JP2014150166A - 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター - Google Patents

発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター Download PDF

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Abstract

【課題】利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１部分１６２は、第１電極および第２電極１２２によって電流が注入され、第２部分１６４は、第１電極および第３電極１２４によって電流が注入され、第３部分１６６は、第１電極および第４電極１２６によって電流が注入され、第１電極および第２電極１２２によって注入される第１部分１６２の電流密度、ならびに、第１電極および第４電極１２６によって注入される第３部分１６６の電流密度は、第１電極および第３電極１２４によって注入される第２部分１６４の電流密度よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクターに関する。
小型で高輝度なプロジェクターを実現するためには、光源の発光効率の向上および光学系の損失低減、部品点数の削減などが必要である。光源としてスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）を用いることで、色分離光学系に必要なダイクロイックミラーや、半導体レーザーの安全性の確保およびスペックルノイズの低減に必要な回転拡散板を削減することができる。
さらに、光学系の損失低減と部品点数の削減のため、ＳＬＤをライトバルブの直下に配置し、マイクロレンズを用いて集光と均一照明を同時に行う方式（バックライト方式）も提案されている。バックライト方式の場合、マイクロレンズの作製精度の都合上、数百μｍ〜数ｍｍ前後の間隔で出射面を配置する必要がある。これは、例えば特許文献１に記載の略コの字型の光導波路を有するＳＬＤによって、実現することができる。
特開２０１１−１５５１０３号公報
しかしながら、上記のようなＳＬＤでは、活性層内を導波する光は、出射部側（反射率が小さい側）に向かって指数関数的に増幅される。そのため、出射部側では、光に対してキャリアが相対的に足りなくなる。これにより、利得の飽和が発生し、光出力が低下することがある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できるスーパールミネッセントダイオードを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置または上記スーパールミネッセントダイオードを含むプロジェクターを提供することにある。
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されることによって光を発生させる活性層、前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層、を有する積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層と電気的に接続された、第２電極、第３電極、および第４電極と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部と前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部とを接続する帯状の形状を有する第１部分と、
前記第１反射部と前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部とを接続する帯状の形状を有する第２部分と、
前記第２反射部と前記第１側面に設けられた第２出射部とを接続する帯状の形状を有する第３部分と、
を含み、
前記第１部分は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入され、
前記第２部分は、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
前記第３部分は、前記第１電極および前記第４電極によって電流が注入され、
前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度、ならびに、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度は、前記第１電極および前記第３電極によって注入される前記第２部分の電流密度よりも大きい。
このような発光装置によれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。さらに、このような発光装置によれば、第１側面と直交する方向の大きさを大きくすることなく、第２部分により、第１出射部および第２出射部の間隔を調整することができる。これにより、このような発光装置をプロジェクターの光源として用いた場合に、例えば、マイクロレンズ（レンズアレイ）の大きさに合わせて、容易に第１出射部および第２出射部の間隔を調整することができる。
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材とＢ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ａ部材とＢ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
本発明に係る発光装置において、
前記第２電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第１接触部、前記第３電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第２接触部、ならびに前記第４電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第３接触部は、前記積層体の積層方向から見て、前記第１反射部および前記第２反射部と離間していてもよい。
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる。その結果、光出力が低下することを抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１部分は、さらに、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
前記第３部分は、さらに、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入されてもよい。
このような発光装置によれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度と、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度とが、等しくてもよい。
このような発光装置によれば、発光装置の駆動時の電流制御を容易にすることができる。
本発明に係る発光装置において、
前記第２電極と前記第４電極とが電気的に接続されていてもよい。
このような発光装置によれば、第１電極および第２電極によって第１部分に注入される電流密度と、第１電極および第４電極によって第３部分に注入される電流密度と、を容易に等しくすることができる。
本発明に係る発光装置において、
前記積層体は、
前記積層体の積層方向から見て、前記第２電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第１接触部と、前記第３電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第２接触部と、の間であって、前記光導波路と重なる位置に設けられる、第１溝部と、
前記積層体の積層方向から見て、前記第２接触部と、前記第４電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第３接触部と、の間であって、前記光導波路と重なる位置に設けられる、第２溝部とを含んでいてもよい。
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記積層体は、前記第２クラッド層上に形成されたコンタクト層を含み、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層に設けられていてもよい。
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層を貫通して、前記第２クラッド層まで到達していてもよい。
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを、より確実に抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層および前記第２クラッド層を貫通していてもよい。
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを、より確実に抑制できる。
本発明に係る発光装置において、
前記積層体の積層方向から見て、
前記第１部分および前記第３部分は、前記第１側面の垂線に対して傾いて前記第１側面と接続されていてもよい。
このような発光装置によれば、光導波路に発生する光を、第１出射部と第２出射部との間で直接的に多重反射させることを低減することができる。これにより、直接的な共振器を構成させないことができ、光導波路に発生する光のレーザー発振を抑制できる。したがって、このような発光装置では、スペックルノイズを低減することができる。
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されることによって光を発生させる活性層を含み、
前記活性層は、
光を出射させる第１出射部および第２出射部と、
前記第１出射部および前記第２出射部を接続する光導波路と、
前記光導波路を導波する光の進行方向が変化する第１屈曲部および第２屈曲部と、を含み、
前記第１出射部と前記第１屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度は、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度よりも大きく、
前記第２出射部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度は、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度よりも大きい。
このような発光装置によれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
このようなプロジェクターによれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる発光装置を含むことができる。
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードは、
電流が注入されることによって光を発生させる活性層、前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層、を有する積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層と電気的に接続された、第２電極、第３電極、および第４電極と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部と前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部とを接続する帯状の形状を有する第１部分と、
前記第１反射部と前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部とを接続する帯状の形状を有する第２部分と、
前記第２反射部と前記第１側面に設けられた第２出射部とを接続する帯状の形状を有する第３部分と、
を含み、
前記第１部分は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入され、
前記第２部分は、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
前記第３部分は、前記第１電極および前記第４電極によって電流が注入され、
前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度、ならびに、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度は、前記第１電極および前記第３電極によって注入される前記第２部分の電流密度よりも大きい。
このようなスーパールミネッセントダイオードによれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。さらに、このようなスーパールミネッセントダイオードによれば、第１側面と直交する方向の大きさを大きくすることなく、第２部分により、第１出射部および第２出射部の間隔を調整することができる。これにより、このようなスーパールミネッセントダイオードをプロジェクターの光源として用いた場合に、例えば、マイクロレンズ（レンズアレイ）の大きさに合わせて、容易に第１出射部および第２出射部の間隔を調整することができる。
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
このようなプロジェクターによれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できるスーパールミネッセントダイオードを含むことができる。
第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 光導波路の延出方向における位置と、光密度および注入電流密度と、の関係を模式的に示すグラフ。 光導波路の延出方向における位置と、光密度および注入電流密度と、の関係を模式的に示すグラフ。 光導波路の延出方向における位置と、光密度および利得と、の関係を模式的に示すグラフ。 光導波路の延出方向における位置と、光密度および利得と、の関係を模式的に示すグラフ。 第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第２の実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第３の実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。 第３の実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１の実施形態
１．１． 発光装置
まず、第１の実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１の実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
以下では、発光装置１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、積層体１０１と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、第３電極１２４と、第４電極１２６と、を含む。さらに、発光装置１００は、絶縁層１１６，１１８を含むことができる。
積層体１０１は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、を有することができる。図示の例では、積層体１０１の平面形状（積層体１０１の積層方向から見た形状）は、長方形である。
基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層である。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
活性層１０６の平面形状は、例えば、積層体１０１の平面形状と同じである。活性層１０６は、図１に示すように、第１側面１３１と、第２側面１３２と、第３側面１３３と、第４側面１３４と、第５側面１３５と、第６側面１３６と、を有している。側面１３１〜１３６は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に面状に接していない面である。側面１３１〜１３６は、例えば、平坦な面である。
活性層１０６の側面１３２，１３３は、側面１３１に対して傾斜している。図示の例では、側面１３４，１３５は、側面１３１，１３６と直交している。側面１３６は、側面１３１と対向している。側面１３１，１３４〜１３６は、例えば、劈開によって形成された劈開面である。
活性層１０６の第２側面１３２は、積層体１０１に第１開口部１４０が設けられることによって形成されている。第３側面１３３は、積層体１０１に第２開口部１４２が設けられることによって形成されている。すなわち、側面１３２，１３３は、開口部１４０，１４２を規定する活性層１０６の面である。開口部１４０，１４２は、例えば、エッチングすることによって形成される。すなわち、側面１３２，１３３は、エッチングによって形成されたエッチング面である。開口部１４０，１４２は、第１クラッド層１０４まで到達している。すなわち、開口部１４０，１４２の底面は、第１クラッド層１０４の面によって規定されている。なお、図示はしないが、開口部１４０，１４２は、基板１０２まで到達していてもよい。この場合、開口部１４０，１４２の底面は、基板１０２の面によって規定されていると言える。
なお、図示はしないが、開口部１４０，１４２には、絶縁層が充填されていてもよい。該絶縁層は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層であってもよい。
活性層１０６の一部は、光導波路１６０を構成している。光導波路１６０は、光を導波させることができる。図示の例では、光導波路１６０は、積層体１０１の積層方向から見て（以下、「平面視において」ともいう）、電極１２２，１２４，１２６と重なっている部分と、電極１２２，１２４，１２６と重なっていない部分と、を有している。光導波路１６０の電極１２２，１２４，１２６と重なっている部分は、電極１２０および電極１２２，１２４，１２６によって電流が注入される部分である。
光導波路１６０の電流が注入される部分は、光を発生させることができる。光導波路１６０内を導波する光は、光導波路１６０の電流が注入される部分において、利得を受けることができる。具体的には、光導波路１６０の電流が注入される部分は、基板１０２と第１電極１２０との接触面１０３と、コンタクト層１１０と電極１２２，１２４，１２６との接触面１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃと、の間に位置する部分である。
光導波路１６０は、図１に示すように、第１部分１６２と、第２部分１６４と、第３部分１６６と、を有している。
第１部分１６２は、平面視において、第１側面１３１から第２側面１３２まで延出している。言い換えれば、第１部分１６２は、平面視において、第１側面１３１と第２側面１３２とを接続している。第１部分１６２は、平面視において、所定の幅を有し、第１部分１６２の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。第１部分１６２は、第１側面１３１との接続部分に設けられた第１端面１８１と、第２側面１３２との接続部分に設けられた第２端面１８２と、を有している。第１端面１８１は、出射部として機能することができる。
なお、第１部分１６２の延出方向とは、例えば、平面視における、第１端面１８１の中心と第２端面１８２の中心とを通る直線の延出方向である。また、第１部分１６２の延出方向とは、第１部分１６２（と第１部分１６２を除いた領域と）の境界線の延出方向であってもよい。同様に、光導波路１６０の他の部分においても、延出方向とは、例えば、平面視において、２つの端面の中心を通る直線の延出方向である。また、延出方向とは、当該他の部分（と当該他の部分を除いた領域と）の境界線の方向であってもよい。
第１部分１６２は、平面視において、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第１部分１６２の延出方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。角度αは、０°より大きい鋭角であって、臨界角より小さい角度である。
第１部分１６２は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第１部分１６２の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。
第２部分１６４は、平面視において、第２側面１３２から第３側面１３３まで延出している。言い換えれば、第１部分１６４は、平面視において、第２側面１３２と第３側面１３３とを接続している。第２部分１６４は、平面視において、所定の幅を有し、第２部分１６４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。第２部分１６４は、第２側面１３２との接続部分に設けられた第３端面１８３と、第３側面１３３との接続部分に設けられた第４端面１８４と、を有している。図示の例では、第２部分１６４の延出方向は、平面視において、第１側面１３１に対して傾いているが、第１側面１３１と平行であってもよい。
第２部分１６４の第３端面１８３は、第２側面１３２において、第１部分１６２の第２端面１８２と重なっている。図示の例では、第２端面１８２と第３端面１８３とは、重なり面１９０において、完全に重なっている。
第２部分１６４は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第２部分１６４の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。すなわち、第１部分１６２の垂線Ｐ２に対する角度と、第２部分１６４の垂線Ｐ２に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度βは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第２側面１３２は、光導波路１６０に発生する光を、全反射させることができる。
なお、「一の角度と他の角度とは、製造ばらつきの範囲で同じ」とは、エッチング等の製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味している。
第２部分１６４は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第２部分１６４の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。
第２部分１６４の延出方向の長さは、第１部分１６２の延出方向の長さ、および第３部分１６６の延出方向の長さよりも大きい。第２部分１６４の延出方向の長さは、第１部分１６２の延出方向の長さと、第３部分１６６の延出方向の長さと、の和以上であってもよい。
なお、「第２部分１６４の延出方向の長さ」とは、第３端面１８３の中心と、第４端面１８４の中心と、の間の距離ともいえる。他の部分についても同様に、延出方向の長さとは、２つの端面の中心間の距離ともいえる。
第３部分１６６は、平面視において、第３側面１３３から第１側面１３１まで延出している。言い換えれば、第１部分１６６は、平面視において、第３側面１３３と第１側面１３１とを接続している。第３部分１６６は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第３部分１６６の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。第３部分１６６は、第３側面１３３との接続部分に設けられた第５端面１８５と、第１側面１３１との接続部分に設けられた第６端面１８６と、を有している。第６端面１８６は、出射部として機能することができる。
第３部分１６６の第５端面１８５は、第３側面１３３において、第２部分１６４の第４端面１８４と重なっている。図示の例では、第４端面１８４と第５端面１８５とは、重なり面１９２において完全に重なっている。
第３部分１６６は、第１部分１６２と離間している。図１に示す例では、第１部分１６２の第１端面１８１と、第３部分１６６の第６端面１８６とは、間隔Ｄで離間している。間隔Ｄは、端面１８１，１８６から出射される光２０，２２が入射するマイクロレンズ（レンズアレイ）の大きさによって適宜決定されるが、例えば、数百μｍ以上５ｍｍ以下である。より具体的には、間隔Ｄは、２ｍｍ程度である。なお、光導波路１６０の全長（延出方向の長さ）は、例えば、４ｍｍ程度である。
第３部分１６６は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第３部分１６６の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。すなわち、第２部分１６４の垂線Ｐ３に対する角度と、第３部分１６６の垂線Ｐ３に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度γは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第３側面１３３は、光導波路１６０に発生する光を、全反射させることができる。
第３部分１６６は、平面視において、垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第３部分１６６の長手方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。すなわち、第１部分１６２と第３部分１６６とは、平面視において、同じ向きで第１側面１３１と接続しており、互いに平行である。より具体的には、第１部分１６２の延出方向と、第３部分１６６の延出方向とは、互いに平行である。これにより、第１端面１８１から出射される光２０と、第６端面１８６から出射される光２２とは、同じ方向に出射されることができる。なお、第１部分１６２の延出方向と、第３部分１６６の延出方向とは、互いに平行でなくてもよい。
なお、「第１部分１６２の延出方向と、第３部分１６６の延出方向とは、互いに平行」とは、製造ばらつき等を考慮し、平面視において、第１部分１６２の延出方向に対する第３部分１６６の延出方向の傾き角が±１°以内である、ということを意味している。
以上のとおり、角度β，γを臨界角以上とし、角度αを臨界角より小さくすることにより、光導波路１６０に発生する光において、第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率よりも低くすることができる。すなわち、第１側面１３１に設けられた第１端面１８１は、光導波路１６０に発生する光を出射させる第１出射部（第１出射部１８１）となる。第１側面１３１に設けられた第６端面１８６は、光導波路１６０に発生する光を出射させる第２出射部（第２出射部１８６）となる。第２側面１３２に設けられた端面１８２，１８３の重なり面１９０は、光導波路１６０に発生する光を反射させる第１反射部（第１反射部１９０）となる。第３側面１３３に設けられた端面１８４，１８５の重なり面１９２は、光導波路１６０に発生する光を反射させる第２反射部（第２反射部１９２）となる。
すなわち、第１部分１６２は、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出（第１出射部１８１と第１反射部１９０とを接続）している。第２部分１６４は、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出（第１反射部１９０と第２反射部１９２とを接続）している。第３部分１６６は、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出（第２反射部１９２と第２出射部１８６とを接続）している。光導波路１６０は、図１に示すように、平面視において、コの字型（角部を有するＵ字型）形状を有していると言うことができる 。図示の例では、第１部分１６２の幅（延出方向と直交する方向の大きさ）と、第２部分１６４の幅と、第３部分１６６の幅とは、同じであり、光導波路１６０の幅は、一定である。
光導波路１６０は、第１出射部１８１および第２出射部１８６を接続し、反射部１９０，１９２において、光導波路１６０を導波する光の進行方向が変化している、と換言できる。すなわち、第１反射部１９０は、光導波路１６０を導波する光の進行方向が変化する第１屈曲部であり、第２反射部１９２は、光導波路１６０を導波する光の進行方向が変化する第２屈曲部であるということができる。
また、第１部分１６２は、第１出射部１８１と第１反射部（第１屈曲部）１９０との間に位置する光導波路であり、第２部分１６４は、第１反射部（第１屈曲部）１９０と第２反射部（第２屈曲部）１９２との間に位置する光導波路であり、第３部分１６６は、第２出射部１８６と第２反射部（第２屈曲部）１９２との間に位置する光導波路であるということができる。
なお、図示の例では、出射部１８１，１８６および反射部１９０，１９２は、露出しているが、例えば、第１側面１３１を反射防止膜（図示せず）で覆い、第２側面１３２および第３側面１３３を反射膜（図示せず）で覆ってもよい。これにより、光導波路１６０に発生する光が、反射部１９０，１９２において、全反射しないような入射角度、屈折率等の条件下においても、光導波路１６０に発生する光の波長帯における第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率よりも低くすることができる。また、第１側面１３１を反射防止膜で覆うことにより、光導波路１６０に発生する光を、第１端面１８１と第６端面１８６との間で直接的に多重反射させることを低減することができる。そのため、直接的な共振器を構成させないことができ、光導波路１６０に発生する光のレーザー発振を抑制できる。
上記の反射膜および反射防止膜としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いる。また、側面１３２，１３３をエッチングによって形成されたＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）として、高い反射率を得てもよい。
第２クラッド層１０８は、図２および図３に示すように、活性層１０６上に形成されている。すなわち、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んでいる。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、電極１２０，１２２，１２４，１２６により電流が注入されることによって光を発生させ、光を増幅しつつ導波させる機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れを抑制する機能）を有する。
発光装置１００は、電極１２０と電極１２２，１２４，１２６との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、活性層１０６に光導波路１６０を生じ、光導波路１６０においてキャリアである電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０の電流が注入される部分内で、光の強度が増幅される。光導波路１６０は、例えば、活性層１０６とクラッド層１０４，１０８とによって構成されている。
例えば、図１に示すように、光導波路１６０の第１部分１６２に発生し、第２側面１３２側に向かう光１０は、第１部分１６２の電流が注入される部分内で増幅された後、第１反射部１９０において反射して、第３側面１３３に向かって第２部分１６４内を進行する。そして、さらに第２反射部１９２において反射して、第３部分１６６内を進行して第２出射部１８６から光２２として出射される。このとき、第２部分１６４および第３部分１６６の電流が注入される部分内においても光強度が増幅される。
同様に、第３部分１６６に発生し、第３側面１３３側に向かう光は、第３部分１６６の電流が注入される部分内で増幅された後、第２反射部１９２において反射して、第２側面１３２に向かって第２部分１６４内を進行する。そして、さらに第１反射部１９０において反射して、第１部分１６２内を進行して第１出射部１８１から光２０として出射される。このとき、第１部分１６２および第２部分１６４の電流が注入される部分内においても光強度が増幅される。
なお、第１部分１６２に発生する光には、直接、第１出射部１８１から光２０として出射されるものもある。同様に、第３部分１６６に発生する光には、直接、第２出射部１８６から光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に第１部分１６２および第３部分１６６の電流が注入される部分内において強度が増幅される。
コンタクト層１１０は、図２および図３に示すように、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０は、電極１２２，１２４，１２６とオーミックコンタクトすることができる。コンタクト層１１０の上面１１２は、第２電極１２２との第１接触面（積層体１０１の第２電極１２２との第１接触面）１１２ａと、第３電極１２４との第２接触面（積層体１０１の第３電極１２４との第２接触面）１１２ｂと、第４電極１２６との第３接触面（積層体１０１の第４電極１２６との第３接触面）１１２ｃと、を有している。第１接触面１１２ａは、第２電極１２２および積層体１０１が電気的に接触する第１接触部ということができる。第２接触面１１２ｂは、第３電極１２４および積層体１０１が電気的に接触する第２接触部ということができる。第３接触面１１２ｃは、第４電極１２６および積層体１０１が電気的に接触する第３接触部ということができる。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。
コンタクト層１１０の接触面１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、平面視において、反射部１９０，１９２と離間している。すなわち、第１部分１６２の電流が注入される部分（電極１２０，１２２間に位置する部分）、第２部分１６４の電流が注入される部分（電極１２０，１２４間に位置する部分）、および第３部分１６６の電流が注入される部分（電極１２０，１２６間に位置する部分）は、反射部１９０，１９２と離間している。図示の例では、電極１２２，１２４，１２６は、平面視において、反射部１９０，１９２と離間している。
コンタクト層１１０と第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部１１４を構成している。柱状部１１４の平面形状は、例えば、光導波路１６０の平面形状と同じである。例えば、柱状部１１４の平面形状によって、電極１２０と電極１２２，１２４，１２６との間の電流経路が決定され、その結果、光導波路１６０の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１４の側面は、傾斜していてもよい。
積層体１０１は、第１溝部１７０および第２溝部１７２を含むことができる。より具体的には、溝部１７０，１７２は、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８に設けられている。すなわち、溝部１７０，１７２は、コンタクト層１１０を貫通して第２クラッド層１０８まで到達しており、溝部１７０，１７２の底面は、第２クラッド層１０８の面によって規定されている。なお、図示はしないが、溝部１７０，１７２は、第２クラッド層１０８まで到達しておらず、溝部１７０，１７２の底面は、コンタクト層１１０の面によって規定されていてもよい。また、溝部１７０，１７２が第２クラッド層１０８を貫通しており、溝部１７０，１７２の底面が活性層１０６の上面により規定されていてもよい。
第１溝部１７０は、平面視において、光導波路１６０と重なる位置であって、第１接触面１１２ａと第２接触面１１２ｂとの間に設けられている。より具体的には、第１溝部１７０は、平面視において、光導波路１６０の延出方向（光の伝搬方向）における第１接触面１１２ａと第２接触面１１２ｂとの間に設けられている。第１溝部１７０は、図３に示すように第１開口部１４０と連続し、平面視において第１部分１６２および第２部分１６４と重なる位置に設けられていてもよい。なお、図示はしないが、第１溝部１７０は、平面視において、第１部分１６２のみと重なる位置に設けられていてもよいし、第２部分１６４のみと重なる位置に設けられていてもよい。
同様に、第２溝部１７２は、平面視において、光導波路１６０と重なる位置であって、第２接触面１１２ｂと第３接触面１１２ｃとの間に設けられている。より具体的には、第２溝部１７２は、平面視において、光導波路１６０の延出方向における第２接触面１１２ｂと第３接触面１１２ｃとの間に設けられている。第２溝部１７２は、第２開口部１４２と連続し、平面視において第２部分１６４および第３部分１６６と重なる位置に設けられている。なお、図示はしないがい、第２溝部１７２は、平面視において、第２部分１６４のみと重なる位置に設けられていてもよいし、第３部分１６６のみと重なる位置に設けられていてもよい。
第１溝部１７０および第２溝部１７２の平面形状は、特に限定されないが、図１に示す例では、長方形である。溝部１７０，１７２の光導波路１６０の延出方向における大きさは、例えば、第２クラッド層１０８の厚みの半分以上であり、光導波路１６０の全長より十分に小さい。具体的には、２５０ｎｍ以上５００μｍ以下である。このように溝部１７０，１７２の延出方向における大きさは、小さいため、光は、溝部１７０，１７２の影響をほとんど受けずに、光導波路１６０内を導波することができる。
なお、図３に示すように、溝部１７０，１７２には、絶縁層１１８が充填されていてもよい。絶縁層１１８は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層であってもよい。
絶縁層１１６は、図２に示すように、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１４の側方（平面視における柱状部１１４の周囲）に形成されている。絶縁層１１６は、柱状部１１４の側面に接している。絶縁層１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１２と連続している。
絶縁層１１６は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１６として上記の材料を用いた場合、電極１２０と電極１２２，１２４，１２６と間の電流は、絶縁層１１６を避けて、電極１２０と電極１２２，１２４，１２６とに挟まれた柱状部１１４を流れることができる。
絶縁層１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁層１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１４が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向（上下方向と直交する方向）において、光導波路１６０内に効率良く光を閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁層１１６は、設けられていていなくてもよい。すなわち、絶縁層１１６を空気層としてもよい。
第１電極１２０は、基板１０２の下の全面に形成されている。より具体的には、第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の下面１０３に接して形成されている。第１電極１２０は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
なお、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、基板１０２と反対側からのドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を基板１０２と反対側に露出させ、第１電極１２０を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。
第２電極１２２は、コンタクト層１１０上であって、平面視において、第１部分１６２と重なる位置に形成されている。第２電極１２２は、第１部分１６２に沿って延出する形状を有している。第２電極１２２は、光導波路１６０の延出方向において、電極１２２，１２４，１２６のうち第１出射部１８１までの距離が最も小さい電極である。第１部分１６２は、平面視において、第２電極１２２と重なっている部分と、第２電極１２２と重なっていない部分と、を有している。第１部分１６２の第２電極１２２と重なっている部分は、電極１２０，１２２によって電流が注入される。第１部分１６２の第２電極１２２と重なっていない部分の大きさ（第１部分１６２の延出方向の大きさ）は、第１部分１６２の第２電極１２２と重なっている部分の大きさ（第１部分１６２の延出方向の大きさ）よりも十分に小さい。そのため、第１部分１６２は、第２電極１２２と重なっていない部分においても、光を導波させることができる。
第３電極１２４は、コンタクト層１１０上であって、平面視において、第２部分１６４と重なる位置に形成されている。第３電極１２４は、第２部分１６４に沿って延出する形状を有している。第３電極１２４は、光導波路１６０の延出方向において、第２電極１２２と第４電極１２６との間に位置する電極である。第２部分１６４は、平面視において、第３電極１２４と重なっている部分と、第３電極１２４と重なっていない部分と、を有している。第２部分１６４の第３電極１２４と重なっている部分には、電極１２０，１２４によって電流が注入される。第２部分１６４の第３電極１２４と重なっていない部分の大きさ（第２部分１６４の延出方向の大きさ）は、第２部分１６４の第３電極１２４と重なっている部分の大きさ（第２部分１６４の延出方向の大きさ）よりも十分に小さい。そのため、第２部分１６４は、第３電極１２４と重なっていない部分においても、光を導波させることができる。
第４電極１２６は、コンタクト層１１０上であって、平面視において、第３部分１６６と重なる位置に形成されている。第４電極１２６は、第３部分１６６に沿って延出する形状を有している。第４電極１２６は、光導波路１６０の延出方向において、電極１２２，１２４，１２６のうち第２出射部１８６までの距離が最も小さい電極である。第３部分１６６は、平面視において、第４電極１２６と重なっている部分と、第４電極１２６と重なっていない部分と、を有している。第３部分１６６の第４電極１２６と重なっている部分には、電極１２０，１２６によって電流が注入される。第３部分１６６の第４電極１２６と重なっていない部分の大きさ（第３部分１６６の延出方向の大きさ）は、第３部分１６６の第４電極１２６と重なっている部分の大きさ（第３部分１６６の延出方向の大きさ）よりも十分に小さい。そのため、第３部分１６６は、第４電極１２６と重なっていない部分においても、光を導波させることができる。
具体的には、第１部分１６２の第２電極１２２と重なっていない部分の大きさ、第２部分１６４の第３電極１２４と重なっていない部分の大きさ、および第３部分１６６の第４電極１２６と重なっていない部分の大きさは、例えば、２５０ｎｍ以上５００μｍ以下である。
第２電極１２２、第３電極１２４、および第４電極１２６は、互いに離間している。すなわち、コンタクト層１１０上に形成された電極は、複数に分割されていると言うことができる。より具体的には、コンタクト層１１０上に形成された電極は、平面視において、反射部１９０，１９２に接しないように、分割されている。
第１電極１２０および第２電極１２２によって注入される第１部分１６２の電流密度、ならびに、第１電極１２０および第４電極１２６によって注入される第３部分１６６の電流密度は、第１電極１２０および第３電極１２４によって注入される第２部分１６４の電流密度よりも大きい。ここで、「電流密度」とは、単位面積に垂直な方向に単位時間に流れる電気量（電荷、すなわちキャリア）のことである。したがって、電極１２０，１２２によって注入される第１部分１６２のキャリア密度、ならびに、電極１２０，１２６によって注入される第３部分１６６のキャリア密度は、電極１２０，１２４によって注入される第２部分１６４のキャリア密度よりも大きい。
第２電極１２２、第３電極１２４、および第４電極１２６は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。電極１２２，１２４，１２６は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。電極１２２，１２４，１２６としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
なお、図１に示す例では、電極１２２，１２４，１２６は、光導波路１６０の各部分１６２，１６４，１６６に沿った形状を有し、互いに離間しているが、例えば、第２電極１２２および第４電極１２６は、互いに接続されて連続していてもよい。
また、第２電極１２２および第４電極１２６は、互いに等電位であってもよい。すなわち、電極１２２，１２６は、配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよいし、別々の電源（図示せず）に電気的に接続され、各電源によって等電位に設定されてもよい。
以上、第１の実施形態に係る発光装置１００として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、本発明に係る発光装置は、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
また、上記では、第１の実施形態に係る発光装置１００を、絶縁層１１６が形成されている領域と、絶縁層１１６が形成されていない領域、すなわち柱状部１１４を形成している領域との間に屈折率差を設けて光を閉じ込める、いわゆる屈折率導波型として説明した。図示はしないが、本発明に係る発光装置は、柱状部１１４を形成することによって屈折率差を設けないこととし、光導波路１６０がそのまま導波領域となる、いわゆる利得導波型であってもよい。
また、上記では、第１の実施形態に係る発光装置１００として、第２クラッド層１０８と電気的に接続された複数の電極１２２，１２４，１２６を含み、各電極１２２，１２４，１２６が、光導波路１６０に沿って形成されている例について説明したが、本発明に係る発光装置は、第１クラッド層１０４と電気的に接続された複数の電極を含み、該電極が光導波路１６０に沿って形成されていてもよい。
また、上記では、第１の実施形態に係る発光装置１００として、第２クラッド層１０８と電気的に接続され、光導波路１６０に沿って設けられた３つの電極１２２，１２４，１２６を含む例について説明したが、本発明に係る発光装置は、第２クラッド層１０８と電気的に接続された電極を４つ以上含み、該４つ以上の電極が互いに離間して、光導波路１６０に沿って設けられていてもよい。
第１の実施形態に係る発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用される。
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置１００によれば、第１電極１２０および第２電極１２２によって注入される第１部分１６２の電流密度、ならびに、第１電極１２０および第４電極１２６によって注入される第３部分１６６の電流密度は、第１電極１２０および第３電極１２４によって注入される第２部分１６４の電流密度よりも大きい。すなわち、電極１２０，１２２によって注入される第１部分１６２のキャリア密度、および電極１２０，１２６によって注入される第３部分１６６のキャリア密度は、電極１２０，１２４によって注入される第２部分１６４のキャリア密度よりも大きい。さらに、第１部分１６２および第３部分１６６は、それぞれ出射部１８１，１８６を有している。そのため、発光装置１００では、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。以下、その理由について具体的に説明する。
図４（Ａ）および図５（Ａ）は、光導波路の延出方向における位置と、光密度と、の関係を模式的に示すグラフである。図４（Ｂ）および図５（Ｂ）は、光導波路の延出方向における位置と、注入電流密度と、の関係を模式的に示すグラフである。図４は、光導波路の延出方向における注入電流密度が一定の場合を示し、図５は、光導波路の延出方向における注入電流密度を変化させた場合を示している。ここで、「光密度」とは、光導波路の延出方向のその位置において、単位時間あたり、光導波路の延出方向に対して垂直な断面を通過する光子の数のことである 。
なお、図４および図５では、幅（光導波路の延出方向と直交する方向の大きさ）が一定な光導波路を想定している。また、図４および図５では、横軸の位置０から矢印方向に向かう光のみを考慮している。
ＳＬＤでは、光を出射させる出射部（反射率が小さい側）に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、図４に示すように、光密度は、光導波路の延出方向において不均一な分布を持ち、光密度の大きい出射部側では、利得の飽和が発生してしまう。すなわち、光導波路の延出方向において、注入電流密度（すなわちキャリア密度）が一定の場合、出射部側では、光に対して（光子に対して）キャリアが相対的に足りなくなる。つまり、光が増幅されようとしたとき、光に変換されるキャリアが足りなくなる。その結果、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下してしまう。
ここで、光密度が小さい部分（出射部側とは反対側）は、出射部側に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている。図５に示すように、このような余剰キャリアを、キャリアが不足している出射部側に注入することで、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。すなわち、電流密度を変化させることにより、光導波路全体の注入電流の大きさを一定に保ちつつ、利得の飽和を低減し、最終的な光出力を大きくすることができる。
発光装置１００では、上述のように、出射部１８１，１８６を有する第１部分１６２および第３部分１６６の電流密度（キャリア密度）を、第２部分１６４の電流密度より大きくすることで、光導波路１６０全体に注入する電流の大きさを一定に保ちつつ、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。すなわち、発光装置１００では、光導波路１６０全体に注入する電流の大きさを、電流密度を光導波路の延出方向において一定にした場合の光導波路全体に注入する電流の大きさと、同じにしても、より高出力化を図ることできる。その結果、発光装置１００では、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。
さらに発光装置１００によれば、平面視において、積層体１０１の第２電極１２２との第１接触面１１２ａ、積層体１０１の第３電極１２４との第２接触面１１２ｂ、および積層体１０１の第４電極１２６との第３接触面１１２ｃは、それぞれ離間している。さらに、平面視において、第１接触面１１２ａと第２接触面１１２ｂとの間であって、光導波路１６０と重なる位置に第１溝部１７０が設けられ、第２接触面１１２ｂと第３接触面１１２ｃとの間であって、光導波路１６０と重なる位置に第２溝部１７２が設けられている。これにより、第１部分１６２および第３部分１６６と第２部分１６４との間で生じる、キャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる（詳細は後述する）。その結果、光出力が低下することを抑制できる 。
さらに、発光装置１００では、光導波路１６０は、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する帯状の形状を有する第１部分１６２と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する帯状の形状を有する第２部分１６４と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する帯状の形状を有する第３部分１６６と、を有している。そのため、発光装置１００では、平面視において第１側面１３１と直交する方向の大きさを大きくすることなく、第２部分１６４により、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを調整することができる（図１参照）。これにより、発光装置１００をプロジェクターの光源として用いた場合に、例えば、マイクロレンズ（レンズアレイ）の大きさに合わせて、容易に出射部１８１，１８６の間隔を調整することができる。
発光装置１００によれば、平面視において、積層体１０１の第２電極１２２との第１接触面１１２ａ、積層体１０１の第３電極１２４との第２接触面１１２ｂ、および積層体１０１の第４電極１２６との第３接触面１１２ｃは、第１反射部１９０および第２反射部１９２と離間している。そのため、電極１２０，１２２によって生じるキャリア、および電極１２０，１２６によって生じるキャリアが、反射部１９０，１９２による光損失により、光導波路１６０の第２部分１６４に注入されることを抑制できる。すなわち、反射部１９０，１９２により生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる。その結果、光出力が低下することを抑制できる。以下、具体的にその理由を説明する。
図６（Ａ）および図７（Ａ）は、光導波路の延出方向における位置と、光密度と、の関係を模式的に示すグラフである。図６（Ｂ）および図７（Ｂ）は、光導波路の延出方向における位置と、利得（キャリア密度）と、の関係を模式的に示すグラフである。図６は、キャリア密度の差によってキャリアが移動する前の状態を示している。図７は、キャリア密度の差によってキャリアが移動した後の状態を示している。
なお、図６では、反射部において光損失がないと過程した場合の曲線も破線で示している。また、図７では、キャリア密度の差によってキャリアが移動する前の状態も破線で示している。また、図６および図７では、幅（光導波路の延出方向と直交する方向の大きさ）が一定な光導波路を想定している。また、図６および図７では、横軸の位置０から矢印の先端（外側）に向かう光のみを考慮している。
光を反射させる反射部の光損失は、光導波路の直線部分における光損失に比べて、大きい。そのため、図６に示すように、反射部の位置において光密度は低下する。光密度が低下した場所では、キャリアが消費されなくなるので、その分、反射部の位置においてキャリア密度（キャリア濃度）は高くなる。これにより、反射部の位置を境に、キャリア密度に差が生じる（キャリアの分布にむらが生じる）。その結果、図７に示すように、キャリア密度の高い部分からキャリア密度の低い部分に向けて、キャリアが移動する。これにより、反射部の手前（例えば光導波路の中央部）においてキャリア密度が高くなり、光の増幅率が増える。しかしながら、光の損失部である反射部の手前で、光を増幅してしまうので、反射部での光損失が大きくなり、最終的な光出力は低下してしまう。なお、光導波路の直線部分における光損失は、伝搬損失が大部分を占めており、この光損失は実質的に伝搬損失であるということができる。
発光装置１００では、上述のように、平面視において、接触面１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、反射部１９０，１９２と離間している。さらに、平面視において、第１接触面１１２ａと第２接触面１１２ｂとの間であって、光導波路１６０と重なる位置に第１溝部１７０が設けられ、第２接触面１１２ｂと第３接触面１１２ｃとの間であって、光導波路１６０と重なる位置に第２溝部１７２が設けられている。そのため、発光装置１００では、反射部１９０，１９２の前後（反射部１９０，１９２の光導波路１６０の延出方向における前後）に生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを抑制できる。その結果、発光装置１００では、上記のような問題を回避することができ、光出力が低下することを抑制できる。
さらに、発光装置１００では、第１溝部１７０によって、第２電極１２２と第３電極１２４との間の絶縁性を高めることができる。同様に、第２溝部１７２によって、第３電極１２４と第４電極１２６との間の絶縁性を高めることができる。
発光装置１００によれば、第１溝部１７０および第２溝部１７２は、コンタクト層１１０を貫通して、第２クラッド層１０８まで到達している。そのため、反射部１９０，１９２の前後に生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを、より確実に抑制できる。なお、図示はしないが、第１溝部１７０および第２溝部１７２は、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８を貫通していてもよい。これにより、反射部１９０，１９２の前後に生じるキャリア密度の差によって、キャリアが移動することを、より確実に抑制できる。
発光装置１００によれば、平面視において、第１部分１６２は、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して傾いて第１側面１３１と接続され、第３部分１６６は、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して傾いて第１側面１３１と接続されている。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０に発生する光を、第１端面１８１と第６端面１８６との間で直接的に多重反射させることを低減することができる。これにより、直接的な共振器を構成させないことができ、光導波路１６０に発生する光のレーザー発振を抑制できる。したがって、発光装置１００では、スペックルノイズを低減することができる。
１．２． 発光装置の製造方法
次に、第１の実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８〜図１０は、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
図８に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いる。
図９に示すように、 コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用いて行われる。本工程により、柱状部１１４を形成することができる。また、本工程において、溝部１７０，１７２（図１，３参照）を形成することができる。なお、柱状部１１４を形成する工程と、溝部１７０，１７２を形成する工程とは、別々の工程で行われてもよい。
図１０に示すように、柱状部１１４の側面を覆うように絶縁層１１６を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法などにより、第２クラッド層１０８の上方（コンタクト層１１０上を含む）に絶縁部材（図示せず）を成膜する。次に、例えばエッチングにより、コンタクト層１１０の上面１１２を露出させる。以上の工程により、絶縁層１１６を形成することができる。また、本工程において、溝部１７０，１７２に絶縁層１１８（図３参照）を形成することができる。なお、絶縁層１１６を形成する工程と、絶縁層１１８を形成する工程は、別々の工程で行われてもよい。
図１および図３に示すように、積層体１０１に、開口部１４０，１４２を形成し、側面１３２，１３３を露出させる。開口部１４０，１４２は、フォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。なお、開口部１４０，１４２を形成する工程と、後述する電極１２０，１２２，１２４，１２６を形成する工程と、の順序は、特に限定されない。
図１および図２に示すように、コンタクト層１１０上に電極１２２，１２４，１２６を形成する。電極１２２，１２４，１２６は、例えば、真空蒸着法により形成される。電極１２２，１２４，１２６は、図示せぬ所定形状のマスク層を形成して電極層を成膜した後、マスク層を除去することによって形成されてもよい（リフトオフ）。その後、アロイ化のための熱処理を行ってもよい。
次に、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。第１電極１２０は、例えば、真空蒸着法により形成される。真空蒸着法による成膜後に、アロイ化のための熱処理を行ってもよい。なお、電極１２０を形成する工程と、電極１２２，１２４，１２６を形成する工程と、の順序は、特に限定されない。また、電極１２０，１２２，１２４，１２６を形成した後に、劈開によって、活性層１０６の側面１３１，１３４，１３５，１３６を露出させてもよい。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
発光装置１００の製造方法によれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる発光装置１００を得ることができる。
１．３． 発光装置の変形例
１．３．１． 第１変形例
次に、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１１は、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。
以下、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、第１の実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置３００についても同様である。
発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０の第１部分１６２は、電極１２０，１２２のみによって電流が注入され、第２部分１６４は、電極１２０，１２４のみによって電流が注入され、第３部分１６６は、電極１２０，１２６のみによって電流が注入されていた。
これに対し、発光装置２００では、図１１に示すように、第１部分１６２は、電極１２０，１２２，１２４によって電流が注入され、第３部分１６６は、電極１２０，１２４，１２６によって電流が注入されている。
具体的には、第１部分１６２は、電極１２０，１２２間に位置する部分と、電極１２０，１２４間に位置する部分と、を有している。図示の例では、第１溝部１７０は、平面視において、電極１２２，１２４間であって、第１部分１６２と重なる位置に設けられている。第１溝部１７０は、光導波路１６０の延出方向において、第１反射部１９０よりも第１出射部１８１側に位置している。
第３部分１６６は、電極１２０，１２４間に位置する部分と、電極１２０，１２６間に位置する部分と、を有している。図示の例では、第２溝部１７２は、平面視において、電極１２４，１２６間であって、平面視において第３部分１６６と重なる位置に設けられている。第２溝部１７２は、光導波路１６０の延出方向において、第２反射部１９２よりも第２出射部１８６側に位置している。
第３電極１２４は、平面視において、第２部分１６４全体と重なっている。さらに、第３電極１２４は、平面視において、第１部分１６２の一部および第３部分１６６の一部と重なっている。図示の例では、第３電極１２４は、平面視において、反射部１９０，１９２に接している。
発光装置２００によれば、平面視において、反射部１９０，１９２に接していない電極１２２，１２６と、電極１２０と、の間の電流密度を、反射部１９０，１９２に接している電極１２４と、電極１２０と、の間の電流密度よりも大きくすることにより、利得飽和を低減しつつ、反射部１９０，１９２における光損失を低減することができる。例えば、反射部に接している一方の電極と、他方の電極と、の間の電流密度を、反射部に接していない一方の電極と、他方の電極と、の間の電流密度よりも大きくすると、反射部における光の損失が増加し、高効率化を図ることができない場合がある。
１．３．２． 第２変形例
次に、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、第１の実施形態の第１変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である。
発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０は、１つ設けられていた。これに対し、発光装置３００では、図１２に示すように、光導波路１６０は、複数設けられている。図示の例では、光導波路１６０は、２つ設けられているが、複数であれば、その数は特に限定されない。複数の光導波路１６０は、第１側面１３１の垂線Ｐ１と直交する方向に、配列されている。図示の例では、１つの光導波路１６０において、第１出射部１８１と第２出射部１８６とは、間隔Ｄで離間しており、かつ、一方の光導波路１６０の第１出射部１８１と他方の光導波路１６０の第２出射部１８６とは、間隔Ｄで離間している。
発光装置３００によれば、発光装置１００の例に比べて、高出力化を図ることができる。
２． 第２の実施形態
２．１． 発光装置
次に、第２の実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１３は、第２の実施形態に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である。
以下、第２の実施形態に係る発光装置４００において、第１の実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置１００は、図１に示すように、光導波路１６０の第１部分１６２および第３部分１６６は、平面視において、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して角度α（角度αは０°より大きい鋭角）で傾いて第１側面１３１と接続していた。
これに対し、発光装置４００では、図１３に示すように、光導波路１６０の第１部分１６２および第３部分１６６は、平面視において、第１側面１３１に直交している。すなわち、発光装置４００では、第１部分１６２および第３部分１６６の延出方向は、第１側面１３１の垂線Ｐ１と平行である。つまり、角度αは、０°であり、角度βおよび角度γは、ともに４５°である。
発光装置４００では、第１側面１３１は、反射防止膜４３１によって覆われている。反射防止膜４３１としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いる。反射防止膜４３１によって、発光装置４００では、光導波路１６０に発生する光を、第１端面１８１と第６端面１８６との間で直接的に多重反射させることを低減することができる。そのため、直接的な共振器を構成させないことができ、光導波路１６０に発生する光のレーザー発振を抑制できる。したがって、発光装置４００では、スペックルノイズを低減することができる。
発光装置４００では、平面視において、第２電極１２２の面積と、第４電極１２６の面積とは、同じであってもよい。その場合、例えば、第１部分１６２における光密度と、第３部分１６６における光密度とは、同じであるため、電極１２０，１２２によって第１部分１６２に注入される電流密度の大きさと、電極１２０，１２６によって第３部分１６６に注入される電流密度の大きさとは、同じであってもよい。これにより、電極１２０，１２２によって第１部分１６２に注入される電流密度と、電極１２０，１２６によって第３部分１６６に注入される電流密度とが異なる場合に比べて、駆動時の電流制御を容易にすることができる。また、第２電極１２２と第４電極１２６が電気的に接続されていてもよい。また、第２電極１２２と第４電極１２６とは共通電極で構成されていてもよい。これにより、電極１２０，１２２によって第１部分１６２に注入される電流密度の大きさと、電極１２０，１２６によって第３部分１６６に注入される電流密度の大きさと、を容易に同じに（等しく）することができる。その結果、発光装置４００の駆動時の電流制御を容易にすることができる。なお、図示はしないが、平面視において、第２電極１２２の面積と、第４電極１２６の面積とは、異なっていてもよい。
発光装置４００によれば、発光装置１００と同様に、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる。
２．２． 発光装置の製造方法
次に、第２の実施形態に係る発光装置の製造方法について、説明する。第２の実施形態に係る発光装置の製造方法は、反射防止膜４３１を例えばＣＶＤ法によって第１側面１３１に形成すること以外は、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法と、基本的に同じである。よって、その詳細な説明を省略する。
２．３． 発光装置の変形例
次に、第２の実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１４は、第２の実施形態の変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。
以下、第２の実施形態の変形例に係る発光装置５００において、第１の実施形態に係る発光装置１００および第２の実施形態に係る発光装置４００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置４００では、図１３に示すように、光導波路１６０の第１部分１６２は、電極１２０，１２２のみによって電流が注入され、第２部分１６４は、電極１２０，１２４のみによって電流が注入され、第３部分１６６は、電極１２０，１２６のみによって電流が注入されていた。
これに対し、発光装置５００では、図１４に示すように、第１部分１６２は、電極１２０，１２２，１２４によって電流が注入され、第３部分１６６は、電極１２０，１２４，１２６によって電流が注入されている。
具体的には、第１部分１６２は、電極１２０，１２２間に位置する部分と、電極１２０，１２４間に位置する部分と、を有している。図示の例では、第１溝部１７０は、平面視において、電極１２２，１２４間であって、第１部分１６２と重なる位置に設けられている。第１溝部１７０は、光導波路１６０の延出方向において、第１反射部１９０よりも第１出射部１８１側に位置している。
第３部分１６６は、電極１２０，１２４間に位置する部分と、電極１２０，１２６間に位置する部分と、を有している。図示の例では、第２溝部１７２は、平面視において、電極１２４，１２６間であって、平面視において第３部分１６６と重なる位置に設けられている。第２溝部１７２は、光導波路１６０の延出方向において、第２反射部１９２よりも第２出射部１８６側に位置している。
第３電極１２４は、平面視において、第２部分１６４全体と重なっている。さらに、第３電極１２４は、平面視において、第１部分１６２の一部および第３部分１６６の一部と重なっている。図示の例では、第３電極１２４は、平面視において、反射部１９０，１９２に接している。
発光装置５００によれば、発光装置２００と同様に、反射部１９０，１９２における光損失を低減することができる。
３． 第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１５は、第３の実施形態に係るプロジェクター８００を模式的に示す図である。図１６は、第３の実施形態に係るプロジェクター８００の一部を模式的に示す図である。
なお、便宜上、図１５では、プロジェクター８００を構成する筐体を省略し、さらに光源３００を簡略化して図示している。また、図１６では、便宜上、光源３００、レンズアレイ８０２、および液晶ライトバルブ８０４について図示し、さらに光源３００を簡略化して図示している。
プロジェクター８００は、図１５および図１６に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源３００Ｒ、緑色光源３００Ｇ、青色光源３００Ｂを含む。赤色光源３００Ｒ、緑色光源３００Ｇ、青色光源３００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置３００を用いた例について説明する。
プロジェクター８００は、さらに、レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）８０８と、を含む。
光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂに入射する。図１６に示すように、レンズアレイ８０２は、光源３００側に、出射部１８１，１８６から出射される光２０，２２が入射する平坦面８０１を有している。平坦面８０１は、複数の光出射部１８１，１８６に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。平坦面８０１の法線（図示せず）は、光２０，２２の光軸に対して傾斜している。したがって、平坦面８０１によって、光２０，２２の光軸を、液晶ライトバルブ８０４の照射面８０５に対して、直交させることができる。
レンズアレイ８０２は、液晶ライトバルブ８０４側に、凸曲面８０３を有している。凸曲面８０３は、複数の平坦面８０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。平坦面８０１において光軸が変換された光２０，２２は、凸曲面８０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
以上のように、レンズアレイ８０２は、光源３００から出射される光２０，２２の光軸を制御して、光２０，２２を集光させることができる。
図１５に示すように、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ８０８は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）８１０に投射する。
また、プロジェクター８００は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ８０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）８０６を、含むことができる。
各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ８０８によりスクリーン８１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
プロジェクター８００によれば、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制できる発光装置３００を含むことができる。
プロジェクター８００によれば、第１側面１３１と直交する方向の長さを大きくすることなく、第２部分１６４により、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを調整することができる発光装置３００を含む（図１２参照）。これにより、レンズアレイ８０２の大きさに合わせて、容易に出射部１８１，１８６の間隔Ｄを調整することができる。したがって、プロジェクター８００では、レンズアレイのアライメントが容易であり、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
プロジェクター８００によれば、光源３００を液晶ライトバルブ８０４の直下に配置し、レンズアレイ８０２を用いて集光と均一照明とを同時に行う方式（バックライト方式）であるため、光学系の損失低減と部品点数の削減とを図ることができる。
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源３００を、光源３００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１０，２０，２２…光、１００…発光装置、１０１…積層体、１０２…基板、１０３…接触面、１０４…第１クラッド層、１０６…活性層、１０８…第２クラッド層、１１０…コンタクト層、１１２…上面、１１２ａ…第１接触面、１１２ｂ…第２接触面、１１２ｃ…第３接触面、１１４…柱状部、１１６，１１８…絶縁層、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１２４…第３電極、１２６…第４電極、１３１…第１側面、１３２…第２側面、１３３…第３側面、１３４…第４側面、１３５…第５側面、１３６…第６側面、１４０…第１開口部、１４２…第２開口部、１６０…光導波路、１６２…第１部分、１６４…第２部分、１６６…第３部分、１７０…第１溝部、１７２…第２溝部、１８１…第１端面、１８２…第２端面、１８３…第３端面、１８４…第４端面、１８５…第５端面、１８６…第６端面、１９０…第１反射部、１９２…第２反射部、２００，３００，４００…発光装置、４３１…反射防止膜、５００…発光装置、８００…プロジェクター、８０１…平坦面、８０２…レンズアレイ、８０３…凸曲面、８０４…液晶ライトバルブ、８０５…照射面、８０６…クロスダイクロイックプリズム、８０８…投射レンズ、８１０…スクリーン

Claims (14)

  1. 電流が注入されることによって光を発生させる活性層、前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層、を有する積層体と、
    前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２クラッド層と電気的に接続された、第２電極、第３電極、および第４電極と、
    を含み、
    前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
    前記光導波路は、
    前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部と前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部とを接続する帯状の形状を有する第１部分と、
    前記第１反射部と前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部とを接続する帯状の形状を有する第２部分と、
    前記第２反射部と前記第１側面に設けられた第２出射部とを接続する帯状の形状を有する第３部分と、
    を含み、
    前記第１部分は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入され、
    前記第２部分は、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
    前記第３部分は、前記第１電極および前記第４電極によって電流が注入され、
    前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度、ならびに、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度は、前記第１電極および前記第３電極によって注入される前記第２部分の電流密度よりも大きい、ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記第２電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第１接触部、前記第３電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第２接触部、ならびに前記第４電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第３接触部は、前記積層体の積層方向から見て、前記第１反射部および前記第２反射部と離間している、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１部分は、さらに、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
    前記第３部分は、さらに、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入される、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度と、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度とが、等しい、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記第２電極と前記第４電極とが電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記積層体は、
    前記積層体の積層方向から見て、前記第２電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第１接触部と、前記第３電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第２接触部と、の間であって、前記光導波路と重なる位置に設けられる、第１溝部と、
    前記積層体の積層方向から見て、前記第２接触部と、前記第４電極および前記積層体が電気的に接触する部分である第３接触部と、の間であって、前記光導波路と重なる位置に設けられる、第２溝部とを含む、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記積層体は、前記第２クラッド層上に形成されたコンタクト層を含み、
    前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層に設けられている、ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層を貫通して、前記第２クラッド層まで到達している、ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記第１溝部および前記第２溝部は、前記コンタクト層および前記第２クラッド層を貫通している、ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記積層体の積層方向から見て、
    前記第１部分および前記第３部分は、前記第１側面の垂線に対して傾いて前記第１側面と接続されている、ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. 電流が注入されることによって光を発生させる活性層を含み、
    前記活性層は、
    光を出射させる第１出射部および第２出射部と、
    前記第１出射部および前記第２出射部を接続する光導波路と、
    前記光導波路を導波する光の進行方向が変化する第１屈曲部および第２屈曲部と、を含み、
    前記第１出射部と前記第１屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度は、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度よりも大きく、
    前記第２出射部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度は、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間に位置する光導波路に注入される電流密度よりも大きい、ことを特徴とする発光装置。
  12. 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
  13. 電流が注入されることによって光を発生させる活性層、前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層、を有する積層体と、
    前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２クラッド層と電気的に接続された、第２電極、第３電極、および第４電極と、
    を含み、
    前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
    前記光導波路は、
    前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部と前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部とを接続する帯状の形状を有する第１部分と、
    前記第１反射部と前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部とを接続する帯状の形状を有する第２部分と、
    前記第２反射部と前記第１側面に設けられた第２出射部とを接続する帯状の形状を有する第３部分と、
    を含み、
    前記第１部分は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入され、
    前記第２部分は、前記第１電極および前記第３電極によって電流が注入され、
    前記第３部分は、前記第１電極および前記第４電極によって電流が注入され、
    前記第１電極および前記第２電極によって注入される前記第１部分の電流密度、ならびに、前記第１電極および前記第４電極によって注入される前記第３部分の電流密度は、前記第１電極および前記第３電極によって注入される前記第２部分の電流密度よりも大きい、ことを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。
  14. 請求項１３に記載のスーパールミネッセントダイオードと、
    前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
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CN201410037442.3A CN103972333A (zh) 2013-02-01 2014-01-26 发光装置、超辐射发光二极管、以及投影仪
US14/165,726 US9341932B2 (en) 2013-02-01 2014-01-28 Light emitting device, super-luminescent diode, and projector
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017017248A (ja) * 2015-07-03 2017-01-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
US9653641B2 (en) 2014-12-24 2017-05-16 Seiko Epson Corporation Light emitting device and projector

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6421928B2 (ja) * 2014-12-24 2018-11-14 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018182306A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 光半導体素子、及び光半導体素子の駆動方法
CN108878496B (zh) * 2018-07-02 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
US20230131918A1 (en) * 2021-10-25 2023-04-27 Meta Platforms Technologies, Llc Strain management of iii-p micro-led epitaxy towards higher efficiency and low bow

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174383A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光増幅器
JP2000269600A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hitachi Cable Ltd 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス
JP2009152605A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Korea Electronics Telecommun 光増幅器が集積されたスーパーミネッセンスダイオード及びこれを利用した外部共振レーザー
JP2011155103A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Panasonic Corp 半導体発光素子
JP2012190907A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Seiko Epson Corp 発光装置およびプロジェクター

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0497206A (ja) * 1990-08-10 1992-03-30 Anritsu Corp 半導体光素子
JPH1084130A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子
US7944567B2 (en) * 2005-12-05 2011-05-17 Fujifilm Corporation Semiconductor light emitting element, light source using the semiconductor light emitting element, and optical tomography imaging apparatus
JP5382289B2 (ja) 2008-03-26 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US7960743B2 (en) * 2008-12-05 2011-06-14 Jds Uniphase Corporation Multi-electrode light emitting device
JP5196179B2 (ja) * 2009-01-29 2013-05-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP5333757B2 (ja) * 2009-06-23 2013-11-06 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP5429471B2 (ja) 2009-09-18 2014-02-26 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
JP5589580B2 (ja) 2010-06-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174383A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光増幅器
JP2000269600A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hitachi Cable Ltd 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス
JP2009152605A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Korea Electronics Telecommun 光増幅器が集積されたスーパーミネッセンスダイオード及びこれを利用した外部共振レーザー
JP2011155103A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Panasonic Corp 半導体発光素子
JP2012190907A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Seiko Epson Corp 発光装置およびプロジェクター

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9653641B2 (en) 2014-12-24 2017-05-16 Seiko Epson Corporation Light emitting device and projector
JP2017017248A (ja) * 2015-07-03 2017-01-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター

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