JP2000047007A - 反射防止膜及び陰極線管 - Google Patents
反射防止膜及び陰極線管Info
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造を容易且つ簡便として、生産性を良好と
し、製造コストも削減し、反射防止特性が良好で実用に
適したものとする。 【解決手段】 樹脂基板３の一主面３ａ上に、接着層
４、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムの
うちの何れかを含む第１の光学薄膜５、屈折率が１．３
５〜１．７の第２の光学薄膜６を順次積層形成する。接
着層４はＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合
物よりなることが好ましい。第１の光学薄膜５が窒化チ
タンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜５が導電
性を有することが好ましい。第２の光学薄膜６がＳｉＯ
2 よりなることが好ましい。表示部のフェース・プレー
ト表面側に各層が形成された上記樹脂基板３が配される
ように配し、その他は同様の構成として、陰極線管とし
ても良い。
し、製造コストも削減し、反射防止特性が良好で実用に
適したものとする。 【解決手段】 樹脂基板３の一主面３ａ上に、接着層
４、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムの
うちの何れかを含む第１の光学薄膜５、屈折率が１．３
５〜１．７の第２の光学薄膜６を順次積層形成する。接
着層４はＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合
物よりなることが好ましい。第１の光学薄膜５が窒化チ
タンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜５が導電
性を有することが好ましい。第２の光学薄膜６がＳｉＯ
2 よりなることが好ましい。表示部のフェース・プレー
ト表面側に各層が形成された上記樹脂基板３が配される
ように配し、その他は同様の構成として、陰極線管とし
ても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜及び陰
極線管に関する。詳しくは基板に対する光学薄膜の密着
性を向上させると共に、広い波長帯域で反射防止効果が
得られる反射防止膜及びこれを用いた陰極線管に係わる
ものである。
極線管に関する。詳しくは基板に対する光学薄膜の密着
性を向上させると共に、広い波長帯域で反射防止効果が
得られる反射防止膜及びこれを用いた陰極線管に係わる
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射防止膜は、例えば空気とガラ
スとの光学的境界面における屈折率を減少させることが
好ましかったり、また、その必要がある光学や電気光学
の分野で広く使われている。これらの応用分野として
は、カメラのレンズ、コピー装置のプラテン（原稿
台）、機器用のカバーガラス、陰極線管（いわゆる、Ｃ
ＲＴ）用パネル、その他の表示装置等がある。
スとの光学的境界面における屈折率を減少させることが
好ましかったり、また、その必要がある光学や電気光学
の分野で広く使われている。これらの応用分野として
は、カメラのレンズ、コピー装置のプラテン（原稿
台）、機器用のカバーガラス、陰極線管（いわゆる、Ｃ
ＲＴ）用パネル、その他の表示装置等がある。
【０００３】このような反射防止膜としては、例えば図
７に示すような構成のものが挙げられる。すなわち、樹
脂基板１０１の一主面１０１ａ上に例えば厚さ１０ｎｍ
のＳｉＯx （ｘ＜２）よりなる第１の層１０２、例えば
厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層よりなる第２の層１０３、例え
ば厚さ２５ｎｍのＳｉＯ2 よりなる第３の層１０４、例
えば厚さ６０ｎｍのＩＴＯ層よりなる第４の層１０５、
例えば厚さ１００ｎｍのＳｉＯ2 よりなる第５の層１０
６が順次形成されてなるものが挙げられる。
７に示すような構成のものが挙げられる。すなわち、樹
脂基板１０１の一主面１０１ａ上に例えば厚さ１０ｎｍ
のＳｉＯx （ｘ＜２）よりなる第１の層１０２、例えば
厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層よりなる第２の層１０３、例え
ば厚さ２５ｎｍのＳｉＯ2 よりなる第３の層１０４、例
えば厚さ６０ｎｍのＩＴＯ層よりなる第４の層１０５、
例えば厚さ１００ｎｍのＳｉＯ2 よりなる第５の層１０
６が順次形成されてなるものが挙げられる。
【０００４】しかしながら、このような反射防止膜にお
いては、５層にもわたる多層構造であること、総膜厚が
２１５ｎｍと厚いことから、製造が困難且つ煩雑であ
り、生産性が良好ではない、製造コストが高価となって
しまうといった不都合が生じている。
いては、５層にもわたる多層構造であること、総膜厚が
２１５ｎｍと厚いことから、製造が困難且つ煩雑であ
り、生産性が良好ではない、製造コストが高価となって
しまうといった不都合が生じている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、積層数が出来
るだけ少ない反射膜が要求されている。積層数が少なけ
れば、積層工程が少ないことから製造が容易且つ簡便と
なって、生産性が良好となり、製造コストも削減される
ことは明らかである。
るだけ少ない反射膜が要求されている。積層数が少なけ
れば、積層工程が少ないことから製造が容易且つ簡便と
なって、生産性が良好となり、製造コストも削減される
ことは明らかである。
【０００６】このような要求に対応するべく、特開平９
−１５６９６４号公報や、特開平９−１６５２３１号公
報、特開平９−７３００１号公報に示されるような、基
板上に第１の光学薄膜としてＴｉＮを主として含む薄膜
を配し、その上に第２の光学薄膜として比較的低屈折率
のＳｉＯ2 薄膜を配した２層構造の反射防止膜が提案さ
れている。
−１５６９６４号公報や、特開平９−１６５２３１号公
報、特開平９−７３００１号公報に示されるような、基
板上に第１の光学薄膜としてＴｉＮを主として含む薄膜
を配し、その上に第２の光学薄膜として比較的低屈折率
のＳｉＯ2 薄膜を配した２層構造の反射防止膜が提案さ
れている。
【０００７】しかしながら、このような反射防止膜にお
いては、反射防止特性は良好であるものの、基板とＴｉ
Ｎを主として含む薄膜間の密着性が良好ではなく、剥離
し易く、実用は困難である。
いては、反射防止特性は良好であるものの、基板とＴｉ
Ｎを主として含む薄膜間の密着性が良好ではなく、剥離
し易く、実用は困難である。
【０００８】そこで、本発明は、従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、積層数が少なく、製造が容易且つ
簡便で、生産性が良好となり、製造コストも削減される
と共に、反射防止特性が良好で実用に適した反射防止膜
を提供し、これを用いた反射防止版及び陰極線管も提供
することを目的とする。
案されたものであり、積層数が少なく、製造が容易且つ
簡便で、生産性が良好となり、製造コストも削減される
と共に、反射防止特性が良好で実用に適した反射防止膜
を提供し、これを用いた反射防止版及び陰極線管も提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係る反射防止膜は、樹脂基板の一主面上に
接着層が形成され、上記接着層上に窒化チタン、窒化ハ
フニウム、窒化ジルコニウムのうちの何れかを含む第１
の光学薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜上に屈折率
が１．３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成されること
を特徴とするものである。
め、本発明に係る反射防止膜は、樹脂基板の一主面上に
接着層が形成され、上記接着層上に窒化チタン、窒化ハ
フニウム、窒化ジルコニウムのうちの何れかを含む第１
の光学薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜上に屈折率
が１．３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成されること
を特徴とするものである。
【００１０】上記本発明の反射防止膜においては、上記
接着層がＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合
物よりなることが好ましく、上記接着層がＳｉＮx の化
学式で示され、ｘ＜４／３である化合物、或いはＳｉＯ
x Ｎy の化学式で示され、ｘ＜２，ｙ＜４／３である化
合物よりなるものでも良い。
接着層がＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合
物よりなることが好ましく、上記接着層がＳｉＮx の化
学式で示され、ｘ＜４／３である化合物、或いはＳｉＯ
x Ｎy の化学式で示され、ｘ＜２，ｙ＜４／３である化
合物よりなるものでも良い。
【００１１】上記接着層をＳｉＯx の化学式で示され、
ｘ＜２である化合物により形成する場合、ｘが２以上で
あると、樹脂基板と第１の光学薄膜の接着強度が十分に
得られず、またｘがあまり小さいと珪素がメタル化して
しまい、光学的に吸収特性が強くなってしまい、反射防
止特性を損なうため好ましくない。
ｘ＜２である化合物により形成する場合、ｘが２以上で
あると、樹脂基板と第１の光学薄膜の接着強度が十分に
得られず、またｘがあまり小さいと珪素がメタル化して
しまい、光学的に吸収特性が強くなってしまい、反射防
止特性を損なうため好ましくない。
【００１２】また、上記本発明の反射防止膜において
は、上記接着層がＴｉを主成分とするものでも良い。
は、上記接着層がＴｉを主成分とするものでも良い。
【００１３】そして、上記本発明の反射防止膜において
は、上記接着層の物理膜厚が１０ｎｍ以下、さらには１
〜７ｎｍであることが好ましい。上記接着層の物理膜厚
が１０ｎｍよりも厚いと、接着層の光学的な吸収特性が
強くなってしまい、反射防止特性を損ない、好ましくな
い。一方、１ｎｍよりも薄いと、樹脂基板と第１の光学
薄膜の接着強度が十分に得られず、好ましくない。
は、上記接着層の物理膜厚が１０ｎｍ以下、さらには１
〜７ｎｍであることが好ましい。上記接着層の物理膜厚
が１０ｎｍよりも厚いと、接着層の光学的な吸収特性が
強くなってしまい、反射防止特性を損ない、好ましくな
い。一方、１ｎｍよりも薄いと、樹脂基板と第１の光学
薄膜の接着強度が十分に得られず、好ましくない。
【００１４】さらに、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第１の光学薄膜の物理膜厚が５〜２５ｎｍであ
ることが好ましい。この範囲外であると、十分な反射防
止特性を確保することが難しい。
は、上記第１の光学薄膜の物理膜厚が５〜２５ｎｍであ
ることが好ましい。この範囲外であると、十分な反射防
止特性を確保することが難しい。
【００１５】なお、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含み、
上記窒化チタンに金属がドープされていることが好まし
く、上記金属としてはタングステン、金が例示される。
は、上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含み、
上記窒化チタンに金属がドープされていることが好まし
く、上記金属としてはタングステン、金が例示される。
【００１６】上記のように上記第１の光学薄膜が窒化チ
タンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜が導電性
を有することが好ましい。
タンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜が導電性
を有することが好ましい。
【００１７】また、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第２の光学薄膜がＳｉＯ2 よりなることが好ま
しく、この場合、上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜
の物理膜厚が、６０〜１１０ｎｍであることが好まし
い。上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜が上記範囲外
であると、十分な反射防止特性を得ることが難しい。
は、上記第２の光学薄膜がＳｉＯ2 よりなることが好ま
しく、この場合、上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜
の物理膜厚が、６０〜１１０ｎｍであることが好まし
い。上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜が上記範囲外
であると、十分な反射防止特性を得ることが難しい。
【００１８】さらに、上記本発明の反射防止膜において
は、樹脂基板の接着層対向面側にハードコート層が形成
されており、このハードコート層上に接着層が形成され
ることが好ましい。
は、樹脂基板の接着層対向面側にハードコート層が形成
されており、このハードコート層上に接着層が形成され
ることが好ましい。
【００１９】また、上記のような本発明の反射防止膜に
おいては、上記樹脂基板の接着層対向面側にハードコー
ト層が形成されており、このハードコート層上に接着層
が形成されることが好ましい。
おいては、上記樹脂基板の接着層対向面側にハードコー
ト層が形成されており、このハードコート層上に接着層
が形成されることが好ましい。
【００２０】さらにまた、上記のような本発明の反射防
止膜を表示部のフェース・プレート表面側に配して陰極
線管を構成しても良い。
止膜を表示部のフェース・プレート表面側に配して陰極
線管を構成しても良い。
【００２１】そして、上記本発明の陰極線管において
は、反射防止膜の第１の光学薄膜が窒化チタンを主とし
て含み、この第１の光学薄膜が導電性を有し、且つ接地
されていることが好ましい。
は、反射防止膜の第１の光学薄膜が窒化チタンを主とし
て含み、この第１の光学薄膜が導電性を有し、且つ接地
されていることが好ましい。
【００２２】本発明に係る反射防止膜は、樹脂基板の一
主面上に接着層が形成され、上記接着層上に窒化チタ
ン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムのうちの何れか
を含む第１の光学薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜
上に屈折率が１．３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成
されてなるため、積層数が少なく、製造が容易且つ簡便
で、製造コストも削減される。
主面上に接着層が形成され、上記接着層上に窒化チタ
ン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムのうちの何れか
を含む第１の光学薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜
上に屈折率が１．３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成
されてなるため、積層数が少なく、製造が容易且つ簡便
で、製造コストも削減される。
【００２３】そして、本発明の反射防止膜においては、
樹脂基板と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜との間に接着
層を介在させるようにしていることから、第１の光学薄
膜が樹脂基板から剥離しにくく、反射防止特性が良好で
実用に適したものとなる。
樹脂基板と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜との間に接着
層を介在させるようにしていることから、第１の光学薄
膜が樹脂基板から剥離しにくく、反射防止特性が良好で
実用に適したものとなる。
【００２４】従って、上記本発明の反射防止膜を表示部
のフェース・プレート表面側に配した本発明の陰極線管
においても同様に、反射防止特性が良好で実用に適した
ものとなる。
のフェース・プレート表面側に配した本発明の陰極線管
においても同様に、反射防止特性が良好で実用に適した
ものとなる。
【００２５】また、上記本発明の反射防止膜において、
上記接着層をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である
化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜の
樹脂基板からの剥離が更に抑えられる。
上記接着層をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である
化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜の
樹脂基板からの剥離が更に抑えられる。
【００２６】なお、上記本発明の反射防止膜において、
上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含む場合、
上記第１の光学薄膜に導電性を持たせるようにすれば、
従来の反射防止膜で導電膜として使用されていたＩＴＯ
層の代わりに導電膜として使用されることとなる。
上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含む場合、
上記第１の光学薄膜に導電性を持たせるようにすれば、
従来の反射防止膜で導電膜として使用されていたＩＴＯ
層の代わりに導電膜として使用されることとなる。
【００２７】さらに、上記本発明の反射防止膜におい
て、第１の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チ
タンは吸収特性も強いことから、本発明のように陰極線
管のフェース・プレート表面に配するようにすれば、陰
極線管の表示画像のコントラストが向上する。
て、第１の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チ
タンは吸収特性も強いことから、本発明のように陰極線
管のフェース・プレート表面に配するようにすれば、陰
極線管の表示画像のコントラストが向上する。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００２９】本発明に係る反射防止膜は、例えば図１に
示すような構成を有する。すなわち、例えばポリエチレ
ンテレフタレート等の樹脂よりなる薄膜基板１の一主面
１ａ上に例えばアクリル等の樹脂よりなるハードコート
層２を設けた樹脂基板３の一主面３ａ上に、接着層４、
窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムのうち
の何れかを含む第１の光学薄膜５、屈折率が１．３５〜
１．７の第２の光学薄膜６が順次積層形成されてなるも
のである。
示すような構成を有する。すなわち、例えばポリエチレ
ンテレフタレート等の樹脂よりなる薄膜基板１の一主面
１ａ上に例えばアクリル等の樹脂よりなるハードコート
層２を設けた樹脂基板３の一主面３ａ上に、接着層４、
窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウムのうち
の何れかを含む第１の光学薄膜５、屈折率が１．３５〜
１．７の第２の光学薄膜６が順次積層形成されてなるも
のである。
【００３０】上記本発明の反射防止膜においては、上記
接着層４がＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化
合物よりなることが好ましく、上記接着層４がＳｉＮx
の化学式で示され、ｘ＜４／３である化合物、或いはＳ
ｉＯx Ｎy の化学式で示され、ｘ＜２，ｙ＜４／３であ
る化合物よりなるものでも良い。
接着層４がＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化
合物よりなることが好ましく、上記接着層４がＳｉＮx
の化学式で示され、ｘ＜４／３である化合物、或いはＳ
ｉＯx Ｎy の化学式で示され、ｘ＜２，ｙ＜４／３であ
る化合物よりなるものでも良い。
【００３１】上記接着層４をＳｉＯx の化学式で示さ
れ、ｘ＜２である化合物により形成する場合、ｘが２以
上であると、樹脂基板３と第１の光学薄膜５の接着強度
が十分に得られず、またｘがあまり小さいと珪素がメタ
ル化してしまい、光学的に吸収特性が強くなってしま
い、反射防止特性を損なうため好ましくない。
れ、ｘ＜２である化合物により形成する場合、ｘが２以
上であると、樹脂基板３と第１の光学薄膜５の接着強度
が十分に得られず、またｘがあまり小さいと珪素がメタ
ル化してしまい、光学的に吸収特性が強くなってしま
い、反射防止特性を損なうため好ましくない。
【００３２】また、上記本発明の反射防止膜において
は、上記接着層４がＴｉを主成分とするものでも良い。
は、上記接着層４がＴｉを主成分とするものでも良い。
【００３３】そして、上記本発明の反射防止膜において
は、上記接着層４の物理膜厚が１０ｎｍ以下、さらには
１〜７ｎｍであることが好ましい。上記接着層４の物理
膜厚が１０ｎｍよりも厚いと、接着層４の光学的な吸収
特性が強くなってしまい、反射防止特性を損ない、好ま
しくない。一方、１ｎｍよりも薄いと、樹脂基板３と第
１の光学薄膜５の接着強度が十分に得られず、好ましく
ない。
は、上記接着層４の物理膜厚が１０ｎｍ以下、さらには
１〜７ｎｍであることが好ましい。上記接着層４の物理
膜厚が１０ｎｍよりも厚いと、接着層４の光学的な吸収
特性が強くなってしまい、反射防止特性を損ない、好ま
しくない。一方、１ｎｍよりも薄いと、樹脂基板３と第
１の光学薄膜５の接着強度が十分に得られず、好ましく
ない。
【００３４】さらに、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第１の光学薄膜５の物理膜厚が５〜２５ｎｍで
あることが好ましい。この範囲外であると、第１の光学
薄膜の屈折率を考慮すると、十分な反射防止特性を確保
することが難しい。
は、上記第１の光学薄膜５の物理膜厚が５〜２５ｎｍで
あることが好ましい。この範囲外であると、第１の光学
薄膜の屈折率を考慮すると、十分な反射防止特性を確保
することが難しい。
【００３５】なお、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第１の光学薄膜５が窒化チタンを主として含
み、上記窒化チタンに金属がドープされていることが好
ましく、上記金属としてはタングステン、金が例示され
る。
は、上記第１の光学薄膜５が窒化チタンを主として含
み、上記窒化チタンに金属がドープされていることが好
ましく、上記金属としてはタングステン、金が例示され
る。
【００３６】上記のように上記第１の光学薄膜５が窒化
チタンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜５が導
電性を有することが好ましい。
チタンを主として含む場合、上記第１の光学薄膜５が導
電性を有することが好ましい。
【００３７】また、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第２の光学薄膜６がＳｉＯ２よりなることが好
ましく、この場合、上記ＳｉＯ２ よりなる第２の光学
薄膜６の物理膜厚が、６０〜１１０ｎｍであることが好
ましい。上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜６が上記
範囲外であると、十分な反射防止特性を得ることが難し
い。
は、上記第２の光学薄膜６がＳｉＯ２よりなることが好
ましく、この場合、上記ＳｉＯ２ よりなる第２の光学
薄膜６の物理膜厚が、６０〜１１０ｎｍであることが好
ましい。上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜６が上記
範囲外であると、十分な反射防止特性を得ることが難し
い。
【００３８】さらに、上記本発明の反射防止膜において
は、上記第２の光学薄膜６がＭｇＦ2 或いはＡｌ2 Ｏ3
よりなっても良い。
は、上記第２の光学薄膜６がＭｇＦ2 或いはＡｌ2 Ｏ3
よりなっても良い。
【００３９】上記のような本発明の反射防止膜の具体的
な例としては、薄膜基板１としてポリエチレンテレフタ
レートよりなる基板を使用し、この上にハードコート層
２を設けて樹脂基板３とし、接着層４をＳｉＯx の化学
式で示され、ｘ＜２である化合物よりなる厚さ５ｎｍの
薄膜により形成し、第１の光学薄膜５を厚さ１３．６ｎ
ｍのＴｉＮよりなる薄膜により形成して、第２の光学薄
膜を厚さ８８ｎｍのＳｉＯ2 よりなる薄膜により形成す
る例が挙げられる。
な例としては、薄膜基板１としてポリエチレンテレフタ
レートよりなる基板を使用し、この上にハードコート層
２を設けて樹脂基板３とし、接着層４をＳｉＯx の化学
式で示され、ｘ＜２である化合物よりなる厚さ５ｎｍの
薄膜により形成し、第１の光学薄膜５を厚さ１３．６ｎ
ｍのＴｉＮよりなる薄膜により形成して、第２の光学薄
膜を厚さ８８ｎｍのＳｉＯ2 よりなる薄膜により形成す
る例が挙げられる。
【００４０】すなわち、本発明に係る反射防止膜は、樹
脂基板３の一主面上３ａに接着層４が形成され、上記接
着層４上に窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜５が形成さ
れ、上記第１の光学薄膜５上に屈折率が１．３５〜１．
７の第２の光学薄膜６が形成されてなるため、積層数が
少なく、製造が容易且つ簡便で、製造コストも削減さ
れ、生産性が向上する。
脂基板３の一主面上３ａに接着層４が形成され、上記接
着層４上に窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜５が形成さ
れ、上記第１の光学薄膜５上に屈折率が１．３５〜１．
７の第２の光学薄膜６が形成されてなるため、積層数が
少なく、製造が容易且つ簡便で、製造コストも削減さ
れ、生産性が向上する。
【００４１】そして、本発明の反射防止膜においては、
樹脂基板３と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコ
ニウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜５との間に
接着層４を介在させるようにしていることから、第１の
光学薄膜５が樹脂基板３から剥離しにくく、反射防止特
性が良好で実用に適したものとなる。
樹脂基板３と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコ
ニウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜５との間に
接着層４を介在させるようにしていることから、第１の
光学薄膜５が樹脂基板３から剥離しにくく、反射防止特
性が良好で実用に適したものとなる。
【００４２】また、上記本発明の反射防止膜において、
上記接着層４をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２であ
る化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜
５の樹脂基板３からの剥離が更に抑えられる。
上記接着層４をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２であ
る化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜
５の樹脂基板３からの剥離が更に抑えられる。
【００４３】なお、上記本発明の反射防止膜において、
上記第１の光学薄膜５が窒化チタンを主として含む場
合、上記第１の光学薄膜５に導電性を持たせるようにす
れば、従来の反射防止膜で導電膜として使用されていた
ＩＴＯ層の代わりに導電膜として使用されることとな
る。
上記第１の光学薄膜５が窒化チタンを主として含む場
合、上記第１の光学薄膜５に導電性を持たせるようにす
れば、従来の反射防止膜で導電膜として使用されていた
ＩＴＯ層の代わりに導電膜として使用されることとな
る。
【００４４】また、上記のような本発明の反射防止膜を
表示部のフェース・プレート表面側に配して陰極線管を
構成しても良い。
表示部のフェース・プレート表面側に配して陰極線管を
構成しても良い。
【００４５】すなわち、図２に示すように、陰極線管１
１のフェース・プレート１１ａ上に接着層１２を介し
て、薄膜基板とハードコート層よりなる樹脂基板１３上
に接着層と第１の光学薄膜及び第２の光学薄膜が積層さ
れた反射防止層１４が積層された本発明の反射防止膜１
５を配し、さらにその上に防染コート層１６を配したも
のが挙げられる。
１のフェース・プレート１１ａ上に接着層１２を介し
て、薄膜基板とハードコート層よりなる樹脂基板１３上
に接着層と第１の光学薄膜及び第２の光学薄膜が積層さ
れた反射防止層１４が積層された本発明の反射防止膜１
５を配し、さらにその上に防染コート層１６を配したも
のが挙げられる。
【００４６】この場合、反射防止膜１５の第１の光学薄
膜が窒化チタンを主として含み、この第１の光学薄膜が
導電性を有し、且つ接地されていることが好ましく、図
２中においては、反射防止層１４が接地されていること
となる。
膜が窒化チタンを主として含み、この第１の光学薄膜が
導電性を有し、且つ接地されていることが好ましく、図
２中においては、反射防止層１４が接地されていること
となる。
【００４７】上記本発明の反射防止膜を表示部のフェー
ス・プレート表面側に配した本発明の陰極線管において
も同様に、上記本発明の反射防止膜と同様に反射防止特
性が良好で実用に適したものとなる。
ス・プレート表面側に配した本発明の陰極線管において
も同様に、上記本発明の反射防止膜と同様に反射防止特
性が良好で実用に適したものとなる。
【００４８】さらに、この場合、反射防止膜１５の第１
の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チタンは吸
収特性も強いことから、陰極線管の表示画像のコントラ
ストが向上し、好ましい。
の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チタンは吸
収特性も強いことから、陰極線管の表示画像のコントラ
ストが向上し、好ましい。
【００４９】上記のような陰極線管１１においては、図
中矢印Ａ1 で示す入射光は反射防止膜１５により入射光
よりも少ない光量の反射光として図中矢印Ａ2 で示すよ
うに反射される。
中矢印Ａ1 で示す入射光は反射防止膜１５により入射光
よりも少ない光量の反射光として図中矢印Ａ2 で示すよ
うに反射される。
【００５０】また、上記のような陰極線管１１において
は、反射防止層１４に電磁波シールド機能も持たせるこ
とが好ましい。従って、上記陰極線管１１内の図中矢印
Ｂ1で示す電磁波は反射防止膜１５により陰極線管１１
内の電磁波よりも少量の電磁波として図中矢印Ｂ2 で示
すように外部に照射される。
は、反射防止層１４に電磁波シールド機能も持たせるこ
とが好ましい。従って、上記陰極線管１１内の図中矢印
Ｂ1で示す電磁波は反射防止膜１５により陰極線管１１
内の電磁波よりも少量の電磁波として図中矢印Ｂ2 で示
すように外部に照射される。
【００５１】次に、上記のような本発明の反射防止膜の
製造方法について述べる。先ず、図１中に示すように、
例えばポリエチレンテレフタレート等の樹脂よりなる薄
膜基板１の一主面１ａ上にハードコート層２を塗布形成
して樹脂基板３を形成する。このハードコート層２はこ
の種の反射防止膜において一般的なアクリル等の樹脂を
塗布して形成すれば良い。
製造方法について述べる。先ず、図１中に示すように、
例えばポリエチレンテレフタレート等の樹脂よりなる薄
膜基板１の一主面１ａ上にハードコート層２を塗布形成
して樹脂基板３を形成する。このハードコート層２はこ
の種の反射防止膜において一般的なアクリル等の樹脂を
塗布して形成すれば良い。
【００５２】次に、上記樹脂基板３の一主面３ａ上に接
着層４を形成する。この接着層４をＳｉＯx の化学式で
示され、ｘ＜２である化合物により形成する場合には、
シリコンをターゲットとして直流或いは交流スパッタリ
ングを行って形成すれば良い。シリコンの酸化は、マス
フローコントローラー（ＭＦＣ）等で導入された微量の
酸素或いはバックグラウンドの残留酸素若しくは水分に
より行えば良い。シリコンの酸化の程度は酸素分圧によ
り決定されるが、当然のことながら酸素分圧が低いほ
ど、珪素のみの組成となり、メタル化してしまい、光学
的に吸収特性が強くなってしまい、反射防止特性を損な
うため、酸素分圧が極端に低くならないようにすること
が好ましい。
着層４を形成する。この接着層４をＳｉＯx の化学式で
示され、ｘ＜２である化合物により形成する場合には、
シリコンをターゲットとして直流或いは交流スパッタリ
ングを行って形成すれば良い。シリコンの酸化は、マス
フローコントローラー（ＭＦＣ）等で導入された微量の
酸素或いはバックグラウンドの残留酸素若しくは水分に
より行えば良い。シリコンの酸化の程度は酸素分圧によ
り決定されるが、当然のことながら酸素分圧が低いほ
ど、珪素のみの組成となり、メタル化してしまい、光学
的に吸収特性が強くなってしまい、反射防止特性を損な
うため、酸素分圧が極端に低くならないようにすること
が好ましい。
【００５３】続いて、第１の光学薄膜５、第２の光学薄
膜６を形成する。上記第１の光学薄膜５をＴｉＮよりな
る薄膜とする場合には、チタンをターゲットとして例え
ば直流スパッタリングを行って形成すれば良く、第２の
光学薄膜をＳｉＯ2 よりなる薄膜とする場合において
も、シリコンをターゲットとして例えば交流スパッタリ
ングを行って形成すれば良い。
膜６を形成する。上記第１の光学薄膜５をＴｉＮよりな
る薄膜とする場合には、チタンをターゲットとして例え
ば直流スパッタリングを行って形成すれば良く、第２の
光学薄膜をＳｉＯ2 よりなる薄膜とする場合において
も、シリコンをターゲットとして例えば交流スパッタリ
ングを行って形成すれば良い。
【００５４】この場合、図３に示すような成膜装置を使
用すると、生産性が良好であり、好ましい。この成膜装
置はスパッタリングを行うことが可能となされたもので
ある。
用すると、生産性が良好であり、好ましい。この成膜装
置はスパッタリングを行うことが可能となされたもので
ある。
【００５５】すなわち、真空室２１を例えば１０００リ
ットル／秒の排気能力を有するターボ分子ポンプ２２に
より排気される巻出し／巻取り室２３と、例えば１５０
０リットル／秒の排気能力を有するターボ分子ポンプ２
４により排気される成膜室２５とに分割し、巻出し／巻
取り室２３内には図中矢印ｍ1 で示すように反時計回り
方向に回転する円柱状の巻出しロール２６と図中矢印ｍ
3 で示すように反時計回り方向に回転する円柱状のロー
ル巻取りロール２７を配し、成膜室２５内には図中矢印
ｍ2 で示すように反時計回り方向に回転する円柱状の冷
却キャン２８を配している。なお、成膜室２５内には表
面を−１２０℃程度まで冷却する図示しない水分用冷却
ポンプが配されている。このような冷却ポンプとして
は、ポリコールド社製のウォータポンプ（登録商標）等
が例示される。
ットル／秒の排気能力を有するターボ分子ポンプ２２に
より排気される巻出し／巻取り室２３と、例えば１５０
０リットル／秒の排気能力を有するターボ分子ポンプ２
４により排気される成膜室２５とに分割し、巻出し／巻
取り室２３内には図中矢印ｍ1 で示すように反時計回り
方向に回転する円柱状の巻出しロール２６と図中矢印ｍ
3 で示すように反時計回り方向に回転する円柱状のロー
ル巻取りロール２７を配し、成膜室２５内には図中矢印
ｍ2 で示すように反時計回り方向に回転する円柱状の冷
却キャン２８を配している。なお、成膜室２５内には表
面を−１２０℃程度まで冷却する図示しない水分用冷却
ポンプが配されている。このような冷却ポンプとして
は、ポリコールド社製のウォータポンプ（登録商標）等
が例示される。
【００５６】このため、巻出し／巻取り室２３内の巻出
しロール２６から図中矢印Ｍで示すように送り出された
樹脂基板２９は、成膜室２５内の冷却キャン２８の周面
を走行した後、巻出し／巻取り室２１内の巻取りロール
２７に巻き取られることとなる。なお、この樹脂基板２
９が所定のテンションを有して円滑に走行するように、
巻出しロール２６と冷却キャン２８の間で巻出し／巻取
り室２３内に反時計回り方向に回転する円柱状のガイド
ロール３０ａ，３０ｂ、時計回り方向に回転する円柱状
のガイドロール３０ｃが順次設けられると共に、冷却キ
ャン２８と巻取りロール２７の間で巻出し／巻取り室２
３内に時計回り方向に回転する円柱状のガイドロール３
１ａ、反時計回り方向に回転する円柱状のガイドロール
３１ｂが順次設けられている。なお、上記樹脂基板２９
としては、厚さ１８８μｍ、幅３００ｍｍ、長さ１５０
ｍのポリエチレンテレフタレートよりなる薄膜基板上に
厚さ３〜６μｍのハードコート層が設けられているもの
が挙げられる。この場合、巻出しロール２６、冷却キャ
ン２８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０
ｂ，３０ｃ、ガイドロール３１ａ，３１ｂが、樹脂基板
２９を幅方向に支持可能な大きさとなされていることは
言うまでもない。
しロール２６から図中矢印Ｍで示すように送り出された
樹脂基板２９は、成膜室２５内の冷却キャン２８の周面
を走行した後、巻出し／巻取り室２１内の巻取りロール
２７に巻き取られることとなる。なお、この樹脂基板２
９が所定のテンションを有して円滑に走行するように、
巻出しロール２６と冷却キャン２８の間で巻出し／巻取
り室２３内に反時計回り方向に回転する円柱状のガイド
ロール３０ａ，３０ｂ、時計回り方向に回転する円柱状
のガイドロール３０ｃが順次設けられると共に、冷却キ
ャン２８と巻取りロール２７の間で巻出し／巻取り室２
３内に時計回り方向に回転する円柱状のガイドロール３
１ａ、反時計回り方向に回転する円柱状のガイドロール
３１ｂが順次設けられている。なお、上記樹脂基板２９
としては、厚さ１８８μｍ、幅３００ｍｍ、長さ１５０
ｍのポリエチレンテレフタレートよりなる薄膜基板上に
厚さ３〜６μｍのハードコート層が設けられているもの
が挙げられる。この場合、巻出しロール２６、冷却キャ
ン２８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０
ｂ，３０ｃ、ガイドロール３１ａ，３１ｂが、樹脂基板
２９を幅方向に支持可能な大きさとなされていることは
言うまでもない。
【００５７】なお、上記成膜装置においては、巻出しロ
ール２６、冷却キャン２８、巻取りロール２７、ガイド
ロール３０ａ，３０ｂ、ガイドロール３１ｂが、図中矢
印で示す反時計回りの他、時計回り方向にも回転可能と
なされており、またガイドロール３０ｃ、ガイドロール
３１ａが時計回りの他、半時計回り方向にも回転可能と
なされており、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基
板２９を再度巻出しロール２６に巻き取ることも可能と
なされている。
ール２６、冷却キャン２８、巻取りロール２７、ガイド
ロール３０ａ，３０ｂ、ガイドロール３１ｂが、図中矢
印で示す反時計回りの他、時計回り方向にも回転可能と
なされており、またガイドロール３０ｃ、ガイドロール
３１ａが時計回りの他、半時計回り方向にも回転可能と
なされており、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基
板２９を再度巻出しロール２６に巻き取ることも可能と
なされている。
【００５８】そして、巻出しロール２６と冷却キャン２
８の間、正確には巻出し／巻取り室２３内のガイドロー
ル３０ａ，３０ｂの間に対応する位置に樹脂基板２９に
相対向するように高周波エッチング装置３２を設けてい
る。
８の間、正確には巻出し／巻取り室２３内のガイドロー
ル３０ａ，３０ｂの間に対応する位置に樹脂基板２９に
相対向するように高周波エッチング装置３２を設けてい
る。
【００５９】さらに、巻出しロール２６と冷却キャン２
８の間、正確には成膜室２５内の冷却キャン２８の周面
に対応する位置に樹脂基板２９に相対向するように直流
スパッタリングのシングルカソードとしてチタンターゲ
ット３３を設けている。さらにまた、冷却キャン２８と
巻取りロール２７の間、正確には成膜室２５内の冷却キ
ャン２８の周面に対応する位置に樹脂基板２９に相対向
するように交流スパッタリングのデュアルカソードとし
てシリコンターゲット３４を設けている。上記チタンタ
ーゲット３３としては、樹脂基板２９の幅方向の長さが
６００ｍｍであり、図中矢印Ｍで示す樹脂基板２９の走
行方向の長さが１５０ｍｍのものが挙げられ、シリコン
ターゲット３４としては、樹脂基板２９の幅方向の長さ
が６００ｍｍであり、図中矢印Ｍで示す樹脂基板２９の
走行方向の長さが７５ｍｍのものが２つ並べられている
ものが挙げられる。
８の間、正確には成膜室２５内の冷却キャン２８の周面
に対応する位置に樹脂基板２９に相対向するように直流
スパッタリングのシングルカソードとしてチタンターゲ
ット３３を設けている。さらにまた、冷却キャン２８と
巻取りロール２７の間、正確には成膜室２５内の冷却キ
ャン２８の周面に対応する位置に樹脂基板２９に相対向
するように交流スパッタリングのデュアルカソードとし
てシリコンターゲット３４を設けている。上記チタンタ
ーゲット３３としては、樹脂基板２９の幅方向の長さが
６００ｍｍであり、図中矢印Ｍで示す樹脂基板２９の走
行方向の長さが１５０ｍｍのものが挙げられ、シリコン
ターゲット３４としては、樹脂基板２９の幅方向の長さ
が６００ｍｍであり、図中矢印Ｍで示す樹脂基板２９の
走行方向の長さが７５ｍｍのものが２つ並べられている
ものが挙げられる。
【００６０】また、冷却キャン２８と巻取りロール２７
の間、正確には成膜室２５内のガイドロール３１ａ，３
１ｂの間に対応する位置に樹脂基板２９を厚さ方向に挟
むように光照射部３５ａと受光部３５ｂとを配し、且つ
真空室２１外に配される光照射部３５ａから照射された
光が受光部３５ｂによりどの位受光されるかを測定する
測定部３５ｃよりなる光透過率測定部３６も配されてい
る。
の間、正確には成膜室２５内のガイドロール３１ａ，３
１ｂの間に対応する位置に樹脂基板２９を厚さ方向に挟
むように光照射部３５ａと受光部３５ｂとを配し、且つ
真空室２１外に配される光照射部３５ａから照射された
光が受光部３５ｂによりどの位受光されるかを測定する
測定部３５ｃよりなる光透過率測定部３６も配されてい
る。
【００６１】従って、この成膜装置により本発明の反射
防止膜を製造する場合、以下に示すような方法により製
造を行う。
防止膜を製造する場合、以下に示すような方法により製
造を行う。
【００６２】先ず、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、樹脂基板２９を先ず高周
波エッチング装置３２によりエッチングして、その表面
を清浄し、冷却キャン２８周面を走行させた後に、巻取
りロール２７に巻き取る。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、樹脂基板２９を先ず高周
波エッチング装置３２によりエッチングして、その表面
を清浄し、冷却キャン２８周面を走行させた後に、巻取
りロール２７に巻き取る。
【００６３】次に、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
【００６４】続いて、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、プラズマエミッションモニタを用いたリア
クティブ交流スパッタリングによりカソードとしてデュ
アルカソードであるシリコンターゲット３４を用いてＳ
ｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合物よりなる
接着層を形成する。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、プラズマエミッションモニタを用いたリア
クティブ交流スパッタリングによりカソードとしてデュ
アルカソードであるシリコンターゲット３４を用いてＳ
ｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である化合物よりなる
接着層を形成する。
【００６５】この後、上記樹脂基板２９は、光透過率測
定部３６の光照射部３５ａと受光部３５ｂ間を走行し、
透過率により上記ＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２で
ある化合物よりなる接着層４の厚さが測定される。な
お、この測定結果に応じて製品の良否を判断すると共
に、この後の製造条件の調整を行う。そして、このよう
に接着層が形成された樹脂基板２９は巻取りロール２７
に巻き取られる。
定部３６の光照射部３５ａと受光部３５ｂ間を走行し、
透過率により上記ＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２で
ある化合物よりなる接着層４の厚さが測定される。な
お、この測定結果に応じて製品の良否を判断すると共
に、この後の製造条件の調整を行う。そして、このよう
に接着層が形成された樹脂基板２９は巻取りロール２７
に巻き取られる。
【００６６】なお、上記高周波エッチング装置３２によ
るエッチングによる樹脂基板２９表面の清浄と接着層の
形成は連続して行うようにしても良い。
るエッチングによる樹脂基板２９表面の清浄と接着層の
形成は連続して行うようにしても良い。
【００６７】次に、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
【００６８】さらに、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、接着剤層上にプラズマエミッションモニタ
を用いたリアクティブ直流スパッタリングによりカソー
ドとしてシングルカソードであるチタンターゲット３３
を用いて窒化チタンよりなる第１の光学薄膜を形成し、
巻取りロール２７に巻き取る。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、接着剤層上にプラズマエミッションモニタ
を用いたリアクティブ直流スパッタリングによりカソー
ドとしてシングルカソードであるチタンターゲット３３
を用いて窒化チタンよりなる第１の光学薄膜を形成し、
巻取りロール２７に巻き取る。
【００６９】次に、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを時計回りに回転させると共に、ガ
イドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを反時計回りに
回転させて、巻取りロール２７に巻き取られた樹脂基板
２９を再度巻出しロール２６に巻き取る。
【００７０】さらに、巻出しロール２６、冷却キャン２
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、第１の光学薄膜上に、プラズマエミッショ
ンモニタを用いたリアクティブ交流スパッタリングによ
りカソードとしてデュアルカソードであるシリコンター
ゲット３４を用いてＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜を
形成する。
８、巻取りロール２７、ガイドロール３０ａ，３０ｂ、
ガイドロール３１ｂを反時計回りに回転させると共に、
ガイドロール３０ｃ、ガイドロール３１ａを時計回りに
回転させて、巻出しロール２６から樹脂基板２９を図中
矢印Ｍで示すように送り出し、冷却キャン２８周面上を
走行させて、第１の光学薄膜上に、プラズマエミッショ
ンモニタを用いたリアクティブ交流スパッタリングによ
りカソードとしてデュアルカソードであるシリコンター
ゲット３４を用いてＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜を
形成する。
【００７１】そして、このように樹脂基板２９上に接着
層、第１の光学薄膜、第２の光学薄膜が順次形成された
反射防止膜が完成し、これは巻取りロール２７により巻
き取られる。
層、第１の光学薄膜、第２の光学薄膜が順次形成された
反射防止膜が完成し、これは巻取りロール２７により巻
き取られる。
【００７２】上記のようにして反射防止膜を形成した場
合、３層構造であることから、前述したような従来の５
層構造の反射防止膜と比較して、製造工程が著しく簡略
化され、製造工程管理も著しく容易となり、製造が簡便
且つ管理も容易となる。
合、３層構造であることから、前述したような従来の５
層構造の反射防止膜と比較して、製造工程が著しく簡略
化され、製造工程管理も著しく容易となり、製造が簡便
且つ管理も容易となる。
【００７３】また、本発明の反射防止膜においては、前
述した具体例では接着層と第１及び第２の光学薄膜の総
膜厚が１０６．６ｎｍとなり、前述した従来の反射防止
膜の具体例の総膜厚が２１５ｎｍであるのに対し、著し
く薄膜化される。このため、例えば製造装置として連続
してスパッタリングが行われる成膜装置を使用した場
合、基板の走行速度を従来よりも早めることが可能とな
り、生産性が著しく向上する。
述した具体例では接着層と第１及び第２の光学薄膜の総
膜厚が１０６．６ｎｍとなり、前述した従来の反射防止
膜の具体例の総膜厚が２１５ｎｍであるのに対し、著し
く薄膜化される。このため、例えば製造装置として連続
してスパッタリングが行われる成膜装置を使用した場
合、基板の走行速度を従来よりも早めることが可能とな
り、生産性が著しく向上する。
【００７４】さらに、前述のように本発明の反射防止膜
においては、窒化チタンよりなる第１の光学薄膜５に導
電性を持たせて、従来の反射防止膜で導電膜として使用
されていたＩＴＯ層の代わりに導電膜として使用するこ
とが可能である。従来の反射防止膜で導電膜として使用
されていたＩＴＯ層薄膜をスパッタリングにより形成す
る場合、ターゲット表面にインジウムと錫の合成物であ
る、所謂ノジュールが発生する。このため、基板に対し
て１０００ｍ程度スパッタリングを行った後、真空室を
開けてターゲットの表面を清掃する必要があり、連続成
膜が困難であり、再度スパッタリングを開始するのにも
多大な時間を要し、生産性が良好ではない。しかしなが
ら、上記のようにして本発明の反射防止膜を製造した場
合、窒化チタンにおいては、チタンターゲット３３表面
へのノジュールの発生がＩＴＯ層の場合と比較して著し
く小さいことから、連続成膜が容易であり、生産性が著
しく向上する。
においては、窒化チタンよりなる第１の光学薄膜５に導
電性を持たせて、従来の反射防止膜で導電膜として使用
されていたＩＴＯ層の代わりに導電膜として使用するこ
とが可能である。従来の反射防止膜で導電膜として使用
されていたＩＴＯ層薄膜をスパッタリングにより形成す
る場合、ターゲット表面にインジウムと錫の合成物であ
る、所謂ノジュールが発生する。このため、基板に対し
て１０００ｍ程度スパッタリングを行った後、真空室を
開けてターゲットの表面を清掃する必要があり、連続成
膜が困難であり、再度スパッタリングを開始するのにも
多大な時間を要し、生産性が良好ではない。しかしなが
ら、上記のようにして本発明の反射防止膜を製造した場
合、窒化チタンにおいては、チタンターゲット３３表面
へのノジュールの発生がＩＴＯ層の場合と比較して著し
く小さいことから、連続成膜が容易であり、生産性が著
しく向上する。
【００７５】
【実施例】以下、本発明の効果を確認するべく、以下に
示すような実験を行った。
示すような実験を行った。
【００７６】先ず、先に図１に示したような反射防止膜
において、接着層４をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜
２である化合物より厚さ５ｎｍの薄膜とし、第１の光学
薄膜５を窒化チタンよりなる厚さ１３．６ｎｍの薄膜と
し、第２の光学薄膜６をＳｉＯ2 よりなる厚さ８８ｎｍ
の薄膜とし、これらが表１に示すような屈折率及び消衰
係数を有する場合の反射カーブをシミュレーションし
た。なお、樹脂基板３の薄膜基板１の屈折率は１．４
３、ハードコート層２の屈折率は１．４９とした。結果
を図４に示す。図４中横軸は波長を示し、縦軸は反射率
を示す。
において、接着層４をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜
２である化合物より厚さ５ｎｍの薄膜とし、第１の光学
薄膜５を窒化チタンよりなる厚さ１３．６ｎｍの薄膜と
し、第２の光学薄膜６をＳｉＯ2 よりなる厚さ８８ｎｍ
の薄膜とし、これらが表１に示すような屈折率及び消衰
係数を有する場合の反射カーブをシミュレーションし
た。なお、樹脂基板３の薄膜基板１の屈折率は１．４
３、ハードコート層２の屈折率は１．４９とした。結果
を図４に示す。図４中横軸は波長を示し、縦軸は反射率
を示す。
【００７７】
【表１】
【００７８】次に、上記のような構成を有する反射防止
膜を実際に製造し、この反射カーブを測定した。結果を
図５に示す。図４中横軸は波長を示し、縦軸は反射率を
示す。
膜を実際に製造し、この反射カーブを測定した。結果を
図５に示す。図４中横軸は波長を示し、縦軸は反射率を
示す。
【００７９】図４と図５を比較して分かるように、シミ
ュレーションの結果と実測の結果は良く一致している。
すなわち、本発明の反射防止膜においては、シミュレー
ションにより反射特性を導き出すことが可能であること
が分かる。
ュレーションの結果と実測の結果は良く一致している。
すなわち、本発明の反射防止膜においては、シミュレー
ションにより反射特性を導き出すことが可能であること
が分かる。
【００８０】そこで、接着層４をＳｉＯx の化学式で示
され、ｘ＜２である化合物より厚さ５ｎｍの薄膜とし、
第１の光学薄膜５を窒化チタンよりなる薄膜とし、第２
の光学薄膜６をＳｉＯ2 よりなる厚さ８８ｎｍの薄膜と
した場合の窒化チタンよりなる第１の光学薄膜５の成膜
条件を多少変えて、反射防止特性をチューニングして作
製した反射防止膜の反射カーブを測定した。結果を図６
に示す。図６中横軸は波長を示し、縦軸は透過率を示
す。
され、ｘ＜２である化合物より厚さ５ｎｍの薄膜とし、
第１の光学薄膜５を窒化チタンよりなる薄膜とし、第２
の光学薄膜６をＳｉＯ2 よりなる厚さ８８ｎｍの薄膜と
した場合の窒化チタンよりなる第１の光学薄膜５の成膜
条件を多少変えて、反射防止特性をチューニングして作
製した反射防止膜の反射カーブを測定した。結果を図６
に示す。図６中横軸は波長を示し、縦軸は透過率を示
す。
【００８１】図６の結果から、第１の光学薄膜５の特性
を調整することにより、広い波長帯域に亘って低い透過
率が得られ、すなわち、広い波長帯域に亘って良好な反
射特性が得られることが分かる。これと同様に、他の層
の特性を調整しても、広い波長帯域に亘って低い透過率
が得られ、すなわち、広い波長帯域に亘って良好な反射
特性が得られるものと思われる。
を調整することにより、広い波長帯域に亘って低い透過
率が得られ、すなわち、広い波長帯域に亘って良好な反
射特性が得られることが分かる。これと同様に、他の層
の特性を調整しても、広い波長帯域に亘って低い透過率
が得られ、すなわち、広い波長帯域に亘って良好な反射
特性が得られるものと思われる。
【００８２】このように、本発明を適用し、各層の膜
厚、屈折率及び消衰係数を最適化することにより、広い
波長帯域に亘って透過率が低い、すなわち、広い波長帯
域に亘って反射特性が良好な反射防止膜が得られること
がわかった。
厚、屈折率及び消衰係数を最適化することにより、広い
波長帯域に亘って透過率が低い、すなわち、広い波長帯
域に亘って反射特性が良好な反射防止膜が得られること
がわかった。
【００８３】なお、この反射防止膜におけるシート抵抗
率は４００〜２０００Ωｃｍ程度である。
率は４００〜２０００Ωｃｍ程度である。
【００８４】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように、本発
明に係る反射防止膜は、樹脂基板の一主面上に接着層が
形成され、上記接着層上に窒化チタン、窒化ハフニウ
ム、窒化ジルコニウムのうちの何れかを含む第１の光学
薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜上に屈折率が１．
３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成されてなるため、
積層数が少なく、製造が容易且つ簡便で、製造コストも
削減され、生産性が向上する。
明に係る反射防止膜は、樹脂基板の一主面上に接着層が
形成され、上記接着層上に窒化チタン、窒化ハフニウ
ム、窒化ジルコニウムのうちの何れかを含む第１の光学
薄膜が形成され、上記第１の光学薄膜上に屈折率が１．
３５〜１．７の第２の光学薄膜が形成されてなるため、
積層数が少なく、製造が容易且つ簡便で、製造コストも
削減され、生産性が向上する。
【００８５】そして、本発明の反射防止膜においては、
樹脂基板と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜との間に接着
層を介在させるようにしていることから、第１の光学薄
膜が樹脂基板から剥離しにくく、反射防止特性が良好で
実用に適したものとなる。
樹脂基板と窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニ
ウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜との間に接着
層を介在させるようにしていることから、第１の光学薄
膜が樹脂基板から剥離しにくく、反射防止特性が良好で
実用に適したものとなる。
【００８６】従って、上記本発明の反射防止膜を表示部
のフェース・プレート表面側に配した本発明の陰極線管
においても同様に、反射防止特性が良好で実用に適した
ものとなる。
のフェース・プレート表面側に配した本発明の陰極線管
においても同様に、反射防止特性が良好で実用に適した
ものとなる。
【００８７】また、上記本発明の反射防止膜において、
上記接着層をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である
化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜の
樹脂基板からの剥離が更に抑えられる。
上記接着層をＳｉＯx の化学式で示され、ｘ＜２である
化合物により構成するようにすれば、第１の光学薄膜の
樹脂基板からの剥離が更に抑えられる。
【００８８】なお、上記本発明の反射防止膜において、
上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含む場合、
上記第１の光学薄膜に導電性を持たせるようにすれば、
従来の反射防止膜で導電膜として使用されていたＩＴＯ
層の代わりに導電膜として使用されることとなり、導電
膜を新たに設ける必要が無く、生産性が向上する。
上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主として含む場合、
上記第１の光学薄膜に導電性を持たせるようにすれば、
従来の反射防止膜で導電膜として使用されていたＩＴＯ
層の代わりに導電膜として使用されることとなり、導電
膜を新たに設ける必要が無く、生産性が向上する。
【００８９】さらに、上記本発明の反射防止膜におい
て、第１の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チ
タンは吸収特性も強いことから、本発明のように陰極線
管のフェース・プレート表面側に配するようにすれば、
陰極線管の表示画像のコントラストが向上する。
て、第１の光学薄膜を窒化チタンとすると、上記窒化チ
タンは吸収特性も強いことから、本発明のように陰極線
管のフェース・プレート表面側に配するようにすれば、
陰極線管の表示画像のコントラストが向上する。
【図１】本発明に係る反射防止膜の構成を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に関わる陰極線管の要部概略構成を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図３】成膜装置の要部概略構成を示す模式図である。
【図４】波長と反射率の関係の一例を示す特性図であ
る。
る。
【図５】波長と反射率の関係の他の例を示す特性図であ
る。
る。
【図６】波長と透過率の関係を示す特性図である。
【図７】従来の反射防止膜の構成を模式的に示す断面図
である。
である。
１ 薄膜基板、２ ハードコート層、３ 樹脂基板、４
接着層、５ 第１の光学薄膜、６ 第２の光学薄膜、
１１ 陰極線管、１１ａ フェース・プレート、１３
樹脂基板、１４ 反射防止層、１５ 反射防止膜
接着層、５ 第１の光学薄膜、６ 第２の光学薄膜、
１１ 陰極線管、１１ａ フェース・プレート、１３
樹脂基板、１４ 反射防止層、１５ 反射防止膜
Claims (17)
- 【請求項１】 樹脂基板の一主面上に接着層が形成さ
れ、 上記接着層上に窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジル
コニウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜が形成さ
れ、 上記第１の光学薄膜上に屈折率が１．３５〜１．７の第
２の光学薄膜が形成されることを特徴とする反射防止
膜。 - 【請求項２】 上記接着層がＳｉＯx の化学式で示さ
れ、ｘ＜２である化合物よりなることを特徴とする請求
項１記載の反射防止膜。 - 【請求項３】 上記接着層がＳｉＮx の化学式で示さ
れ、ｘ＜４／３である化合物、或いはＳｉＯx Ｎy の化
学式で示され、ｘ＜２，ｙ＜４／３である化合物よりな
ることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項４】 上記接着層がＴｉを主成分とすることを
特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項５】 上記接着層の物理膜厚が１０ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項６】 上記接着層の物理膜厚が１〜７ｎｍであ
ることを特徴とする請求項５記載の反射防止膜。 - 【請求項７】 上記第１の光学薄膜の物理膜厚が５〜２
５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。 - 【請求項８】 上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主と
して含み、上記窒化チタンに金属がドープされているこ
とを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項９】 上記金属がタングステンであることを特
徴とする請求項８記載の反射防止膜。 - 【請求項１０】 上記金属が金であることを特徴とする
請求項８記載の反射防止膜。 - 【請求項１１】 上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主
として含み、上記第１の光学薄膜が導電性を有すること
を特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項１２】 上記第２の光学薄膜がＳｉＯ2 よりな
ることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。 - 【請求項１３】 上記ＳｉＯ2 よりなる第２の光学薄膜
の物理膜厚が、６０〜１１０ｎｍであることを特徴とす
る請求項１２記載の反射防止膜。 - 【請求項１４】 上記第２の光学薄膜がＭｇＦ2 或いは
Ａｌ2 Ｏ3 よりなることを特徴とする請求項１記載の反
射防止膜。 - 【請求項１５】 樹脂基板の接着層対向面側にハードコ
ート層が形成されており、このハードコート層上に接着
層が形成されることを特徴とする請求項１記載の反射防
止膜。 - 【請求項１６】 表示部のフェース・プレート表面側
に、 樹脂基板の一主面上に接着層が形成され、 上記接着層上に窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジル
コニウムのうちの何れかを含む第１の光学薄膜が形成さ
れ、 上記第１の光学薄膜上に屈折率が１．３５〜１．７の第
２の光学薄膜が形成されてなる反射防止膜が樹脂基板が
対向面となるように配されていることを特徴とする陰極
線管。 - 【請求項１７】 上記第１の光学薄膜が窒化チタンを主
として含み、この第１の光学薄膜が導電性を有し、且つ
接地されていることを特徴とする請求項１６記載の陰極
線管。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218364A JP2000047007A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 反射防止膜及び陰極線管 |
| EP99114355A EP0977058A1 (en) | 1998-07-31 | 1999-07-21 | Anti-reflection film and cathode ray tube |
| SG9903607A SG79272A1 (en) | 1998-07-31 | 1999-07-21 | Anti-reflection film and cathode ray tube |
| US09/360,625 US6611090B1 (en) | 1998-07-31 | 1999-07-26 | Anti-reflective coating for a CRT having first and second optical thin films in combination with an adhesion layer |
| CA002278825A CA2278825C (en) | 1998-07-31 | 1999-07-26 | Anti-reflective coating for a crt having first and second optical thin films in combination with an adhesion layer |
| KR1019990031524A KR100690478B1 (ko) | 1998-07-31 | 1999-07-31 | 반사 방지막 및 음극선관 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218364A JP2000047007A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 反射防止膜及び陰極線管 |
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|---|---|
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ID=16718741
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|---|---|---|---|
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| CN109641419B (zh) * | 2016-08-18 | 2021-07-27 | Ａｇｃ株式会社 | 层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3190240B2 (ja) * | 1994-12-13 | 2001-07-23 | 旭硝子株式会社 | 光吸収性反射防止体とその製造方法 |
| US5858519A (en) * | 1995-01-27 | 1999-01-12 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Absorbing anti-reflection coatings for computer displays |
| EP0753762B1 (en) * | 1995-07-06 | 2002-03-27 | Sony Corporation | Electrically conductive, anti-reflection coating |
| JP3520627B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2004-04-19 | ソニー株式会社 | 光反射防止部材及びその作製方法、並びに陰極線管 |
| US5728456A (en) * | 1996-02-01 | 1998-03-17 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Methods and apparatus for providing an absorbing, broad band, low brightness, antireflection coating |
| JP3884110B2 (ja) * | 1996-10-09 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | 陰極線管 |
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