JP5333757B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/5009—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive
- H01S5/5018—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive using two or more amplifiers or multiple passes through the same amplifier
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/1007—Branched waveguides
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
- H01S5/1085—Oblique facets
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
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- H—ELECTRICITY
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Description
閃亜鉛鉱型構造の単結晶からなり、低指数面から所定の角度で傾斜した面を主面とする基板と、
前記主面の上方に形成された第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第1側面と、前記第1側面に平行な第2側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、第1利得領域と、第2利得領域と、を構成し、
前記第1利得領域および前記第2利得領域に生じる光の波長帯において、前記第1側面の反射率は、前記第2側面の反射率よりも高く、
前記第1利得領域および前記第2利得領域の各々は、前記第1側面側の端面から、前記第2側面側の端面まで設けられ、
前記第1利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部と、前記第2利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、
前記第1利得領域および前記第2利得領域の各々では、前記第1側面側から平面的に見て、前記第1側面側の端面と、前記第2側面側の端面とは、重なっておらず、
前記第1側面の垂線は、平面的に見て前記基板のオフ方向に平行であり、
前記第1利得領域の長さと、前記第2利得領域の長さは、等しい。
平面的に見て、前記第1利得領域の前記オフ方向に対する角度の大きさと、前記第2利得領域の前記オフ方向に対する角度の大きさとは、等しいことができる。
前記第1利得領域は、前記第1側面から前記第2側面までの間に、前記第1利得領域内を進行する光を反射させる反射面を有し、
前記第1利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光と、前記第2利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光は、同一の方向に向かって進むことができる。
前記反射面は、前記第1側面および前記第2側面と直交する前記活性層の第3側面に設けられ、
前記第1利得領域は、
前記第1側面から前記第3側面まで設けられた第1部分と、
前記第3側面から前記第2側面まで設けられた第2部分と、
を有し、
平面的に見て、前記第1部分の前記第1側面の垂線に対する角度と、前記第2部分の前記第1側面に対する角度と、前記第2利得領域の前記第1側面の垂線に対する角度とは、同じ大きさの角度であることができる。
閃亜鉛鉱型構造の単結晶からなり、低指数面から所定の角度で傾斜した面を主面とする基板と、
前記主面の上方に形成された第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第1側面と、前記第1側面に平行な第2側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、第1利得領域と、第2利得領域と、を構成し、
前記第1利得領域および前記第2利得領域に生じる光の波長帯において、前記第1側面の反射率は、前記第2側面の反射率よりも高く、
前記第1利得領域および前記第2利得領域の各々は、前記第1側面側の端面から、前記第2側面側の端面まで設けられ、
前記第1利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部と、前記第2利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、
前記第1利得領域および前記第2利得領域の各々では、前記第1側面側から平面的に見て、前記第1側面側の端面と、前記第2側面側の端面とは、重なっておらず、
前記第1側面の垂線は、平面的に見て、前記基板のオフ方向に平行であり、
前記第2利得領域は、平面的に見て、
平面的に見て、前記第1利得領域の前記オフ方向に対する傾きの大きさと傾きの大きさが等しい第1利得部分と、
平面的に見て、前記第1利得領域の前記オフ方向に対する傾きの大きさと傾きの大きさが異なる第2利得部分と、を有し、
前記第1利得部分の長さは、前記第2利得部分の長さより長い。
前記第1利得領域は、平面的に見て、直線状の形状を有し、
前記第2利得領域は、曲がり利得部を有し、
前記第1利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光と、前記第2利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光は、同一の方向または集束する方向に向かって進むことができる。
前記第1クラッド層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2クラッド層と電気的に接続された第2電極と、
を有し、
前記第1電極は、オーミックコンタクトする第1層と接しており、
前記第2電極は、オーミックコンタクトする第2層と接しており、
前記第1電極と前記第1層との接触面、および、前記第2電極と前記第2層との接触面のうちの少なくとも一方は、前記第1利得領域および前記第2利得領域と同じ平面形状を有することができる。
前記第1利得領域と前記第2利得領域は、利得領域の対をなし、
前記利得領域の対は、複数配置されていることができる。
まず、本実施形態に係る発光装置について説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す斜視図である。図2は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図であり、図2のIII−III線断面図である。なお、図1および図2では、便宜上、第2電極114の図示を省略している。また、ここでは、発光装置100がInGaAlP系(赤色)の半導体発光装置である場合について説明する。
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図6〜図8は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図であり、図3に対応している。図9は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す平面図である。なお、図9では、便宜上、第2電極114の図示を省略している。
次に本実施形態に係る受発光装置の変形例について説明する。なお、上述した図1〜図3に示す発光装置100の例と異なる点について説明し、同様の点については同一の符号を付し説明を省略する。
まず、第1の変形例について説明する。図10は、本変形例に係る発光装置200を模式的に示す平面図である。なお、図10では、便宜上、第2電極114の図示を省略している。
次に、第2の変形例について説明する。図11は、本変形例に係る発光装置300を模式的に示す平面図である。なお、図11では、便宜上、第2電極114の図示を省略している。
次に、第3の変形例について説明する。図12は、本変形例に係る発光装置400を模式的に示す平面図である。なお、図12では、便宜上、第2電極114の図示を省略している。
次に、第4の変形例について説明する。図13は、本変形例に係る発光装置500を模式的に示す断面図であり、図3に対応している。
Claims (4)
- 閃亜鉛鉱型構造の単結晶からなり、低指数面から所定の角度で傾斜した面を主面とする基板と、
前記主面の上方に形成された第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第1側面と、前記第1側面に平行な第2側面と、前記第1側面および前記第2側面と異なる第3側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、第1利得領域と、第2利得領域と、を構成し、
前記第1利得領域および前記第2利得領域に生じる光の波長帯において、前記第1側面および前記第3側面の反射率は、前記第2側面の反射率よりも高く、
前記第1利得領域は、
前記第1側面と前記第3側面とを接続する第1部分と、
前記第3側面と前記第2側面とを接続する第2部分と、
を有し、
前記第2利得領域は、前記第1側面と前記第2側面とを接続し、
前記第1部分の前記第1側面側の端面の少なくとも一部と、前記第2利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、
前記主面の法線方向から見て、前記第1部分の前記第1側面の垂線に対する角度と、前記第2部分の前記第1側面に対する角度と、前記第2利得領域の前記第1側面の垂線に対する角度は、同じ大きさの角度であり、
前記第1側面の垂線は、前記基板のオフ方向に平行であり、
前記第1利得領域の長さと、前記第2利得領域の長さは、等しく、
前記第2部分の前記第2側面側の端面から出射される光と、前記第2利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光は、同一の方向に向かって進む、発光装置。 - 閃亜鉛鉱型構造の単結晶からなり、低指数面から所定の角度で傾斜した面を主面とする基板と、
前記主面の上方に形成された第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第1側面と、前記第1側面に平行な第2側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、第1利得領域と、第2利得領域と、を構成し、
前記第1利得領域および前記第2利得領域に生じる光の波長帯において、前記第1側面の反射率は、前記第2側面の反射率よりも高く、
前記第1利得領域および前記第2利得領域の各々は、前記第1側面と、前記第2側面とを接続し、
前記第1利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部と、前記第2利得領域の前記第1側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、
前記第1側面の垂線は、前記基板のオフ方向に平行であり、
前記第1利得領域は、前記主面の法線方向から見て、直線状の形状を有し、かつ、前記第1側面の垂線に対して傾いており、
前記第2利得領域は、
前記主面の法線方向から見て、前記第1利得領域の前記オフ方向に対する傾きの大きさと傾きの大きさが等しい第1利得部分と、
前記主面の法線方向から見て、前記第1利得領域の前記オフ方向に対する傾きの大きさと傾きの大きさが異なる第2利得部分と、を有し、
前記第2利得部分は、曲線形状を有する曲がり利得部を構成し、
前記第1利得部分の長さは、前記第2利得部分の長さより長く、
前記第1利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光と、前記第2利得領域の前記第2側面側の端面から出射される光は、同一の方向または集束する方向に向かって進む、発光装置。 - 請求項1または2のいずれか一項において、
前記第1クラッド層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2クラッド層と電気的に接続された第2電極と、
を有し、
前記第1電極は、オーミックコンタクトする第1層と接しており、
前記第2電極は、オーミックコンタクトする第2層と接しており、
前記第1電極と前記第1層との接触面、および、前記第2電極と前記第2層との接触面のうちの少なくとも一方は、前記第1利得領域および前記第2利得領域と同じ平面形状を有する、発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第1利得領域と前記第2利得領域は、利得領域の対をなし、
前記利得領域の対は、複数配置されている、発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148611A JP5333757B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 発光装置 |
US12/819,255 US8315286B2 (en) | 2009-06-23 | 2010-06-21 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148611A JP5333757B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011009278A JP2011009278A (ja) | 2011-01-13 |
JP5333757B2 true JP5333757B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43354346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009148611A Expired - Fee Related JP5333757B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8315286B2 (ja) |
JP (1) | JP5333757B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5447799B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびその駆動方法、並びに、プロジェクター |
JP5681002B2 (ja) | 2011-03-09 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP5736872B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP5686025B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2015-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
DE102011111604B4 (de) * | 2011-08-25 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
JP6040790B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2016-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター |
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JP5936017B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
KR102631878B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2024-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2770496B2 (ja) * | 1989-11-21 | 1998-07-02 | 三菱電機株式会社 | 光増幅器,スーパールミネッセントダイオード,光集積回路およびこれらの製造方法 |
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JP5088498B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2012-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
JP5187525B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
-
2009
- 2009-06-23 JP JP2009148611A patent/JP5333757B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-21 US US12/819,255 patent/US8315286B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011009278A (ja) | 2011-01-13 |
US8315286B2 (en) | 2012-11-20 |
US20100322278A1 (en) | 2010-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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