JP2010219436A - 多波長半導体レーザおよび光学記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発振波長の異なる第1発光部11および第2発光部12と、第1発光部11および第2発光部12の各主射出端面に共通に形成された低反射膜14とを有する。低反射膜14は、第1発光部11および第2発光部12の側から順に、第1誘電体膜14A(屈折率n1)、第2誘電体膜14B(屈折率n2)および第3誘電体膜14C(屈折率n3)を含み、屈折率n1〜n3は、n3<n1<n2の関係を満たしている。第1誘電体膜14A、第2誘電体膜14Bおよび第3誘電体膜14Cの各光学膜厚の変化に対する各発振波長における反射率の変化が緩やかになる。
【選択図】図1
Description
1.多波長半導体レーザの構成(2波長半導体レーザの例)
2.多波長半導体レーザの製造方法
図1は本発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザの平面構成を模式的に表している。本実施の形態の多波長半導体レーザは、例えば光学記録再生装置などに用いられるものであり、発振波長が互いに異なる端面発光型の半導体レーザ素子10A,10Bをモノリシック構造で備えている。すなわち、本実施の形態の多波長半導体レーザは2波長半導体レーザであり、ここでは、半導体レーザ素子10Aの発振波長を650nm帯、半導体レーザ素子10Bの発振波長を780nm帯とする。なお、ここでは「650nm帯」とは、640nm以上670nm以下の波長帯をいい、「780nm帯」とは、770nm以上800nm以下の波長帯をいう。
第1発光部11および第2発光部12は、共通基板(図示せず)上に、分離領域13を間にして設けられている。第1発光部11は、例えばAlGaInP系の化合物半導体により形成された積層構造を有することにより発振波長が650nm帯(赤色域)になっている。第2発光部12は、例えばAlGaAs系の化合物半導体により形成された積層構造を有することにより発振波長が780nm帯(赤外域)になっている。第1発光部11および第2発光部12の上面には、例えばp側電極(図示せず)がそれぞれ設けられており、共通基板の裏面側には、例えば第1発光部11および第2発光部12に共通してn側電極が設けられている。
低反射膜14は、第1発光部11および第2発光部12の各主射出端面に共通に設けられており、半導体レーザ素子10A,10Bの主射出端面の側において、第1発光部11および第2発光部12により共有されている。低反射膜14は、第1発光部11および第2発光部12の側から順に、第1誘電体膜14A、第2誘電体膜14Bおよび第3誘電体膜14Cを含んでいる。ここでは低反射膜14は3層構造からなるものとし、第1誘電体膜14Aの屈折率はn1、第2誘電体膜14Bの屈折率はn2、第3誘電体膜14Cの屈折率はn3とする。さらに、低反射膜14では、第1誘電体膜14Aの屈折率n1、第2誘電体膜14Bの屈折率n2および第3誘電体膜14Cの屈折率n3は、n3<n1<n2の関係を満たしている。これにより、第1誘電体膜14A、第2誘電体膜14Bおよび第3誘電体膜14Cそれぞれの光学膜厚の変化に対する各発振波長における反射率の変化が緩やかになる。すなわち、各発振波長において所定の反射率を得るために、第1誘電体膜14A、第2誘電体膜14Bおよび第3誘電体膜14Cそれぞれの物理的な膜厚(物理膜厚)を広い範囲で設定可能になる。その上、各発振波長における低反射膜14の反射率を、例えば25%以上35%以下といった、15%よりも高い範囲にも容易に設定できる。よって、第1発光部11および第2発光部12の双方の主射出端面の側となる端面に、低反射膜14を同じ物理膜厚で同時に形成することができる。また、個々の多波長半導体レーザにおいて、低反射膜14の物理膜厚がばらついても、設定される反射率に対して低反射膜14の物理膜厚の許容範囲が広いので、レーザ光出力のばらつきを抑えられる。さらに、上記したように低反射膜14の反射率を25%以上35%以下に容易に設定できるため、この多波長半導体レーザをCDおよびDVD用光学記録再生装置の再生用ピックアップ光源として好適に用いることができる。なお、ここでいう「光学膜厚」とは、(光学膜厚)=[(物理膜厚)×(膜の屈折率)]のことをいう。
高反射膜15は、第1発光部11および第2発光部12の各後端面に共通に設けられており、半導体レーザ素子10A,10Bの後端面の側において、第1発光部11および第2発光部12により共有されている。高反射膜15は、第1発光部11および第2発光部12の側から順に、第4誘電体膜15Aおよび第5誘電体膜15Bを含んでいる。ここでは高反射膜15は第4誘電体膜15Aおよび第5誘電体膜15Bの2層構造からなるものとする。第4誘電体膜15Aおよび第5誘電体膜15Bの光学膜厚は、共通であること、すなわち互いに等しいことが好ましい。特に、第4誘電体膜15Aおよび第5誘電体膜15Bの光学膜厚は、λ/4(λは各発振波長)の整数倍(1以上の整数倍)であることが好ましい。第4誘電体膜15Aを構成する材料としては、例えば酸化アルミニウムが挙げられる。第5誘電体膜15Bを構成する材料としては、例えばアモルファスシリコン(α−Si)などが挙げられる。
この多波長半導体レーザは、例えば、以下のようにして製造することができる。
この多波長半導体レーザでは、n型電極とp型電極との間に所定の電圧が印加されると、第1発光部11および第2発光部において、電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、低反射膜14および高反射膜15により反射され、半導体レーザ素子10Aでは650nm帯の波長で、半導体レーザ素子10Bでは780nm帯の波長でそれぞれレーザ発振し、レーザビームとして低反射膜14側から主に外部に射出される。
図1に示した多波長半導体レーザの低反射膜14について、各発振波長における反射率をシミュレーションした。
第1誘電体膜14A、第2誘電体膜14Bおよび第3誘電体膜14Cの構成材料を表1に示したように変更したことを除き、実験例1−1と同様に反射率のシミュレーションをした。これらの結果を、図3(実験例1−2)、図4(実験例1−3)、図5(実験例1−4)、図6(実験例1−5)、図7(実験例1−6)、図8(実験例1−7)、図9(実験例1−8)、図10(実験例1−9)、図11(実験例1−10)、図12(実験例1−11)、図13(実験例1−12)あるいは図14(実験例1−13)に示す。
実験例1−1と同様の構成を有する低反射膜14について、光波長400nm〜1000nmの範囲における反射率を調べた。具体的には、第1ないし第3誘電体膜14A〜14Cの各光学膜厚×4を595nmとした場合について各光波長に対する低反射膜14の反射率を算出した。この結果を図15に示した。
実験例1−2と同様の構成を有する低反射膜について、実験例2−1と同様に各光波長に対する反射率を算出した。なお、この場合の低反射膜の光学膜厚×4を1480nmとした。この結果も図15に併せて示した。
Claims (8)
- 発振波長の異なる複数の端面発光型の半導体発光部と、前記半導体発光部の各主射出端面に共通に設けられた反射膜とを有し、
前記反射膜は、前記半導体発光部の側から順に、第1誘電体膜(屈折率n1)、第2誘電体膜(屈折率n2)および第3誘電体膜(屈折率n3)を含み、
屈折率n1〜n3は、n3<n1<n2の関係を満たす、多波長半導体レーザ。 - 屈折率n1は1.6以上1.7以下、屈折率n2は2以上2.3以下、屈折率n3は1.4以上1.5以下である、請求項1記載の多波長半導体レーザ。
- 前記第1誘電体膜はAl2 O3 およびMgOのうちの少なくとも1種、前記第2誘電体膜はTa2 O5 、ZrO2 、ZnO、HfO2 、CeO2 、TiO2 、TiOおよびNb2 O5 のうちの少なくとも1種、前記第3誘電体膜はSiO2 によりそれぞれ形成されている、請求項1記載の多波長半導体レーザ。
- 前記複数の半導体発光部の発振波長は、650nm帯または780nm帯のうちのいずれかであり、
前記反射膜の反射率は、いずれの発振波長帯においても25%以上35%以下である
請求項2または請求項3に記載の多波長半導体レーザ。 - 前記第1誘電体膜、第2誘電体膜および第3誘電体膜は、共通の光学膜厚を有する
請求項4記載の多波長半導体レーザ。 - 前記複数の半導体発光部の発振波長は、650nm帯または780nm帯のうちのいずれかであり、
前記反射膜の反射率は、発振波長650nm帯においては25%以上30%以下、780nm帯においては25%以上35%以下である
請求項2または請求項3に記載の多波長半導体レーザ。 - 前記第1誘電体膜、第2誘電体膜および第3誘電体膜は、共通の光学膜厚を有する
請求項6記載の多波長半導体レーザ。 - 再生用の光源として、多波長半導体レーザを備え、
前記多波長半導体レーザは、発振波長の異なる複数の端面発光型の半導体発光部と、前記半導体発光部の各主射出端面に共通に設けられた反射膜とを有し、
前記反射膜は、前記半導体発光部の側から順に、第1誘電体膜(屈折率n1)、第2誘電体膜(屈折率n2)および第3誘電体膜(屈折率n3)を含み、
屈折率n1〜n3は、n3<n1<n2の関係を満たす
光学記録再生装置。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131112 |