JP2000101146A - 発光素子モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 設計が容易で、光出力特性の極めて良好な発
光素子モジュールを提供する。 【解決手段】 発光素子モジュール１０は、発光素子１
２と内部に回折格子４４を有する光ファイバ１４とを組
み合わせて構成される。発光素子１２は、基板１６上
に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層
２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっ
ており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じ
く劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面
１２ｂとを有している。ここで、上記導波路（活性層２
０）の光軸と出射面１２ａの法線とのなす角はブリュス
ター角（導波路の透過屈折率を３．５、空気の屈折率を
１．０とした場合１５．９°）となっている。また、発
光素子１２の出射面１２ａ、反射面１２ｂには、それぞ
れ低反射膜４０、高反射膜４２が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回折格子を有する
光ファイバと発光素子とを備えて構成される発光素子モ
ジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】内部に回折格子を有する光ファイバを発
光素子の出射面に対向させて配置した発光素子モジュー
ルは、簡単な構造でありながら比較的安定したスペクト
ルを有するため、その活用が期待されている。

【０００３】かかる発光素子モジュールにおいては、上
記発光素子の反射面（出射面と対向する面）と上記光フ
ァイバ内の回折格子とがブラッグ反射器型共振器を構成
するため、上記回折格子の格子間距離によって決定され
る特定の波長の光（以下ブラッグモード光という）が発
振し、この光が発光素子モジュールの出力光として出力
される。

【０００４】しかし、発光素子の出射面の反射率がゼロ
にはならないため、出射面で反射された一部の光は、発
光素子の出射面と反射面との間で共振を起こし、上記出
射面と上記反射面との間隔によって決定される特定の波
長の光（以下ファブリ−ペローモード光という）が発生
する。かかるファブリペローモード光の波長は、発光素
子の駆動電流に伴って変化し、この変化はブラッグモー
ド光に、ファブリペローモード光の波長間隔に相当する
大きなモードホッピングを生じさせる。その結果、ブラ
ッグモード光の電流−光出力特性にキンク（非直線性）
が生じ、発光素子モジュールの光出力特性を悪化させ
る。

【０００５】かかる光出力特性の悪化を防止するための
試みとして、以下に示すような発光素子モジュールが知
られている。例えば、国際公開ＷＯ９６／２７９２９号
公報には、反射面の法線と平行かつ出射面の法線と所定
の角度を有するように曲線状に形成された導波路を有す
る発光素子モジュール（レーザ）が記載されており、特
開平１０−１２９５９号公報には、出射面（の活性層の
部分）と導波路とが直交しないように、出射面の一部を
ドライエッチング処理によって除去した発光素子モジュ
ールが記載されている。いずれの発光素子モジュール
も、出射面と導波路とが直交しないように発光素子を構
成することで、出射面における反射率を小さくでき、発
光素子の反射面と光ファイバ内の回折格子との間で発生
するブラッグモード光と比較して、発光素子の出射面と
反射面との間で発生するファブリ−ペローモード光を小
さく押さえられる。その結果、ファブリ−ペローモード
光に起因するブラッグモード光のモードホッピングの影
響を小さくすることが可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の発
光素子モジュールにおいて、導波路の光軸と出射面との
なす角の設計は、導波路内の光伝達効率、反射面におけ
る反射効率等を考慮しながら試行錯誤的に行わなくては
ならず、当該角の設計は容易ではなかった。また、出射
面と直交しないように導波路を形成しても、通常は、反
射率をある程度以下に小さくすることはできず、光出力
特性の改善が十分でなかった。

【０００７】そこで本発明は、上記問題点を解決し、設
計が容易で、光出力特性の極めて良い発光素子モジュー
ルを提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の発光素子モジュールは、基板上に積層して
形成された層状の導波路と導波路の両端部をそれぞれ含
んで形成される第１、第２の端面とを有する発光素子
と、内部に回折格子を有し、端部を発光素子の第１の端
面に対向させて設けらた光ファイバとを備え、導波路を
介して回折格子と第２の端面との間で光共振を発生させ
る発光素子モジュールであって、第１の端面は、その法
線が導波路の積層される方向に垂直で、かつ、導波路か
ら該第１の端面に入射する光の入射角が、ブリュスター
角となるように配置されていることを特徴としている。

【０００９】法線が導波路の積層される方向に垂直で、
かつ、導波路から第１の端面に入射する光の入射角がブ
リュスター角となるように第１の端面を配置すること
で、第１の端面におけるｐ偏光（入射面に平行方向の偏
光）の光の反射率をゼロとすることができる。

【００１０】ここで、層状に形成された導波路内におい
ては、主としてｐ偏光の光が発生し、ｓ偏光（入射面に
垂直方向の偏光）の光はほとんど発生しない。従って、
第１の端面におけるｐ偏光の光の反射率をゼロにするこ
とによって、第１の端面における光の反射率を極めて小
さくすることができる。

【００１１】また、本発明の発光素子モジュールにおい
ては、第１の端面には、第１の端面における反射率を小
さくするための低反射膜が設けられており、第２の端面
には、第２の端面における反射率を大きくするための高
反射膜が設けられていることを特徴とすることが好適で
ある。

【００１２】第１の端面に低反射膜を設けることで、第
１の端面における反射率をさらに低減させることができ
るとともに、第２の端面に高反射膜を設けるこで、第２
の端面における反射率を増加させることができる。

【００１３】また、本発明の発光素子モジュールにおい
ては、第１の端面と光ファイバの端部との間隙には屈折
率調整剤が充填されており、導波路と屈折率整合剤との
間の屈折率差は、記導波路と空気との間の屈折率差より
も小さいことを特徴とすることが好適である。

【００１４】導波路と屈折率調整剤との間の屈折率差が
大きいと、ブリュスター角の近傍での反射率の変化率が
大きくなり、すなわち、反射率がゼロ近傍になる角度範
囲が極めて小さくなるのに対して、導波路と屈折率調整
剤との間の屈折率差が小さいと、ブリュスター角の近傍
での反射率の変化率が小さくなり、すなわち、反射率が
ゼロ近傍になる角度範囲が大きくなる。その結果、導波
路と屈折率調整剤との間の屈折率差を小さくすること
で、導波路の光軸と第１の端面の法線との実際上のなす
角が、理論上のブリュスター角から多少ずれたとして
も、反射率をゼロ近傍に維持することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る発光素子
モジュールについて、図面を参照して説明する。まず、
本実施形態に係る発光素子モジュールの構成について説
明する。図１は、本実施形態にかかる発光素子モジュー
ルの斜視図である（尚、一部切り欠き部分がある）。

【００１６】発光素子モジュール１０は、図１に示すよ
うに、発光素子１２と光ファイバ１４とを組み合わせた
構成となっている。

【００１７】発光素子１２は、ｎ型ＩｎＰからなる基板
１６の上面（（１００）面）に、下側クラッド層１８、
導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２
が順次積層された構造となっており、活性層２０の両端
を含むようにそれぞれ劈開によって形成された出射面１
２ａ（第１の端面）と、劈開によって形成され、出射面
と平行な反射面（第２の端面）とを有している。

【００１８】下側クラッド層１８は、ｎ型ＩｎＰからな
り、基板１６の上面に帯状に形成されている。また、下
側クラッド層１８は、０．５μｍ程度の厚みを有してい
る。

【００１９】活性層２０は、ＧａＩｎＡｓＰからなり
０．００５μｍ程度の厚みを有する量子井戸層を、組成
比を変えることによって当該量子井戸層よりもエネルギ
ーギャップを大きくしたＧａＩｎＡｓＰからなり０．０
１μｍ程度の厚みを有する障壁層で挟み込んだ量子井戸
構造を有しており、さらにこの量子井戸構造を複数積層
した多重量子井戸構造として、下側クラッド１８上に形
成されている。

【００２０】上側クラッド層２２は、ｐ型ＩｎＰからな
り、活性層２０上に形成されている。また、上側クラッ
ド層２２は、０．４μｍ程度の厚みを有している。

【００２１】下側クラッド層１８と上側クラッド層２２
との間に挟まれた活性層２０は、発光素子１２の導波路
として作用し、これらの層が基板１６上に帯状に形成さ
れていることから、当該発光素子１２は略直線上の導波
路を有することになる。

【００２２】図２は、発光素子モジュール１０を図１の
Ａ−Ａ’を通りｘｙ平面に平行な平面で切った場合の模
式的な断面図である。出射面１２ａの法線（ｙ軸方向）
は、導波路を構成する活性層２０の積層される方向（ｚ
軸方向）に垂直で、かつ、導波路（活性層２０）から出
射面１２ａに入射する光の入射角、すなわち、導波路の
光軸と出射面１２ａの法線とのなす角は、ブリュスター
角となっている。

【００２３】ここで、ブリュスター角とは、媒質１と媒
質２との境界面に媒質１側から入射光線が入射するに際
し、入射光線のうちｐ偏光（入射面に平行方向の偏光）
の光の反射率がゼロとなる入射角をいう。具体的には、
ブリュスター角ψ_bは、媒質１の屈折率ｎ₁と媒質２の屈
折率ｎ₂とを用いて、以下の式（１）から求められる。

【００２４】 ψ_b ＝ ｔａｎ^-1（ｎ₂／ｎ₁） （１） 本実施形態に係る発光素子１２の場合は、発光素子１２
の導波路の等価屈折率が３．５であり、空気の屈折率が
１．０であることから、ブリュスター角が１５．９°と
なり、従って、導波路の光軸と出射面１２ａ（及び反射
面１２ｂ）の法線とのなす角は１５．９°となってい
る。

【００２５】また、帯状に形成された下側クラッド層１
８、活性層２０及び上側クラッド層２２の両側部には、
図１に示すように、ｐ型ＩｎＰ層及びｎ型ＩｎＰ層を積
層した電流阻止層２４が設けられている。さらに電流阻
止層２４の外側には、素子分離のための分離溝２６が、
上記導波路の光軸と平行、すなわち、出射面１２ａの法
線と１５．９°の角度を有するように設けられている。

【００２６】上側クラッド層２２及び電流阻止層２４の
上面にはさらに、光がコンタクト層（後述）まで達しな
いように所定の厚みをもったｐ型ＩｎＰからなるクラッ
ド層２８が設けられており、クラッド層２８は、平坦に
なっていない上側クラッド層２２と電流阻止層との境界
部を平坦化する作用も併せ持っている。

【００２７】クラッド層２８の上面には、ｐ⁺型ＧａＩ
ｎＡｓからなり０．５μｍ程度の厚さを有するコンタク
ト層３０が設けられ、当該コンタクト層３０の上面には
コンタクト層３０側からＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層を積
層した３層構造の上面電極３２が形成されており、ま
た、基板１６の下面には基板１６側からＴｉ層、ＡｕＧ
ｅ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層及びＡｕ層を積層した５層構造の
下面電極３４が形成されている。ここで、活性層２０の
上部に相当する部分では、コンタクト層３０と上面電極
３２とが接しているが、活性層２０の上部に相当しない
部分では、コンタクト層３０と上面電極３２との間隙に
ＳｉＯ₂からなる絶縁層３６が設けられ、コンタクト層
３０と上面電極３２とが電気的に絶縁されている。さら
に、コンタクト層３０の上面には電極として作用する金
メッキ層３８が設けられている。

【００２８】発光素子１２の出射面１２ａには、出射面
１２ａにおける反射率を小さくするために、ＳｉＮから
なる低反射膜４０が形成されている。一方、反射面１２
ｂには、反射面１２ｂにおける反射率を大きくするため
に、ＳｉＮからなる膜とα−Ｓｉからなる膜とを交互に
２層ずつ積層した高反射膜４２が設けられている。

【００２９】光ファイバ１４は、その端部１４ａが発光
素子１０の出射面１２ａの活性層２０の部分に対向して
設けられている。具体的には、光ファイバ１４の光軸が
発光素子の出射面１２ａから出射された光の光軸と一致
するように光軸あわせがなされている。また、光ファイ
バ１４のコア４３には、端部１４ａから所定の距離だけ
隔てられた位置に回折格子４４が設けられ、発光素子１
０の導波路を介して発光素子１０の反射面１２ｂとの間
で光共振を発生させることができるようになっている。
ここで、発光素子１２の出射面１２ａと光ファイバ１４
の端部１４ａとの間隔、光ファイバ１４の端部１４ａと
回折格子４４との間隔、回折格子４４の格子間隔は、所
望の共振周波数等を得られるように、適宜調節すること
ができる。また、発光素子１２の導波路の等価屈折率
（３．５）と空気の屈折率（１．０）との相違を考慮し
て、光ファイバ１４は、図２に示すように、その光軸が
発光素子１２の出射面１２ａの法線と約７３．５゜の角
度を有するように配置されている。このように配置する
ことで、回折格子４４と発光素子１０の反射面１２ｂと
の間の共振が効率よく発生する。また、この共振によっ
て発生したレーザ光は、光ファイバ１４内を伝達し、光
ファイバ１４の他の端部から出力されることになる。

【００３０】続いて、本実施形態にかかる発光素子モジ
ュールに用いる発光素子１２の製造方法について説明す
る。

【００３１】発光素子１２を製造するには、まず、図３
に示すように、基板１６の上面全面に、下側クラッド層
１８、活性層２０、上側クラッド層２２を順次形成し、
上側クラッド層２２の上面全面にｐ型ＧａＩｎＡｓから
なり下部層を保護する作用を有するキャップ層４６を
０．２μｍ程度の厚さをもって形成する。

【００３２】続いて、キャップ層４６の上面に、例えば
ＳｉＮからなる絶縁層４８を形成し、さらに絶縁層４８
上にフォトレジストを塗布する。このフォトレジストを
帯状のパターンを有するマスクを用いて露光し、絶縁層
４８上に、フォトレジストで覆われた略直線上の導波路
のパターンを形成する。この際、マスクに形成されてい
る帯状のパターンの軸（帯形状の長辺に平行な辺）が、
後工程において劈開によって形成する出射面１２ａの法
線と１５．９゜の角度を有するようにマスクを配置して
露光を行う。その結果、略直線上の導波路のパターンの
軸も、出射面１２ａの法線と１５．９゜の角度を有する
ようになる。その後、露光によって残されたフォトレジ
ストをマスクとしてエッチングを行う。このエッチング
により、略直線上の導波路のパターン直下以外の部分に
ある絶縁層４８が除去される。その後、フォトレジスト
を剥離し、絶縁層４８のうち残った部分をマスクとし
て、キャップ層４６、上側クラッド層２２、活性層２０
及び下側クラッド層１８が除去される。その結果、図４
に示すように、出射面１２ａの法線と１５．９°の角度
を有するような略直線上の導波路が形成される。

【００３３】続いて、帯状に形成された下側クラッド層
１８、活性層２０及び上側クラッド層２２の両側部に、
上記工程で残された絶縁層４８をマスクとした選択埋め
込み成長により電流阻止層２４を形成し、残されていた
絶縁層４８及びキャップ層４６を除去した後、上側クラ
ッド層２２及び電流阻止層２４の上面全面にクラッド層
２８を成長させ、続いてコンタクト層３０を形成する。

【００３４】さらに、素子分離のための分離溝２６を形
成し、絶縁層３６、上面電極３２、Ａｕメッキ層３８及
び下面電極３４を順次形成し、劈開によって出射面１２
ａ及び反射面１２ｂを形成した後、出射面１２ａの全面
に低反射膜４０を形成するとともに反射面１２ｂには高
反射膜４２を形成して発光素子１２が完成する。

【００３５】続いて、本実施形態にかかる発光素子モジ
ュールの作用及び効果について説明する。本実施形態に
かかる発光素子モジュール１０は、出射面１２ａの法線
と導波路を構成する活性層２０の積層される方向とが垂
直で、かつ、導波路から出射面１２ａに入射する光の入
射角がブリュスター角となっているため、出射面１２ａ
におけるｐ偏光の光の反射率をゼロとすることができ
る。ここで、層状に形成された導波路（活性層２０）内
においては、主としてｐ偏光の光が発生し、ｓ偏光の光
はほとんど発生しないため、出射面１２ａにおけるｐ偏
光の光の反射率をゼロにすることによって、出射面１２
ａおける光の反射率を極めて小さくすることができる。
その結果、出射面１２ａと反射面１２ｂとの間で発生す
るファブリ−ペローモード光に起因するブラッグモード
光のモードホッピングの影響を極めて小さくすることが
可能となり、光出力特性が極めて良好となる。

【００３６】また、ブリュスター角は、上記式（１）か
ら容易に決定することができ、従来試行錯誤で行われて
いた導波路の光軸と出射面１２ａとのなす角の設計も容
易となる。

【００３７】さらに、本実施形態に係る発光素子モジュ
ール１０は、出射面１２ａに低反射膜４０を設けること
で、出射面１２ａにおける反射率（特にｓ偏光の光の反
射率）を低減させることができるとともに、反射面１２
ｂに高反射膜４２を設けるこで、反射面１２ｂにおける
反射率を増加させることができる。その結果、発光素子
１２の出射面１２ａと反射面１２ｂとの間で発生するフ
ァブリ−ペローモード光の発生をさらに小さく押さえる
ことができるとともに、発光素子１２の反射面１２ｂと
光ファイバ１４内の回折格子４４との間で発生するブラ
ッグモード発振をさらに大きくすることが可能となり、
極めて良好な光出力特性を得ることができる。

【００３８】続いて、本実施形態に係る発光素子モジュ
ールの変形例について説明する。図５は本変形例に係る
発光素子モジュールの斜視図（尚、一部切り欠き部分が
ある）であり、図６は発光素子モジュールを図５のＢ−
Ｂ’を通りｘｙ平面に平行な平面で切った場合の模式的
な断面図である。

【００３９】本変形例に係る発光素子モジュール５０
は、導波路として作用する帯状の活性層２０が、その光
軸が反射面１２ｂと直交するように形成されており、出
射面１２ａが、その法線が活性層２０の積層される方向
に垂直で、かつ、導波路の光軸と出射面１２ａとのなす
角がブリュスター角となるように、斜めにカットされて
いる点で、上記実施形態に係る発光素子モジュール１０
と異なっている。尚、上記のように出射面１２ａを導波
路に対して斜めにカットするには、例えばエッチングな
どの方法を用いれば良い。

【００４０】上記構成の発光素子モジュール５０も、上
記実施形態に係る発光素子モジュール１０と同様に、出
射面１２ａと反射面１２ｂとの間で発生するファブリ−
ペローモード光に起因するブラッグモード光のモードホ
ッピングの影響を極めて小さくすることができ、光出力
特性を極めて良好にすることが可能となる。

【００４１】上記実施形態または変形例に係る発光素子
モジュール１０，５０においては、出射面１２ａと光フ
ァイバ１４の端部との間隙に、例えば屈折率が１．５〜
２．０程度のマッチングオイル（屈折率調整剤）等を充
填し、導波路とマッチングオイルとの間の屈折率差を、
導波路と空気との間の屈折率差より小さくしてもよい。

【００４２】図７は、屈折率ｎ₁＝３．５の媒質１から
屈折率ｎ₂の媒質２に光が入射するときの入射角とｐ偏
光の光の反射率との関係を、屈折率ｎ₂をいろいろと変
化させた場合について表したグラフである。図７におい
て、ψ_b1.0、ψ_b1.5、ψ_b2.0、ψ_b2.5はそれぞれ、屈折
率ｎ₂が１．０，１．５，２．０，２．５のときのブリ
ュスター角、ψ_m1.0、ψ_m1.5、ψ_m2.0、ψ_m2.5はそれぞ
れ、屈折率ｎ₂が１．０，１．５，２．０，２．５のと
きの臨界角を表す。

【００４３】図７からわかるように、媒質１と媒質２と
の屈折率差を小さくするに伴って、ブリュスター角と臨
界角との差が大きくなるとともに、ブリュスター角の近
傍での反射率の変化率が小さくなり、反射率がゼロ近傍
になる角度範囲が大きくなる。 従って、出射面１２ａ
と光ファイバ１４の端部との間隙に、マッチングオイル
等を充填し、導波路とマッチングオイル等との間の屈折
率差を、導波路と空気との間の屈折率差と比較して小さ
くすることで、導波路の光軸と出射面１２ａの法線との
実際上のなす角が、理論上のブリュスター角から多少ず
れたとしても、反射率をゼロ近傍に維持することがで
き、発光素子モジュールの製造が容易となる。

【００４４】ここで、出射面１２ａと光ファイバ１４の
端部との間隙にマッチングオイルを充填する方法として
は、例えば、出射面１２ａと光ファイバ１４の端部との
間隙にスポイト等でマッチングオイルを滴下する方法な
どが考えられる。また、出射面１２ａと光ファイバ１４
の端部との間隙にマッチングオイルを充填する代わり
に、発光素子１２の表面の保護も兼ねるポッティング樹
脂で出射面１２ａを覆うことによっても、導波路とポッ
ティング樹脂との間の屈折率差を、導波路と空気との間
の屈折率差と比較して小さくすることができる。

【００４５】

【発明の効果】本発明の発光素子モジュールは、法線が
導波路の積層される方向に垂直で、かつ、導波路から第
１の端面に入射する光の入射角がブリュスター角となる
ように第１の端面を配置することで、導波路内で主とし
て発生するｐ偏光の光の第１の端面における反射率をゼ
ロとすることができる。その結果、第１の端面と第２の
端面との間で発生するファブリ−ペローモード光に起因
するブラッグモード光のモードホッピングの影響を極め
て小さくすることが可能となり、良好な光出力特性を得
ることができる。

【００４６】また、本発明の発光素子モジュールは、第
１の端面に低反射膜を設けることで、第１の端面におけ
る反射率をさらに低減させ、第２の端面に高反射膜を設
けるこで、第２の端面における反射率を増加させる。そ
の結果、第１の端面と第２の端面との間で発生するファ
ブリ−ペローモード光の発生をさらに小さく押さえられ
るとともに、発光素子の第２の端面と光ファイバの回折
格子との間で発生するブラッグモード発振をさらに大き
くすることが可能となり、極めて良好な光出力特性を得
ることができる。

【００４７】さらに、本発明の発光素子モジュールは、
第１の端面と光ファイバの端部との間に屈折率調整剤を
充填することで、ブリュスター角近傍での反射率の変化
率を小さくし、反射率がゼロ近傍になる角度範囲を大き
くする。その結果、導波路の光軸と第１の端面の法線と
の実際上のなす角が、理論上のブリュスター角から多少
ずれたとしても、反射率をゼロ近傍に維持することがで
き、発光素子モジュールの製造が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光素子モジュールの斜視図である。

【図２】発光素子モジュールの模式断面図である。

【図３】発光素子の製造工程図である。

【図４】発光素子の製造工程図である。

【図５】発光素子モジュールの斜視図である。

【図６】発光素子モジュールの模式断面図である。

【図７】入射角と反射率との関係を表すグラフである。

【符号の説明】

１０、５０…発光素子モジュール、１２…発光素子、１
４…光ファイバ、１６…基板、１８…下側クラッド層、
２０…活性層、２２…上側クラッド層、２４…電流阻止
層、２６…分離溝、２８…クラッド層、３０…コンタク
ト層、３２…上面電極、３４…下面電極、３６、４８…
絶縁層、３８…Ａｕメッキ層、４０…低反射膜、４２…
高反射膜、４４…回折格子、４６…キャップ層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に積層して形成された層状の導波
   路と前記導波路の両端部をそれぞれ含んで形成される第
   １、第２の端面とを有する発光素子と、 内部に回折格子を有し、端部を前記発光素子の前記第１
   の端面に対向させて設けらた光ファイバとを備え、 前記導波路を介して前記回折格子と前記第２の端面との
   間で光共振を発生させる発光素子モジュールにおいて、 前記第１の端面は、 その法線が前記導波路の積層される方向に垂直で、か
   つ、前記導波路から該第１の端面に入射する光の入射角
   が、ブリュスター角となるように配置されていることを
   特徴とする発光素子モジュール。
2. 【請求項２】 前記第１の端面には、該第１の端面にお
   ける反射率を小さくするための低反射膜が設けられてお
   り、 前記第２の端面には、該第２の端面における反射率を大
   きくするための高反射膜が設けられていることを特徴と
   する請求項１に記載の発光素子モジュール。
3. 【請求項３】 前記第１の端面と前記光ファイバの前記
   端部との間隙には屈折率調整剤が充填されており、 前記導波路と該屈折率整合剤との間の屈折率差は、前記
   導波路と空気との間の屈折率差よりも小さい、ことを特
   徴とする請求項１または２に記載の発光素子モジュー
   ル。