JPH02247601A - レーザ素子の反射防止膜 - Google Patents
レーザ素子の反射防止膜Info
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- JPH02247601A JPH02247601A JP1067935A JP6793589A JPH02247601A JP H02247601 A JPH02247601 A JP H02247601A JP 1067935 A JP1067935 A JP 1067935A JP 6793589 A JP6793589 A JP 6793589A JP H02247601 A JPH02247601 A JP H02247601A
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Landscapes
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＫ Ｔ Ｐ （Ｋ Ｔ ｉ ＯＰ Ｏ４） ノ
Ｓ ＨＧ ＊子（第２次高調波発生素子）のレーザ入出
射端面における、基本光とＳＨ光（第２次高調波）の２
波長に対する反射防止膜に間する。
Ｓ ＨＧ ＊子（第２次高調波発生素子）のレーザ入出
射端面における、基本光とＳＨ光（第２次高調波）の２
波長に対する反射防止膜に間する。
（従来の技術）
Ｎｄドープ固体レーザ（例えばＮｄ３＋ドープＹ３Ａ１
ｓＯｒａ、ＮｄＳ＋ドー７Ｇｄ３ Ｇａ５０１２）のＳ
ＨＧ素子として、ＫＴＰは大きな非線形光学定数を持ち
、レーザ損傷しきい値が高く、化学的に安定なため、最
も理想的な結晶と考えられている。しかし、ＫＴＰは、
従来水熱合成法（結晶の材料となる物質を水に高温高圧
下で溶解して、その中から結晶を析出させる方法）によ
り育成されており、大型単結晶の育成が困難とされてい
た。
ｓＯｒａ、ＮｄＳ＋ドー７Ｇｄ３ Ｇａ５０１２）のＳ
ＨＧ素子として、ＫＴＰは大きな非線形光学定数を持ち
、レーザ損傷しきい値が高く、化学的に安定なため、最
も理想的な結晶と考えられている。しかし、ＫＴＰは、
従来水熱合成法（結晶の材料となる物質を水に高温高圧
下で溶解して、その中から結晶を析出させる方法）によ
り育成されており、大型単結晶の育成が困難とされてい
た。
最近、フラックス法（結晶の材料となる物質をある特定
の物質に溶解して、その中から結晶を析出させる方法）
を用いて大気圧下で育成できることが示されてから、−
層、ＫＴＰのＳＨＧ素子としての需要が高まっている。
の物質に溶解して、その中から結晶を析出させる方法）
を用いて大気圧下で育成できることが示されてから、−
層、ＫＴＰのＳＨＧ素子としての需要が高まっている。
５）ＩＧ変換効率を上げるためには、入射レーザ強度を
大きくすること、基本光とＳＨ光の波長に対する屈折率
を一致させる位相整合条件（基本光とＳＨ光の伝搬速度
を等しくするために位相を一致させ、重なり合って強め
るための条件）を満足することが必要である。
大きくすること、基本光とＳＨ光の波長に対する屈折率
を一致させる位相整合条件（基本光とＳＨ光の伝搬速度
を等しくするために位相を一致させ、重なり合って強め
るための条件）を満足することが必要である。
第１図は、ＫＴＰＩＯのＳＨＧ素子のタイプ■（互いに
垂直な偏光面を持つ基本光を組合わせる位相整合の取り
方）と呼ばれる位相整合の条件を満足する結晶軸と基本
光（波長λω＝１．０６μｍ）とＳＨ光（波長λ２ ω
＝０．５３μｍ）の偏光方向の関係である。
垂直な偏光面を持つ基本光を組合わせる位相整合の取り
方）と呼ばれる位相整合の条件を満足する結晶軸と基本
光（波長λω＝１．０６μｍ）とＳＨ光（波長λ２ ω
＝０．５３μｍ）の偏光方向の関係である。
ＫＴＰの基本光（λω＝１．０６４μｍ）におけるａ軸
方向の屈折率をｎツ、ｂ軸方向の屈折率をｎＦ、Ｃ軸方
向の屈折率をｎヅとする。
方向の屈折率をｎツ、ｂ軸方向の屈折率をｎＦ、Ｃ軸方
向の屈折率をｎヅとする。
ＫＴＰのＳＨＧ素子の位相整合条件は以下の第１式と第
２式で表される。
２式で表される。
ｎ；＋ｎれ（θ）
＝ｎζツ（θ） ・・・（１）
り
ここで、ｎ ：、 （θ）は、ａ軸からｂ軸方向へ（９
０°−θ）傾いた軸とａ軸を含む平面内でａ軸に垂直な
方向に偏光した基本光における屈折率であり、ｎＸａ／
（θ）は、上記方向（Ｂ方向）に偏光したＳＨ光におけ
る屈折率であり、ｎγ＝１．７３８、ｎ’＝＝１．７４
７、ｎｒ ＝１．８３３である。第１式と第２式から、
ｎＡｒ（ｅ）＜以下ｎａ）は、１．７８５となる。基本
光はＡ方向に偏光して入射させ、ＳＨ光はＢ方向に偏光
されて発生する方法を用いている。
０°−θ）傾いた軸とａ軸を含む平面内でａ軸に垂直な
方向に偏光した基本光における屈折率であり、ｎＸａ／
（θ）は、上記方向（Ｂ方向）に偏光したＳＨ光におけ
る屈折率であり、ｎγ＝１．７３８、ｎ’＝＝１．７４
７、ｎｒ ＝１．８３３である。第１式と第２式から、
ｎＡｒ（ｅ）＜以下ｎａ）は、１．７８５となる。基本
光はＡ方向に偏光して入射させ、ＳＨ光はＢ方向に偏光
されて発生する方法を用いている。
Ａ方向に偏光した基本光おけるＫＴＰのＳＨＧ素子の屈
折率ｎでは１．７８３である。したがって、第２式は以
下のようになる。
折率ｎでは１．７８３である。したがって、第２式は以
下のようになる。
このＫＴＰのＳＨＧ素子のレーザ入出射端面１２．１４
は光学研磨によって鏡面加工し、さらに、基本光とＳＨ
光の反射を減少させるために、入出射端面の片面もしく
は両面に基本光とＳＨ光の２波長に対する反射防止膜が
施される。
は光学研磨によって鏡面加工し、さらに、基本光とＳＨ
光の反射を減少させるために、入出射端面の片面もしく
は両面に基本光とＳＨ光の２波長に対する反射防止膜が
施される。
特に、ＳＨＧ素子をレーザ共振器内部で用いる場合は、
片面に上記反射防止膜を施す。
片面に上記反射防止膜を施す。
このＫＴＰのＳＨＧ素子に、反射防止膜のない場合、空
気中で界面の反射率は、約７．９％である。この反射に
よる損失は、ＳＨＧ変換効率を低下させる要因になる。
気中で界面の反射率は、約７．９％である。この反射に
よる損失は、ＳＨＧ変換効率を低下させる要因になる。
現在まで、ＫＴＰのＳＨＧ素子の反射防止膜の構成は明
らかにされていなかった。
らかにされていなかった。
（発明が解決しようとする課題）
このようなＫＴＰのＳＨＧ素子においては、基本光とＳ
Ｈ光の２波長に対する反射防止膜が必要とされる。
Ｈ光の２波長に対する反射防止膜が必要とされる。
反射防止膜に用いる誘電体物質の薄膜には、波長分散に
より、基本光とＳＨ光の波長に対する屈折率が異なるた
めに、このことを考慮に入れて多層反射防止膜を設計し
なければならない。
より、基本光とＳＨ光の波長に対する屈折率が異なるた
めに、このことを考慮に入れて多層反射防止膜を設計し
なければならない。
さらに、反射防止膜の膜層数は５作成時間、膜厚制御誤
差、レーザに対する耐ダメージ性から考えてみて、少な
いほど望ましい。
差、レーザに対する耐ダメージ性から考えてみて、少な
いほど望ましい。
本発明は、以上の点からＫＴＰのＳＨＧ素子の基本光と
ＳＨ光の２波長に対する、反射防止膜を提供することを
目的とする。
ＳＨ光の２波長に対する、反射防止膜を提供することを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
前述の目的を達成するなめに、本発明は第２次高調波発
生素子として用いられるＫＴＰ結晶用の反射防止膜にお
いて、各層の光学的膜厚が入射レーザ光の波長の１／４
でありかつ各層の屈折率が異なる３層の屈折率物質層の
積層体から成ることを特徴とする反射防止膜を採用する
ものである。
生素子として用いられるＫＴＰ結晶用の反射防止膜にお
いて、各層の光学的膜厚が入射レーザ光の波長の１／４
でありかつ各層の屈折率が異なる３層の屈折率物質層の
積層体から成ることを特徴とする反射防止膜を採用する
ものである。
（実施例）
次に、図面を参照して本発明を説明する。
第２図は本発明の反射防止膜がイントラキャビティＳ
ＨＧに用いられた場合のＫＴＰｌｏに設けられる一例を
示している。すなわち、ＫＴＰ １０は入出射端面１２
．１４に基本光反射防止膜兼ＳＨ光反射膜１６および基
本光およびＳＨ光反射防止膜１８を設けている０本発明
が対象としているのはこの基本光およびＳＨ光反射防止
１Ｉ１１８である。なお、符号２０はＹＡＧ （イツト
リウムアルミニウムガーネット）ロッドを示し、符号２
２および２４はいずれもＹＡＧロッド２０の両端に設け
られた基本光反射防止膜であり、符号２６および２８は
それぞれミラーを示し、ミラー２６は基本光を反射し、
ミラー２８は基本光を反射しかつＳＨ光を反射防止する
ものである。
ＨＧに用いられた場合のＫＴＰｌｏに設けられる一例を
示している。すなわち、ＫＴＰ １０は入出射端面１２
．１４に基本光反射防止膜兼ＳＨ光反射膜１６および基
本光およびＳＨ光反射防止膜１８を設けている０本発明
が対象としているのはこの基本光およびＳＨ光反射防止
１Ｉ１１８である。なお、符号２０はＹＡＧ （イツト
リウムアルミニウムガーネット）ロッドを示し、符号２
２および２４はいずれもＹＡＧロッド２０の両端に設け
られた基本光反射防止膜であり、符号２６および２８は
それぞれミラーを示し、ミラー２６は基本光を反射し、
ミラー２８は基本光を反射しかつＳＨ光を反射防止する
ものである。
このような本発明の反射防止膜は、基本光およびＳＨ光
のいずれに対しても反射防止膜として働くことが要求さ
れ、物理的特性として以下の条件を満たす必要がある。
のいずれに対しても反射防止膜として働くことが要求さ
れ、物理的特性として以下の条件を満たす必要がある。
すなわち、垂直入射、各層の光学的膜厚（＝ｎＪ −ｄ
ｊ ｎＪはｊ番目の層の屈折率、ｄ、はｊ番目の層の物
理的膜厚）がλ。／４（λ。は設計中心波長）の場合、
３層膜の反射率は、第３式〜第７式で表すことができる
。
ｊ ｎＪはｊ番目の層の屈折率、ｄ、はｊ番目の層の物
理的膜厚）がλ。／４（λ。は設計中心波長）の場合、
３層膜の反射率は、第３式〜第７式で表すことができる
。
・・・ （３）
但し媒質は空気中ｎ□、＝１とする。
・・・ （４）
ｉ＝【］
Ｘω、＝２πｎωｊｄｊ／λω ・・・（７）Ｘ２
（ａｃｊ＝２πｎ２ ωｊｄ） ／λ、 ω”’ （
８）ここで、基本光の波長λωにお番する、反ｉｔ率番
よＲω、Ａ方向の偏光に対するＫＴＰのＳＨＧ素子の屈
折率はｎ’Ｆ、ｊ番目の膜の位相差４ｉＸω４、屈折率
はｎＪ」である。Ｓ Ｈ光の波長λ２ω番こおける反射
率はｎ２ω、Ｂ方向の偏光Ｇこ対するＫＴＰのＳＨＧ素
子の屈折率はｎｔｈ′、ｊ番目の膜の位相差はＸ２ω４
、屈折率はｎ２ω、である、また、ｄＪはｊ番目の膜の
物理的膜厚でｄＪ＝λ０／（４ｎｏｒ＞で表されている
。ここでｎ。Ｊζよ、３層膜の設計波長λ０に対するｊ
番目の膜の屈折率である。
（ａｃｊ＝２πｎ２ ωｊｄ） ／λ、 ω”’ （
８）ここで、基本光の波長λωにお番する、反ｉｔ率番
よＲω、Ａ方向の偏光に対するＫＴＰのＳＨＧ素子の屈
折率はｎ’Ｆ、ｊ番目の膜の位相差４ｉＸω４、屈折率
はｎＪ」である。Ｓ Ｈ光の波長λ２ω番こおける反射
率はｎ２ω、Ｂ方向の偏光Ｇこ対するＫＴＰのＳＨＧ素
子の屈折率はｎｔｈ′、ｊ番目の膜の位相差はＸ２ω４
、屈折率はｎ２ω、である、また、ｄＪはｊ番目の膜の
物理的膜厚でｄＪ＝λ０／（４ｎｏｒ＞で表されている
。ここでｎ。Ｊζよ、３層膜の設計波長λ０に対するｊ
番目の膜の屈折率である。
３層反射防止膜の設計波長λ。における屈折率をＫＴＰ
の５）（Ｇ素子側からｎｏｔ、 ｎ０２、ｎｏｓとする
。各層の屈折率の条件をｎ二＜ｎｏｔ、 ｎ、）１＞ｎ
ｏ２＞ ｎ ０３として、電子計算機を利用して、多
層の屈折率を変化させ、基本光の反射率ＲωとＳＨ光の
反射率Ｒ２ωが０．２％以下になる、各層の屈折率を求
め、実際に蒸着物質の屈折率として存在する組合わせを
選択した。２つの例として別紙の表１および表２にこの
方法で求めた膜構成と反射率の計算値を示す。
の５）（Ｇ素子側からｎｏｔ、 ｎ０２、ｎｏｓとする
。各層の屈折率の条件をｎ二＜ｎｏｔ、 ｎ、）１＞ｎ
ｏ２＞ ｎ ０３として、電子計算機を利用して、多
層の屈折率を変化させ、基本光の反射率ＲωとＳＨ光の
反射率Ｒ２ωが０．２％以下になる、各層の屈折率を求
め、実際に蒸着物質の屈折率として存在する組合わせを
選択した。２つの例として別紙の表１および表２にこの
方法で求めた膜構成と反射率の計算値を示す。
これらの反射防止膜の作成には、真空蒸着、スパッタリ
ング、ＣＶＤ等がある。
ング、ＣＶＤ等がある。
ところで、もし仮に同じ目的の反射防止膜を２層だけで
構成しようとすると、ＫＴＰ側からｎｏ！＝１．４７
（λｏ ／４）、ｎｏｚ＝１．２１ （λ０／４）とな
るが、屈折率１．２１になる蒸着物質は存在しないので
、実現不可能である。
構成しようとすると、ＫＴＰ側からｎｏ！＝１．４７
（λｏ ／４）、ｎｏｚ＝１．２１ （λ０／４）とな
るが、屈折率１．２１になる蒸着物質は存在しないので
、実現不可能である。
次に、本発明の反射防止膜の効果を確認するために表１
および表２に基づいた反射防止膜を作成し、次に、それ
ぞれの反射率を測定した。
および表２に基づいた反射防止膜を作成し、次に、それ
ぞれの反射率を測定した。
最初に、反射防止膜は次のように作成された。
（１）ＫＴＰを有機溶剤（洗剤、アルコール、トリフロ
ン）で洗浄する。
ン）で洗浄する。
蒸着物質として以下の物質を準備した。
ＳｉＯ２（粒径２〜４ｍｍ＞
ＭｇＦｚ（粒径２〜４ｍｍ）
Ｚｒ０２（タブレット３０φ×５１）
Ｔｉ０２（タブレットを真空中でメルティングしたもの
） （２）ＫＴＰ、蒸着物質を真空チャンバー内にセットし
、ロータリーポンプで荒引き後、クライオポンプで排気
する。基板加熱温度は３７０℃に設定した。
） （２）ＫＴＰ、蒸着物質を真空チャンバー内にセットし
、ロータリーポンプで荒引き後、クライオポンプで排気
する。基板加熱温度は３７０℃に設定した。
（３）真空圧が５− ＯＸ １０−２ｏｒｒに達したら
、以下の条件で蒸着速度、酸素分圧を自動制御しながら
、蒸着を開始した。
、以下の条件で蒸着速度、酸素分圧を自動制御しながら
、蒸着を開始した。
０２分圧（ｔｏｒｒ）
Ｚｒ ０２ ０．８〜１．５ Ｘｌ０−’Ｔｉｅ２
２．０〜４．ＯＸｌ０−’ＳｉＯ２ ８ｘｌＯづ（
Ｏｘ導入なし）ＭｇＦ２ ８Ｘ１０づ（０２導入なし
）（４）光学的膜厚は、光学干渉式膜厚計でモニターし
て（精度±１％以内）、設定した光学的膜厚に達したら
、シャッターを閉じて、次の膜の蒸着を続行するように
行った。
２．０〜４．ＯＸｌ０−’ＳｉＯ２ ８ｘｌＯづ（
Ｏｘ導入なし）ＭｇＦ２ ８Ｘ１０づ（０２導入なし
）（４）光学的膜厚は、光学干渉式膜厚計でモニターし
て（精度±１％以内）、設定した光学的膜厚に達したら
、シャッターを閉じて、次の膜の蒸着を続行するように
行った。
これらの反射防止膜に対して次のようにして反射率を測
定した。すなわち反射防止膜を基本光の波長（１，０６
４μｍ）においては、端面内でＣ軸から４５°傾いた偏
光方向（Ａ方向）で反射率測定を行い、ＳＨ光の波長（
０，５３２μｍ）においては、端面内でＣ軸に垂直な偏
光方向（Ｂ方向）で反射率測定を行った。その結果、基
本光とＳＨ光に対して、それぞれ反射率０．２％以下に
なった。
定した。すなわち反射防止膜を基本光の波長（１，０６
４μｍ）においては、端面内でＣ軸から４５°傾いた偏
光方向（Ａ方向）で反射率測定を行い、ＳＨ光の波長（
０，５３２μｍ）においては、端面内でＣ軸に垂直な偏
光方向（Ｂ方向）で反射率測定を行った。その結果、基
本光とＳＨ光に対して、それぞれ反射率０．２％以下に
なった。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明は、各層の光学的膜
厚が入射レーザ光の波長の１／４でありかつ各層の屈折
率が異なる３層の屈折率物質層の積層体から成るように
しなので、基本光の波長および第２次高調波の波長とに
対する反射率を０．２％以下になるように３層の屈折率
物質層の各層の屈折率を選ぶことができるものである。
厚が入射レーザ光の波長の１／４でありかつ各層の屈折
率が異なる３層の屈折率物質層の積層体から成るように
しなので、基本光の波長および第２次高調波の波長とに
対する反射率を０．２％以下になるように３層の屈折率
物質層の各層の屈折率を選ぶことができるものである。
第１図は、ＫＴＰのＳＨＧ素子における位相整合の条件
（タイプ■）を満足する結晶軸に対する基本光とＳＨ光
との関係を説明するための°ＫＴＰの斜視図である。 第２図は、−例としてイントラキャビティＳＨＧ素子（
ＫＴＰ）に対して設けられた本発明の反射防止膜を示す
ための概略図である。 １０・・・ＫＴＰ、 １２・・・入射端面、 １４・・・出射端面、 １８・・・反射防止膜。
（タイプ■）を満足する結晶軸に対する基本光とＳＨ光
との関係を説明するための°ＫＴＰの斜視図である。 第２図は、−例としてイントラキャビティＳＨＧ素子（
ＫＴＰ）に対して設けられた本発明の反射防止膜を示す
ための概略図である。 １０・・・ＫＴＰ、 １２・・・入射端面、 １４・・・出射端面、 １８・・・反射防止膜。
Claims (6)
- （１）第２次高調波発生素子として用いられるＫＴＰ結
晶用の反射防止膜において、各層の光学的膜厚が入射レ
ーザ光の波長の１／４でありかつ各層の屈折率が異なる
３層の屈折率物質層の積層体から成ることを特徴とする
反射防止膜。 - （２）請求項１記載の反射防止膜において、レーザ光の
基本光の波長と第２次高調波の波長とに対する反射率が
０．２％以下になるように、３層の屈折率物質層の各層
の屈折率が選ばれることを特徴とする反射防止膜。 - （３）請求項１記載の反射防止膜において、ＫＴＰ結晶
に積層された第１層の屈折率物質層の屈折率がＫＴＰ結
晶より高い高屈折率を有し、第１層の屈折率物質層に積
層された第２層の屈折率物質層の屈折率が第１層の屈折
率物質層の屈折率より低い中間屈折率を有し、第２層の
屈折率物質層に積層された第３層の屈折率物質層の屈折
率が第２層の屈折率物質層の屈折率より低い低屈折率を
有することを特徴とする反射防止膜。 - （４）請求項１記載の反射防止膜において、レーザ光の
波長がＮｄドープ固体レーザの発振波長である１．０６
μｍ付近であることを特徴とする反射防止膜。 - （５）請求項３記載の反射防止膜において、レーザ光の
波長が１．０６μｍ付近であり、第１層の屈折率物質層
が約２．１１の屈折率を有するＴｉＯ＿２であり、第２
層の屈折率物質層が約１．７５の屈折率を有するＺｒＯ
＿２であり、第３層の屈折率物質層が約１．４４の屈折
率を有するＳｉＯ＿２である、ことを特徴とする反射防
止膜。 - （６）請求項３記載の反射防止膜において、レーザ光の
波長が１．０６μｍ付近であり、第１層の屈折率物質層
が約２．０５の屈折率を有するＴｉＯ＿２であり、第２
層の屈折率物質層が約１．６５の屈折率を有するＺｒＯ
＿２であり、第３層の屈折率物質層が約１．３６の屈折
率を有するＭｇＦ＿２であることを特徴とする反射防止
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067935A JPH02247601A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | レーザ素子の反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067935A JPH02247601A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | レーザ素子の反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02247601A true JPH02247601A (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=13359283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067935A Pending JPH02247601A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | レーザ素子の反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02247601A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333834A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体多層反射防止膜 |
| US5557466A (en) * | 1993-09-07 | 1996-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Two-wavelength antireflection film |
| JP2015138179A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 王子ホールディングス株式会社 | 微細構造体および微細構造体の製造方法 |
| JP2015200713A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 王子ホールディングス株式会社 | 微細構造体および微細構造体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50148096A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-27 | ||
| JPS63139302A (ja) * | 1986-04-22 | 1988-06-11 | Seiko Epson Corp | 反射防止膜を有する光学成形物品 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1067935A patent/JPH02247601A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50148096A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-27 | ||
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| JP2015138179A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 王子ホールディングス株式会社 | 微細構造体および微細構造体の製造方法 |
| JP2015200713A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 王子ホールディングス株式会社 | 微細構造体および微細構造体の製造方法 |
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