WO2006038494A1 - 透明導電性フィルムおよびタッチパネル - Google Patents

透明導電性フィルムおよびタッチパネル Download PDF

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WO2006038494A1
WO2006038494A1 PCT/JP2005/017741 JP2005017741W WO2006038494A1 WO 2006038494 A1 WO2006038494 A1 WO 2006038494A1 JP 2005017741 W JP2005017741 W JP 2005017741W WO 2006038494 A1 WO2006038494 A1 WO 2006038494A1
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transparent conductive
siox
transparent
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Tomotake Nashiki
Hideo Sugawara
Hidehiko Andou
Hidetoshi Yoshitake
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Nitto Denko Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a transparent conductive film that is transparent in the visible light region and has conductivity.
  • the present invention also relates to a touch panel using the transparent conductive film.
  • the transparent conductive film is used for a transparent electrode in a liquid crystal display, an electoluminescence display, etc., a display type touch panel, and the like, and is used for antistatic of a transparent article and electromagnetic wave shielding.
  • V which is an indium oxide thin film formed on glass
  • conductive glass is made of glass as a base material. It is inferior in flexibility and workability and may not be used depending on the application. Therefore, in recent years, transparent conductivity based on various plastic films including polyethylene terephthalate film due to advantages such as excellent impact resistance and light weight in addition to flexibility and workability. Film is being used.
  • the conventional transparent conductive film using such a film substrate has a problem that it is inferior in transparency due to the high light reflectance on the surface of the thin film, and the scratch resistance of the transparent conductive film.
  • the scratch resistance of the transparent conductive film there is a problem in that it is inferior in bending resistance, and scratches are caused during use to increase electrical resistance or cause disconnection.
  • environmental resistance performance was inferior.
  • the touch panel using such a transparent conductive film has a problem that Newton's ring is generated due to the swell and force of the film, and the visibility is deteriorated.
  • a method in which the difference in thermal heat shrinkage in the direction is controlled low see Patent Document 1.
  • the transparent conductive film described in Patent Document 1 is less likely to curl during heat processing, it may curl due to environmental changes during storage, transportation, etc. that do not have sufficient moisture and heat resistance, and in high-temperature and high-humidity environments. There is.
  • Patent Document 2 a force in which a polysiloxane-based thermosetting resin is mainly used in a cured layer of a shrink-curing resin is formed by applying and curing a polysiloxane-based thermosetting resin. The cured layer is curled in a high-temperature and high-humidity environment where the heat and moisture resistance is poor.
  • a hard coat layer is formed on both sides of the film substrate, a transparent conductive thin film is formed on one side, and a metal oxide (eg, SiOx) thin film is formed on the other side.
  • a conductive film has been proposed (Patent Document 3). However, if hard coat layers are provided on both sides, the flexibility of the film is reduced, so that pen input durability is insufficient, and cracks are likely to occur during punching.
  • Patent Document 1 JP 2002-73282 A
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 11-216794
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2-5308
  • the present invention has good heat-and-moisture resistance, excellent pen input durability, can suppress the occurrence of cracks during punching, and can suppress the occurrence of swell and curl even in a high-temperature and high-humidity environment. It aims at providing the transparent conductive film which can be manufactured.
  • Another object of the present invention is to provide a touch panel using the transparent conductive film.
  • the present invention has a hard coat layer on one surface of a transparent film substrate, and further has a 10 to 300 nm thick SiOx film formed on the hard coat layer by a dry process.
  • a transparent conductive thin film with a thickness of 20 to 35 nm is placed on the other side of the transparent film substrate. It has a transparent conductive film characterized by having.
  • the transparent conductive film of the present invention has a transparent conductive thin film having a predetermined thickness on one surface of a transparent film substrate, and a hard coat layer on the opposite side, and further includes a predetermined It has a SiOx film formed by a dry process with a thickness.
  • the hard coat layer can improve chemical resistance and scratch resistance.
  • a transparent conductive thin film with a predetermined thickness is formed on the opposite side by forming a SiOx film with a predetermined thickness so that it can penetrate both sides of the film substrate even in a high temperature and high humidity environment. Moisture can be controlled equally and undulation and curling can be suppressed.
  • the transparent conductive film of the present invention since the transparent conductive film of the present invention has good wet heat resistance and is unlikely to cause undulation or curling, a touch panel having stable visibility that is less likely to cause Yuton ring is provided. be able to.
  • the transparent conductive film of the present invention having such a configuration has flexibility, excellent pen input durability, and can suppress the occurrence of cracks during punching.
  • the thickness of the SiOx film is 10 to 300 nm. If the thickness is less than 10 nm, it is difficult to stably form the SiOx film as a continuous film, and undulation and curling cannot be suppressed to a low level. If the thickness exceeds 300 nm, cracks and the like occur in the SiOx film, and stable performance cannot be obtained. From this point, the thickness of the SiOx film is preferably 10 to 200 nm, more preferably 20 to 150 nm. The SiOx film is formed by a dry process.
  • the transparent conductive film is water vapor transmission rate of the SiOx film side 2 g / - is preferably (m 2 24hr-atm) or less.
  • the water vapor transmission rate is more preferably 1.5 gZ (m 2 ⁇ 24 hr ⁇ atm) or less! / !.
  • the thickness of the transparent conductive thin film is 20 to 35 nm.
  • the thickness is less than 20 nm, the surface resistance tends to increase, and the transparent conductive thin film can be stably formed as a continuous film. It is difficult.
  • the thickness exceeds 35 nm, the transparency may be lowered. From this point, the thickness of the transparent conductive thin film is 20 to 35 nm, and further 21 to 2
  • the transparent conductive film preferably further has an antifouling layer on the SiOx film.
  • an antifouling layer By forming the antifouling layer, contamination can be prevented and the sliding property of the pen can be improved.
  • the transparent film base material uses a laminate of transparent film base materials in which two or more transparent film base materials are bonded together through a transparent adhesive layer. That's right.
  • a thin film made of indium stannate (ITO) is suitable as the transparent conductive thin film.
  • the refractive index of the SiOx film is preferably 1.40 to 2.00.
  • the SiOx film has at least a SiOx film (1) adjusted to a refractive index of 1.7 to 1.9 and a refractive index of 1.4 to 1.49 from the hard coat layer side.
  • the SiO x film adjusted to (2) 1S can be laminated in this order.
  • the SiOx film has a refractive index adjusted to a refractive index of 1.5 to 1.69 (3) and a refractive index of 1.7 to 1.9 from the hard coat layer side.
  • the adjusted SiOx film (1) and the SiOx film (2) adjusted to a refractive index of 1.4 to 1.49 may be laminated in this order.
  • the SiOx film has a refractive index of 1.7-1.1.9 and a refractive index of 1.4 to 1.49 from the hard coat layer side.
  • the adjusted SiOx film (2) can be a total of four layers laminated twice in this order.
  • the refractive index of the SiOx film (1) is preferably 1.75-1.85.
  • the refractive index of the SiOx film (2) is preferably 1.42 to L47.
  • the refractive index of the SiOx film (3) is preferably 1.55 to 1.65.
  • the present invention provides at least a pair of panel plates having a transparent conductive thin film, and a touch panel formed by facing a pair of transparent conductive thin films via a spacer so that the transparent conductive thin films are opposed to each other.
  • One panel board force It is related with the touch panel characterized by being the said transparent conductive film.
  • a touch panel using the transparent conductive film as a panel plate is less prone to swell and curl, and this causes a-touch panel that is less likely to cause Yuton ring and has stable visibility. be able to.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention.
  • FIG. 1 shows an example of the transparent conductive film of the present invention, which has a transparent conductive thin film 2 on one side of a transparent film substrate 1 and a hard coat layer 3 on the opposite side. Furthermore, a SiOx film 4 is provided on the hard coat layer 3.
  • one transparent film substrate 1 is used as the transparent film substrate 1.
  • transparent film substrate 1 la and transparent film substrate 12a are bonded via an adhesive layer 1 lb instead of transparent film substrate 1 in the transparent conductive film of FIG.
  • An example of the case where the laminated body 1 is used is shown.
  • the force of laminating two transparent film substrates may be three or more.
  • the laminate can be used as the transparent film substrate 1.
  • FIG. 3 shows an example in which the antifouling layer 5 is further provided on the SiOx film 4 of the transparent conductive film of FIG.
  • Fig. 4 shows an example in which the SiOx film 4 of the transparent conductive film of Fig. 2 further has an antifouling layer 5.
  • FIG. 5 to 7 show, as the SiOx film 4, at least (1) a SiOx film 41 adjusted to a refractive index of 1.7 to 1.9 and (2) a refractive index of 1.4 to 1.49.
  • the adjusted SiOx film 42 is laminated.
  • FIG. 5 two layers of SiOx film 41 and SiOx film 42 are laminated in this order from the node coat layer side.
  • FIG. 6 from the hard coat layer side, (3) SiO X film 43 adjusted to a refractive index of 1.5 to 1.69, then SiOx film 41, SiOx film 42 force Three layers are laminated in this order. .
  • FIG. 7 the SiOx film 41 and the SiOx film 42 are laminated twice in this order from the hard coat layer side. 5 to 7, the force SiOx film 4 having a plurality of layers in FIG. 4 exemplifying the case where the SiOx film 4 has a plurality of layers can be similarly applied to FIGS. 1 to 3.
  • the transparent film substrate 1 used in the transparent conductive film of the present invention one transparent film substrate is used.
  • a laminate in which two or more transparent film substrates are bonded together with an adhesive layer is used.
  • the material of the transparent film substrate is not particularly limited, and various transparent materials can be appropriately selected and used.
  • a transparent film base material is subjected to etching or undercoating treatment such as sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, and acid coating on the surface in advance. You may make it improve the adhesiveness of a film
  • dust removal and cleaning may be performed by solvent cleaning or ultrasonic cleaning.
  • the thickness of the transparent film substrate 1 is preferably about 75 to 400 ⁇ m. More preferably, it is 100 to 200 ⁇ m. If the thickness of the transparent film substrate is less than 75 ⁇ m, there are problems with durability and workability. When the thickness of the transparent film substrate is larger than 400 / zm, it is not preferable because the touch panel input characteristic becomes heavy as a touch panel input characteristic becomes large.
  • the transparent film substrate 1 is a laminate of two or more transparent film substrates
  • a force capable of appropriately selecting the thickness and material of each film substrate is preferably 20 to 125 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer used when the transparent film substrate 1 is a laminate of transparent film substrates
  • those having transparency can be used without particular limitation.
  • an acrylic adhesive, a silicone adhesive, a rubber adhesive, or the like is used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer has a function of improving the hitting characteristics of the transparent conductive thin film 2 provided on one surface of the film substrate 1 for use in a touch panel by the cushioning effect after the transparent substrate is bonded.
  • [0035] is less than the elastic coefficient INZcm 2, the pressure-sensitive adhesive layer to become a non-elastic, the film substrate 1 is deformed to easily by pressure, further cause uneven transparent conductive thin film 2, also The adhesive is likely to stick out from the cut surface of the calocut, and the effect of improving the hitting characteristics of the transparent conductive thin film 2 for the touch panel is reduced.
  • the elastic coefficient exceeds lOONZcm 2 , the pressure-sensitive adhesive layer becomes hard and the cushion effect cannot be expected. For this reason, the scratch resistance of the transparent conductive thin film 2 cannot be improved for the touch panel.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is less than 1 ⁇ m, the cushioning effect cannot be expected.
  • the scratch resistance of the reductive thin film cannot be expected to improve the hitting characteristics for the touch panel.
  • the thickness is increased, transparency may be impaired, and it may be difficult to obtain good results in terms of forming an adhesive layer, bonding work of a film substrate, and cost.
  • the thin film material used for forming the transparent conductive thin film 2 is not particularly limited, and for example, indium oxide containing tin oxide, tin oxide containing antimony, and the like are preferably used.
  • Examples of the method for forming the transparent conductive thin film 2 include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a coating method. A method can be appropriately employed depending on the kind of the material and the required film thickness. Among these, indium oxide containing indium tin oxide (indium stannate, ITO) is preferable.
  • the transparent conductive thin film 2 has a thickness of 20 to 35 nm.
  • the transparent conductive thin film 2 is preferably a continuous film having good conductivity with a surface resistance of 1 ⁇ 10 3 ⁇ or lower.
  • the material of the hard coat layer 3 formed on the opposite side of the transparent conductive thin film 2 is urethane-based resin, melamine-based resin, alkyd-based resin, epoxy resin.
  • -Based resin acrylic resin, polyester-based resin, polybulal alcohol-based resin such as polybulal alcohol and ethylene bulal alcohol copolymer, salt-based vinyl resin, salt-based resin Examples of system fats.
  • Polyarylate resin, sulfone resin, amide resin, imide resin, polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polycarbonate resin, silicone resin, fluorine resin Resin, polyolefin-based resin, styrene-based resin, bulupyrrolidone-based resin, cellulose-based resin, acrylonitrile-based resin can be used for forming a hard coat layer.
  • these resin materials urethane acrylate is preferred because urethane resin is preferred.
  • a suitable blend of two or more kinds of resin can also be used.
  • the hard coat layer 3 may be an antiglare layer.
  • the antiglare layer is preferably formed by a cured film obtained by dispersing inorganic particles or organic particles in the hard coat layer forming resin.
  • the antiglare layer is a material that mechanically changes the surface of the hard coat layer by blasting or mold transfer. Can be formed.
  • an SiOx film 4 having a thickness of 10 to 300 nm formed by a dry process is provided.
  • a dry process techniques such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating can be employed.
  • the refractive index of SiOx is preferably 1.40 to 2.00.
  • X of the SiO X film is 1.0 to 2.0.
  • the transparent conductive film of the present invention is formed by forming the SiOx film 4 to the above thickness by a dry process, so that the water vapor transmission rate of the SiOx film 4 side force and the water vapor transmission rate from the transparent conductive thin film 2 side are obtained. Can be controlled to be equivalent.
  • the water vapor permeability of the SiOx film having 4 side forces is preferably 2 g Z (m 2 '24 hr'atm) or less, and more preferably 1.5 gZ (m 2 '24 hr'atm) or less.
  • the water vapor transmission rate from the transparent conductive thin film 2 side is preferably the same as described above.
  • the SiOx film can be formed of one layer, it can be formed of two or more layers having different refractive indexes to improve the antireflection function.
  • the total thickness of the Si Ox film is adjusted to 10 to 300 nm.
  • the SiOx film has two or more layers, from the hard coat layer side, at least the SiOx film (1) adjusted to a refractive index of 1.7 to 1.9 and a refractive index of 1.4 to 1.
  • the SiOx film (2) adjusted to 49 is laminated in this order.
  • the SiOx film has three layers, from the hard coat layer side, the SiOx film (3) adjusted to have a refractive index of 1.5 to 1.69, and the SiOx film adjusted to have a refractive index of 1.7 to 1.9.
  • the film (1) and the SiOx film (2) adjusted to a refractive index of 1.4 to 1.49 are laminated in this order.
  • the SiOx film has four layers, the Si Ox film (1) adjusted to a refractive index of 1.7 to 1.9 and a refractive index of 1.4 to 1.49 were adjusted from the hard coat layer side. A total of four layers of SiOx films (2) are stacked twice in this order. When there are two or more SiOx films, the thickness of each layer is optically designed to provide an antireflection function. In addition, although the case where the SiOx film is 5 layers or more is not mentioned, from the viewpoint of the optical design so that the antireflection function can be obtained even when the SiOx film is 5 layers or more, The refractive index and thickness are appropriately determined.
  • the SiOx film 4 can be provided with an antifouling layer 5 as necessary in order to impart pen slidability and contamination prevention.
  • the resin used for the antifouling layer fluorine-based, silicone Of these, olefins, melamines, acrylics, silane coupling agents, and waxes are preferably used.
  • a method for forming the antifouling layer 5 a conventionally known method such as a wet method represented by a reverse coating method, a die coating method, a gravure coating method, or a dry method such as a CVD method can be employed.
  • the antifouling layer 5 can also serve as an antireflection layer.
  • the thickness of the antifouling layer 5 is usually 1 to 50 nm, more preferably 1 to 30 nm.
  • the transparent conductive film of the present invention is provided between the layers, for example, between the transparent film substrate 1 and the conductive thin film 2, between the transparent film substrate 1 and the hard coat layer 3, and the hard coat layer. 3 between the Si Ox film 4, between the SiOx film 4 and the antifouling layer 5, and between each transparent film substrate and the adhesive layer in the laminated transparent film substrate 1 It can have a coat layer, an easy adhesion layer, and the like.
  • the anchor coat layer and the easy-adhesion layer are made of curable resin such as melamine resin, urethane resin, alkyd resin, acrylic resin, epoxy resin, and silicone resin.
  • curable resin such as melamine resin, urethane resin, alkyd resin, acrylic resin, epoxy resin, and silicone resin.
  • a cured film is preferably used. These are used as single or mixed hybrid systems. Also, SiO, TiO, NaF, Na A1F, LiF, MgF, CaF, BaF, SiO,
  • the thickness is preferably 300 nm or less. More preferably, it is 10 to 300 nm.
  • the method for producing the transparent conductive film of the present invention is not particularly limited.
  • the transparent film substrate 1 of the transparent conductive film is a single transparent film substrate (in the case of Fig. 1)
  • the hard coat layer 3 on one side of the transparent film substrate 1 A SiOx film 4 is formed, and a transparent conductive thin film 2 is formed on the other surface of the transparent film substrate 1.
  • the transparent film substrate 1 is two transparent film substrates (in the case of FIG. 2), a laminate in which the transparent film substrates l la and 12a are bonded together via an adhesive layer l ib 1, the hard coat layer 3 and the SiOx film 4 can be formed on one surface of the laminate 1 and the transparent conductive thin film 2 can be formed on the other surface in the same manner as described above.
  • a transparent conductive thin film 2 is formed on one surface of one transparent film substrate 11a, and a hard coating is formed on one surface of the other transparent film substrate 12a.
  • the layer 3 and the SiOx film 4 are formed, and the side of the transparent film substrate 11a, 12a on which the thin film is not provided can be bonded with the transparent adhesive layer ib.
  • the adhesive layer 11b is provided on either or both sides of the transparent film bases lla and 12b, and these are bonded together.
  • the light transmittance of the transparent conductive film of the present invention is preferably 86% or more. More preferably, it is 88% or more, more preferably 90% or more.
  • the light transmittance of the transparent film substrate is less than 86%, when the touch panel is formed using the transparent conductive film of the present invention, the display becomes dark and a problem may occur in the optical characteristics.
  • the transparent conductive film of the present invention is suitably applied as a panel plate of a touch panel.
  • a touch panel in which a pair of panel plates having a transparent conductive thin film are arranged to face each other via a spacer S so that the transparent conductive thin films formed in stripes orthogonal to each other face each other.
  • the transparent conductive film can be used as the panel plate (usually the upper panel plate to be pressed).
  • the transparent conductive thin films come into contact with each other and the electric circuit is turned on. It functions as a transparent switch structure that returns to the OFF state.
  • the panel plate used for the touch panel has a force to use the transparent conductive film of the present invention either on the top or the bottom.
  • the other panel plate has a transparent conductive thin film provided on a strong transparent substrate such as a plastic film or a glass plate. Can be used.
  • the transparent conductive film of the present invention may be used for both upper and lower sides.
  • the refractive index of light is a value measured at 25 ° C with an Abbe refractometer.
  • PET film 1 On one side of a 25 ⁇ m thick polyethylene terephthalate film (PET film 1), 90% by weight indium oxide in an atmosphere of 4 X 10 3 Torr consisting of 80% argon gas and 20% oxygen gas— By reactive sputtering using a sintered body of 10% tin oxide A transparent conductive thin film having a thickness of 25 nm ITO film (light refractive index: 2.00) was also formed.
  • a SiOx film (x: l. 8, refractive index 1.8) having a thickness of 80 nm was formed on the hard coat layer by vacuum deposition. Further, on the SiOx film, fluorine-based resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals) was coated by a gravure coating method to form a 10 nm thick antifouling layer.
  • an acrylic transparent adhesive layer with an elastic modulus adjusted to lONZcm 2 weight ratio of butyl acrylate, acrylic acid, and butyl acetate Is a 100: 2: 5 acrylic copolymer with 100 parts of an isocyanate copolymer) and a thickness of about 20 m.
  • lONZcm 2 weight ratio of butyl acrylate, acrylic acid, and butyl acetate
  • the elastic modulus (dynamic storage modulus: G ') was measured using a viscoelasticity spectrometer (Rheometric' Scientific Corp., ARES equipment) and temperature dispersion at a frequency of 1 Hz! It is a value measured at ° C.
  • This transparent conductive film was used as one panel plate, and as the other panel plate, an ITO thin film having a thickness of 30 nm was formed on a glass plate by the same method as described above.
  • a touch panel as a switch structure was fabricated by placing the 10m-thick spacers facing each other so that they face each other. Prior to the opposing arrangement, silver electrodes were previously formed on the ITO thin films of both panel plates so as to be orthogonal to each other.
  • a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the SiOx film was changed to 30 nm in Example 1, and a touch panel was produced in the same manner.
  • Example 1 a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the SiOx film was 150 nm, and a touch panel was produced in the same manner.
  • silica sol Coldcoat P manufactured by Colcoat Co., Ltd.
  • ethanol a solid content concentration of 2% by weight
  • Example 1 the SiOx film was formed on the hard coat layer by vacuum deposition using a 80 nm thick SiOx film (x: l. 8, refractive index 1.8), and then a thickness of 70 nm.
  • a transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that two SiOx films (x: 2.0, refractive index 1.46) were sequentially formed. Produced.
  • Example 4 the SiOx film was formed on the hard coat layer by vacuum deposition using a 80 nm thick SiOx film (x: l. 8, refractive index 1.8), and then 70 nm thick.
  • a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 4 except that the two SiOx films (x: 2.0, refractive index 1.46) were sequentially formed.
  • a touch panel was produced in the same manner as in Example 1 using the transparent conductive film.
  • Example 7 In Example 4, the formation of the SiOx film was performed on the hard coat layer by using a vacuum deposition method. The SiOx film having a thickness of 100 mm (x: l. 9, refractive index 1.6) and the thickness of 80 nm An SiOx film (x: 1. 8, refractive index 1.80) and then a 70 nm thick SiOx film (x: 2.0, refractive index 1.46) were sequentially formed in three layers. A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 4 except that. A touch panel was produced in the same manner as in Example 1 using the transparent conductive film.
  • Example 4 the SiOx film was formed on the hard coat layer by vacuum deposition using a 25 nm thick SiOx film (x: l. 8, refractive index 1.80) and 25 nm thick SiOx film. Film (x: 2.0, refractive index 1.46), 80x thick SiOx film (x: l. 8, refractive index 1.80), 70x thick SiOx film (x: 2.0) , Refractive index 1.46), a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 4 except that four layers were sequentially formed. A touch panel was produced in the same manner as in Example 1 using the transparent conductive film.
  • Example 2 The same as Example 1 except that the silica coat layer (SiO) was formed by the silica coat method (wet method) instead of forming the SiOx film by vacuum deposition on the hard coat treatment.
  • SiO silica coat layer
  • a transparent conductive film was produced in the same manner, and a touch panel was produced in the same manner.
  • silica coating method silica sol (Colcoat P, manufactured by Colcoat Co., Ltd.) diluted with ethanol to a solid content concentration of 2% by weight was dried and cured at 150 ° C for 2 minutes, and the thickness was 80 nm. A force coat layer was formed.
  • Example 1 a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the SiOx film was not formed, and a touch panel was produced in the same manner.
  • Example 1 a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the SiOx film was 5 nm, and a touch panel was produced in the same manner.
  • Example 4 a transparent film was formed in the same manner as Example 1 except that the SiOx film was not formed. A bright conductive film was produced and a touch panel was produced in the same manner.
  • Table 1 shows each configuration of the transparent conductive films obtained in the above Examples and Comparative Examples.
  • the surface electrical resistance ( ⁇ Z port) of the film was measured.
  • the visible light transmittance at a light wavelength of 550 nm was measured using a spectroscopic analyzer UV-240 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the transparent conductive film was cut into 10 cm square, heat-treated at 150 ° C for 1 hour, and left at room temperature and humidity (23 ° C, 50% RH) for 1 hour. After that, leave it in an environment of temperature 60 ° C and humidity 95% RH for 30 minutes and place the transparent conductive thin film on the horizontal support plate so that the support plate has high strength up to the four corners of the transparent conductive film.
  • the maximum height was defined as curl t3 ⁇ 4 (mm).
  • the water vapor transmission rate was measured according to JIS Z 0208. That is, an aluminum moisture-permeable cup was used, a fixed amount of moisture absorbent (salt calcium carbonate) was placed inside, a transparent conductive film was placed on the cup opening, and the gap was sealed using wax. Thereafter, the moisture permeable cup was placed in a constant temperature and humidity chamber at 40 ° C. and 90% RH, and the weight per hour was measured to obtain the slope (A) and the following formula force water vapor transmission rate. The smaller the value of the water vapor transmission rate, the better the water vapor barrier property.
  • the water vapor transmission rate from the SiOx film side is sealed with wax using a transparent conductive film before forming the antifouling layer, with the SiOx film side facing the open part of the moisture permeable cup. It was obtained as described above. On the other hand, the water vapor transmission rate from the ITO side was obtained as described above by sealing the ITO thin film side of the transparent conductive film with the wax facing the open portion of the moisture permeable cup.
  • Film 1 Film 2 Antifouling layer (nm) Silica Thermosetting type (jt / m) (Thickness of each layer / Hard Refractive index of each layer
  • Example 1 25 ⁇ -25 20 125 5 Vacuum deposition 1 layer 80 1.8 10
  • Example 2 25-1 25 20 125 5 Vacuum deposition 1 layer 30 1.8 10
  • Example 3 25--25 20 125 5 Vacuum deposition 1 layer 150 1.8 10
  • Example 4 25 30 150 25 20 125 5 Vacuum deposition 1 layer 80 1.8 10
  • Example 5 25-1 25 20 125 5 Vacuum deposition 2 layers 150 (80/70) 1.8 / 1.46 10
  • Example 6 25 30 150 25 20 125 5 Vacuum deposition 150 (80/70) 1.8 / 1.46 10
  • Example 7 25 30 150 25 20 125 5 Vacuum deposition 3 layers 250 (100/80/70) 1.6 / 1.8 / 1.46 10
  • Example 8 25 30 150 25 20 125 5 Vacuum deposition 4 layers 200 (25/25/80/70) 1.8 / 1.46 / 1.8 / 1.46 10
  • Comparative example 1 25--25 20 125 5
  • Examples 1 to 8 suppress the occurrence of swell and curl even in a high temperature and high humidity environment where the curl height is small compared to Comparative Examples 1 to 4. You can see that Moreover, in Examples 5-8, it turns out that the transmittance
  • the transparent conductive film of the present invention is used for a transparent electrode in a new liquid crystal display, an electoluminescence display, etc., a display type touch panel, and the like, and for preventing static charge of the transparent article and blocking electromagnetic waves. It is suitable for.

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Abstract

 本発明の透明導電性フィルムは、透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、さらに当該ハードコート層上にドライプロセスにより形成された厚さ10~300nmのSiOx膜を有し、透明なフィルム基材の他方の面には厚さ20~35nmの透明導電性薄膜を有する。かかる透明導電性フィルムは、耐湿熱性が良好であり、ペン入力耐久性に優れ、打ち抜き加工時のクラックの発生を抑制でき、耐湿熱性が良好であり、高温高湿度の環境下においても、うねりやカールの発生を抑えることができる。      

Description

明 細 書
透明導電性フィルムおよびタツチパネル 技術分野
[0001] 本発明は、可視光線領域で透明であり、かつ導電性を有する透明導電性フィルム に関する。また本発明は当該透明導電性フィルムを用いたタツチパネルに関する。透 明導電性フィルムは、液晶ディスプレイ、エレクト口ルミネッセンスディスプレイなどの 新し 、ディスプレイ方式ゃタツチパネルなどにおける透明電極に用いられる他、透明 物品の帯電防止や電磁波遮断などのために用いられる。
背景技術
[0002] 従来、透明導電性薄膜としては、ガラス上に酸化インジウム薄膜を形成した、 V、わ ゆる導電性ガラスがよく知られて ヽるが、導電性ガラスは基材がガラスであるために 可撓性、加工性に劣り、用途によっては使用できない場合がある。そのため、近年で は可撓性、加工性に加えて、耐衝撃性に優れ、軽量であるなどの利点から、ポリェチ レンテレフタレートフィルムをはじめとする各種のプラスチックフィルムを基材とした透 明導電性フィルムが使用されている。
[0003] しかし、このようなフィルム基材を用いた従来の透明導電性フィルムは、薄膜表面の 光線反射率が大きいために、透明性に劣るという問題がある他、透明導電性フィルム の耐擦傷性ゃ耐屈曲性に劣り、使用中に傷がついて電気抵抗が増大したり、断線を 生じたりする問題がある。また耐環境性能が劣るといった問題があった。
[0004] また、このような透明導電性フィルムを用いたタツチパネルは、フィルムのうねりや力 ールが原因で、ニュートンリングが発生し、視認性を悪化させてしまう問題があった。 力かる問題に対して、たとえば、ハードコート処理フィルムと導電フィルムとを貼り合わ せた透明導電性フィルムであって、ハードコート処理フィルムを形成する透明基材と ハードコート層との縦方向および横方向の熱熱収縮率差を低く制御したものが提案 されている(特許文献 1参照)。特許文献 1に記載の透明導電性フィルムは加熱加工 時にカールが生じにくいものの、耐湿熱性が十分ではなぐ保管時、輸送時等の環 境変化により、また高温高湿度の環境下においてカールが生じる場合がある。また、 透明導電性フィルムにおける透明導電層とは反対側の面に金属酸ィ匕物層、収縮硬 化性榭脂の硬化層をこの順で設けることにより、金属酸ィ匕物層による凸カールを収縮 硬化性榭脂の硬化層で矯正したものが提案されて!、る (特許文献 2参照)。特許文献 2にお 、て、収縮硬化性榭脂の硬化層にはポリシロキサン系熱硬化性榭脂が主に用 いられている力 ポリシロキサン系熱硬化性榭脂の塗布、硬化により形成される硬化 層は耐湿熱性が悪ぐ高温高湿度の環境下においてカールが生じる。また、上記問 題に対して、フィルム基材の両面にハードコート層を形成し、一方には透明導電性薄 膜を、もう一方には金属酸ィ匕物 (たとえば SiOx)薄膜を形成した透明導電性フィルム が提案されている(特許文献 3)。しかし、両面にハードコート層を設けると、フィルム の柔軟性が低下するため、ペン入力耐久性が不十分であったり、打ち抜き加工時に クラックが発生し易くなる。
特許文献 1:特開 2002— 73282号公報
特許文献 2:特開平 11— 216794号公報
特許文献 3:特開平 2— 5308号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 本発明は、耐湿熱性が良好であり、ペン入力耐久性に優れ、打ち抜き加工時のク ラックの発生を抑制でき、高温高湿度の環境下においても、うねりやカールの発生を 抑えることができる透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
[0006] また本発明は、前記透明導電性フィルムを用いたタツチパネルを提供することを目 的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す透明導電性 フィルムおよびタツチパネルにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成 するに至った。
[0008] すなわち本発明は、透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、さら に当該ハードコート層上にドライプロセスにより形成された厚さ 10〜300nmの SiOx 膜を有し、透明なフィルム基材の他方の面には厚さ 20〜35nmの透明導電性薄膜を 有することを特徴とする透明導電性フィルム、に関する。
[0009] 上記本発明の透明導電性フィルムでは、透明なフィルム基材の一方の面に所定厚 さの透明導電性薄膜を有し、その反対側には、ハードコート層を有し、さらに所定厚 さでドライプロセスにより形成された SiOx膜を有する。上記ハードコート層は、耐薬品 性、耐擦傷性を向上させることができる。また、所定厚さの透明導電性薄膜に対し、 その反対側には所定厚さの SiOx膜を形成することにより、高温高湿度の環境下にお いてもフィルム基材の両面に浸入してくる水分を同等に制御でき、うねりやカールの 発生を抑えることができる。このように本発明の透明導電性フィルムは耐湿熱性が良 好であり、うねりやカールが生じにくいため、これを原因とする-ユートンリングが発生 しにくい、安定した視認性をもつタツチパネルを提供することができる。また、かかる構 成とした本発明の透明導電性フィルムは、柔軟性を有しており、ペン入力耐久性に 優れており、打ち抜き加工時のクラックの発生も抑制することができる。
[0010] SiOx膜の厚みは 10〜300nmである。前記厚さが 10nm未満では、 SiOx膜を連 続膜として安定に形成することが困難であり、うねりやカールを低く抑えることができ ない。また厚みが 300nmを超える場合には、 SiOx膜にクラック等が発生し、安定し た性能が得られない。かかる点から、 SiOx膜の厚さは 10〜200nm、さらには 20〜1 50nmであるのが好ましい。また SiOx膜は、ドライプロセスにより形成されたものが用 V、られる。ポリシロキサン系熱硬化性榭脂ゃシリカゾル等を塗工するウエット法により SiOx膜を形成した場合には、 SiOx膜の厚さが前記範囲を満足していても、フィルム 基材に浸入してくる水分の制御が困難であり、耐湿熱性が不十分であり、高温高湿 度の環境下における、うねりやカールの発生を低く抑えることができない。
[0011] 上記透明導電性フィルムは、 SiOx膜側の水蒸気透過率が 2g/ (m2- 24hr-atm) 以下であることが好ましい。前記水蒸気透過率を 2gZ (m2' 24hr'atm)以下にする ことにより、フィルム基材の両面に侵入してくる水分を透明導電性薄膜側とより同等に なるように制御でき、うねりやカールの発生をさらに抑えることができる。前記水蒸気 透過率は 1. 5gZ (m2 · 24hr · atm)以下であるのがより好まし!/ヽ。
[0012] 一方、透明導電性薄膜の厚さは 20〜35nmである。前記厚さが 20nm未満で表面 抵抗値が高くなる傾向があり、また透明導電性薄膜を連続膜として安定に形成するこ とが困難である。また、厚さが 35nmを超える場合には、透明性の低下などをきたす おそれがある。かかる点から、透明導電性薄膜の厚さは 20〜35nm、さらには 21〜2
9nmであるのが好ましい。
[0013] 上記透明導電性フィルムは、前記 SiOx膜上に、さらに防汚層を有することが好まし い。防汚層の形成により、汚染を防止できる他、ペンの滑り性を向上できる。
[0014] 上記透明導電性フィルムにおいて、透明なフィルム基材は、 2枚以上の透明なフィ ルム基材を透明な接着剤層を介して貼り合わせた透明なフィルム基材の積層体を用 いることがでさる。
[0015] 上記透明導電性フィルムにお 、て、透明導電性薄膜としては、インジウムスズ酸ィ匕 物 (ITO)カゝらなる薄膜が好適である。
[0016] 上記透明導電性フィルムにおいて、 SiOx膜の屈折率は、 1. 40〜2. 00であること が好ましい。
[0017] 上記透明導電性フィルムにおいて、 SiOx膜は、ハードコート層側から、少なくとも、 屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜(1)と屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiO X膜 (2) 1S この順で積層されたものとすることができる。
[0018] また上記透明導電性フィルムにおいて、 SiOx膜は、ハードコート層側から、屈折率 1. 5〜1. 69に調整された SiOx膜(3)、屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜(1 )および屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、この順で 3層積層されたも のとすることができる。
[0019] また上記透明導電性フィルムにおいて、 SiOx膜は、ハードコート層側から、屈折率 1. 7-1. 9に調整された SiOx膜(1)および屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx 膜 (2)が、この順で 2回、合計 4層積層されたものとすることができる。
[0020] 前記 SiOx膜(1)の屈折率は、好ましくは、 1. 75-1. 85である。前記 SiOx膜(2) の屈折率は、好ましくは、 1. 42〜: L 47である。前記 SiOx膜 (3)の屈折率は、好ま しくは、 1. 55~1. 65である。
[0021] 上記のように、 SiOx膜を、屈折率が制御された 2層以上で形成することにより、耐 湿熱性とともに、反射防止機能を向上させることができ、透明導電性フィルムの透明 性を向上させることができる。 [0022] また本発明は、透明導電性薄膜を有する一対のパネル板を、透明導電性薄膜同 士が対向するように、スぺーサを介して対向配置してなるタツチパネルにぉ 、て、 少なくとも一方のパネル板力 前記透明導電性フィルムであることを特徴とするタツ チパネル、に関する。
[0023] 前記透明導電性フィルムをパネル板に用いたタツチパネルは、うねりやカールが生 じにくいため、これを原因とする-ユートンリングが発生しにくい、安定した視認性をも っタツチパネルを提供することができる。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 2]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 3]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 4]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 5]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 6]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
[図 7]本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図である。
符号の説明
1 透明なフィルム基材
11a 透明なフィルム基材
12a 透明なフィルム基材
l ib 粘着剤層
2 透明導電性薄膜
3 ハ ~~ドコ ~~卜層
4 SiOx膜
41 屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜
42 屈折率 1. 4〜1. 49【:こ調整された SiOx膜
43 屈折率 1. 5〜1. 69【:こ調整された SiOx膜
5 防汚層
発明を実施するための最良の形態 [0026] 以下、本発明を図面を参照しながら説明する。図 1は、本発明の透明導電性フィル ムの一例を示したものであり、透明なフィルム基材 1の一方の面に透明導電性薄膜 2 を有し、その反対側にはハードコート層 3を有し、さらにハードコート層 3上には SiOx 膜 4を有する。
[0027] 図 1では、透明なフィルム基材 1として、透明なフィルム基材 1が 1枚用いられている 。図 2は、図 1の透明導電性フィルムにおける透明なフィルム基材 1の代わりに、透明 なフィルム基材 1 laと透明なフィルム基材 12aとを粘着剤層 1 lbを介して貼り合わさ れて 、る積層体 1を用いた場合の一例を示したものである。図 2では透明なフィルム 基材が 2枚積層されている力 透明なフィルム基材の積層は 3枚以上であってもよい 。本発明では、透明なフィルム基材 1として前記積層体を用いることができる。図 3は 図 1の透明導電性フィルムの SiOx膜 4にさらに防汚層 5を有する場合の例である。図 4は図 2の透明導電性フィルムの SiOx膜 4にさらに防汚層 5を有する場合の例である
[0028] 図 5乃至図 7は、 SiOx膜 4として、少なくとも、(1)屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜 41と(2)屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 42を積層した場合である 。図 5では、 SiOx膜 41と SiOx膜 42力 この順でノヽードコート層側から、 2層積層され ている。図 6では、ハードコート層側から、(3)屈折率 1. 5〜1. 69に調整された SiO X膜 43、次いで、 SiOx膜 41、 SiOx膜 42力 この順で 3層積層されている。図 7では 、ハードコート層側から、 SiOx膜 41と SiOx膜 42が、この順で 2回、合計 4層積層され ている。図 5乃至図 7では、図 4において、 SiOx膜 4を複数層とする場合を例示した 力 SiOx膜 4を複数層とすることは、図 1乃至 3においても同様に適用できる。
[0029] 本発明の透明導電性フィルムに使用する透明なフィルム基材 1としては、透明なフ イルム基材を 1枚用いる。または 2枚以上の透明なフィルム基材を粘着剤層を介して 貼り合わせた積層体を用いる。
[0030] 透明なフィルム基材の材料は特に制限されず、各種の透明材料を適宜に選択して 用いることができる。その材料としては、例えば、ポリエステル系榭脂、アセテート系榭 脂、ポリエーテルスルホン系榭脂、ポリカーボネート系榭脂、ポリアミド系榭脂、ポリイ ミド系榭脂、ポリオレフイン系榭脂、(メタ)アクリル系榭脂、ポリ塩ィ匕ビュル系榭脂、ポ リ塩ィ匕ビニリデン系榭脂、ポリスチレン系榭脂、ポリビニルアルコール系榭脂、ポリアリ レート系榭脂、ポリフエ-レンサルファイド系榭脂等があげられる。これらのな力もポリ エステル系榭脂、ポリカーボネート系榭脂、ポリオレフイン系榭脂が好適である。
[0031] 透明なフィルム基材は、表面に予めスパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射 、電子線照射、化成、酸ィ匕などのエッチング処理や下塗り処理を施して、この上に設 けられる SiOx膜や透明導電性薄膜の密着性を向上させるようにしてもよい。また、 Si Ox膜や透明導電性薄膜を形成する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗浄な どにより除塵、清浄ィ匕を行なってもよい。
[0032] 透明なフィルム基材 1の厚みは、 75〜400 μ m程度であることが好ましい。より好ま しくは 100〜200 μ mである。透明なフィルム基材の厚みが 75 μ mより小さい場合は 、耐久性の問題や加工性にも問題がある。透明なフィルム基材の厚みが 400 /z mより 大きい場合はタツチパネル部位が大きくなるのにカ卩えてタツチパネル入力特性として 、重加重が必要となり好ましくない。
[0033] また、透明なフィルム基材 1が、 2枚以上の透明なフィルム基材の積層体である場合 には、各フィルム基材の厚さ、材料を適宜に選択することができる力 少なくとも一方 は、 20〜125 μ mであるのが好ましい。
[0034] 透明なフィルム基材 1を、透明なフィルム基材の積層体とする場合に用いる粘着剤 層としては、透明性を有するものを特に制限なく使用できる。たとえば、アクリル系粘 着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが用いられる。粘着剤層は、透明基体 の接着後そのクッション効果により、フィルム基材 1の一方の面に設けられた透明導 電性薄膜 2の耐擦傷性ゃタツチパネル用としての打点特性を向上させる機能を有す る。この機能をより良く発揮させる観点から、粘着剤層の弾性係数を l〜100N/cm2 の範囲、厚さを 1 μ m以上、通常 5〜100 μ mの範囲に設定するのが好ましい。
[0035] 前記弾性係数が INZcm2未満では、粘着剤層は非弾性となるため、加圧により容 易に変形してフィルム基材 1、さらには透明導電性薄膜 2に凹凸を生じさせ、またカロ 工切断面からの粘着剤のはみ出しなどが生じやすくなる、さらに透明導電性薄膜 2の 耐擦傷性ゃタツチパネル用としての打点特性の向上効果が低減する。一方、弾性係 数が lOONZcm2を超えると、粘着剤層が硬くなり、そのクッション効果を期待できなく なるため、透明導電性薄膜 2の耐擦傷性ゃタツチパネル用としての打点特性を向上 できない。また、粘着剤層の厚さが 1 μ m未満となると、そのクッション効果をやはり期 待できな 、ため、蓮電性薄膜の耐擦傷性ゃタツチパネル用としての打点特性の向上 を望めない。逆に、厚くなると、透明性を損なったり、粘着剤層の形成やフィルム基材 の貼り合わせ作業性さらにコストの面で好結果を得にくい場合がある。
[0036] 透明導電性薄膜 2の形成に用いる薄膜材料は特に制限されず、たとえば、酸化ス ズを含有する酸化インジウム、アンチモンを含有する酸化スズなどが好ましく用いられ る。透明導電性薄膜 2の形成方法としては、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、 イオンプレーティング法、塗工法などがあげられる。上記の材料の種類および必要と する膜厚に応じて適宜に方法を採用することができる。これらのなかでも、酸化スズを 含有する酸化インジウム (インジウムスズ酸ィ匕物、 ITO)が好適である。透明導電性薄 膜 2の厚さは、前記の通り、 20〜35nmである。透明導電性薄膜 2は、その表面抵抗 値を 1 X 103ΩΖ口以下の良好な導電性を有する連続被膜とするのが好ましい。
[0037] 透明なフィルム基材 1において、透明導電性薄膜 2とは反対側に形成されるハード コート層 3の材料としては、ウレタン系榭脂、メラミン系榭脂、アルキド系榭脂、ェポキ シ系榭脂、アクリル系榭脂、ポリエステル系榭脂、ポリビュルアルコールやエチレン' ビュルアルコール共重合体等のポリビュルアルコール系榭脂、塩ィ匕ビ二ル系榭脂、 塩ィ匕ビ -リデン系榭脂があげられる。また、ポリアリレート系榭脂、スルホン系榭脂、ァ ミド系榭脂、イミド系榭脂、ポリエーテルスルホン系榭脂、ポリエーテルイミド系榭脂、 ポリカーボネート系榭脂、シリコーン系榭脂、フッ素系榭脂、ポリオレフイン系榭脂、ス チレン系榭脂、ビュルピロリドン系榭脂、セルロース系榭脂、アクリロニトリル系榭脂な どもハードコート層の形成に用いることができる。これらの榭脂材料の中でもウレタン 系榭脂が好ましぐウレタンアタリレートが特に好ましく用いられる。なお榭脂層の形成 には、適宜な榭脂の 2種以上のブレンド物なども用いることができる。
[0038] またハードコート層 3はアンチグレア層とすることができる。たとえば、アンチグレア層 としては、上記ハードコート層形成樹脂に、無機物粒子または有機物粒子を分散さ せてなる硬化皮膜により形成するのが好ましい。さらには、アンチグレア層は、ハード コート層表面を、ブラスト処理や型転写等により機械的に表面形状を変化させること により形成することができる。前記ハードコート層を形成する材料に、無機または有機 フィラーを分散させることにより形成することにより-ユートンリング対策層とすることが できる。
[0039] ハードコート層 3上には、ドライプロセスにより形成された厚さ 10〜300nmの SiOx 膜 4を有する。ドライプロセスとしては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン グ等の手法を採用できる。 SiOxの屈折率は 1. 40〜2. 00であるのが好ましい。 SiO X膜の Xは 1. 0〜2. 0である。
[0040] 本発明の透明導電性フィルムは、 SiOx膜 4をドライプロセスにより上記厚さに形成 することによって、 SiOx膜 4側力もの水蒸気透過率と透明導電性薄膜 2側からの水 蒸気透過率が同等になるように制御できる。 SiOx膜 4側力もの水蒸気透過率は、 2g Z(m2' 24hr'atm)以下、さらには 1. 5gZ(m2' 24hr'atm)以下であるのが好まし い。透明導電性薄膜 2側からの水蒸気透過率も前記と同様であるのが好ましい。
[0041] SiOx膜は 1層で形成することができるが、異なる屈折率の 2層以上で形成して、反 射防止機能を向上させることができる。 SiOx膜を 2層以上で形成する場合には、 Si Ox膜の合計の厚さが 10〜300nmになるように調整する。
[0042] SiOx膜を 2層以上とする場合には、ハードコート層側から、少なくとも、屈折率 1. 7 〜1. 9に調整された SiOx膜(1)と屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、 この順で積層される。 SiOx膜を 3層とする場合には、ハードコート層側から、屈折率 1 . 5〜1. 69に調整された SiOx膜 (3)、屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜(1) および屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、この順で積層される。 SiOx 膜を 4層とする場合には、ハードコート層側から、屈折率 1. 7〜1. 9に調整された Si Ox膜(1)および屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、この順で 2回、合 計 4層積層される。 SiOx膜を 2層以上とする場合には、各層の厚みは、反射防止機 能が得られるように光学設計される。なお、 SiOx膜を 5層以上とする場合については 、言及していないが、 5層以上とする場合についても、反射防止機能が得られるような 光学設計の観点から、積層される各 SiOx膜の屈折率、厚みは適宜に決定される。
[0043] また SiOx膜 4には、ペンの滑り性や汚染防止を付与するために、必要に応じて、防 汚層 5を設けることができる。防汚層に使用される榭脂としては、フッ素系、シリコーン 系、メラミン系、アクリル系等の榭脂、シランカップリング剤、およびワックス等が好まし く用いられる。防汚層 5の形成方法は、リバースコート法、ダイコート法、グラビアコート 法等に代表されるウエット法や、 CVD法等のドライ法等の従来公知の方法を採用で きる。防汚層 5は反射防止層を兼ねることができる。防汚層 5の厚さは、通常、 1〜50 nm、さらには l〜30nmであるのが好ましい。
[0044] 本発明の透明導電性フィルムは、各層の間、たとえば、透明なフィルム基材 1と導 電性薄膜 2の間、透明なフィルム基材 1とハードコート層 3の間、ハードコート層 3と Si Ox膜 4の間、 SiOx膜 4と防汚層 5の間、さらには積層体とした透明なフィルム基材 1 における各透明なフィルム基材と粘着剤層との間には、アンカーコート層、易接着層 等を有することができる。
[0045] アンカーコート層、易接着層としては、メラミン系榭脂、ウレタン系榭脂、アルキド系 榭脂、アクリル系榭脂、エポキシ系榭脂、シリコーン系榭脂などの硬化型榭脂からな る硬化皮膜が好ましく用いられる。これらは単独または混合系によるハイブリット系とし て用いられる。また、 SiO , TiO , NaF, Na A1F , LiF, MgF , CaF , BaF , SiO,
2 2 3 6 2 2 2
SiO , LaF , CeF , Al O , CeO , Nd O , Sb O , Ta O , ZrO , ZnO, ZnS等よ
X 3 3 2 3 2 2 3 2 3 2 5 2
りなる無機酸化物、または無機酸ィ匕物とアクリル系榭脂、ウレタン榭脂、シロキサン系 ポリマーなどの有機物との混合体などがあげられる。アンカーコート層、易接着層を 設ける場合には、 300nm以下とするのが好ましい。より好ましくは 10〜300nmであ る。
[0046] 本発明の透明導電性フィルムの製法は特に制限されない。透明導電性フィルムの 透明なフィルム基材 1が、透明なフィルム基材 1枚である場合(図 1の場合)には、透 明なフィルム基材 1の、一方の面にハードコート層 3、 SiOx膜 4を形成し、透明なフィ ルム基材 1の他方の面には透明導電性薄膜 2を形成する。透明なフィルム基材 1が、 透明なフィルム基材 2枚の場合(図 2の場合)には、透明なフィルム基材 l la、 12aを、 粘着剤層 l ibを介して貼り合わせた積層体 1について、上記同様に、積層体 1の一 方の面にハードコート層 3、 SiOx膜 4を形成し、他方の面には透明導電性薄膜 2を形 成することができる。また、 1枚の透明なフィルム基材 11aの一方の面に透明導電性 薄膜 2を形成しておき、他の 1枚の透明なフィルム基材 12aの一方の面にハードコー ト層 3、 SiOx膜 4を形成しておき、これら透明なフィルム基材 l la、 12aの前記薄膜の 設けられていない側を、透明な粘着剤層 l ibにより貼り合わせることができる。この貼 り合わせは、透明なフィルム基材 l la、 12bのいずれの側または両側に粘着剤層 11 bを設けておいて、これらを貼り合わせる。
[0047] 本発明の透明導電性フィルムの光透過率は 86%以上であることが好ましい。より好 ましくは 88%以上、更に好ましくは 90%以上である。透明なフィルム基材の光透過 率が 86%より小さい場合は、本発明の透明導電性フィルムを用いてタツチパネルを 形成した場合、表示が暗くなり、光学特性に問題が生じる場合がある。
[0048] 本発明の透明導電性フィルムはタツチパネルのパネル板として好適に適用される。
すなわち、透明導電性薄膜を有する一対のパネル板を、互いに直交する縞状に形 成した透明導電性薄膜同士が対向するように、スぺーサ Sを介して対向配置してなる タツチパネルにおいて、一方のパネル板として、上記透明導電性フィルムを用いるこ とができる(通常、押圧する上側のパネル板)。このタツチパネルは、上側のパネル板 側より、スぺーサの弾性力に杭して押圧打点したとき、透明導電性薄膜同士が接触 して、電気回路の ON状態となり、上記押圧を解除すると、元の OFF状態に戻る、透 明スィッチ構体として機能する。タツチパネルに用いるパネル板は、上下いずれか一 方には、本発明の透明導電性フィルムを用いる力 他のパネル板は、プラスチックフ イルムやガラス板など力 なる透明基体に透明導電性薄膜を設けたものを用いること ができる。上下いずれも、本発明の透明導電性フィルムを用いてもよい。
実施例
[0049] 以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明する。なお、以下において 、部とあるのは重量部を意味する。光の屈折率は、アッベ屈折率計により 25°Cで測 定した値である。
[0050] 実施例 1
(導電性薄膜の形成)
厚さ 25 μ mのポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム 1)の一方の面に、 アルゴンガス 80%と酸素ガス 20%とからなる 4 X 103Torrの雰囲気中で、酸化インジ ゥム 90重量%—酸化スズ 10重量%の焼結体を用いた反応性スパッタリング法により 、厚さ 25nmの ITO膜 (光の屈折率: 2. 00)力もなる透明な導電性薄膜を形成した。
[0051] (ハードコート層の形成)
厚さ 125 μ mのポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム 2)の一方の面に 、アクリル ·ウレタン系榭脂(大日本インキ化学工業 (株)製のュ-ディック 17 - 806) 1 00部に光重合開始剤としてのヒドロキシシクロへキシルフエ-ルケトン(チバスぺシャ ルティケミカルズ社製のィルガキュア 184) 5部をカ卩えて、 50重量%濃度に希釈して なるトルエン溶液を塗布し、 100°Cで 3分間乾燥したのち、直ちにオゾンタイプ高圧 水銀灯(80WZcm、 15cm集光型) 2灯で紫外線照射を行い、厚さ 5 mのハードコ 一ト層を形成した。
[0052] (SiOx膜 Z防汚層の形成)
上記ハードコート層の上に真空蒸着法を用いて、厚さ 80nmの SiOx膜 (x: l. 8, 屈折率 1. 8)を形成した。さらに SiOx膜上に、フッ素系榭脂(大日本インキ化学工業 社製)をグラビアコート法にてコーティングして厚さ 10nmの防汚層を形成した。
[0053] (透明導電性フィルムの作製)
上記 PETフィルム 2のハードコート層、 SiOx膜を形成しなかった面に、弾性係数が lONZcm2に調整されたアクリル系の透明な粘着剤層(アクリル酸ブチルとアクリル 酸と酢酸ビュルとの重量比が 100: 2: 5のアクリル系共重合体 100部にイソシァネー ト系架橋剤を 1部配合してなるもの)を約 20 mの厚さに形成した。この粘着剤層面 に、上記 PETフィルム 1の透明な導電性薄膜を設けていない側を貼り合わせ、透明 導電性フィルムを作製した。弾性係数 (動的貯蔵弾性率: G')は粘弾性スぺタトロメ一 タ(レオメトリック 'サイエンティフィック社製, ARES装置)を用い、周波数 1ヘルツにて 温度分散測定を行!ゝ、 20°Cで測定した値である。
[0054] (タツチパネルの作製)
この透明導電性フィルムを一方のパネル板とし、他方のパネル板として、ガラス板上 に厚さ 30nmの ITO薄膜を上記と同様の方法で形成したものを用い、この両パネル 板を、 ITO薄膜同士が対向するように、厚さ 10 mのスぺーサを介して対向配置し て、スィッチ構体としてのタツチパネルを作製した。なお、両パネル板の各 ITO薄膜 は、上記の対向配置に先立って、予め互いに直交するように銀電極を形成した。 [0055] 実施例 2
実施例 1において、 SiOx膜の厚さを 30nmとしたこと以外は、実施例 1と同様にして 透明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0056] 実施例 3
実施例 1において、 SiOx膜の厚さを 150nmとしたこと以外は、実施例 1と同様にし て透明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0057] 実施例 4
実施例 1において、 PETフィルム 1に ITO膜を形成するにあたり、下記熱硬化型榭 脂層を形成し、さらにシリカコート法によりシリカコート層: SiO (光の屈折率 n= l. 46
2
)を形成して力も ITO膜を形成したこと以外は、実施例 1と同様にして透明導電性フィ ルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。前記熱硬化型榭脂層の形成は、メラ ミン榭脂:アルキド榭脂:有機シラン縮合物の 2 : 2 : 1の比率 (重量比)カゝらなる厚さ 15 Onmの熱硬化型榭脂層(光の屈折率 n= l . 54)により行なった。次いで、シリカゾル (コルコート (株)製のコルコート P)を固形分濃度 2重量%となるようにエタノールで希 釈したものを、上記熱硬化型榭脂層上に塗布後、 150°Cで 2分間乾燥、硬化させて、 厚さ約 30nmのシリカコート層を形成した。
[0058] 実施例 5
実施例 1において、 SiOx膜の形成を、ハードコート層の上に、真空蒸着法を用いて 、厚さ 80nmの SiOx膜 (x: l. 8,屈折率 1. 8)、次いで、厚さ 70nmの SiOx膜 (x: 2. 0,屈折率 1. 46)を順次に 2層形成することにより行ったこと以外は、実施例 1と同様 にして透明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0059] 実施例 6
実施例 4において、 SiOx膜の形成を、ハードコート層の上に、真空蒸着法を用いて 、厚さ 80nmの SiOx膜 (x: l. 8,屈折率 1. 8)、次いで、厚さ 70nmの SiOx膜 (x: 2. 0,屈折率 1. 46)を順次に 2層形成することにより行ったこと以外は、実施例 4と同様 にして透明導電性フィルムを作製した。また、当該透明導電性フィルムを用いて、実 施例 1と同様にしてタツチパネルを作製した。
[0060] 実施例 7 実施例 4において、 SiOx膜の形成を、ハードコート層の上に、真空蒸着法を用いて 、厚さ 100應の SiOx膜 (x: l. 9,屈折率 1. 6)、厚さ 80nmの SiOx膜 (x: 1. 8,屈 折率 1. 80)、次いで、厚さ 70nmの SiOx膜 (x: 2. 0,屈折率 1. 46)を順次に 3層形 成することにより行ったこと以外は、実施例 4と同様にして透明導電性フィルムを作製 した。また、当該透明導電性フィルムを用いて、実施例 1と同様にしてタツチパネルを 作製した。
[0061] 実施例 8
実施例 4において、 SiOx膜の形成を、ハードコート層の上に、真空蒸着法を用いて 、厚さ 25nmの SiOx膜 (x: l. 8,屈折率 1. 80)、厚さ 25nmの SiOx膜 (x: 2. 0,屈 折率 1. 46)、厚さ 80應の SiOx膜 (x: l. 8,屈折率 1. 80)、厚さ 70應の SiOx膜( x: 2. 0,屈折率 1. 46)、を順次に 4層形成することにより行ったこと以外は、実施例 4 と同様にして透明導電性フィルムを作製した。また、当該透明導電性フィルムを用い て、実施例 1と同様にしてタツチパネルを作製した。
[0062] 比較例 1
上記ハードコート処理の上に真空蒸着法により SiOx膜を形成する代わりに、シリカ コート法 (ウエット法)によりシリカコート層: SiOを形成したこと以外は、実施例 1と同
2
様にして透明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。シリカコート 法は、シリカゾル (コルコート (株)製のコルコート P)を固形分濃度 2重量%となるよう にエタノールで希釈したものを、 150°Cで 2分間乾燥、硬化させて、厚さ 80nmのシリ 力コート層を形成した。
[0063] 比較例 2
実施例 1において、 SiOx膜を形成しな力つたこと以外は、実施例 1と同様にして透 明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0064] 比較例 3
実施例 1において、 SiOx膜の厚さを 5nmとしたこと以外は、実施例 1と同様にして 透明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0065] 比較例 4
実施例 4において、 SiOx膜を形成しな力つたこと以外は、実施例 1と同様にして透 明導電性フィルムを作製し、同様にタツチパネルを作製した。
[0066] 上記実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムの各構成を表 1に示す。
また、当該透明導電性フィルムの表面抵抗値、光の透過率、カール特性、水蒸気透 過率を、下記の方法で測定した。結果を表 2に示す。
[0067] <表面抵抗値 >
二端子法を用いて、フィルムの表面電気抵抗( Ω Z口)を測定した。
[0068] <光の透過率 >
島津製作所製の分光分析装置 UV— 240を用いて、光波長 550nmにおける可視 光線透過率を測定した。
[0069] <カール特性 >
透明導電性フィルムを 10cm角に切り取り、 150°Cで 1時間熱処理を行い、常温常 湿(23°C, 50%RH)で 1時間放置した。その後、温度 60°C、湿度 95%RHの環境下 に 30分間放置し、水平な支持板上に透明導電性薄膜が上になるように置き、支持板 力も透明導電性フィルムの四隅までの高さを測定した。その高さの最大値をカール t¾さ (mm)とした。
[0070] <水蒸気透過率 >
水蒸気透過率は、 JIS Z 0208に準じて測定した。すなわち、アルミ製透湿性カツ プを使用し、内部に一定量の吸湿剤 (塩ィ匕カルシウム)を入れ、カップ開放部に透明 導電性フィルムを置き、ロウを用いて隙間をシールした。その後、この透湿カップを、 40°C、 90%RHの恒温恒湿槽に入れ、時間ごとの重量を測定して、その傾き (A)と 下記式力 水蒸気透過率を求めた。水蒸気透過率は、値が小さいほど水蒸気バリア 性が良好であるものと評価することができる。
[0071] なお、 SiOx膜側からの水蒸気透過率は、防汚層を形成する前の透明導電性フィ ルムを用い、 SiOx膜側を透湿カップの開放部に対向させてロウでシールして、上記 のようにして求めた。一方、 ITO側からの水蒸気透過率は、透明導電性フィルムの IT O薄膜側を透湿カップの開放部に対向させてロウでシールして、上記のようにして求 めた。
[0072] 水蒸気透過率(gZ(m2' 24hr'atm) ) =A(gZhr)Z( X 0. 03 X 0. 03) X 24 (
Figure imgf000017_0001
I LLlO/SOOZdT/lDd 9 V 簡 900Z OAV アンカー層(nm) SiOx膜
PET PET ハード
ITO膜 粘着剤層 合計膜厚
フィルム 1 フィルム 2 防汚層 (nm) シリカ 熱硬化型 (jt/m) (各層の膜厚/ハード 各層の屈折率
(j( m) (jU m) (jtim) 成膜法 層数 (nm コート層 樹脂層 コート層側から) (ハードコート層側から)
(nm;
実施例 1 25 ― - 25 20 125 5 真空蒸着 1層 80 1.8 10 実施例 2 25 - 一 25 20 125 5 真空蒸着 1層 30 1.8 10 実施例 3 25 - - 25 20 125 5 真空蒸着 1層 150 1.8 10 実施例 4 25 30 150 25 20 125 5 真空蒸着 1層 80 1.8 10 実施例 5 25 - 一 25 20 125 5 真空蒸着 2層 150(80/70) 1.8/ 1.46 10 実施例 6 25 30 150 25 20 125 5 真空蒸着 150(80/70) 1.8/1.46 10 実施例 7 25 30 150 25 20 125 5 真空蒸着 3層 250(100/80/70) 1.6/1.8/1.46 10 実施例 8 25 30 150 25 20 125 5 真空蒸着 4層 200(25/25/80/70) 1.8/1.46/1.8/1.46 10 比較例 1 25 - - 25 20 125 5 シリカコート 1層 80 1.8 10 比較例 2 25 - - 25 20 125 5 ― ― ― ― 10 比較例 3 25 - - 25 20 125 5 真空蒸着 1層 5 1.8 10 比較例 4 25 30 150 25 20 125 5 ― ― ― ― 10
[0074] [表 2]
Figure imgf000019_0001
[0075] 表 1、 2より明らかなように、比較例 1〜4に比べて実施例 1〜8は、カール高さが小さ ぐ高温高湿の環境下においても、うねりやカールの発生を抑えられることが分かる。 また、実施例 5〜8では、実施例 1〜4よりも透過率が向上しており、反射防止機能も 向上していることが分かる。
産業上の利用可能性
[0076] 本発明の透明導電性フィルムは、液晶ディスプレイ、エレクト口ルミネッセンスデイス プレイなどの新し 、ディスプレイ方式ゃタツチパネルなどにおける透明電極に用いら れる他、透明物品の帯電防止や電磁波遮断などのために好適である。

Claims

請求の範囲
[1] 透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、さらに当該ハードコート層 上にドライプロセスにより形成された厚さ 10〜300nmの SiOx膜を有し、透明なフィ ルム基材の他方の面には厚さ 20〜35nmの透明導電性薄膜を有することを特徴と する透明導電性フィルム。
[2] SiOx膜側の水蒸気透過率が 2gZ (m2- 24hr-atm)以下であることを特徴とする請 求項 1記載の透明導電性フィルム。
[3] SiOx膜上に、さらに防汚層を有することを特徴とする請求項 1記載の透明導電性 フイノレム。
[4] 透明なフィルム基材が、 2枚以上の透明なフィルム基材を透明な接着剤層を介して 貼り合わせた積層体であることを特徴とする請求項 1記載の透明導電性フィルム。
[5] 透明導電性薄膜が、インジウムスズ酸ィ匕物力もなる薄膜であることを特徴とする請 求項 1記載の透明導電性フィルム。
[6] SiOx膜の屈折率力 1. 40〜2. 00であることを特徴とする請求項 1記載の透明導 電性フィルム。
[7] SiOx膜は、ハードコート層側から、少なくとも、屈折率 1. 7〜1. 9に調整された Si
Ox膜(1)と屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、この順で積層されてい ることを特徴とする請求項 6記載の透明導電性フィルム。
[8] SiOx膜は、ハードコート層側から、屈折率 1. 5〜1. 69に調整された SiOx膜 (3)、 屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜(1)および屈折率 1. 4〜1. 49に調整され た SiOx膜 (2)力 この順で 3層積層されていることを特徴とする請求項 6記載の透明 導電性フィルム。
[9] SiOx膜は、ハードコート層側から、屈折率 1. 7〜1. 9に調整された SiOx膜(1)お よび屈折率 1. 4〜1. 49に調整された SiOx膜 (2)が、この順で 2回、合計 4層積層さ れていることを特徴とする請求項 6記載の透明導電性フィルム。
[10] 透明導電性薄膜を有する一対のパネル板を、透明導電性薄膜同士が対向するよう に、スぺーサを介して対向配置してなるタツチパネルにぉ 、て、
少なくとも一方のパネル板力 請求項 1〜9のいずれかに記載の透明導電性フィル ムであることを特徴とするタツチパネル。
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TW (1) TW200614280A (ja)
WO (1) WO2006038494A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110139607A1 (en) * 2007-01-10 2011-06-16 Nitto Denko Corporation Transparent conductive film and method for producing the same
US9260777B2 (en) 2006-01-30 2016-02-16 Nitto Denko Corporation Transparent crystalline electrically-conductive thin film, method of production thereof, transparent electrically-conductive film, and touch panel

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5116004B2 (ja) * 2006-08-03 2013-01-09 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル
DE102007045166A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Tesa Ag Transparentes Klebeband
JP5432501B2 (ja) * 2008-05-13 2014-03-05 日東電工株式会社 透明導電フィルム及びその製造方法
CN101582304A (zh) * 2008-05-13 2009-11-18 日东电工株式会社 透明导电膜及其制造方法
JP5689792B2 (ja) * 2008-05-29 2015-03-25 コーロン インダストリーズ インク 保護フィルム
TWI463165B (zh) * 2008-05-29 2014-12-01 Kolon Inc 保護膜
TWI420373B (zh) * 2008-07-24 2013-12-21 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板及其製造方法
JP5366502B2 (ja) * 2008-10-31 2013-12-11 富士フイルム株式会社 タッチパネル用導電膜及びその製造方法
US10061461B2 (en) * 2008-12-26 2018-08-28 Teijin Limited Transparent electroconductive laminate and transparent touch panel using the same
CN102939770B (zh) * 2010-03-19 2015-12-09 领先仿生公司 防水声学元件封罩以及包括其的设备
CN101831614A (zh) * 2010-05-06 2010-09-15 深圳市力合薄膜科技有限公司 电容触摸屏的镀膜生产工艺
JP2012033466A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Fujifilm Corp 導電層転写材料、及びタッチパネル
JP6077194B2 (ja) * 2010-12-07 2017-02-08 ソニー株式会社 導電性光学素子ならびに情報入力装置および表示装置
CN102789828A (zh) * 2011-05-19 2012-11-21 智盛全球股份有限公司 导电性膜层结构及其触控面板
JP5110226B1 (ja) * 2011-06-22 2012-12-26 東レフィルム加工株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
TWI575539B (zh) * 2011-09-02 2017-03-21 Nat Yunlin Univ Of Science & Tech Conductive capacity with high translucent plate structure
US9844898B2 (en) 2011-09-30 2017-12-19 Apple Inc. Mirror feature in devices
CN104105598B (zh) * 2012-01-27 2017-04-26 三星Sdi株式会社 用于视窗片的层压板、包括它的视窗片和包括它的显示设备
CN103247365A (zh) * 2013-05-16 2013-08-14 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏导电膜及其制作方法
AU2014278451B2 (en) 2013-06-09 2017-05-18 Apple Inc. Laser-formed features
US9727178B2 (en) 2013-09-05 2017-08-08 Apple Inc. Opaque white coating with non-conductive mirror
US9790126B2 (en) 2013-09-05 2017-10-17 Apple Inc. Opaque color stack for electronic device
US9629271B1 (en) 2013-09-30 2017-04-18 Apple Inc. Laser texturing of a surface
JP5990205B2 (ja) * 2014-02-19 2016-09-07 富士フイルム株式会社 積層構造体およびタッチパネルモジュール
JP6521584B2 (ja) 2014-07-17 2019-05-29 株式会社小糸製作所 透光性樹脂部材
CN108349296B (zh) 2016-09-06 2019-11-05 苹果公司 阳极化表面的激光漂白标记
KR101869852B1 (ko) * 2016-11-23 2018-06-21 율촌화학 주식회사 디스플레이 장치용 다층 필름
US10919326B2 (en) 2018-07-03 2021-02-16 Apple Inc. Controlled ablation and surface modification for marking an electronic device
US11200385B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Apple Inc. Electronic card having an electronic interface
US11571766B2 (en) 2018-12-10 2023-02-07 Apple Inc. Laser marking of an electronic device through a cover
US11299421B2 (en) 2019-05-13 2022-04-12 Apple Inc. Electronic device enclosure with a glass member having an internal encoded marking
EP4123357A1 (en) * 2021-07-23 2023-01-25 Ficosa Adas, S.L.U. Lens assembly, camera module having a lens assembly for motor vehicles, and a method for making a lens assembly

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08167726A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光電変換素子
JP2003002985A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Teijin Ltd 近赤外線遮蔽フィルム及びそれを用いた積層体

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790144B2 (ja) 1988-06-23 1998-08-27 東レ株式会社 導電性を有するプラスチック成形体
JP3017912B2 (ja) 1993-12-13 2000-03-13 シャープ株式会社 液晶表示装置用電極基板及び液晶表示装置
JPH08132554A (ja) 1994-11-08 1996-05-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 透明導電性フィルム
JPH10246883A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Pilot Corp:The 防汚性を有する液晶表示素子
JPH11195487A (ja) 1997-12-27 1999-07-21 Tdk Corp 有機el素子
JP3983366B2 (ja) 1998-02-02 2007-09-26 帝人株式会社 透明導電性フィルム用基板
JPH11286066A (ja) 1998-03-31 1999-10-19 Oike Ind Co Ltd 透明導電性フイルム
JP2000040896A (ja) 1998-07-23 2000-02-08 Shield Tec Kk 電磁波遮蔽材、その製造方法および電磁波シールド対策製品
JP2000047007A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Sony Corp 反射防止膜及び陰極線管
US6504582B1 (en) * 1998-10-02 2003-01-07 3M Innovative Properties Co Scratch resistant display and method of making same using homeotrophic liquid crystal silanes
JP2001306258A (ja) * 2000-02-18 2001-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd タッチパネル用透明導電膜付き基板
TW525195B (en) 2000-03-28 2003-03-21 Toyo Boseki Transparent conductive film, transparent conductive sheet and touch panel
JP3995141B2 (ja) 2000-06-12 2007-10-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル電極
JP2002042582A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板の製造方法、及び該製造方法により製造された透明導電膜付き基板、並びに該基板を用いたタッチパネル
JP4484347B2 (ja) 2000-10-12 2010-06-16 尾池工業株式会社 透明導電性フイルムおよびタッチパネル
JP2002148615A (ja) 2000-11-08 2002-05-22 Nitto Denko Corp 光学フィルム及び反射型液晶表示装置
JP4004025B2 (ja) 2001-02-13 2007-11-07 日東電工株式会社 透明導電性積層体およびタッチパネル
EP1452556B1 (en) 2001-06-21 2009-06-10 Teijin Limited Near infrared ray shielding film
WO2003012799A1 (fr) 2001-07-31 2003-02-13 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Film conducteur transparent et procede de fabrication associe, feuille conductrice transparente et ecran tactile
JP2003094548A (ja) 2001-09-26 2003-04-03 Sony Corp 反射防止フィルム
JP2003236969A (ja) 2002-02-20 2003-08-26 Teijin Dupont Films Japan Ltd 着色ハードコートフィルム
JP2003320609A (ja) 2002-02-26 2003-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
TW562736B (en) 2002-03-06 2003-11-21 Applied Vacuum Coating Technol Multilayer antireflection coating with a transparent conductive layer
JP2004046728A (ja) 2002-07-15 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd タッチパネル及びタッチパネル搭載表示装置
US7190354B2 (en) 2002-07-15 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Inner type touch panel, process for producing the same and display unit
JP2004054492A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Fuji Photo Film Co Ltd インナータイプタッチパネル、その製造方法及び表示装置
TW574515B (en) 2002-09-02 2004-02-01 Au Optronics Corp Touch panel with a front-light plate function and its manufacturing method
JP2004127820A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
JP4208187B2 (ja) 2002-10-28 2009-01-14 日東電工株式会社 粘着型光学フィルム、粘着型光学フィルムの製造方法および画像表示装置
JP2004259256A (ja) 2003-02-05 2004-09-16 Nitto Denko Corp 透明積層体、ペン入力画像表示装置および画像表示方法
JP4285059B2 (ja) 2003-04-22 2009-06-24 日油株式会社 透明導電性材料及びタッチパネル
JP2005000308A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Toshiba Tec Corp 吸込み口体及び電気掃除機
JP4753416B2 (ja) 2004-04-30 2011-08-24 日東電工株式会社 透明導電性積層体およびタッチパネル
US8097330B2 (en) 2004-04-30 2012-01-17 Nitto Denko Corporation Transparent conductive multilayer body and touch panel
JP4500159B2 (ja) 2004-12-22 2010-07-14 日東電工株式会社 透明導電性積層体およびそれを備えたタッチパネル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08167726A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光電変換素子
JP2003002985A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Teijin Ltd 近赤外線遮蔽フィルム及びそれを用いた積層体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9260777B2 (en) 2006-01-30 2016-02-16 Nitto Denko Corporation Transparent crystalline electrically-conductive thin film, method of production thereof, transparent electrically-conductive film, and touch panel
US20110139607A1 (en) * 2007-01-10 2011-06-16 Nitto Denko Corporation Transparent conductive film and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20080096013A1 (en) 2008-04-24
KR20070033443A (ko) 2007-03-26
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CN100442083C (zh) 2008-12-10
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KR101046897B1 (ko) 2011-07-06

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