JPH07154033A - 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置

Info

Publication number
JPH07154033A
JPH07154033A JP30147693A JP30147693A JPH07154033A JP H07154033 A JPH07154033 A JP H07154033A JP 30147693 A JP30147693 A JP 30147693A JP 30147693 A JP30147693 A JP 30147693A JP H07154033 A JPH07154033 A JP H07154033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state laser
refractive index
solid
film
harmonic generation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30147693A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideharu Ogami
秀晴 大上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP30147693A priority Critical patent/JPH07154033A/ja
Publication of JPH07154033A publication Critical patent/JPH07154033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、迷光を生じることのない、高
効率のLD励起ブルーレーザ装置の提供を目的とする。 【構成】 n1とn3とをSiO2膜の屈折率、n2
Ta25膜の屈折率、d1とd3とをSiO2膜の物理的
膜厚、d2をTa25膜の物理的膜厚、nmm(m=
1,2,3のいずれか)を光学的膜厚、λ0を基本波の
波長としたときに、空気側から、n11=0.37λ0
〜0.41λ0のSiO2膜、n22=0.53λ0
0.57λ0のTa25膜、n33=0.24λ0〜0.
28λ0のSiO2膜が固体レーザー素子の第2高調波発
生素子側の端面に設けられた半導体レーザ励起第2高調
波発生固体レーザ装置。 【効果】 従来の光学薄膜を施した固体レーザ素子
を用いた装置と比較してメインビーム以外のビームが無
く、さらに耐湿性に優れるため長期信頼性が高い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ励起第2
高調波発生固体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ励起第2高調波発生固体レ
ーザ装置(以下「LD励起ブルーレーザ装置」とい
う。)は、短波長の青色光を発生させることができる。
このため、このLD励起ブルーレーザ装置を高密度記録
媒体である光ディスク等の記録および再生に利用するこ
とが検討されている。
【0003】代表的なLD励起ブルーレーザ装置である
端面励起型LD励起ブルーレーザ装置の概略構成を、半
導体レーザ(以下「LD」という。)よりの励起光(λ
LD)、発生した基本波(λ0)と、第2高調波(以下
「SH波」という。λSH)との光路と併せ図4に示し
た。図4の装置は、LD1と、その両端面に光学薄膜
2,3が施された集光レンズ4と、その両端面に光学薄
膜5,6が施された固体レーザ素子7と、同じくその両
端面に光学薄膜8,9が施された、第2高調波発生(以
下、「SHG」という。)素子10、そのSHG素子1
0側の端面に光学薄膜11が施された出力鏡12で主要
部が構成されている。そして、上記固体レーザ素子7
は、Nd:YAG結晶を用いて、またSHG素子はKN
bO3結晶を用いて作製されている。
【0004】図4を用いてSH波の発生機構について説
明すると、まず、LDより励起光(λLD=809nm)
が発せられ、この励起光が集光レンズ4により集光さ
れ、固体レーザ素子7に入射される。固体レーザ素子7
の光学薄膜5を通過した励起光は、固体レーザ素子7を
励起し、基本波(λ0=946nm)を発生させる。こ
の基本波は固体レーザ素子7の光学薄膜5と出力鏡12
の光学薄膜11の間を共振し増幅される。この光学薄膜
5と光学薄膜11とで構成されるファブリペロー干渉計
をレーザ共振器という。
【0005】発生した基本波はレーザ共振器内に閉じこ
められ増幅を繰り返す。また、一方、基本波はSHG素
子10を通過することによりその一部がSH波(λSH
473nm)に変換される。SH波のみが出力鏡12を
通過してレーザ共振器より出射される。したがって、光
学薄膜5と光学薄膜11とは、基本波に対して高い反射
率を持つことが要求される。
【0006】ところで、SHG素子10で変換されたS
H波は、SHG素子10の両側に出射するため、SHG
素子10より固体レーザ素子7側へ出射したSH波は共
振器のどこかで出力鏡12側に反射させなければならな
い。このため、一般的には、SH波を反射させる機能を
固体レーザ素子7の光学薄膜5に併せ持たしている。
【0007】これは、光学薄膜6もしくは光学薄膜8の
ようなレーザ共振器内の光学薄膜でSH波を反射させる
と、この光学薄膜が基本波のエネルギーの損失原因とな
り基本波のレーザ発振効率を極端に低下させるからであ
る。そして、SH波出力の大幅な低下をもたらすからで
ある。このため、光学薄膜6もしくは光学薄膜8には、
むしろSH波の反射を防止する機能が必要となる。
【0008】しかし、従来の光学薄膜6は、図5に示し
たように、固体レーザ素子7の表面に屈折率が1.3
6、光学的膜厚ndが0.25λ0のMgF2単層光学薄
膜である。この光学薄膜は、図6に示すような分光反射
特性を持つものの、SH波に対する反射防止機能を特に
考慮したものとなっていない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
固体レーザ素子のSHG素子側に設けられる従来の光学
薄膜は基本波に対しては反射防止機能を持つものの、S
H波に対しては反射防止機能を持っていない。このた
め、固体レーザ素子の両端面の平行度が完全でないと、
一方の端面を光軸に対して直角となるように設定して
も、他方の端面は光軸に対して直角とならなくなる。そ
の結果、共振している光が固体レーザ素子の光軸に対し
て直角となっていない端面に、端面に対して垂直に入射
せず、この端面でSH波が反射することになる。その結
果、出力鏡から出射するSH波のビームが複数に分か
れ、迷光を生じ、メインビームの出力が低下することに
なる。さらに、MgF2膜は耐湿性が低いので長期間に
おける信頼性に欠けるなど問題点がある。
【0010】本発明は、このような点を考慮して行われ
たものであり、迷光を生じることのない、高効率のLD
励起ブルーレーザ装置の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のLD励起ブルーレーザ装置は、LDと、このLDか
らの励起光を集光する集光レンズと、集光された励起光
が入射されて基本波を発生する固体レーザ素子と、発生
した基本波をSH波に変換するSHG素子と、基本波に
対して高反射率な出力鏡とから基本的に構成されたLD
励起ブルーレーザ装置において、固体レーザー素子のS
HG素子側の端面に設けられた光学薄膜が、基本波の波
長を中心とする、少なくとも±10nm以上の波長範囲
に対する反射率と、SH波の波長を中心とする、少なく
とも±10nm以上の波長範囲に対する反射率とを共に
0.5%以下とするものであり、具体的には、固体レー
ザー素子のSHG素子側の端面に設けられた光学薄膜
が、下記のように3層で構成されたものである。
【0012】n1とn3とを低屈折率物質膜の屈折率、n
2を高屈折率物質膜の屈折率、d1とd3とを低屈折率物
質膜の物理的膜厚、d2を高屈折率物質膜の物理的膜
厚、nmm(m=1,2,3のいずれか)を光学的膜
厚、λ0を基本波の波長としたときに、空気側から、第
1層目をn11=0.37λ0〜0.41λ0の低屈折率
物質膜とし、第2層目をn22=0.53λ0〜0.5
7λ0の高屈折率物質膜とし、第3層目をn33=0.
24λ0〜0.28λ0の低屈折率物質膜とする。
【0013】そして、好ましくは低屈折率物質としてS
iO2(屈折率1.43)を用い、高屈折率物質として
Ta25(屈折率1.98)、HfO2、ZrO2の中の
少なくとも何れか1種を用いるものであり、固体レーザ
素子をNdドープYAGとし、SHG素子として好まし
くはKNbO3を用いるものである。
【0014】
【作用】本発明にかかる反射防止膜は、基本波の波長を
中心とし少なくと±10nmの波長範囲と、SH波の波
長を中心とした少なくとも±10nmの波長範囲とに対
する反射率を0.5%以下とする。こうすれば、製膜時
の光学的膜厚制御誤差が少なくとも±10nm生じても
良いことになり、実際に反射防止膜を安価、かつ多量に
製膜することが可能となり、ひいては本発明のLD励起
ブルーレーザ装置を安価に提供できることになるからで
ある。
【0015】例えば、固体レーザ素子としてNdドープ
YAGを用い、SHG素子としてKNbO3を用い、前
記3層構造の反射防止膜を製膜した場合、基本波の波長
を中心として概ね±10nmの範囲と、SH波の波長を
中心として概ね±10nmの範囲で、これらの波長の光
の反射率を0.5%以下にすることが可能となる。
【0016】このような反射防止膜を設けた固体レーザ
素子を用いるため、本発明のLD励起固体ブルーレーザ
装置では迷光は無視でき、メインビームの出力の低下も
無視できる。
【0017】本発明に係る光学薄膜は、前記したよう
に、低屈折率物質と高屈折率物質とを交互に積層したも
のである。このような光学薄膜を構成する物質として
は、まず基本波の吸収が少ないという性質が求められ
る。そして、膜設計の自由度を確保するためには、低屈
折率物質と高屈折率物質との間の屈折率の差ができる限
り大きいことが望まれる。このらの要件を満たす組とし
てSiO2とTa25との組が推奨される。SiO2は、
加えて吸湿性が小さいという特質がある。また、Ta2
5にはグレインサイズが小さく、グレインサイズによ
る散乱の影響を小さくできるという特質がある。
【0018】本発明に係る高屈折率物質膜としてのTa
25膜、HfO2膜、ZrO2膜などの製膜に当たって
は、酸素あるいは酸素とアルゴンの混合ガスを用いたイ
オンアシスト真空蒸着法が適用できる。得られた膜は通
常酸素不足による着色が見られる。そこで、固体レーザ
素子単面に反射防止膜を製膜後、固体レーザ素子ごと大
気あるいは酸素中で200〜400度で10時間以上ア
ニールする。
【0019】なお、SiO2層については、通常の製膜
方法でも良く、イオンアシストを行っても差し支えな
い。
【0020】
【実施例】次に本発明の実施例と従来例について述べ
る。
【0021】(実施例)本発明の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
【0022】まず、この実施例に関するLD励起ブルー
レーザ装置は、従来の装置と同様に図1に示すように、
LD1と、その両端面に光学薄膜2,3が設けられた集
光レンズ4と、その両端面に光学薄膜5,6が施された
屈折率nSが1.82のNd:YAGから成る固体レー
ザ素子7と、同じくその両端面に光学薄膜8,9が施さ
れた、SHG素子10、SHG素子10側の端面に光学
薄膜11が施された出力鏡12で主要部が構成されてい
る。
【0023】固体レーザ素子7のSHG素子10側に施
された光学薄膜3は、図2が示すように、空気側からS
iO2、Ta25、SiO2の順に構成される3層の光学
薄膜で構成されている。
【0024】この光学的膜厚を求めるには、設定波長に
よる反射率を条件にして膜厚を変化させその最適値を求
めるシンプレックス法を用いた。すなわち、はじめ、各
層の光学的膜厚を0.25λ0に設定してコンピュータ
を用いて分光反射特性を計算した後、光学的膜厚を少し
づつ増減させて、基本波の波長946nmを中心とした
±10nm以上の範囲とSH波の波長476nmを中心
とした±10nm以上の範囲でその反射率が0.5%以
下になるような光学的膜厚を求めた。その結果、要求を
満足させ得る最小膜層数は3層となった。最終的に決定
した上記光学薄膜3の膜構成の計算結果を表1に、この
分光反射特性の計算結果を図3に示した。
【0025】 表1 ─────────────────────────── 膜番号 膜物質 屈折率 光学的膜厚 ─────────────────────────── 1 SiO2 1.43 0.389λ0 2 Ta25 1.98 0.553λ0 3 SiO2 1.43 0.258λ0 ─────────────────────────── (ただし、λ0は946nm、膜番号は空気側からカウ
ントし、固体レーザ素子側が3番目になる) 次に、この計算結果に基づき光学薄膜を製膜した。その
具体的手法を以下に説明する。
【0026】まず、Nd:YAG結晶から成る固体レー
ザ素子を水洗し、次いで有機溶剤等を用いて音波洗浄を
行った。その後、イオンアシスト真空蒸着装置内に固体
レーザ素子3をセットした。基板温度を加熱しながら装
置内を排気し、基板温度を300℃ にし、装置内の圧
力を1×10-6Torrとした。SiO2膜の製膜はこ
の圧力で行い、製膜速度を0.7nm/secとした。
そして、Ta25膜の製膜時には、酸素ガスを導入し、
装置内圧力を1×10-4Torrとした。また、イオン
アシスト(イオン化ガス:酸素,加速電圧:150V,
加速電流:10mA)はTa25層蒸着時のみに行っ
た。Ta25膜の製膜速度は0.2nm/secであっ
た。なお、各膜の光学的膜厚の制御には光学的干渉モニ
ターを用いた。
【0027】こうして製膜して得た光学薄膜は着色して
いたため、光学薄膜を施した固体レーザ素子ごと電気炉
に入れ、アニーリングを行った。アニーリングは、固体
レーザー素子を1℃/minで加熱し、250℃で15
時間保持した後、1℃/minで室温まで冷却すること
により行った。
【0028】このようにして作製した光学薄膜を持つ固
体レーザ素子を用いて図1の500mW-LD励起ブル
ーレーザ装置を組立、ブルー光を発生させ、目視によっ
て確認できるメインビーム以外のビーム数を測定した。
その結果、メインビーム以外のビームは観察できなかっ
た。さらに、耐湿性を調べるために、加速テストとして
これらの固体レーザ素子を沸騰している純水中に約1時
間放置して100倍の顕微鏡により膜のハガレの有無を
観察した。その結果、膜のハガレは観察されなかった。
【0029】(従来例)MgF2の単層光学薄膜を施し
たNd:YAGの固体レーザ素子用いて図4と同じ50
0mW-LD励起ブルーレーザ装置を組立、実施例と同
様に目視によって確認できるメインビーム以外のビーム
数を調べた。その結果、メインビーム以外に2本のビー
ムが確認できた。
【0030】さらに、耐湿性を調べるために、加速テス
トとしてこの固体レーザ素子を沸騰している純水中に約
1時間放置して100倍の顕微鏡により膜ハガレを観察
した。その結果、膜の部分剥離が多数確認できた。
【0031】これらの結果から、本実施例の500mW
-LD励起ブルーレーザ装置は、従来の装置と比較し
て、ブルー出力が数%向上し、かつ迷光が少ない。さら
に、耐湿性に優れるため長期信頼性が高いといえる。
【0032】
【発明の効果】本発明のLD励起ブルーレーザ装置は、
従来の光学薄膜を施した固体レーザ素子を用いた装置と
比較して メインビーム以外のビームが無く、さらに耐
湿性に優れるため長期信頼性が高い効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例で用いた本発明のLD励起ブルーレーザ
装置の概略構成図である。
【図2】実施例に用いた固体レーザー素子に設けた光学
薄膜の膜構成を示す概念図である。
【図3】図2の光学薄膜の分光反射特性を示す図であ
る。
【図4】従来の代表的なLD励起ブルーレーザ装置の概
略構成図である。
【図5】図4の装置に用いられる固体レーザ素子のSH
G素子側単面の光学薄膜の膜構成を示す概念図である。
【図6】図5の光学薄膜の分光反射特性を示す図であ
る。
【符号の説明】 1−−−LD、 2,3,5,6,8,9,11−−−
光学薄膜、 4−−−集光レンズ、 7−−−固体レー
ザ素子、 10−−−SHG素子、 12−−−出力鏡

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザと、この半導体レーザか
    らの励起光を集光する集光レンズと、集光された励起光
    が入射されて基本波を発生する固体レーザ素子と、発生
    した基本波をSH波に変換する第2高調波発生素子と、
    基本波に対して高反射率な出力鏡とから基本的に構成さ
    れた半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置に
    おいて、固体レーザー素子の第2高調波発生素子側の端
    面に設けられた光学薄膜が、基本波の波長を中心とす
    る、少なくとも±10nm以上の波長範囲に対する反射
    率と、SH波の波長を中心とする、少なくとも±10n
    m以上の波長範囲に対する反射率とが共に0.5%以下
    であることを特徴とする半導体レーザ励起第2高調波発
    生固体レーザ装置。
  2. 【請求項2】 固体レーザー素子の第2高調波発生素
    子側の端面に設けられた光学薄膜が、下記のように3層
    で構成されたものであることを特徴とする請求項1記載
    の半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置。n
    1とn3とを低屈折率物質膜の屈折率、n2を高屈折率物
    質膜の屈折率、d1とd3とを低屈折率物質膜の物理的膜
    厚、d2を高屈折率物質膜の物理的膜厚、nmm(m=
    1,2,3のいずれか)を光学的膜厚、λ0を基本波の
    波長としたときに、 空気側から、 第1層目をn11=0.37λ0〜0.41λ0の低屈折
    率物質膜とし、 第2層目をn22=0.53λ0〜0.57λ0の高屈折
    率物質膜とし、 第3層目をn33=0.24λ0〜0.28λ0の低屈折
    率物質膜とする。
  3. 【請求項3】 固体レーザ素子がNdドープYAGで
    あり、第2高調波発生素子がKNbO3である請求項1
    又は2記載の半導体レーザ励起第2高調波発生固体レー
    ザ装置。
  4. 【請求項4】 低屈折率物質としてSiO2を用い、
    高屈折率物質としてTa25、HfO2、ZrO2の中の
    少なくとも何れか1種を用いたことを特徴とする請求項
    1〜3記載のいずれかの半導体レーザ励起第2高調波発
    生固体レーザ装置。
JP30147693A 1993-12-01 1993-12-01 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置 Pending JPH07154033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30147693A JPH07154033A (ja) 1993-12-01 1993-12-01 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30147693A JPH07154033A (ja) 1993-12-01 1993-12-01 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07154033A true JPH07154033A (ja) 1995-06-16

Family

ID=17897366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30147693A Pending JPH07154033A (ja) 1993-12-01 1993-12-01 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07154033A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015501B1 (ko) * 2004-12-28 2011-02-16 삼성전자주식회사 다수의 양자우물을 갖는 외부 공진기형 면발광 레이저 소자
KR101015500B1 (ko) * 2004-10-11 2011-02-24 삼성전자주식회사 터널 접합을 구비한 고출력 레이저 소자 및 상기 레이저소자용 레이저 펌핑부

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015500B1 (ko) * 2004-10-11 2011-02-24 삼성전자주식회사 터널 접합을 구비한 고출력 레이저 소자 및 상기 레이저소자용 레이저 펌핑부
KR101015501B1 (ko) * 2004-12-28 2011-02-16 삼성전자주식회사 다수의 양자우물을 갖는 외부 공진기형 면발광 레이저 소자

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5513039A (en) Ultraviolet resistive coated mirror and method of fabrication
US5608577A (en) Optical mirror and optical device using the same
JPH07154033A (ja) 半導体レーザ励起第2高調波発生固体レーザ装置
JP2002055212A (ja) プリズムとそれを用いた光学装置
JP4066317B2 (ja) 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
JP3290646B2 (ja) 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
JPH11186656A (ja) 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法
US5741595A (en) Ultraviolet optical part having coat of ultraviolet optical thin film, and wavelength-changing device and ultraviolet light source unit having coat of ultraviolet optical thin film
JPH0682862A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US5581395A (en) Non-linear optical crystal element
JPH06186403A (ja) 多層膜光学部材
JPH07221383A (ja) Ld励起第二高調波発生固体レーザ装置
JP2659830B2 (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JPH04333834A (ja) 誘電体多層反射防止膜
JPH06188500A (ja) Ld励起第二高調波発生固体レーザ装置とその製造方法
JPH02247601A (ja) レーザ素子の反射防止膜
JPS61160989A (ja) 半導体レ−ザアレイ装置とその製造方法
JP3084784B2 (ja) アルゴンガスレーザミラー
KR100397599B1 (ko) 비선형단결정레이저소자
KR100287112B1 (ko) 제2고조파발진기용니오듐:이트륨알루미늄가네트결정의반사방지막
KR100287113B1 (ko) 제2고조파발진기용니오듐;이트륨바나데이트결정의반사방지막
KR100266539B1 (ko) 제2고조파발생용케이티피반사방지막
JPH04158588A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JPH0414024A (ja) 2次高調波発生デバイス
JPH02295181A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ素子