JP2010141241A - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００の製造方法は、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８によって挟まれた活性層１０６を含み、活性層１０６内で生じる光を、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂにおいて反射させて、上方に出射させる発光装置１００の製造方法であって、エピタキシャル成長法によって、基板１０２の上方に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、および反射防止膜１１８を順次形成する工程と、反射防止膜１１８をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、活性層１０６をエッチングして、少なくとも活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置の製造方法および発光装置に関する。

従来のスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、出射面が前後に配置しているため出射光が２方向に分かれる。大きな光出力を必要とする場合は、ＳＬＤから得られる光を無駄なく利用するために、２つの方向に分かれた光を同じ方向に向ける方が望ましい。出射光の出射方向を揃えるには、反射ミラー等の光学部品が必要なためコスト高となる。また、その光学部品とＳＬＤとの間の光学的なアライメントに要する工数、コストも問題である。さらに、全体としてサイズが大きくなるため、小型・軽量には不向きである。

出射光の方向を揃える方法として、特許文献１のように基板側面に傾斜ミラーを設け、出射光を上方へ反射させる構造がある。この場合、両側面に傾斜ミラーを設けることで、両出射光ともに上方へ向けることができる。
特開平８−２８８５４３号公報

しなしながら、特許文献１に開示された技術では、レーザー発振を抑制するための反射防止膜を、基板表面（出射面）に素子作製プロセスの一工程として形成している。すなわち、特許文献１に開示された技術では、反射防止膜を成膜するための専用の工程が必要となるので、プロセスが複雑化し、製造コストが高くなってしまう場合がある。

本発明の目的の１つは、出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる発光装置の製造方法を提供することにある。

本発明に係る発光措置の製造方法は、
第１クラッド層および第２クラッド層によって挟まれた活性層を含み、前記活性層内で生じる光を、前記活性層の側面において反射させて、上方に出射させる発光装置の製造方法であって、
エピタキシャル成長法によって、基板の上方に、前記第１クラッド層、前記活性層、前記第２クラッド層、および反射防止膜を順次形成する工程と、
前記反射防止膜をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、
前記活性層をエッチングして、少なくとも前記活性層の側面を上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、
を含む。

本発明に係る発光装置の製造方法は、出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる。

なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。

本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記４５度傾斜させる工程では、
前記活性層の第１側面と、前記第１側面と平行となる前記活性層の第２側面と、を４５度傾斜させることができる。

本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記反射防止膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓからなり、
ｘは、０＜ｘ＜１．０を満たすことができる。

本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記エピタキシャル成長法によって、前記第２クラッド層と前記反射防止膜との間にコンタクト層を形成し、
前記コンタクト層は、ＧａＡｓからなり、
前記第２クラッド層は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓからなり、
ｙは、０＜ｙ＜１．０を満たし、
前記反射防止膜を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓのｘの値は、前記第２クラッド層を構成するＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓのｙの値より大きいことができる。

本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記反射防止膜を酸化する工程を、さらに含むことができる。

本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記第１クラッド層に電気的に接続する第１電極と、前記第２クラッド層に電気的に接続する第２電極と、を形成する工程を、さらに含むことができる。

なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ｃ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｄ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ｃ部材とＤ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ｃ部材とＤ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。

本発明に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置は、スーパールミネッセントダイオードであることができる。

本発明に係る発光装置は、
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２クラッド層と、
前記第２クラッド層の上方に形成された反射防止膜と、
を含み、
前記活性層の側面は、上下方向に対して４５度傾斜しており、
前記活性層内で生じた光は、前記活性層の側面において反射して上方に進行し、前記反射防止膜を介して出射され、
前記反射防止膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓからなり、
ｘは、０＜ｘ＜１．０を満たす。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図であり、図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

発光装置１００は、図１〜図３に示すように、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、反射防止膜１１８と、を有する。発光装置１００は、さらに、コンタクト層１１０と、絶縁層１１６と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、を有することができる。発光装置１００は、例えば、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）である。

基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などからなる。基板１０２は、第１電極１１２とオーミックコンタクトする層であることができる。

第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＡｌＧａＡｓ（より具体的にはＡｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ）などからなる。

活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、例えば、ＡｌＧａＡｓバリア層とＧａＡｓ井戸層から構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）である。活性層１０６は、第１側面１０６ａと、図１に示すように平面視において第１側面１０６ａと平行となる第２側面１０６ｂと、を有する。側面１０６ａ，１０６ｂは、図２に示すように、上下方向（Ｚ方向）に対して４５度傾斜している。側面１０６ａ，１０６ｂは、上方（＋Ｚ方向）に向けて徐々に活性層１０６の幅（活性層１０６のＸ方向の長さ）が大きくなるように傾斜している。例えば、活性層１０６の第１側面１０６ａと、第１クラッド層１０２の第１側面、第２クラッド層１０８の第１側面、およびコンタクト層１１０の第１側面とは、連続しており、第１の４５度傾斜面１０９ａを形成することができる。例えば、活性層１０６の第２側面１０６ｂと、第１クラッド層１０２の第２側面、第２クラッド層１０８の第２側面、およびコンタクト層１１０の第２側面とは、連続しており、第２の４５度傾斜面１０９ｂを形成することができる。

活性層１０６の一部は、図１〜図３に示すように、導波領域１０７を構成する。導波領域１０７内を、光は進行することができる。導波領域１０７は、活性層１０６の第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで設けられている。すなわち、導波領域１０７の第１端面は第１側面１０６ａに設けられ、導波領域１０７の第２端面は第２側面１０６ｂに設けられている。導波領域１０７の平面形状は、図１に示すように矩形であり、第１側面１０６ａと直交する方向（Ｘ方向）に向かって設けられていてもよい。導波領域１０７は、活性層１０６のうち、第１電極１１２と、コンタクト層１１０と第２電極１１４との接触面およびコンタクト層１１０と反射防止膜１１８と、に挟まれた領域ともいえる。

導波領域１０７の一部は、利得領域１０５を構成している。利得領域１０５は、活性層１０６の第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂに向かって設けられている。利得領域１０５の平面形状は、図１に示すように矩形であり、第１側面１０６ａと直交する方向に向かって設けられていてもよい。利得領域１０５は、図２に示すように、光１０を生じさせることができ、光１０は、利得領域１０５内で利得を受けることができる。利得領域１０５は、導波領域１０７のうち、第１電極１１２と、コンタクト層１１０と第２電極１１４との接触面と、に挟まれた領域ともいえる。

第２クラッド層１０８は、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ（より具体的にはＡｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ）などからなる。

例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。

発光部１２０では、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６の利得領域１０５において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１０５内で光の強度が増幅される。例えば、利得領域１０５に生じた第１波長の光１０は、図３に示すように、利得領域１０５内を側面１０６ａ，１０６ｂに向けて進行する。このように第１波長の光１０は、利得領域１０５内を平面方向（Ｘ方向）に進行することによって、光の強度が増加される。そして光１０は、４５度傾斜面１０９ａ，１０９ｂ（側面１０６ａ,１０６ｂ）において反射（全反射）して上方（＋Ｚ方向）に進行する。上方に進行した光１０は、反射防止膜１１８を介して上方に出射される。

コンタクト層１１０は、図２〜図４に示すように、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓなどからなる。コンタクト層１１０としては、第２電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。

反射防止膜１１８は、コンタクト層１１０上に形成されている。反射防止膜１１８は、図２に示すように、第１側面１０６ａに設けられた導波領域１０７の第１端面の上方と、第２側面１０６ｂに設けられた導波領域１０７の第２端面の上方と、に位置している。反射防止膜１１８の光１０に対する透過率は、１００％もしくはそれに近いことが望ましい。反射防止膜１１８の膜厚は、反射防止膜１１８の屈折率をｎ、光１０の波長をλとした場合、λ／（４ｎ）であることが望ましい。反射防止膜１１８によって、発光装置１００は、光１０を共振させることなく（レーザー発振させることなく）出射させることができる。

上述のとおり、光１０は、反射防止膜１１８を介して外部に出射される。すなわち、反射防止膜１１８は、出射部１１８ともいえる。反射防止膜１１８の屈折率は、反射防止膜１１８の上面と接している外部の屈折率（空気の場合は１）より大きく、反射防止膜１１８の下面と接しているコンタクト層１１０より小さい。反射防止膜１１８は、例えば、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる。より具体的には、反射防止膜１１８がＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなり、コンタクト層１１０がＧａＡｓからなり、第２クラッド層１０８がＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０＜ｙ＜１．０）からなる場合には、ｘの値は、ｙの値より大きいことが好ましい。以下にその理由を説明する。

一般的に、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ系においては、ｚの値と屈折率は単調減少の関係にあり、Ａｌ比が大きくなるほど（すなわちｚの値が大きくなるほど）、屈折率は小さくなる。したがって、コンタクト層１１０がＧａＡｓからなる場合は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる反射防止膜１１８を用いれば、反射防止膜１１８の屈折率はコンタクト層１１０の屈折率より小さくなる。そのため、コンタクト層１１０と反射防止膜１１８との接触面において、光１０は反射することなく外部に出射されることができる。しかしながら、コンタクト層１１０の厚みは例えば１００ｎｍ程度と薄い場合は、コンタクト層１１０の屈折率は、第２クラッド層１０８の影響を受け小さくなる場合がある。したがって、反射防止膜１１８を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓのｘの値が、第２クラッド層１０８を構成するＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓのｙの値より大きければ、例え第２クラッド層１０８の影響を受けコンタクト層１１０の屈折率が小さくなったとしても、反射防止膜１１８の屈折率は、コンタクト層１１０の屈折率より小さくなることはない。これにより、確実に反射防止膜１１８から光１０を出射させることができる。より具体的には、第２クラッド層１０８はＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０．３＜ｙ＜０．５）からなり、反射防止膜１１８はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．５＜ｘ＜１．０）からなる。

なお、反射防止膜１１８は、例えばＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．５＜ｘ＜１．０）を酸化した材質からなっていてもよい。酸化されることにより屈折率が小さくなるので、反射防止膜１１８は、いっそう確実にコンタクト層１１０より小さい屈折率を得ることができる。

絶縁層１１６は、図１および図３に示すように、コンタクト層１１０上に形成されている。ただし、絶縁層１１６は、導波領域１０７の上方には形成されていない。絶縁層１１６は、例えば、窒化シリコン、二酸化シリコン、ポリイミドなどからなる。

第１電極１１２は、図２および図３に示すように、基板１０２の下に形成されている。第１電極１１２は、該第１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では、基板１０２）と接していることができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１２は、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどからなる。

第２電極１１４は、コンタクト層１１０上および絶縁層１１６上に形成されている。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１４は、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどからなる。

なお、発光装置１００としては、発光利得領域が可能なあらゆる半導体材料を用いることができる。

また、本実施形態では、発光装置１００をいわゆる利得導波型として説明したが、発光装置１００はいわゆる屈折率導波型であってもよい。

２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る光発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４〜図６は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図４に示すように、エピタキシャル成長法によって、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０、および反射防止膜１１８を順次形成する。エピタキシャル成長法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いる。より具体的には、例えばＭＯＣＶＤ法において、噴射させるガスの種類を変えて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる反射防止膜１１８を、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８およびコンタクト層１１０の成長と一連の工程で成膜させることができる。

図５に示すように、反射防止膜１１８をパターニングする。パターニングは、光が出射される部分以外の反射防止膜１１８を除去するように行われる。すなわち、該パターニングによって、反射防止膜からなる出射部１１８が形成される。なお、パターニングは、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により形成される。

次に、反射部防止膜１１８（出射部１１８）を酸化する。酸化は、例えば、４００度程度の水蒸気雰囲気で行われる。これにより、特にＡｌ_１−ｘＧａ_ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる反射部防止膜１１８を酸化させることができ、確実に、反射防止膜１１８の屈折率をコンタクト層１１０の屈折率より小さくすることができる。なお、反射部防止膜１１８を酸化する工程は、反射防止膜１１８をパターニングする前に行ってもよい。

次に、コンタクト層１１０上に絶縁層１１６（図５では図示せず）を形成する。絶縁層１１６は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタ法などにより全面に絶縁層を形成した後、該絶縁層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて所定の形状にパターニングすることにより形成される。

図６に示すように、コンタクト層１１０上および絶縁層１１６（図６では図示せず）上に第２電極１１４を形成する。第２電極１１４は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成される。

次に、基板１０２の下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２の製法は、例えば、上述した第２電極１１４の製法の例示と同じである。なお、第１電極１１２と第２電極１１４との形成順序は、特に限定されない。

図２に示すように、活性層１０６をエッチングして、少なくとも活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを上下方向（Ｚ方向）に対して４５度傾斜させる。より具体的には、例えば、コンタクト層１１０、第２クラッド層１０８、活性層１０６および第１クラッド層１０４をエッチングして、活性層の第１側面１０６ａ、および第１側面１０６ａ側の各層１０４,１０８，１１０の側面を第１の４５度傾斜面１０９ａとし、活性層の第２側面１０６ｂ、および第２側面１０６ｂ側の各層１０４,１０８，１１０の側面を第２の４５度傾斜面１０９ｂとする。４５傾斜面１０９ａ，１０９ｂをウェットエッチングにより形成する場合は、エッチング液として、例えば、Ｈ_２ＳＯ_４とＨ_２Ｏ_２とＨ_２Ｏとの混合液を用いることができる。これにより、各層１０４，１０６，１０８，１１０を構成する材料の結晶方位によって、上下方向に対して４５度に傾斜した４５傾斜面１０９ａ，１０９ｂを形成することができる。なお、４５度傾斜面１０９ａ，１０９ｂを形成する工程は、第１電極１１２および第２電極１１４を形成する工程の前に行ってもよい。

以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。

発光装置１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。

発光装置１００の製造方法によれば、反射防止膜１１８を、エピタキシャル成長によって形成させることができる。より具体的には、例えばＭＯＣＶＤ法において、噴射させるガスの種類を変えて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる反射防止膜１１８を、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８およびコンタクト層１１０の成長と一連の工程で成膜させることができる。したがって、反射防止膜を成膜するために専用の工程を設ける場合に比べて、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができ、製造コストを低減させることができる。

発光装置１００の製造方法によれば、反射防止膜１１８をエピタキシャル成長によって形成させることができるので、反射防止膜１１８の膜厚を精度良く制御することできる。そのため、歩留まりを向上させることができる。

発光装置１００の製造方法によれば、反射防止膜１１８はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなり、コンタクト層１１０はＧａＡｓからなり、第２クラッド層１０８は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなることができる。そして、反射防止膜１１８を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓのｘの値を、第２クラッド層１０４を構成するＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓのｙの値より大きくすることができる。これにより、上述とおり、確実に、反射防止膜１１８の屈折率は、コンタクト層１１０の屈折率より小さくなる。したがって、確実に、反射防止膜１１８（出射部１１８）から上方に向けて光１０を出射することができる。

発光装置１００の製造方法によれば、反射防止膜１１８を酸化させることができる。これにより、特にＡｌ_１−ｘＧａ_ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）からなる反射部防止膜１１８を酸化させることができ、いっそう確実に、反射防止膜１１８の屈折率をコンタクト層１１０の屈折率より小さくすることができる。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。

符号の説明

１０ 光、１００ 発光装置、１０２ 基板、１０４ 第１クラッド層、１０５ 利得領域、１０６ 活性層、１０６ａ 活性層の第１側面、１０６ｂ 活性層の第２側面、１０７ 導波領域、１０８ 第２クラッド層、１０９ａ 第１の４５度傾斜面、１０９ｂ 第２の４５度傾斜面、１１０ コンタクト層、１１２ 第１電極、１１４ 第２電極、１１６ 絶縁層、１１８ 反射防止膜

Claims (8)

1. 第１クラッド層および第２クラッド層によって挟まれた活性層を含み、前記活性層内で生じる光を、前記活性層の側面において反射させて、上方に出射させる発光装置の製造方法であって、
   エピタキシャル成長法によって、基板の上方に、前記第１クラッド層、前記活性層、前記第２クラッド層、および反射防止膜を順次形成する工程と、
   前記反射防止膜をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、
   前記活性層をエッチングして、少なくとも前記活性層の側面を上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、
   を含む、発光装置の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記４５度傾斜させる工程では、
   前記活性層の第１側面と、前記第１側面と平行となる前記活性層の第２側面と、を４５度傾斜させる、発光装置の製造方法。
3. 請求項１または２において、
   前記反射防止膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓからなり、
   ｘは、０＜ｘ＜１．０を満たす、発光装置の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記エピタキシャル成長法によって、前記第２クラッド層と前記反射防止膜との間にコンタクト層を形成し、
   前記コンタクト層は、ＧａＡｓからなり、
   前記第２クラッド層は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓからなり、
   ｙは、０＜ｙ＜１．０を満たし、
   前記反射防止膜を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓのｘの値は、前記第２クラッド層を構成するＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓのｙの値より大きい、発光装置の製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記反射防止膜を酸化する工程を、さらに含む、発光装置の製造方法。
6. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記第１クラッド層に電気的に接続する第１電極と、前記第２クラッド層に電気的に接続する第２電極と、を形成する工程を、さらに含む、発光装置の製造方法。
7. 請求項１ないし６のいずれかの製造方法によって製造される発光装置は、スーパールミネッセントダイオードである、発光装置の製造方法。
8. 第１クラッド層と、
   前記第１クラッド層の上方に形成された活性層と、
   前記活性層の上方に形成された第２クラッド層と、
   前記第２クラッド層の上方に形成された反射防止膜と、
   を含み、
   前記活性層の側面は、上下方向に対して４５度傾斜しており、
   前記活性層内で生じた光は、前記活性層の側面において反射して上方に進行し、前記反射防止膜を介して出射され、
   前記反射防止膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓからなり、
   ｘは、０＜ｘ＜１．０を満たす、発光装置。

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