JP2006278937A - 外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法 - Google Patents
外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 外部共振器型レーザに用いられる半導体発光素子100の信頼性試験方法であって、半導体発光素子100の単体での発振しきい値を、半導体発光素子100を用いて構成した外部共振器型レーザで想定されるしきい値と同等にするように、出射端面112側の窓領域114の一部をへきかいしてへきかい面117を形成する等の加工を、半導体発光素子100に施すしきい値調整工程と、しきい値調整工程で加工された半導体発光素子200に試験電流を流し、レーザ発振させて半導体発光素子の信頼性を評価する発振評価工程とを備える構成を有している。
【選択図】 図1
Description
(実施の形態)
図1〜図4は、本発明の実施の形態に係る外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法について説明するための図である。図1(a)には、外部共振器型レーザ用半導体発光素子としての窓構造型半導体発光素子の概略の構成を示す。図1(a)において、活性層を有するメサストライプ部111の出射端と窓構造型半導体発光素子100の出射端面112との間には窓領域114が設けられ、窓構造型半導体発光素子100の出射端面112からの反射光が反対側の反射端面113との間でレーザ共振しないようになっている。
12 半導体基板
13 メサストライプ部
14a、14b、312、313、512、513 素子端面
15a、15b メサストライプ部の先端界面
28 出射光
32a、32b、114、116 窓領域
33a、33b、115 無反射膜
200、210、220、230 被検査窓構造型半導体発光素子
111 メサストライプ部
112 出射端面
113 反射端面
117 へきかい面(へきかい端面)
121、122、123、415、615 高反射膜
300、500 斜め交差構造半導体発光素子
311、511 導波路
400、600 被検査斜め交差構造半導体発光素子
Claims (3)
- 外部共振器型レーザに用いられる半導体発光素子の信頼性試験方法であって、
前記半導体発光素子(100)の単体での発振しきい値を、前記半導体発光素子を用いて構成した前記外部共振器型レーザで想定されるしきい値と同等にするように、前記半導体発光素子を加工するしきい値調整工程と、
前記しきい値調整工程で加工された前記半導体発光素子(200)に試験電流を流し、レーザ発振させて前記半導体発光素子の信頼性を評価する発振評価工程とを備えたことを特徴とする外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法。 - 前記半導体発光素子は、少なくとも1つの素子端面に窓領域を有する窓構造型半導体発光素子であって、
前記しきい値調整工程は、前記窓構造型半導体発光素子の窓領域を前記外部共振器型レーザ内で使用されるときよりも短くなる位置でへきかいする窓へきかい工程と、前記窓構造型半導体発光素子の素子端面のうちの少なくとも一方に高反射膜を形成する高反射膜形成工程とのうち、少なくともいずれか1つの工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法。 - 前記半導体発光素子は、その内部に形成された光導波路の少なくとも1つの端面が素子端面に対して斜めに交差する構造を有する斜め交差構造半導体発光素子であって、
前記しきい値調整工程は、前記斜め交差構造半導体発光素子の素子端面のうちの少なくとも一方に高反射膜を形成する高反射膜形成工程からなることを特徴とする請求項1に記載の外部共振器型レーザ用半導体発光素子の信頼性試験方法。
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