JPS61196201A - 低温蒸着成膜法 - Google Patents
低温蒸着成膜法Info
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- JPS61196201A JPS61196201A JP60035379A JP3537985A JPS61196201A JP S61196201 A JPS61196201 A JP S61196201A JP 60035379 A JP60035379 A JP 60035379A JP 3537985 A JP3537985 A JP 3537985A JP S61196201 A JPS61196201 A JP S61196201A
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- G02B1/105—
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学用薄膜に関するものであ〕、詳しくは高精
度レンズのコーティング薄膜の成膜方法に関する。
度レンズのコーティング薄膜の成膜方法に関する。
レンズ表面等に設けられる反射防止膜などの薄膜は、レ
ンズの組立時および使用時にキズがつかないように、成
膜時においてレンズとの接着性および膜の硬度の向上の
ためにさまざまな方法がとられている。
ンズの組立時および使用時にキズがつかないように、成
膜時においてレンズとの接着性および膜の硬度の向上の
ためにさまざまな方法がとられている。
特に成膜時に加熱処理によって膜の機械的性質を強くす
る蒸着法（・・−トコ−ティング）はその有力な方法の
１つである。この蒸着法によってレンズを成膜するには
、２５０℃以上の高温で加熱を行うのが一般的である。
る蒸着法（・・−トコ−ティング）はその有力な方法の
１つである。この蒸着法によってレンズを成膜するには
、２５０℃以上の高温で加熱を行うのが一般的である。
しかしながら、半導体機器の光学系に使われる高精度レ
ンズやビデオ光学系または一般撮影系に使われる貼合せ
レンズへの成膜は６、高温加熱による面精度および屈折
率の微小変化または貼合せ破壊が間層になる。
ンズやビデオ光学系または一般撮影系に使われる貼合せ
レンズへの成膜は６、高温加熱による面精度および屈折
率の微小変化または貼合せ破壊が間層になる。
このため、従来では精度維持および貼合せ破壊防止のた
め、成膜時にレンズ加熱を１５０℃以下にして単層また
は多層膜を真空蒸着によシ成膜していたが、低温成膜の
ために薄膜の密着性および膜自体の硬度の低下を生じ、
光学系の組立時などにおいて膜キズ、膜ハガレ等の不良
が起きやすいという欠点があった。
め、成膜時にレンズ加熱を１５０℃以下にして単層また
は多層膜を真空蒸着によシ成膜していたが、低温成膜の
ために薄膜の密着性および膜自体の硬度の低下を生じ、
光学系の組立時などにおいて膜キズ、膜ハガレ等の不良
が起きやすいという欠点があった。
また、イオンプレーテイング（Ａｒガス使用）Ｋよる低
温成膜も考えられてはいるが、アルミナ（Ａｔ２０３）
、５酸化タンタル（Ｔａ２’ｓ）等の蒸着物質をイオン
プレーテイングで成膜を行うと膜中にと〕込まれる酸素
が低下し、所望の光学特性が得られないばかシか、硝子
との密着性および膜の表面硬度が低下するという問題点
かあつ九。
温成膜も考えられてはいるが、アルミナ（Ａｔ２０３）
、５酸化タンタル（Ｔａ２’ｓ）等の蒸着物質をイオン
プレーテイングで成膜を行うと膜中にと〕込まれる酸素
が低下し、所望の光学特性が得られないばかシか、硝子
との密着性および膜の表面硬度が低下するという問題点
かあつ九。
本発明はｄ記の如き従来技術の問題点に鑑み、低温で成
膜できる反応性イオンデレーティングを用いて、所望の
光学特性を持ち、なおかつ硝子との密着性および、膜の
表面硬度が低下し°ない反応性イオンプレーテイングに
よる成膜方法を提供することを目的とする。
膜できる反応性イオンデレーティングを用いて、所望の
光学特性を持ち、なおかつ硝子との密着性および、膜の
表面硬度が低下し°ない反応性イオンプレーテイングに
よる成膜方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の様な目的は成膜室内で蒸着源か
らの蒸着粒子をイオン化し、基板上に被膜を形成する反
応性イオンプレーテイング成膜方法であって、Ｔａ２Ｏ
，、Ａｚ２ｏ、 、Ｙ２Ｏ３％ ＣｅＯ，、ＺｒＯ２，
１ｎ２０３の金属酸化物を成膜させるには、酸素圧力を
６． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ 〜１．ＯＸ １０″″
’Ｔｏｒｒの範囲内で、５ＩＯ２、Ｔａ０ｘ（ｘ≦２）
の金Ｊｌ酸化物を成膜させるには、酸素圧力を１．ＯＸ
ｌ ０ Ｔｏｒｒ〜３、 ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの
範囲内で成膜させることを特徴とする低温蒸着成膜方法
を採用することによシ達成される。
らの蒸着粒子をイオン化し、基板上に被膜を形成する反
応性イオンプレーテイング成膜方法であって、Ｔａ２Ｏ
，、Ａｚ２ｏ、 、Ｙ２Ｏ３％ ＣｅＯ，、ＺｒＯ２，
１ｎ２０３の金属酸化物を成膜させるには、酸素圧力を
６． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ 〜１．ＯＸ １０″″
’Ｔｏｒｒの範囲内で、５ＩＯ２、Ｔａ０ｘ（ｘ≦２）
の金Ｊｌ酸化物を成膜させるには、酸素圧力を１．ＯＸ
ｌ ０ Ｔｏｒｒ〜３、 ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの
範囲内で成膜させることを特徴とする低温蒸着成膜方法
を採用することによシ達成される。
以下、図面を用いて本発明の具体的実施例を説明する。
第１図は本発明の低温蒸着多層膜を成膜する反応性高周
波イオンプレーテイング装置（以下、単に成膜装置と称
す）の概略図である。該成膜装置は成膜室１−を有し、
この成膜室１は排気導管２を通じて真空源（図示せず）
に接続されている。
波イオンプレーテイング装置（以下、単に成膜装置と称
す）の概略図である。該成膜装置は成膜室１−を有し、
この成膜室１は排気導管２を通じて真空源（図示せず）
に接続されている。
成膜室１の底部には、蒸着源３が配置されておシ、該蒸
着源３上には蒸発物質４が収容される。
着源３上には蒸発物質４が収容される。
蒸着源３としては主に電子ビーム蒸着方式を採用してい
る。
る。
成膜室１内の頂部附近には、基板支持用ドーム５が設け
られておシ、該ドームｓ上にレンズなどの基板６が支持
固定される。
られておシ、該ドームｓ上にレンズなどの基板６が支持
固定される。
また、基板支持用ドーム５の下方には高周波コイル７が
配置されてお〕、該コイルは成膜室ｌ外のマツチ／グゲ
ツクス８を介して高周波電源９に接続されている。
配置されてお〕、該コイルは成膜室ｌ外のマツチ／グゲ
ツクス８を介して高周波電源９に接続されている。
この成膜装置はガス導入管１０によシ導入された反応ガ
スを高周波コイル７によシ高屑波枚電を発生させ、蒸着
源３からの蒸発分子をイオン化し、基板支持用ドーム５
上の基板６に被膜を形成する装置である。
スを高周波コイル７によシ高屑波枚電を発生させ、蒸着
源３からの蒸発分子をイオン化し、基板支持用ドーム５
上の基板６に被膜を形成する装置である。
なお反応中のがスは排気導管２によシ成膜室１外に排気
される。
される。
本発明の酸素の反応性イオンプレーテイングによる成膜
方法を多層反射防止膜を例にとシ説明する。
方法を多層反射防止膜を例にとシ説明する。
まず３層構成の反射防止膜を例にとる。
成膜に際しては、イオンぎ／バードにより基板６０表面
をきれいにした後、成膜室、１の圧力を１、 ＯＸ １
０−５Ｔｏｒｒまで一旦排気し、ｙｘ導入管１１によシ
酸素を導入する。その後、高周波コイル８に１３．５６
ＭＨｚの高周波を印加し、ガス放電を開始する。次に
酸素の圧力を６． ＯＸ Ｉ Ｑ−５Ｔｏｒｒ〜１．
ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ範囲内の一定値に合わせ、高周
波電力のマツチングをマツチングぎツクス９によって最
適値に合わせる。このときの電力は１００Ｗ程度の低出
力で足〕る。
をきれいにした後、成膜室、１の圧力を１、 ＯＸ １
０−５Ｔｏｒｒまで一旦排気し、ｙｘ導入管１１によシ
酸素を導入する。その後、高周波コイル８に１３．５６
ＭＨｚの高周波を印加し、ガス放電を開始する。次に
酸素の圧力を６． ＯＸ Ｉ Ｑ−５Ｔｏｒｒ〜１．
ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ範囲内の一定値に合わせ、高周
波電力のマツチングをマツチングぎツクス９によって最
適値に合わせる。このときの電力は１００Ｗ程度の低出
力で足〕る。
このような操作と並行して蒸着源３から５酸化タンタル
（Ｔａ２Ｏ，）を蒸発させ、基板６上に５１１１化夕／
タル（Ｔａ２’ｓ ）膜が酸素の反応性イオンプレーテ
イングによ〕成膜される。その時の光学的膜厚は０．１
２（λ＝４００〜４５０ｎｍ）である。
（Ｔａ２Ｏ，）を蒸発させ、基板６上に５１１１化夕／
タル（Ｔａ２’ｓ ）膜が酸素の反応性イオンプレーテ
イングによ〕成膜される。その時の光学的膜厚は０．１
２（λ＝４００〜４５０ｎｍ）である。
この成膜にあたって、成膜室１の酸素濃度を前述の値に
することによ）、一般の真空蒸着又はイオンプレーテイ
ングによって不足する酸素を補うことができ、所望の屈
折率を得てなおかつ膜の密着性、硬度を上げることがで
きる。
することによ）、一般の真空蒸着又はイオンプレーテイ
ングによって不足する酸素を補うことができ、所望の屈
折率を得てなおかつ膜の密着性、硬度を上げることがで
きる。
次に、５酸化タンタル膜（第１層）の上に、連絖してア
ルミナ（Ａｔ２ｏ３）膜の第２層を成膜する。
ルミナ（Ａｔ２ｏ３）膜の第２層を成膜する。
酸素濃度は同じ値であシ、第１層と同じように酸素の反
応性イオンプレーテイングで成膜する。第２層の光学的
膜厚は０．０８λ（λ＝４００〜４５０ｎｍ）である。
応性イオンプレーテイングで成膜する。第２層の光学的
膜厚は０．０８λ（λ＝４００〜４５０ｎｍ）である。
、Ｔａ３層は２酸化珪素（５ｉ０２）膜を成膜させる。
その方法は第２層、第３層と同じように、蒸着源３から
の蒸発した引０２ を酸素の反応性イオンプレーテイ
ングで成膜する。この成膜にあたって成膜室１の酸素濃
度ｆｔ１−ＯＸＩＧ 〜３１） Ｘ １０−’ＴＯｒ
ｒの値にする。第３層の光学的膜厚は０．２５１（λ＝
４００〜４５０ｎｍ）である。
の蒸発した引０２ を酸素の反応性イオンプレーテイ
ングで成膜する。この成膜にあたって成膜室１の酸素濃
度ｆｔ１−ＯＸＩＧ 〜３１） Ｘ １０−’ＴＯｒ
ｒの値にする。第３層の光学的膜厚は０．２５１（λ＝
４００〜４５０ｎｍ）である。
また、このときの温度はわずか６０℃前後であることか
ら、温度による面精度及び屈折率の変化も解消できる。
ら、温度による面精度及び屈折率の変化も解消できる。
第２図は本発明の成膜方法によって得られた上記の３層
構成の反射防止膜の拡大断面図である。
構成の反射防止膜の拡大断面図である。
第２図において、６は硝子等の基板、１１はＴａ２０５
膜のｇｔ層、１２はＡｔ２０３膜の第２層１１３は５ｉ
０２膜の第３層である。なお第３層を酸素の反応性イオ
ンデレーティングにより１ｌｌｊ化珪素（ｓｉｏ ）を
抵抗加熱源から蒸着酸素の反応性によシ２酸化珪素（５
ｉｎ２）膜に変換（酸素圧力１．０Ｘ１０ 〜３ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒで成膜）しても、光学特性及後述する
強度試験についても変わシはない。
膜のｇｔ層、１２はＡｔ２０３膜の第２層１１３は５ｉ
０２膜の第３層である。なお第３層を酸素の反応性イオ
ンデレーティングにより１ｌｌｊ化珪素（ｓｉｏ ）を
抵抗加熱源から蒸着酸素の反応性によシ２酸化珪素（５
ｉｎ２）膜に変換（酸素圧力１．０Ｘ１０ 〜３ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒで成膜）しても、光学特性及後述する
強度試験についても変わシはない。
第３図は第２図の反射防止膜の分光反射率特性を示した
図であシ、横軸は波長λ（ｎｍ）、縦軸は反射率Ｒ（ｑ
ｂ）を示している。図から明”らかなように該反射防止
膜は、波長４３０〜４４０ ｎｍにおいて、反射率が０
．２％以下、波長６３０ ｎｍで反射率が１−以上の良
好な分光反射率特性を有している。
図であシ、横軸は波長λ（ｎｍ）、縦軸は反射率Ｒ（ｑ
ｂ）を示している。図から明”らかなように該反射防止
膜は、波長４３０〜４４０ ｎｍにおいて、反射率が０
．２％以下、波長６３０ ｎｍで反射率が１−以上の良
好な分光反射率特性を有している。
次に本発明の酸素の反応性イオンデレーティングを用い
て成膜した６層構成の反射防止膜につし１て説明する。
て成膜した６層構成の反射防止膜につし１て説明する。
第１層を作るまでは前記の３層構成の反射防止膜と同じ
手順を経た後、基板６上に、５酸化タンタル（Ｔａｇ０
５ ）膜を蒸着源３を用いて酸素の反応性イオンプレー
テイングによ〕成膜する。その時の酸素の圧力は６．０
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ〜ｌ Ｘ １０−’ＴＯｒｒ の
範囲内の一定値であシ、以下５層まで酸素濃度は変ず、
第６層の酸素の圧力はＩ Ｘ １０−’〜３ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒである。なお第１層の光学的膜厚は０．０
５λ（λ＝ｓＯＯｎｍ）である。
手順を経た後、基板６上に、５酸化タンタル（Ｔａｇ０
５ ）膜を蒸着源３を用いて酸素の反応性イオンプレー
テイングによ〕成膜する。その時の酸素の圧力は６．０
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ〜ｌ Ｘ １０−’ＴＯｒｒ の
範囲内の一定値であシ、以下５層まで酸素濃度は変ず、
第６層の酸素の圧力はＩ Ｘ １０−’〜３ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒである。なお第１層の光学的膜厚は０．０
５λ（λ＝ｓＯＯｎｍ）である。
第２層はアルミナ（Ａｔ２０３）膜を、光学的膜厚０．
１４λ（λ＝５００ｎｒｎ）で、第３層は５酸化タンタ
ル（Ｔａ２Ｏ，）膜を光学的膜厚０．３λ（λ＝５００
ｎｍ ）で、１ｉｌＥＡ層はアルミナ（Ａｔ２０３）
膜を光学的膜厚０．０２λ（λ＝ ５００ ｎｍ ）で
、第５層は５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ，）膜を光学的膜
厚０．２λ（λ＝５００ｎｍ）で、第６層は２酸化珪素
（５ｉ０２）膜を光学的膜厚０．３λ（λ＝５００ｎｍ
）でそれぞれ酸素の反応性イオン！レーテイ／グで成膜
する。
１４λ（λ＝５００ｎｒｎ）で、第３層は５酸化タンタ
ル（Ｔａ２Ｏ，）膜を光学的膜厚０．３λ（λ＝５００
ｎｍ ）で、１ｉｌＥＡ層はアルミナ（Ａｔ２０３）
膜を光学的膜厚０．０２λ（λ＝ ５００ ｎｍ ）で
、第５層は５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ，）膜を光学的膜
厚０．２λ（λ＝５００ｎｍ）で、第６層は２酸化珪素
（５ｉ０２）膜を光学的膜厚０．３λ（λ＝５００ｎｍ
）でそれぞれ酸素の反応性イオン！レーテイ／グで成膜
する。
なお第６層を酸素の反応性イオンプレーテイングによシ
、１酸化珪素（５ｔＯ）を抵抗加熱蒸着源から蒸着、酸
素の反応性によシ２酸化珪素（Ｓ Ｉ Ｏ２）膜（酸素
圧力１．ＯＸｌ ０ 〜３．０Ｘ１０ Ｔｏｒｒで成
ｊｌ［）に変換しても、光学特性及び後述する強度試験
について変わシなかつ丸。
、１酸化珪素（５ｔＯ）を抵抗加熱蒸着源から蒸着、酸
素の反応性によシ２酸化珪素（Ｓ Ｉ Ｏ２）膜（酸素
圧力１．ＯＸｌ ０ 〜３．０Ｘ１０ Ｔｏｒｒで成
ｊｌ［）に変換しても、光学特性及び後述する強度試験
について変わシなかつ丸。
第４図は上記の６層構成の反応防止膜の拡大断面図を示
したもので、６は硝子等の基板、１４はＴａ２Ｏ５膜の
第１層１１５はＡｔ２０３膜の第２層、１６はＴａ２０
Ｂ膜の第３層、１７はＡｔ２０３膜の第４層、１８はＴ
ａ２Ｏ５，膜の第５層、１９はＳｉｎ□ 膜の第６層で
ある。
したもので、６は硝子等の基板、１４はＴａ２Ｏ５膜の
第１層１１５はＡｔ２０３膜の第２層、１６はＴａ２０
Ｂ膜の第３層、１７はＡｔ２０３膜の第４層、１８はＴ
ａ２Ｏ５，膜の第５層、１９はＳｉｎ□ 膜の第６層で
ある。
第５図は第４図の反射防止膜の分光反射率特性を示した
図である。第５図から該反射防止膜は、可視波長域にお
いて１チ以下の良好な分光反射率特性を育している。
図である。第５図から該反射防止膜は、可視波長域にお
いて１チ以下の良好な分光反射率特性を育している。
以上述べてきたような本発明の酸素の反応性イオンデレ
ーティングを用いて作られた２つの反射防止膜の強度を
調べるために、密着性テスト、耐溶剤性テスト、耐摩耗
テスト、耐環境テストの４つのテストを行った。各テス
トの内容は以下に示すとお〕である。
ーティングを用いて作られた２つの反射防止膜の強度を
調べるために、密着性テスト、耐溶剤性テスト、耐摩耗
テスト、耐環境テストの４つのテストを行った。各テス
トの内容は以下に示すとお〕である。
１）密着性テスト；上記の表面にセロハンテープにチパ
／）を接着させた後この表面には！垂直な角度で、すば
やくと〕のぞくテストを５０回繰返し１蒸着膜の剥離が
生ずるか謂ぺる。
／）を接着させた後この表面には！垂直な角度で、すば
やくと〕のぞくテストを５０回繰返し１蒸着膜の剥離が
生ずるか謂ぺる。
２）耐溶剤性テスト；上記の表面の１ケ所をニーチル、
アルコール混合液をふくんだレンズ拭キ紙（’／ｋｆ７
紙）で２．５〜３に９／ｃ！Ｉ圧で５０往復こすシ、異
常が生じるか調べる。
アルコール混合液をふくんだレンズ拭キ紙（’／ｋｆ７
紙）で２．５〜３に９／ｃ！Ｉ圧で５０往復こすシ、異
常が生じるか調べる。
３）耐摩耗テスト；上記の表面をレンズ拭き紙（シルぎ
ン紙）で包んだ測定子で耐摩耗、往・復動試験機を用い
５ ｋｌｉＦ／ｃｆｌの圧で５０往復こすシ、異常が生
ずるか調べる。
ン紙）で包んだ測定子で耐摩耗、往・復動試験機を用い
５ ｋｌｉＦ／ｃｆｌの圧で５０往復こすシ、異常が生
ずるか調べる。
４）耐環境テスト；上記成膜基板を温度４５℃、相対湿
［９５％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置し、異常が
生ずるか調べる。
［９５％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置し、異常が
生ずるか調べる。
この４テストの結果はどのテストにおいても異肯がみも
れず、従来の低温成膜法で作られた膜に比べて、本発明
の製法による膜は極めて強い膜であることが判明した。
れず、従来の低温成膜法で作られた膜に比べて、本発明
の製法による膜は極めて強い膜であることが判明した。
本発明は上記の実施例に限らず、種々の実施例が考えら
れる。
れる。
九とえば、酸素圧力６． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ〜１
．ＯＸＩ Ｏ−’ＴＯｊｒ の条件で酸素の反応性イ
オンプレーテイングによって屈折率の安定化および強度
向上をはかることができる金属酸化物として、前述のＴ
ａ２ｏ６、Ａｔ２０．以外には酸化イツトリウム（Ｙ２
Ｏ２） 、酸化インジウム（１ｎ２０３） 、酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）酸化セリウム（ＣｅＯ□）等が挙
げられる。
．ＯＸＩ Ｏ−’ＴＯｊｒ の条件で酸素の反応性イ
オンプレーテイングによって屈折率の安定化および強度
向上をはかることができる金属酸化物として、前述のＴ
ａ２ｏ６、Ａｔ２０．以外には酸化イツトリウム（Ｙ２
Ｏ２） 、酸化インジウム（１ｎ２０３） 、酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）酸化セリウム（ＣｅＯ□）等が挙
げられる。
さらに、酸素圧力ＬＯＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ 〜３Ｘ１０
−’Ｔｏｒｒの条件で成膜するものは、実施例で述べた
。
−’Ｔｏｒｒの条件で成膜するものは、実施例で述べた
。
５ＩＯ（高屈折物質）→５１０２（低屈折物質）による
成膜のほか、Ｔｉ （金属） −＋ ７１Ｑｘ（Ｘ≦２
）（高屈折物質）、Ｔａ０Ｃ高屈折率で光を僅かに吸収
）→Ｔａ０２（高屈折率で光の吸収なし） 、Ｔａ２Ｏ
，（高屈折率で光を僅かに吸収）→Ｔ １０２Ｃ高屈折
率で光の吸収なし）のように屈折率の調整も行いなおか
つ高密着、高硬度の光学薄膜を作成するような場合が考
えられる。
成膜のほか、Ｔｉ （金属） −＋ ７１Ｑｘ（Ｘ≦２
）（高屈折物質）、Ｔａ０Ｃ高屈折率で光を僅かに吸収
）→Ｔａ０２（高屈折率で光の吸収なし） 、Ｔａ２Ｏ
，（高屈折率で光を僅かに吸収）→Ｔ １０２Ｃ高屈折
率で光の吸収なし）のように屈折率の調整も行いなおか
つ高密着、高硬度の光学薄膜を作成するような場合が考
えられる。
以上詳細に述べてきたように、本発明の酸素圧力を所定
の値にして、酸素の反応性イオンブレーティングによシ
、金属酸化物を形成することによ）、６０℃程度の低温
成膜で、従来の２．５０℃以上０１１１温加熱によって
得られた膜と同等の光学特性と密層性、硬度をもち、高
温加熱ができなかった高精度レンズ、貼合せレンズの成
膜に非常に有効である。
の値にして、酸素の反応性イオンブレーティングによシ
、金属酸化物を形成することによ）、６０℃程度の低温
成膜で、従来の２．５０℃以上０１１１温加熱によって
得られた膜と同等の光学特性と密層性、硬度をもち、高
温加熱ができなかった高精度レンズ、貼合せレンズの成
膜に非常に有効である。
第１図は本発明の低温蒸着成膜法を行う念めの成膜装置
の概略図である。 第２図、第４図はそれぞれ本発明の低温蒸着成膜法によ
って成膜された多層構成の反射防止膜の拡大図であシ、
第３図、第５図はそれぞれそれらの分光反射率特性であ
る。 １：成膜室 ３：蒸層源 ４：蒸着物質 ６：基 板 ７：高周波コイル ９：高周波電源 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第４図 λ（ｎｍ）
の概略図である。 第２図、第４図はそれぞれ本発明の低温蒸着成膜法によ
って成膜された多層構成の反射防止膜の拡大図であシ、
第３図、第５図はそれぞれそれらの分光反射率特性であ
る。 １：成膜室 ３：蒸層源 ４：蒸着物質 ６：基 板 ７：高周波コイル ９：高周波電源 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第４図 λ（ｎｍ）
Claims (1)
- （１）成膜室内で蒸着源からの蒸着粒子をイオン化し、
基板上に被膜を形成する反応性イオンプレーテイング成
膜方法であつて、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｙ
＿２Ｏ＿３、ＣｅＯ＿２、ＺｒＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３
の金属酸化物を成膜させるには、酸素圧力を６．０×１
０＾−＾５Ｔｏｒｒ〜１．０×１０＾−＾４Ｔｏｒｒの
範囲内で、ＳｉＯ＿２、ＴｉＯ＿ｘ（ｘ≦２）の金属酸
化物を成膜させるには、酸素圧力を１．０×１０＾−＾
４Ｔｏｒｒ〜３．０×１０＾−＾４Ｔｏｒｒの範囲内で
成膜させることを特徴とする低温蒸着成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035379A JPS61196201A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 低温蒸着成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035379A JPS61196201A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 低温蒸着成膜法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196201A true JPS61196201A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12440260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035379A Pending JPS61196201A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 低温蒸着成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196201A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859253A (en) * | 1988-07-20 | 1989-08-22 | International Business Machines Corporation | Method for passivating a compound semiconductor surface and device having improved semiconductor-insulator interface |
| JPH0290693A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薄膜電子部品 |
| US5021365A (en) * | 1986-06-16 | 1991-06-04 | International Business Machines Corporation | Compound semiconductor interface control using cationic ingredient oxide to prevent fermi level pinning |
| JPH04328501A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Hoya Corp | 反射防止膜を有する光学部材 |
| JPH0545515A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 多層干渉パターンの形成方法 |
| FR2682486A1 (fr) * | 1991-10-15 | 1993-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Miroir dielectrique interferentiel et procede de fabrication d'un tel miroir. |
| JP2011133627A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 反射防止膜 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60035379A patent/JPS61196201A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5021365A (en) * | 1986-06-16 | 1991-06-04 | International Business Machines Corporation | Compound semiconductor interface control using cationic ingredient oxide to prevent fermi level pinning |
| US4859253A (en) * | 1988-07-20 | 1989-08-22 | International Business Machines Corporation | Method for passivating a compound semiconductor surface and device having improved semiconductor-insulator interface |
| JPH0290693A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薄膜電子部品 |
| JPH04328501A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Hoya Corp | 反射防止膜を有する光学部材 |
| JPH0545515A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 多層干渉パターンの形成方法 |
| FR2682486A1 (fr) * | 1991-10-15 | 1993-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Miroir dielectrique interferentiel et procede de fabrication d'un tel miroir. |
| JP2011133627A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 反射防止膜 |
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