JP2016122705A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents

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Abstract

【課題】利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第２電極は、リッジ部１２８の上方に設けられ、活性層および第１クラッド層の積層方向からみて、リッジ部１２８は、一定の幅を有し、第２クラッド層は、第２電極と電気的に接続する電気的接続領域２を有し、活性層は、積層方向からみて、リッジ部１２８と重なる領域に光を導波させる光導波路１６０を構成し、光導波路１６０は、光を射出する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有し、積層方向からみて、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２までの距離が等しい中心位置Ｃにおける電気的接続領域２の幅Ｗ１は、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域２の端部の幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さい。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
半導体レーザーやスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）など半導体発光装置は、例えば、プロジェクターの光源として用いられる。ＳＬＤは、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。
ＳＬＤでは、活性層の電流が注入される領域の両側に屈折率が低くなる構造を設けて光を面内方向に閉じ込める屈折率導波型と、屈折率が低くなる構造を設けずに、活性層の電流が注入された領域がそのまま光導波路となる利得導波型と、が知られている。屈折率導波型では、光を効率的に閉じ込めて増幅することが可能であるため、より高効率のＳＬＤを実現することができる。
例えば特許文献１には、ストライプ状の斜め導波路を有する屈折率導波型のＳＬＤが開示されている。
特開２０１２−４３９５０号公報
上記のようなＳＬＤの光導波路では、光を射出する光出射面に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、光出射面近傍では、光に変換されるキャリアの量が不足することにより利得の飽和が発生して、ＳＬＤの出力が低下する場合がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。
本発明に係る発光装置は、
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に設けられ、かつ、電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層上に設けられ、他の部分よりも厚さが大きいリッジ部を含む第２クラッド層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
を含み、
前記第２電極は、前記リッジ部の上方に設けられ、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部は、一定の幅を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続する電気的接続領域を有し、
前記活性層は、前記積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する第１光出射面および第２光出射面を有し、
前記積層方向からみて、前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置における前記電気的接続領域の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部の幅よりも小さい。
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
本発明に係る発光装置において、
前記リッジ部と前記第２電極との間に設けられたコンタクト層を含み、
前記積層方向からみて、前記中心位置における前記コンタクト層の幅は、前記電気的接続領域の端部における前記コンタクト層の幅よりも小さくてもよい。
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記電気的接続領域の幅は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って大きくなってもよい。
このような発光装置では、高効率で光を射出することができる。
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在していてもよい。
このような発光装置では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、このような発光装置は、スペックルノイズを低減することができる。
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、
前記中心位置を含む第１領域と、
前記第１光出射面を含む第２領域と、
前記第２光出射面を含む第３領域と、
を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きくてもよい。
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
このようなプロジェクターでは、本発明に係る発光装置を含むため、高輝度化を図ることができる。
第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図。 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 光導波路の延在方向の位置と、光強度および単位長さ当たりの電流量と、の関係を説明するための図。 光導波路の延在方向の位置と、光強度および単位長さ当たりの電流量と、の関係を説明するための図。 光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図。 参考例に係る発光装置を模式的に示す斜視図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す斜視図。 第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 光導波路の延在方向の位置と、単位長さ当たりの電流量と、の関係を説明するための図。 第１実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態の第５変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態の第５変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第３実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１実施形態
１．１． 発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図２のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
発光装置１００は、図１〜図４に示すように、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含む。なお、便宜上、図１および図２では、第２電極１２２を省略して図示している。
基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に設けられている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などである。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶品質を向上させることができる。
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に設けられている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
活性層１０６は、図２に示すように、第１側面１０６ａと、第２側面１０６ｂと、第３側面１０６ｃと、第４側面１０６ｄと、を有している。側面１０６ａ，１０６ｂは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）である。側面１０６ｃ，１０６ｄは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）であり、側面１０６ａ，１０６ｂに接続された面である。側面１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄは、クラッド層１０４，１０８に面状に接していない面である。側面１０６ａ，１０６ｂは、劈開によって形成された劈開面であってもよい。
活性層１０６は、電流が注入されて光を発生させることが可能な層である。活性層１０６は、光を導波させる光導波路１６０を構成している。光導波路１６０を導波する光は、光導波路１６０において利得を受けることができる。
光導波路１６０は、活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみて（以下、「平面視において」ともいう）、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで延在している。光導波路１６０は、光を射出する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有している。第１光出射面１７０は、光導波路１６０の第１側面１０６ａとの接続部である。第２光出射面１７２は、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部である。光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。図示の例では、第１光出射面１７０の中心と第２光出射面１７２の中心とを通る仮想直線（中心線α）は、法線Ｐ１，Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。
光導波路１６０は、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２までの距離が等しい中心位置Ｃを有している。図１に示す例では、中心位置Ｃとは、光出射面１７０，１７２までの距離が等しく、中心線α上の点である。
第２クラッド層１０８は、活性層１０６上に設けられている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光の漏れを抑制する機能を有している。
第２クラッド層１０８は、他の部分１１８よりも厚さが大きいリッジ部１２８が形成されている（リッジ部１２８を含む）。他の部分１１８は、第２クラッド層１０８のリッジ部１２８以外の部分である。リッジ部１２８は、第２クラッド層１０８の第１側面１０６ａと連続する側面１０８ａから、第２クラッド層１０８の第２側面１０６ｂと連続する側面１０８ｂまで延在している。リッジ部１２８は、平面視において、側面１０８ａから側面１０８ｂまで、一定の幅を有している。平面視において、リッジ部１２８の延在方向は、中心線αの方向と同じ方向である。図示の例では、リッジ部１２８の平面形状（活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみた形状）は、平行四辺形である。活性層１０６は、平面視において、リッジ部と重なる領域に光導波路１６０を構成している。
なお、リッジ部１２８の幅とは、平面視において、リッジ部１２８の側面１０８ａ，１０８ｂと平行な方向における大きさのことある。また、リッジ部１２８は一定の幅を有しているとは、リッジ部１２８が側面１０８ａから側面１０８ｂまで、完全に一定な幅を有している場合と、実質的に一定な幅を有している場合と、を含む。実質的に一定な幅を有している場合とは、リッジ部１２８の幅の変化が製造誤差に起因する場合である。
発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極１２０，１２２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、活性層１０６に光導波路１６０を生じ、光導波路１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０で光の強度が増幅される。光導波路１６０は、光を導波させる活性層１０６と、光の漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。
コンタクト層１１０は、リッジ部１２８上に設けられている。コンタクト層１１０は、リッジ部１２８と第２電極１２２との間に設けられている。コンタクト層１１０の平面形状は、例えば、リッジ部１２８の平面形状と同じである。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。コンタクト層１１０は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしている。コンタクト層１１０は、クラッド層１０４，１０８よりも導電性の高い層である。
コンタクト層１１０とリッジ部１２８とは、柱状部１１１を構成している。発光装置１００は、屈折率導波型のＳＬＤである。光導波路１６０の平面形状は、柱状部１１１と（コンタクト層１１０と）第２電極１２２との接触面の形状と同じであってもよい。なお、光導波路１６０の平面形状は、コンタクト層１１０と第２電極１２２との接触面の形状よりも、光導波路１６０の延在方向と直交する方向に広がった形状（電流の拡散分だけ広がった形状）であってもよい。また、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させてもよい。
第２クラッド層１０８は、コンタクト層１１０を介して、第２電極１２２と電気的に接続されている。第２クラッド層１０８と第２電極１２２とが電気的に接続する電気的接続領域２の平面形状は、コンタクト層１１０と第２電極１２２との接触面の平面形状と同じ
である。
電気的接続領域２は、平面視において、幅Ｗを有する。幅Ｗとは、光導波路１６０の延在方向と（中心線αの方向と）直交する方向の大きさのことである。平面視において、中心位置Ｃにおける電気的接続領域２の幅Ｗ１は、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域２の一方の端部（ここでは、第１光出射面１７０）の幅Ｗ２よりも小さく、かつ、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域２の他方の端部の（ここでは、第２光出射面１７２）の幅Ｗ３よりも小さい。
なお、電気的接続領域２の第１光出射面１７０の幅Ｗ２とは、平面視おいて、中心線αと直交する線分であって、第１光出射面１７０から電気的接続領域２の境界線２ａまたは境界線２ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図２に示す例では、幅Ｗ２は、中心線αと直交する線分であって、第１光出射面１７０の第３側面１０６ｃ側の端部から、境界線２ｂまで延びる線分の長さである。ここで、境界線２ａ，２ｂは、平面視において、電気的接続領域２と絶縁層１１２との境界線である。境界線２ａは、第３側面１０６ｃ側の境界線であり、境界線２ｂは、第４側面１０６ｄ側の境界線である。
また、電気的接続領域２の第２光出射面１７２の幅Ｗ３とは、平面視おいて、中心線αと直交する線分であって、第２光出射面１７２から電気的接続領域２の境界線２ａまたは境界線２ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図２に示す例では、幅Ｗ３は、中心線αと直交する線分であって、第２光出射面１７２の第４側面１０６ｄ側の端部から、境界線２ａまで延びる線分の長さである。
電気的接続領域２の幅Ｗは、平面視において、中心位置Ｃから電気的接続領域２の一方の端部（ここでは、第１光出射面１７０）に向かうに従って大きくなっている。言い換えると、幅Ｗは、平面視において、中心位置Ｃにおける幅Ｗ１から、第１光出射面１７０側に向かって幅Ｗ２となるまで、単調に増加する。電気的接続領域２は、平面視において、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かってテーパー形状である。
また、電気的接続領域２の幅Ｗは、平面視において、中心位置Ｃから電気的接続領域２の他方の端部（ここでは、第２光出射面１７２）に向かうに従って大きくなっている。言い換えると、幅Ｗは、平面視において、中心位置Ｃにおける幅Ｗ１から、第２光出射面１７２側に向かって幅Ｗ３となるまで、単調に増加する。電気的接続領域２は、平面視において、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かってテーパー形状である。
電気的接続領域２は、例えば、中心位置Ｃに関して、対称に配置されている。これにより、第１光出射面１７０から射出される光の強度と、第２光出射面１７２から射出される光の強度と、を等しくすることができる。
なお、図２に示す例では、幅Ｗは、中心位置Ｃにおいて極小となっているが、中心位置Ｃにおける幅Ｗ１が光出射面１７０，１７２における幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さければ、幅Ｗは、中心位置Ｃ以外の位置において極小となっていてもよい。
平面視において、中心位置Ｃにおいて中心線αと直交する方向における、電気的接続領域２の境界線２ａとリッジ部１２８の境界線（第３側面１０６ｃ側の境界線）との間の距離Ｌは、例えば、２０μｍ以下である。同様に、中心位置Ｃにおいて中心線αと直交する方向における、境界線２ｂとリッジ部１２８の境界線（第４側面１０６ｄ側の境界線）との間の距離は、例えば、２０μｍ以下である。
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方（平面視にお
ける柱状部１１１の周囲）および柱状部１１１上の一部に設けられている。図示の例では、柱状部１１１上に設けられた絶縁層１１２の開口の平面形状によって、電気的接続領域２の平面形状が決定される。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１２として上記の材料を用いた場合、電極１２０，１２２間の電流は、絶縁層１１２を避けて、絶縁層１１２に挟まれた柱状部１１１を流れる。
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。絶縁層１１２を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１２を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さい。なお、図示はしないが、絶縁層１１２は、設けられていていなくてもよい。この場合、柱状部１１１を取り囲む空気が絶縁層１１２と同様の機能を果たす。
第１電極１２０は、基板１０２の下に設けられている。第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の下面に設けられている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、第１クラッド層１０４側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
第２電極１２２は、リッジ部１２８の上方に設けられている。具体的には、第２電極１２２は、コンタクト層１１０上および絶縁層１１２上に設けられている。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
なお、図示はしないが、側面１０６ａ，１０６ｂには、反射防止（ＡＲ：Ａｎｔｉ?Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜が設けられていてもよい。これにより、光出射面１７０，１７２から光を効率よく射出することができる。反射防止膜は、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。
また、上記では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置１００について説明したが、本発明に係る発光装置、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置１００では、平面視において、中心位置Ｃにおける電気的接続領域２の幅Ｗ１は、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域２の端部の幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さい。そのため、発光装置１００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
図５（ａ）および図６（ａ）は、光導波路の延在方向（伝搬方向）の位置と、光強度と、の関係を説明するための図ある。図５（ｂ）および図６（ｂ）は、光導波路の延在方向の位置と、単位長さ当たりの電流量と、の関係を説明するための図である。
図５および図６の横軸の光導波路の延在方向の位置は、第１光出射面（電気的接続領域２の一方の端部）と第２光出射面（電気的接続領域２の他方の端部）との間における、光導波路の延在方向の位置を示している。
図５（ａ）および図６（ａ）の縦軸の光強度とは、光導波路の延在方向のある位置において、単位時間当たり、光導波路の延在方向に対して垂直な断面を通過する光子の数のことである。図５（ａ）および図６（ａ）の縦軸の光強度は、図７に示すように、第１光出射面から第２光出射面に向かう光の光強度Ｉ１と、第２光出射面から第１光出射面に向かう光の光強度Ｉ２と、の合計である。
図５（ｂ）および図６（ｂ）の縦軸の単位長さ当たりの電流量とは、光導波路１６０の延在方向のある位置において、その部分を積層方向（活性層１０６と第１クラッド層１０４の積層方向）に流れる電流量のことである。すなわち、単位長さ当たりの電流量とは、電気的接続領域２の幅Ｗに相当している。
ＳＬＤでは、光出射面（反射率が小さい側）に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、図５に示すように、光強度は、光導波路の延在方向において不均一な分布を持つ。これにより、光導波路の延在方向において単位長さ当たりの電流量が一定の場合、光出射面近傍では、光に対して（光子に対して）キャリアが相対的に足りなくなる。すなわち、光が増幅されようとしたとき、光に変換されるキャリアが足りなくなる。その結果、光強度の大きい光出射面近傍では、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下する。
光強度が小さい部分（例えば中心位置Ｃ）は、光出射面近傍に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている。図６に示すように、このような余剰キャリアを、キャリアが不足している光出射面近傍に注入することで、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。すなわち、単位長さ当たりの電流量を変化させることにより、光導波路全体の注入電流の大きさを一定に保ちつつ、利得の飽和を低減し、最終的な光出力を大きくすることができる。
発光装置１００では、上記のように、幅Ｗ１を、幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さくすることで、第１光出射面１７０近傍における単位長さ当たりの電流量、および第２光出射面１７２近傍における単位長さ当たりの電流量を、中心位置における単位長さ当たりの電流量よりも多くすることができる。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０全体に注入する電流量を増やすことなく、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制することができる。すなわち、発光装置１００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
さらに、発光装置１００では、平面視において、リッジ部１２８は、一定の幅を有している。そのため、図８に示すように、リッジ部１１２８の形状が電気的接続部１００２と同様に、中心位置から第１光出射面に向けてテーパー形状であり、かつ、中心位置から第２光出射面に向けてテーパー形状であるような、発光装置１０００に比べて、以下のような利点がある。なお、図８は、参考例に係る発光装置１０００を模式的に示す斜視図である。発光装置１０００は、基板１１０２と、第１クラッド層１１０４と、活性層１１０６と、第２クラッド層１１０８と、コンタクト層１１１０と、絶縁層１１１２と、第１電極１１２０と、第２電極（図示せず）と、を含んで構成されている。
リッジ部は、周りをエッチング等により除去することで形成されるが、その際にリッジ部の側面には欠陥が生じやすい。この欠陥は、光を吸収および散乱するため、光が伝搬する際の損失につながる。発光装置１０００では、発光装置１００に比べて、リッジ部の平
面視において側面が長くなる。そのため、光の伝搬損失が大きくなってしまう。したがって、光の損失を低減するためには、リッジ部の幅は一定であることが好ましい。上記のように、光導波路の平面形状は、コンタクト層と第２電極との接触面の形状よりも、光導波路の延在方向と直交する方向に広がった形状（広がった形状）となる場合があり、光がリッジ部の側面に到達する場合がある。そのため、リッジ部の側面は、平面視において短い方が好ましい。
なお、発光装置１０００では、中央部にリッジ部の幅が狭くなる部分ができる。そのため、発光装置１０００では、該狭くなる部分において光の損失が発生し、光の利用効率が低下するという問題が生じる場合がある。また、発光装置１０００では、該狭くなる部分において、相対的に光密度が大きくなって、発熱量が大きくなったりして、信頼性が低下する場合がある。
発光装置１００では、平面視において、電気的接続領域２の幅Ｗは、中心位置Ｃから電気的接続領域２の端部（すなわち、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２）に向かうに従って大きくなる。そのため、発光装置１００では、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向けて、単位長さ当たりの電流を単調に増加させることができる。さらに、発光装置１００では、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向けて、単位長さ当たりの電流を単調に増加させることができる。これにより、発光装置１００では、光導波路１６０の延在方向の各位置で、例えば、光が増幅されようとしたときに光に変換されるキャリアが不足せず余りもしないように、幅Ｗを設計することができる。その結果、発光装置１００では、高効率で光を射出することができる。
発光装置１００では、光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０にて発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、スペックルノイズを低減することができる。
１．２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９および図１０は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。
図９に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
図１０に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングして、柱状部１１１を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
図３に示すように、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁層１１２を形成する。具体的には、絶縁層１１２は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（より具体的にプラズマＣＶＤ法）や塗布法などにより絶縁部材（図示せず）を成膜し、該絶縁部材をパターニングすることにより形成される。パターニングは、例えば、フ
ォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
次に、コンタクト層１１０上に第２電極１２２を形成する。次に、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。電極１２０，１２２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。なお、電極１２０，１２２の形成順序は、特に限定されない。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
１．３． 発光装置の変形例
１．３．１． 第１変形例
次に、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す斜視図である。図１２は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図１２のＸＶＩ−ＸＶＩ線断面図である。なお、便宜上、図１１および図１２では、絶縁層１１２および第２電極１２２を省略して図示している。
以下、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、第１実施形態に係る発光装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。このことは、後述する第１実施形態の第２，第３，第４，第５変形例に係る発光装置においても、同様である。
上述した発光装置１００では、図１〜図４に示すように、コンタクト層１１０の平面形状は、リッジ部１２８の平面形状と同じであった。これに対し、発光装置２００では、図１１〜図１４に示すように、コンタクト層１１０の平面形状は、リッジ部１２８の平面形状と異なる。
コンタクト層１１０は、平面視において、幅Ｔを有する。幅Ｔとは、光導波路１６０の延在方向と（中心線αの方向と）直交する方向の大きさのことである。平面視において、中心位置Ｃにおけるコンタクト層１１０の幅Ｔ１は、第１光出射面１７０におけるコンタクト層１１０の幅Ｔ２よりも小さく、かつ、第２光出射面１７２におけるコンタクト層１１０の幅Ｔ３よりも小さい。
なお、第１光出射面１７０におけるコンタクト層１１０の幅Ｔ２とは、平面視おいて、中心線αと直交する線分であって、第１光出射面１７０からコンタクト層１１０の境界線１１０ａまたは境界線１１０ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図１２に示す例では、幅Ｔ２は、中心線αと直交する線分であって、第１光出射面１７０の第３側面１０６ｃ側の端部から、境界線１１０ｂまで延びる線分の長さである。ここで、境界線１１０ａ，１１０ｂは、平面視において、コンタクト層１１０と絶縁層１１２との境界線である。境界線１１０ａは、第３側面１０６ｃ側の境界線であり、境界線１１０ｂは、第４側面１０６ｄ側の境界線である。
また、第２光出射面１７２におけるコンタクト層１１０の幅Ｔ３とは、平面視おいて、中心線αと直交する線分であって、第２光出射面１７２からコンタクト層１１０の境界線１１０ａまたは境界線１１０ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図１２に示す例では、幅Ｔ３は、中心線αと直交する線分であって、第２光出射面１７２の第４側面１０６ｄ側の端部から、境界線１１０ａまで延びる線分の長さである。
コンタクト層１１０の幅Ｔは、平面視において、中心位置Ｃから電気的接続領域２の一
方の端部（ここでは、第１光出射面１７０）に向かうに従って大きくなっている。言い換えると、幅Ｔは、平面視において、中心位置Ｃにおける幅Ｔ１から、第１光出射面１７０側に向かって幅Ｔ２となるまで、単調に増加する。コンタクト層１１０は、平面視において、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かってテーパー形状である。
また、コンタクト層１１０の幅Ｔは、平面視において、中心位置Ｃから電気的接続領域２の他方の端部（ここでは、第２光出射面１７２）に向かうに従って大きくなっている。言いえると、幅Ｔは、平面視において、中心位置Ｃにおける幅Ｔ１から、第２光出射面１７２側に向かって幅Ｔ３となるまで、単調に増加する。コンタクト層１１０は、平面視において、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かってテーパー形状である。
発光装置２００では、例えば、柱状部１１１を形成した後、さらにコンタクト層１１０をパターニングすることによって形成される。
発光装置２００では、平面視において、中心位置Ｃにおけるコンタクト層１１０の幅Ｔ１は、電気的接続領域２の端部（すなわち、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２）におけるコンタクト層１１０の幅Ｔ２，Ｔ３よりも小さい。そのため、発光装置２００では、光出射面１７０，１７２近傍における単位長さ当たりの電流量を、中心位置Ｃにおける単位長さ当たりの電流量に比べて、より確実に多くすることができる。ここで、コンタクト層は導電性が高いため、コンタクト層の第２電極と接している部分から注入された電流は、コンタクト層内で拡散する。そのため、平面視において、コンタクト層と第２電極との接触面の形状を、光出射面に向けて広がるテーパー形状としただけでは、所望の領域のみに電流を注入することができず、光出射面１７０，１７２近傍における単位長さ当たりの電流量を、中心位置Ｃにおける単位長さ当たりの電流量に比べて多くすることができない場合がある。発光装置１００では、このような問題を回避することができ、光導波路１６０の電流が注入される領域を、容易に制御することができる。
１．３．２． 第２変形例
次に、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１４では、第２電極１２２を省略して図示している。
上述した発光装置１００では、図２に示すように、平面視において、電気的接続領域２の幅Ｗは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０および第２光出射面１７２に向かうに従って大きくなった。これに対し、発光装置２００では、図１５に示すように、電気的接続領域２は、平面視において、第１光出射面１７０側で幅Ｗが一定（幅Ｗ２）となる第１端領域１２と、第２光出射面１７２側で幅Ｗが一定（幅Ｗ３）となる第２端領域２２と、を有している。領域１２，２２において、境界線２ａ，２ｂは、平面視において、リッジ部１２８の境界線と重なっている。
発光装置３００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
１．３．３． 第３変形例
次に、第１実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１６は、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１６では、第２電極１２２を省略して図示している。
上述した発光装置１００では、図２に示すように、平面視において、電気的接続領域２の幅Ｗは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０および第２光出射面１７２に向かうに従っ
て大きくなった。これに対し、発光装置４００では、図１６に示すように、電気的接続領域２は、平面視において、第１光出射面１７０側で幅Ｗが一定（幅Ｗ２）となる第１端領域１２と、第２光出射面１７２側で幅Ｗが一定（幅Ｗ３）となる第２端領域２２と、中心位置Ｃを含んで幅Ｗが一定（幅Ｗ１）となる中心領域３２と、を有している。図示の例では、第１端領域１２は、中心領域３２に接続している。第２端領域２２は、中心領域３２に接続している。
発光装置４００では、第１端領域１２、第２端領域２２、中心領域３２によって、図１７に示すように、光導波路の延在方向の位置と、単位長さ当たりの電流量を、光導波路の延在方向の位置に対して階段状に変化させることができる。
発光装置４００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
１．３．４． 第４変形例
次に、第１実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１８は、第１実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１８では、第２電極１２２を省略して図示している。
上述した発光装置１００では、図２に示すように、光導波路１６０は、１つ設けられていた。これに対し、発光装置５００では、図１８に示すように、光導波路１６０は、複数設けられている。図示の例では、光導波路１６０は、３つ設けられているが、その数は、複数であれば特に限定されない。複数の光導波路１６０は、例えば、平面視において、第１側面１０６ａと平行な方向に、等間隔で設けられている。
発光装置５００では、発光装置１００に比べて、高出力化を図ることができる。
１．３．５． 第５変形例
次に、第１実施形態の第５変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１９は、第１実施形態の第５変形例に係る発光装置５５０を模式的に示す平面図である。図２０は、第１実施形態の第５変形例に係る発光装置５５０を模式的に示す図１９のＸＸ−ＸＸ線断面図である。なお、便宜上、図１９では、第２電極１２２を省略して図示している。
上述した発光装置２０では、図２に示すように、電気的接続領域２の、光導波路１６０の延在方向の端部は、光出射面１７０，１７２であった。これに対し、発光装置５５０では、図１９に示すように、電気的接続領域２の、光導波路１６０の延在方向の端部５５２，５５４は、光出射面１７０，１７２ではない。
具体的には、図２０に示すように、光出射面１７０，１７２近傍には、第２電極１２２は設けられていない。より具体的には、光出射面１７０，１７２と第２電極１２２とは、重なっていない。そのため、平面視において、電気的接続領域２の、光導波路１６０の延在方向の端部５５２，５５４は、光出射面１７０，１７２よりも、内側に（中心位置Ｃ側に）位置している。端部５５２は、第１光出射面１７０側に位置し、端部５５４は、第２光出射面１７２側に位置している。
発光装置５５０では、電気的接続領域２の端部５５２の幅Ｗ２は、平面視において、中心線αと直交する線分であって、端部５５２から、境界線２ａまたは境界線２ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図１９に示す例では、幅Ｗ２は、中心線αと直交する線分であって、端部５５２の第３側面１０６ｃ側の端部（端点）から、境界線２ｂ
まで延びる線分の長さである。
また、電気的接続領域２の端部５５４の幅Ｗ３は、平面視において、中心線αと直交する線分であって、端部５５４から、境界線２ａまたは境界線２ｂまで延びる線分のうち、最大の長さのものをいう。図１９に示す例では、幅Ｗ３は、中心線αと直交する線分であって、端部５５４の第４側面１０６ｄ側の端部（端点）から、境界線２ａまで延びる線分の長さである。
２． 第２実施形態
２．１． 発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図２１は、第１実施形態に係る発光装置６００を模式的に示す平面図である。図２２は、第２実施形態に係る発光装置６００を模式的に示す図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面図である。図２３は、第２実施形態に係る発光装置６００を模式的に示す図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線断面図である。図２４は、第２実施形態に係る発光装置６００を模式的に示す図２１のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線断面図である。
発光装置６００では、図２１〜図２４に示すように、第２クラッド層１０８が、第２電極１２２と電気的に接続しない非コンタクト領域１８を有している点において、上述した発光装置１００と異なる。
光導波路１６０は、第１領域１６１と、第２領域１６２と、第３領域１６３と、を有している。第１領域１６１は、中心位置Ｃを含む領域である。第２領域１６２は、第１光出射面１７０を含む領域である。第３領域１６３は、第２光出射面１７２を含む領域である。図示の例では、第２領域１６２は、第１光出射面１７０から第１領域１６１の一端まで延在している。第３領域１６３は、第２光出射面１７２から第１領域の他端まで延在している。なお、図示はしないが、領域１６１，１６２，１６３は、互いに離間していてもよい。
第１領域１６１の光導波路１６０の延在方向に沿った長さＬ１は、光導波路１６０の第１光出射面１７０と第２光出射面１７２との間の延在方向に沿った長さをＬとすると、Ｌ／４以上３Ｌ／４以下である。第１領域１６１の長さＬ１、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向に沿った長さ、および第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向に沿った長さは、互いに等しく、Ｌ／３であってもよい。
非コンタクト領域１８は、平面視において、コンタクト層１１０と重なっていない領域である。図示の例では、非コンタクト領域１８は、柱状部１１１において、コンタクト層１１０と重なっていない領域である。非コンタクト領域１８は、例えば、第２電極１２２および絶縁層１１２と接している。非コンタクト領域１８の数は、複数であれば、特に限定されない。
複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、光導波路１６０と交差している。すなわち、非コンタクト領域１８は、平面視において、光導波路１６０と重なっている部分と、光導波路１６０と重なっていない部分と、を有している。図示の例では、非コンタクト領域１８の平面形状は長方形であり、光導波路１６０は、非コンタクト領域１８の長辺と交差している。
非コンタクト領域１８の光導波路１６０の延在方向の長さは、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。これにより、光導波路１６０の、平面視において非コンタクト領域１８と重なる部分（非コンタクト領域重なり部）において、光の
損失を低減することができる。具体的には、光導波路１６０の、平面視においてコンタクト層１１０と重なる部分から、非コンタクト領域重なり部に、光損失が発生しない程度の電流を拡散させることができる。
平面視において、第１領域１６１の面積Ａ１に対する、複数の非コンタクト領域１８と第１領域１６１とが重なる面積Ｂ１の割合（Ｂ１／Ａ１）は、第２領域１６２の面積Ａ２に対する、複数の非コンタクト領域１８と第２領域１６２とが重なる面積Ｂ２の割合（Ｂ２／Ａ２）よりも大きい。さらに、割合（Ｂ１／Ａ１）は、第３領域１６３の面積Ａ３に対する、複数の非コンタクト領域１８と第３領域１６３とが重なる面積Ｂ３の割合（Ｂ３／Ａ３）よりも大きい。図示の例では、複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１の光導波路１６０のみと交差している。
第１領域１６１と交差する非コンタクト領域１８のピッチは、等間隔である。すなわち、複数の非コンタクト領域１８の形状および大きさは、互いに同じであり、隣り合う非コンタクト領域１８の間隔は、互いに等しい。なお、非コンタクト領域１８のピッチとは、例えば、平面視において、隣り合う非コンタクト領域１８の中心間の距離である。なお、図１では、複数の非コンタクト領域１８の形状、大きさ、およびピッチは互いに等しいが、必ずしも形状、大きさ、およびピッチが同じである必要はない。
非コンタクト領域１８は、例えば、中心位置Ｃに関して、対称に配置されている。これにより、第１光出射面１７０から射出される光の強度と、第２光出射面１７２から射出される光の強度と、を等しくすることができる。
発光装置６００では、第２クラッド層１０８は、第２電極１２２と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域１８を有し、平面視において、複数の非コンタクト領域１８は、光導波路１６０と交差し、第１領域１６１の面積（Ａ１）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第１領域１６１とが重なる面積（Ｂ１）の割合（Ｂ１／Ａ１）は、第２領域１６２の面積（Ａ２）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第２領域１６２とが重なる面積（Ｂ２）の割合（Ｂ２／Ａ２）よりも大きく、かつ、第３領域１６３の面積（Ａ３）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第３領域１６３とが重なる面積（Ｂ３）の割合（Ｂ３／Ａ３）よりも大きい。したがって、発光装置６００では、非コンタクト領域１８は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしていないので抵抗が高く、平面視において非コンタクト領域１８と重なる活性層１０６に注入される電流量は、少なくなる。そのため、発光装置１００では、割合（Ｂ１／Ａ１）を、割合（Ｂ２／Ａ２）および割合（Ｂ３／Ａ３）より大きくすることにより、第１領域１６１に注入される電流量を少なくして相対的に領域１６２，１６３に注入される電流量を多くすることができる。これにより、全体の注入電流量が同じであっても、利得の飽和を低減し、高出力化・高効率化を図ることができる。
２．２． 発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置６００の製造方法について、説明する。第２実施形態に係る発光装置６００の製造方法は、コンタクト層１１０をパターニングして非コンタクト領域１８を形成すること以外は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
２．３． 発光装置の変形例
次に、第２実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図２５は、第２実施形態の変形例に係る発光装置７００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図２５では、第２電極１２２を省略して図示している。
以下、第２実施形態の変形例に係る発光装置７００において、第１実施形態に係る発光装置１００、第２実施形態に係る発光装置６００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
上述した発光装置６００では、図２１に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１の光導波路１６０のみと交差していた。これに対し、発光装置７００では、図２５に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第２領域１６２の光導波路１６０および第３領域１６３の光導波路１６０とも交差している。
発光装置７００では、平面視において、第２領域１６２と重なる複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かって漸次大きくなっている。平面視において、第３領域１６３と重なる複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かって漸次大きくなっている。
発光装置７００では、発光装置６００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
なお、図示はしないが、平面視において、複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かうに従って漸大きくなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かうに従って漸大きくなっていてもよい。また、図示はしないが、非コンタクト領域１８と第２電極１２２との間には、絶縁層が設けられていてもよい。また、図示はしないが、柱状部１１１の上面には凹部が設けられ、非コンタクト領域１８は、凹部の底面を構成していてもよい。この場合、凹部の深さは、柱状部１１１の厚さ（高さ）より小さい。また、非コンタクト領域１８は、中心位置Ｃに関して、対称に配置されていなくてもよい。
３． 第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図２６は、第３の実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。なお、便宜上、図２６では、プロジェクター９００を構成する筐体を省略し、さらに光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを簡略化して図示している。
プロジェクター９００は、図２６に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂを含む。赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置５００を用いた例について説明する。
プロジェクター９００は、さらに、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）９０８と、を含む。
光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂに入射する。レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂ側に、第１光出射面１７０から射出される光が入射する入射面９０１を有している。入射面９０１は、例えば、平坦な面である。入射面９０１は、複数の第１光出射面１７０に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１の法線（図示せず）は、第１側面１０６ａに対して傾斜している。入射面９０１によって、第１光出射面１７０から射出される光の光軸を、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの照射面９０５に対して、直交させることができる。
レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ側に、出射面９０３を有している。出射面９０３は、例えば、凸状の面である。出射面９０３は、複数の入射面９０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１において光軸が変換された光は、出射面９０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂを照射することができる。
以上のように、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を制御して、該光を集光させることができる。
各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ９０８は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）９１０に投射する。
また、プロジェクター９００は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ９０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）９０６を、含むことができる。
各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
なお、図２６に示す例では、第２側面１０６ｂに設けられた第２光出射面１７２から射出される光については図示していないが、該光は、図示せぬ反射部およびレンズアレイに入射した後、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射してもよい。
プロジェクター９００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置５００を含む。そのため、プロジェクター９００では、高輝度化を図ることができる。
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
２…電気的接続領域、２ａ，２ｂ…境界線、１２…第１端領域、１８…非コンタクト領域、２２…第２端領域、３２…中心領域、１００…発光装置、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０６…活性層、１０６ａ…第１側面、１０６ｂ…第２側面、１０６ｃ…第３側面、１０６ｄ…第４側面、１０８…第２クラッド層、１０８ａ，１０８ｂ…側面、１１０…コンタクト層、１１０ａ，１１０ｂ…境界線、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、１１８…他の部分、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１２８…リッジ部、１６０…光導波路、１６１…第１領域、１６２…第２領域、１６３…第３領域、１７０…第１光出射面、１７２…第２光出射面、２００，３００，４００，５００，５５０…発光装置、５５２，５５４…端部、６００，７００…発光装置、９００…プロジェクター、９０１…入射面、９０２…レンズアレイ、９０３…出射面、９０４…液晶ライトバルブ、９０５…照射面、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射レンズ、９１０…スクリーン、１０００…発光装置、１００２…電気的接続領域、１１０２…基板、１１０４…第１クラッド層、１１０６…活性層、１１０８…第２クラッド層、１１１０…コンタクト層、１１１２…絶縁層、１１２０…第１電極、１１２８…リッジ部

Claims (6)

  1. 第１クラッド層と、
    前記第１クラッド層上に設けられ、かつ、電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
    前記活性層上に設けられ、他の部分よりも厚さが大きいリッジ部を含む第２クラッド層と、
    前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
    を含み、
    前記第２電極は、前記リッジ部の上方に設けられ、
    前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部は、一定の幅を有し、
    前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続する電気的接続領域を有し、
    前記活性層は、前記積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
    前記光導波路は、光を射出する第１光出射面および第２光出射面を有し、
    前記積層方向からみて、前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置における前記電気的接続領域の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部の幅よりも小さい、ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記リッジ部と前記第２電極との間に設けられたコンタクト層を含み、
    前記積層方向からみて、前記中心位置における前記コンタクト層の幅は、前記電気的接続領域の端部における前記コンタクト層の幅よりも小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記積層方向からみて、前記電気的接続領域の幅は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って大きくなる、ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在している、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記光導波路は、
    前記中心位置を含む第１領域と、
    前記第１光出射面を含む第２領域と、
    前記第２光出射面を含む第３領域と、
    を有し、
    前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
    前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
    前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きい、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
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TW104142995A TWI672825B (zh) 2014-12-24 2015-12-21 發光裝置及投影機
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017122782A1 (ja) * 2016-01-13 2018-11-01 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子、チップオンサブマウント、および半導体レーザモジュール
WO2018198849A1 (ja) * 2017-04-24 2018-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6414464B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP6551672B2 (ja) * 2015-08-17 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP6551678B2 (ja) * 2015-10-29 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP6816726B2 (ja) * 2015-12-25 2021-01-20 ソニー株式会社 発光素子および表示装置
US10690919B1 (en) 2017-02-17 2020-06-23 Facebook Technologies, Llc Superluminous LED array for waveguide display
US10168537B1 (en) 2018-03-16 2019-01-01 Facebook Technologies, Llc Single chip superluminous light emitting diode array for waveguide displays
JP7105442B2 (ja) * 2018-08-06 2022-07-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP7320770B2 (ja) * 2018-09-28 2023-08-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP6981444B2 (ja) * 2019-04-01 2021-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04282883A (ja) * 1991-03-11 1992-10-07 Toshiba Corp 光増幅装置
JP2000269600A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hitachi Cable Ltd 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス
JP2001257427A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
US20060086941A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Han Il K Superluminescent diode including active layer formed of various sized quantum dots and method of manufacturing the same
JP2011507288A (ja) * 2007-12-21 2011-03-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザ光源
JP2011065050A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Seiko Epson Corp プロジェクター
JP2013115305A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Canon Inc Ｓｄ−ｏｃｔシステムの駆動制御方法
US20130308333A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Gerard A. Alphonse Semiconductor Light Source Free From Facet Reflections

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685035B2 (ja) * 1986-01-29 1994-10-26 株式会社日立製作所 光スイツチ
US5008889A (en) * 1989-11-06 1991-04-16 Wilson Keith E High-accuracy wavelength stabilization of angled-stripe super luminescent laser diode sources
JP2003156644A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Seiko Epson Corp 方向性結合器および光通信用装置
JP4077348B2 (ja) * 2003-03-17 2008-04-16 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
WO2005062433A1 (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置
JP4959962B2 (ja) * 2005-09-05 2012-06-27 株式会社東芝 光半導体素子の製造方法
US7747128B2 (en) * 2007-09-03 2010-06-29 Fuji Xerox Co., Ltd. Waveguide device
CN102055135B (zh) * 2009-11-04 2013-09-04 中国科学院半导体研究所 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法
JP5703598B2 (ja) * 2010-06-11 2015-04-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
JP5589580B2 (ja) * 2010-06-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
JP5527049B2 (ja) * 2010-06-30 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
JP5568406B2 (ja) 2010-08-18 2014-08-06 パナソニック株式会社 スーパールミネッセントダイオード
DE102011055891B9 (de) * 2011-11-30 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserdiode
JP2013235987A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
JP6040790B2 (ja) * 2013-02-01 2016-12-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
JP6103202B2 (ja) * 2013-02-27 2017-03-29 セイコーエプソン株式会社 半導体発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
CN103824920B (zh) * 2014-03-07 2016-04-20 中国科学院半导体研究所 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04282883A (ja) * 1991-03-11 1992-10-07 Toshiba Corp 光増幅装置
JP2000269600A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hitachi Cable Ltd 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス
JP2001257427A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
US20060086941A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Han Il K Superluminescent diode including active layer formed of various sized quantum dots and method of manufacturing the same
JP2011507288A (ja) * 2007-12-21 2011-03-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザ光源
JP2011065050A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Seiko Epson Corp プロジェクター
JP2013115305A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Canon Inc Ｓｄ−ｏｃｔシステムの駆動制御方法
US20130308333A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Gerard A. Alphonse Semiconductor Light Source Free From Facet Reflections

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017122782A1 (ja) * 2016-01-13 2018-11-01 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子、チップオンサブマウント、および半導体レーザモジュール
US11152762B2 (en) 2016-01-13 2021-10-19 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device, chip on submount, and semiconductor laser module
JP6998774B2 (ja) 2016-01-13 2022-02-10 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子、チップオンサブマウント、および半導体レーザモジュール
WO2018198849A1 (ja) * 2017-04-24 2018-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018186115A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
US11258232B2 (en) 2017-04-24 2022-02-22 Seiko Epson Corporation Light emitter and projector
JP7039857B2 (ja) 2017-04-24 2022-03-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター

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