎＰ
（ｎ）からなる下部クラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰから
なる活性層３及びＩｎＰ（ｐ）からなる上部第１クラッ
ド層４が順次積層されている。上部第１クラッド層４の
上に略矩形断面形状のＩｎＰ（ｐ）からなる上部第２ク
ラッド層５及びＩｎＧａＡｓＰからなるコンタクト層６
が順次形成されている。上部第２クラッド層５の側面、
コンタクト層６の側面並びに上部第１クラッド層４の上
面には、ＳｉＯ2層１３、ポリマ層（ポリイミド層）１
４が順次形成されている。上部電極７はコンタクト層６
の上に形成されている。積層体の両端面１０、１１には
無反射コーティング層１２−１、１２−２が形成されて
いる。
示したものである。裏面に下面電極８を有するＩｎＰ
（ｎ+ ）からなる基板１の基板表面にスラブ状のＩｎＰ
（ｎ）からなる下部クラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰから
なる活性層３及びＩｎＰ（ｐ）からなる上部第１クラッ
ド層４が順次積層されている。上部第１クラッド層４の
上に略矩形断面形状のＩｎＰ（ｐ）からなる上部第２ク
ラッド層５及びＩｎＧａＡｓＰからなるコンタクト層６
が順次形成されている。上部第２クラッド層５の側面、
コンタクト層６の側面並びに上部第１クラッド層４の上
面には、ＳｉＯ2層１３、ポリマ層（ポリイミド層）１
４が順次形成されている。上部電極７はコンタクト層６
の上に形成されている。積層体の両端面１０、１１には
無反射コーティング層１２−１、１２−２が形成されて
いる。
【００３７】上部第２クラッド層５、コンタクト層６及
び上部電極７は、同一幅かつ同一パターン状に形成され
ており、一方（図では左側）の端面１０から他方（図で
は右側）の端面１１に向かって同一幅Ｗｉで長さＬｉの
領域１５と、領域１５から他方の端面１１に向かって幅
がテーパ状に広がり他端で幅Ｗｏ、長さＬｏの領域１６
とで構成されている。
び上部電極７は、同一幅かつ同一パターン状に形成され
ており、一方（図では左側）の端面１０から他方（図で
は右側）の端面１１に向かって同一幅Ｗｉで長さＬｉの
領域１５と、領域１５から他方の端面１１に向かって幅
がテーパ状に広がり他端で幅Ｗｏ、長さＬｏの領域１６
とで構成されている。
【００３８】端子９から電流ＩL を注入すると、上部第
２クラッド層５の略真下の活性層３の各領域で自然放出
光が発生する。領域１５の活性層３内で発生した自然放
出光は、上部第２クラッド層５の略矩形断面形状によっ
て略真下の活性層３内を導波されて伝搬するが、伝搬と
共に誘導放出によって増幅される。増幅された光は領域
１６でさらに増幅されて非常に高い光出力となって他方
の端面１１から矢印１７方向に放射される。
２クラッド層５の略真下の活性層３の各領域で自然放出
光が発生する。領域１５の活性層３内で発生した自然放
出光は、上部第２クラッド層５の略矩形断面形状によっ
て略真下の活性層３内を導波されて伝搬するが、伝搬と
共に誘導放出によって増幅される。増幅された光は領域
１６でさらに増幅されて非常に高い光出力となって他方
の端面１１から矢印１７方向に放射される。
【００３９】ここで、領域１６では光が伝搬するにつれ
て、テーパ状に広がるので出射端ではパワー密度が低減
し、利得飽和を抑制するように作用する。両端面１０、
１１には無反射コーティング層１２−１、１２−２が形
成されているので、両端面１０、１１からの反射による
レーザ発振を抑えることができ、矢印１７方向にはイン
コヒーレントな光を出射させることができる。なお、両
端面１０、１１を斜め（傾斜角度θ：２〜１０°）に形
成しておけば、レーザ発振を略「０」に抑えることがで
きる。
て、テーパ状に広がるので出射端ではパワー密度が低減
し、利得飽和を抑制するように作用する。両端面１０、
１１には無反射コーティング層１２−１、１２−２が形
成されているので、両端面１０、１１からの反射による
レーザ発振を抑えることができ、矢印１７方向にはイン
コヒーレントな光を出射させることができる。なお、両
端面１０、１１を斜め（傾斜角度θ：２〜１０°）に形
成しておけば、レーザ発振を略「０」に抑えることがで
きる。
【００４０】このような構成により、電流ＩL の値を増
大させることにより、光出力を増大させることができ
る。広帯域化に関しては、活性層３を多重量子井戸構造
で形成することにより実現することができる。例えば井
戸層の厚さを異ならせた不均一量子井戸構造を用いるこ
とができる。すなわち、多重量子井戸構造として７周期
構造を用いると、７周期構造の井戸層（膜厚約２〜７ｎ
ｍ、ＩｎＧａＡｓ層）と、バリア層（膜厚約８ｎｍ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層）の井戸層の厚さを順次７ｎｍから２ｎ
ｍに変えた量で形成すると、広帯域化を図ることができ
る。
大させることにより、光出力を増大させることができ
る。広帯域化に関しては、活性層３を多重量子井戸構造
で形成することにより実現することができる。例えば井
戸層の厚さを異ならせた不均一量子井戸構造を用いるこ
とができる。すなわち、多重量子井戸構造として７周期
構造を用いると、７周期構造の井戸層（膜厚約２〜７ｎ
ｍ、ＩｎＧａＡｓ層）と、バリア層（膜厚約８ｎｍ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層）の井戸層の厚さを順次７ｎｍから２ｎ
ｍに変えた量で形成すると、広帯域化を図ることができ
る。
【００４１】ここで、幅Ｗｉは３〜５μｍ、幅Ｗｏは数
十μｍ〜百数十μｍ、長さＬｉはコンマ数ｍｍ〜１ｍ
ｍ、長さＬｏは１．５〜５ｍｍの範囲が好ましい。
十μｍ〜百数十μｍ、長さＬｉはコンマ数ｍｍ〜１ｍ
ｍ、長さＬｏは１．５〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００４２】図２（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
他の実施の形態を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）
の左側面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の右側面図、図２
（ｄ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
他の実施の形態を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）
の左側面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の右側面図、図２
（ｄ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００４３】図１（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と
の相違点は、一方の端面１０側の上部電極７を一方の端
面１０の近傍で途切れるようにし、非励起の吸収領域１
８を設けた点である。
の相違点は、一方の端面１０側の上部電極７を一方の端
面１０の近傍で途切れるようにし、非励起の吸収領域１
８を設けた点である。
【００４４】この吸収領域１８を設けることにより、一
方の端面１０への無反射コーティング層１２−１を設け
なくてもよくなる。
方の端面１０への無反射コーティング層１２−１を設け
なくてもよくなる。
【００４５】図３（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
他の実施の形態を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
の左側面図、図３（ｃ）は図３（ａ）の右側面図、図３
（ｄ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
他の実施の形態を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
の左側面図、図３（ｃ）は図３（ａ）の右側面図、図３
（ｄ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【００４６】図２（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と
の相違点は、領域１５、１６を一方の端面１０から他方
の端面１１に向かって二つ並列になるように分離した点
である。すなわち、この高出力広帯域光源は、上部第２
クラッド層５−１、５−２、コンタクト層６−１、６−
２及び上部電極７−１、７−２を一方の端面１０から他
方の端面１１に向かって二つ並列に分離したものであ
る。
の相違点は、領域１５、１６を一方の端面１０から他方
の端面１１に向かって二つ並列になるように分離した点
である。すなわち、この高出力広帯域光源は、上部第２
クラッド層５−１、５−２、コンタクト層６−１、６−
２及び上部電極７−１、７−２を一方の端面１０から他
方の端面１１に向かって二つ並列に分離したものであ
る。
【００４７】このような分離構成にすることにより、光
出力は２倍近くに増加させることができると共に、素子
長さ（Ｌｉ＋Ｌｏ）を最も広帯域になるような値に選ぶ
ことができる。また、端子９−１、９−２へ注入する電
流ＩL1、ＩL2を独立に調節することによって、光出力と
帯域特性とを制御することができる。
出力は２倍近くに増加させることができると共に、素子
長さ（Ｌｉ＋Ｌｏ）を最も広帯域になるような値に選ぶ
ことができる。また、端子９−１、９−２へ注入する電
流ＩL1、ＩL2を独立に調節することによって、光出力と
帯域特性とを制御することができる。
【００４８】図４（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
他の実施の形態を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）
の左側面図、図４（ｃ）は図４（ａ）の右側面図、図４
（ｄ）は図４（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
他の実施の形態を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）
の左側面図、図４（ｃ）は図４（ａ）の右側面図、図４
（ｄ）は図４（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【００４９】図３（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と
の相違点は、他方の端面１１側に形成された二つの無反
射コーティング層１２−２ａ、１２−２ｂの波長特性が
異なるようにした点である。
の相違点は、他方の端面１１側に形成された二つの無反
射コーティング層１２−２ａ、１２−２ｂの波長特性が
異なるようにした点である。
【００５０】例えば無反射コーティング層１２−２ａに
は短波長側を中心にして低反射層となるように形成し、
無反射コーティング層１２−２ｂには長波長側を中心に
して低反射層となるように形成することによって、より
広い領域をカバーするようになっている。
は短波長側を中心にして低反射層となるように形成し、
無反射コーティング層１２−２ｂには長波長側を中心に
して低反射層となるように形成することによって、より
広い領域をカバーするようになっている。
【００５１】図５（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
他の実施の形態を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）
の左側面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の右側面図であ
る。
他の実施の形態を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）
の左側面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の右側面図であ
る。
【００５２】図４（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と
の相違点は、領域１５、１６を一方の端面１０側から他
方の端面１１側に向かって５個並列に分離した点であ
る。
の相違点は、領域１５、１６を一方の端面１０側から他
方の端面１１側に向かって５個並列に分離した点であ
る。
【００５３】すなわち、この高出力広帯域光源は、上部
第２クラッド層５−１〜５−５、コンタクト層６−１〜
６−５及び上部電極７−１〜７−５を、一方の端面１０
から他方の端面１１に向かって５個並列に分離したもの
であり、さらに高出力広帯域の出射光が得られる。
第２クラッド層５−１〜５−５、コンタクト層６−１〜
６−５及び上部電極７−１〜７−５を、一方の端面１０
から他方の端面１１に向かって５個並列に分離したもの
であり、さらに高出力広帯域の出射光が得られる。
【００５４】図６（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の
他の実施の形態を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）
の左側面図、図６（ｃ）は図６（ａ）の右側面図、図６
（ｄ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
他の実施の形態を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）
の左側面図、図６（ｃ）は図６（ａ）の右側面図、図６
（ｄ）は図６（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【００５５】図１（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と
の相違点は、下部クラッド層２と活性層３との間に、屈
折率が下部クラッド層２の屈折率（３．１６３）よりも
大きく、活性層３の屈折率（３．３７５）よりも小さい
値を有するバッファ層（屈折率３．２〜３．３）１９を
設けた点である。
の相違点は、下部クラッド層２と活性層３との間に、屈
折率が下部クラッド層２の屈折率（３．１６３）よりも
大きく、活性層３の屈折率（３．３７５）よりも小さい
値を有するバッファ層（屈折率３．２〜３．３）１９を
設けた点である。
【００５６】このような高出力広帯域光源においても図
１（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と同様の効果が得
られる。
１（ａ）〜（ｄ）に示した実施の形態と同様の効果が得
られる。
【００５７】本発明は上記実施の形態に限定されない。
まず、図１〜図６において、テーパ状の領域１６の形状
は直線的に広がるようにしてもよく、例えば指数関数的
な曲線状に広がるようにしてもよい。活性層３は多重量
子井戸構造以外にバルク構造としてもよい。ＳｉＯ2 層
１３には、Ｆ、Ｂ、Ｐ、Ｔｉなどの屈折率制御用ドーパ
ントを含んでいてもよい。ポリマ層１４には、ポリイミ
ドやポリイミドにＦ等の屈折率制御用ドーパントを含ん
だもの等を用いることができる。
まず、図１〜図６において、テーパ状の領域１６の形状
は直線的に広がるようにしてもよく、例えば指数関数的
な曲線状に広がるようにしてもよい。活性層３は多重量
子井戸構造以外にバルク構造としてもよい。ＳｉＯ2 層
１３には、Ｆ、Ｂ、Ｐ、Ｔｉなどの屈折率制御用ドーパ
ントを含んでいてもよい。ポリマ層１４には、ポリイミ
ドやポリイミドにＦ等の屈折率制御用ドーパントを含ん
だもの等を用いることができる。
【００５８】図１、図６に示した構成のものを光源とし
て用いる以外に、一方の端面１０側の活性層３内に光を
入射し、他方の端面１１側の活性層３から増幅された光
を出射するようにしてもよい。この場合には端子９から
注入される電流は、しきい値以下の順方向電流を流す必
要がある。また、一方の端面１０側の端面に無反射コー
ティング層（反射率１％以下）１２−１の代わりに、高
反射率（反射率７５〜９０％）を形成することにより、
矢印１７方向にはレーザ発振したコヒーレント光を出射
させることができる。
て用いる以外に、一方の端面１０側の活性層３内に光を
入射し、他方の端面１１側の活性層３から増幅された光
を出射するようにしてもよい。この場合には端子９から
注入される電流は、しきい値以下の順方向電流を流す必
要がある。また、一方の端面１０側の端面に無反射コー
ティング層（反射率１％以下）１２−１の代わりに、高
反射率（反射率７５〜９０％）を形成することにより、
矢印１７方向にはレーザ発振したコヒーレント光を出射
させることができる。
【００５９】基板１にはＩｎＰ以外に、ＧａＡｓを用い
てもよい。使用する波長帯は特に限定されず、短波長帯
（１．０μｍ以下）、長波長帯（１．２μｍ以上）のい
ずれにも適用することができる。
てもよい。使用する波長帯は特に限定されず、短波長帯
（１．０μｍ以下）、長波長帯（１．２μｍ以上）のい
ずれにも適用することができる。
【００６０】図３、図４及び図５に示すように複数、並
列分離して高出力化を図る構成は上記実施の形態に限定
されず、２個以上並列分離してもよい。
列分離して高出力化を図る構成は上記実施の形態に限定
されず、２個以上並列分離してもよい。
【００６１】以上において本発明によれば、 (1) 活性層内の導波損失が極めて低く、かつ活性層内へ
の光の閉じ込め性がよいので、高出力の光源を得ること
ができる。
の光の閉じ込め性がよいので、高出力の光源を得ること
ができる。
【００６２】(2) 活性層の真上の略矩形断面形状の上部
第２クラッド層と、コンタクト層と、上部電極とを一方
の端面から他方の端面に向かって複数、並列に分離して
設けた複数構造にすると共に、それぞれの上部電極に独
立に電流を流すことによって、高出力化と広帯域化とを
合わせて実現することができる。すなわち、本発明の光
源の素子長は最も広帯域になるように選定し、その素子
長の最適化による光出力低下を複数構造でさらに高出力
化を図ることができる。
第２クラッド層と、コンタクト層と、上部電極とを一方
の端面から他方の端面に向かって複数、並列に分離して
設けた複数構造にすると共に、それぞれの上部電極に独
立に電流を流すことによって、高出力化と広帯域化とを
合わせて実現することができる。すなわち、本発明の光
源の素子長は最も広帯域になるように選定し、その素子
長の最適化による光出力低下を複数構造でさらに高出力
化を図ることができる。
【００６３】(3) 製造プロセスが簡易なため、低コスト
で実現できる。また、結晶成長は１回ですむために、活
性層が不純物付着で導波損失が増加することもない。ま
た活性層とクラッドとの界面の不整も生じない。
で実現できる。また、結晶成長は１回ですむために、活
性層が不純物付着で導波損失が増加することもない。ま
た活性層とクラッドとの界面の不整も生じない。
【００６４】(4) 高出力広帯域光源以外に、高利得光増
幅デバイスとして用いることができる。
幅デバイスとして用いることができる。
【００６５】(5) 活性層内への光の閉じ込めは、a)略矩
形断面形状の上部第２クラッド層による光閉じ込めと、
b)電流注入による光の閉じ込め及び増幅の二つの作用が
働くので、より高出力化を図ることができる。
形断面形状の上部第２クラッド層による光閉じ込めと、
b)電流注入による光の閉じ込め及び増幅の二つの作用が
働くので、より高出力化を図ることができる。
【００６６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６７】増幅利得が大きく帯域幅が広い高出力広帯
域光源及び光増幅デバイスの提供を実現することができ
る。
域光源及び光増幅デバイスの提供を実現することができ
る。
【図１】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の一実施の
形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、（ｃ）
は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図
である。
形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、（ｃ）
は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図
である。
【図２】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の他の実施
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線
断面図である。
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線
断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の他の実施
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＤ−Ｄ線
断面図である。
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＤ−Ｄ線
断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の他の実施
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＥ−Ｅ線
断面図である。
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＥ−Ｅ線
断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の他の実施
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図である。
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図である。
【図６】（ａ）は本発明の高出力広帯域光源の他の実施
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ線
断面図である。
の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、
（ｃ）は（ａ）の右側面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ線
断面図である。
【図７】高出力広帯域光源としてのスーパールミネッセ
ントダイオードの従来例を示す外観斜視図である。
ントダイオードの従来例を示す外観斜視図である。
【図８】（ａ）は図７に示した高出力広帯域光源の電流
−光出力特性を示す図であり、（ｂ）は図７に示した高
出力広帯域光源の発光スペクトルを示す図である。
−光出力特性を示す図であり、（ｂ）は図７に示した高
出力広帯域光源の発光スペクトルを示す図である。
【図９】（ａ）はスーパールミネッセントダイオードの
他の従来例を示す外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に
示したスーパールミネッセントダイオードのＡ−Ａ線断
面図である。
他の従来例を示す外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に
示したスーパールミネッセントダイオードのＡ−Ａ線断
面図である。
【図１０】スーパールミネッセントダイオードの他の従
来例を示す外観斜視図である。
来例を示す外観斜視図である。
【図１１】スーパールミネッセントダイオードの他の従
来例を示す外観斜視図である。
来例を示す外観斜視図である。
１ 基板 ２ 下部クラッド層 ３ 活性層 ４ 上部第１クラッド層 ５ 上部第２クラッド層 ６ コンタクト層 ７ 上部電極
Claims (11)
- 【請求項１】 裏面に下面電極を有する化合物半導体基
板上にスラブ状の下部クラッド層、活性層及び上部第１
クラッド層が順次積層され、この上部第１クラッド層の
上に、略矩形断面形状の上部第２クラッド層及びコンタ
クト層が順次積層され、上記上部第２クラッド層の側
面、上記コンタクト層の側面及び上記上部第１クラッド
層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ層が順次形
成され、上記コンタクト層の上に上部電極が形成された
積層体の両端面が無反射コーティング層で覆われ、上記
上部第２クラッド層、上記コンタクト層及び上記上部電
極が上記積層体の一方の端面から他方の端面に向かって
所望長さだけ直線状に形成されると共に、さらに他方の
端面に向かって幅が広がるテーパ状に形成され、上記上
部電極から上記下面電極に電流を流すと上記他方の端面
から光を出射することを特徴とする高出力広帯域光源。 - 【請求項２】 上記積層体の他方の端面から出射される
光はインコヒーレント光である請求項１に記載の高出力
広帯域光源。 - 【請求項３】 上記積層体の一方の端面から同一幅で所
望長さを有する上部電極は、上記一方の端面の近傍が除
去されている請求項１に記載の高出力広帯域光源。 - 【請求項４】 上記上部第２クラッド層、上記コンタク
ト層及び上記上部電極は両端面に対して斜めに設けられ
ている請求項１から３のいずれかに記載の高出力広帯域
光源。 - 【請求項５】 上記上部第２クラッド、上記コンタクト
層及び上記上部電極は上記積層体の一方の端面から他方
の端面に向かって複数、並列に分離して形成され、各上
部電極に独立に電流が流れる請求項１から４のいずれか
に記載の高出力広帯域光源。 - 【請求項６】 上記上部第２クラッド、上記コンタクト
層及び上記上部電極のテーパ状に幅を広げた構造は直線
的かあるいは曲線的な広がり構造である請求項１から５
のいずれかに記載の高出力広帯域光源。 - 【請求項７】 上記下部クラッドと上記活性層との間
に、屈折率が上記下部クラッド層の屈折率よりも高く上
記活性層の屈折率よりも低いバッファ層が設けられてい
る請求項１から６のいずれかに記載の高出力広帯域光
源。 - 【請求項８】 上記活性層はバルク構造あるいは多重量
子井戸構造のいずれかである請求項１から７のいずれか
に記載の高出力広帯域光源。 - 【請求項９】 上記活性層は井戸層の厚さが異なった不
均一量子井戸構造を有する請求項８に記載の高出力広帯
域光源。 - 【請求項１０】 上記無反射コーティング層が上記積層
体の一方の端面にのみ形成されている請求項３に記載の
高出力広帯域光源。 - 【請求項１１】 裏面に下面電極を有する化合物半導体
基板上にスラブ状の下部クラッド層、活性層及び上部第
１クラッド層が順次積層され、この上部第１クラッド層
の上に、略矩形断面形状の上部第２クラッド層及びコン
タクト層が順次積層され、上記上部第２クラッド層の側
面、上記コンタクト層の側面及び上記上部第１クラッド
層の上面を覆うようにＳｉＯ2 層及びポリマ層が順次形
成され、上記コンタクト層の上に上部電極が形成された
積層体の両端面が無反射コーティング層で覆われ、上記
上部第２クラッド層、上記コンタクト層及び上記上部電
極が上記積層体の一方の端面から他方の端面に向かって
所望長さだけ直線状に形成され、さらに他方の端面に向
かって幅が広がるテーパ状に形成され、上記上部電極か
ら上記下面電極に電流を流すと、上記一方の端面の活性
層に入射された光が増幅されて上記他方の端面から出射
することを特徴とする光増幅デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073903A JP2000269600A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073903A JP2000269600A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269600A true JP2000269600A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13531628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073903A Pending JP2000269600A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269600A (ja) |
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