JP2003320609A - 透明導電性フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ペン入力タッチパネルのような大きな摺動負
荷にも充分耐え、クラックが入ったり、剥離することが
なく、さらに導電層をスパッタリング法に形成した場合
であっても、ガスによる問題が生ぜず、基材が変形する
ことがない透明導電性フィルムを提供することを主たる
課題とする。 【解決手段】 基材、導電層を固定するためのアンカー
層、導電層、を順次積層してなる透明導電性フィルムで
あって、前記アンカー層がプラズマＣＶＤ法により形成
されたシリカ層であることを特徴とする透明導電性フィ
ルムを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、タッチパネル等の
透明電極として良く使用される透明導電性フィルムに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基材としてＰＥＴフィルムな
どを用い、導電層としてこの基材上に直接ＩＴＯなどの
金属酸化物を積層することにより製造された導電性フィ
ルムが広く知られており、タッチパネルなどに多く用い
られている。そして、導電層としてＩＴＯなどの金属酸
化物を積層する際には、スパッタリング法が用いられる
ことが多い。

【０００３】しかしながら、導電層の形成に際し、スパ
ッタリング法を用いた場合には、スパッタリング時に基
材から水分やガスが発生する場合があり、その結果、物
性の安定した導電層を形成することが困難であり、ま
た、導電層中に水分やガスが混入した場合には、透明性
や導電性に悪影響が生じる場合もあった。さらに、スパ
ッタリング法により導電層を形成した場合には、基材と
導電層との密着性が弱いという問題もあった。

【０００４】最近の導電性フィルムを用いたタッチパネ
ルにあっては、ペン入力を可能とするものが要求される
ようになっており、上述の問題がある透明導電性フィル
ムを使用したのでは、ペン先のように鋭角又は半径の小
さな先端で、繰り返し摺動されると導電層にクラックが
入ったり剥がれたりすることが多かった。

【０００５】現在は、前記問題を解消するために、基材
上に直接導電層を積層するのではなく、基材と導電層と
の間に易接着層を設けた透明導電性フィルムが開発され
ている（例えば、特許文献１）。また、基材と導電層と
の間にポリシラザン加熱による二酸化珪素層をアンカー
層として設けた透明導電性フィルムも開発されている
（例えば、特許文献２）。さらに、アンカー効果及びガ
スバリア性を有する層としてＰＶＤ法により金属酸化物
層を積層した透明導電性フィルムの開発されている（例
えば、特許文献３、４）。

【特許文献１】実開平６−４２１６２号公報

【特許文献２】特開平９−２３７１５９号公報

【特許文献３】特開平６１−１８３８１０号公報

【特許文献４】特開平９−２７７４２６号公報

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記易
接着層やアンカー層はいずれもウェットコートにより形
成されるものであるため、接着層の厚さにムラが生じや
すく、表面の平滑性が低いという問題点がある。このよ
うに接着層に厚ムラが生じると、接着層上に積層される
導電層にも厚ムラが生じ、その結果、最終的には透明導
電性フィルム全体として干渉縞（色ムラ）が生じてい
た。

【０００７】また、アンカー層を用いた場合には、導電
層をスパッタリング法により積層する際に、当該アンカ
ー層からガスが発生する場合があり、前記と同様の問題
が生じる場合もあった。

【０００８】さらに、ポリシラザン加熱により二酸化珪
素層をアンカー層として設ける場合や、イオンプレーテ
ィング法やＰＶＤ法でアンカー層を設けた場合には、基
材が熱ダメージを受け変形（カール）を生じる場合があ
り、これに加えＰＶＤ法を用いたアンカー層は可撓性が
低く、少しの衝撃でクラックが発生するという問題もあ
った。

【０００９】さらにまた、酸化珪素層を設けることによ
りアンカー層にガスバリア性を付与させようとした場合
においては、当該酸化珪素層が黄色く着色してしまうと
いった問題もあった。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであり、ペン入力タッチパネルのような大きな摺動
負荷にも充分耐え、クラックが入ったり、剥離すること
がなく、さらに導電層をスパッタリング法に形成した場
合であっても、ガスによる問題が生ぜず、基材が変形す
ることがない透明導電性フィルムを提供することを主た
る課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、請求項１において、基材、導電層を固定す
るためのアンカー層、導電層、を順次積層してなる透明
導電性フィルムであって、前記アンカー層がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されたシリカ層であることを特徴とす
る透明導電性フィルムを提供する。

【００１２】この発明によれば、透明導電性フィルム
は、基材、導電層を固定するためのアンカー層、導電
層、を順次積層してなる透明導電性フィルムであって、
前記アンカー層がプラズマＣＶＤ法により形成されたシ
リカ層であるため、従来から問題を生じていた易接着層
を用いなくても、基材と導電層との密着性を向上するこ
とができる。なぜなら、本発明におけるアンカー層とし
てのシリカ層は、ウェットコートにより形成されたもの
ではなく基材上に直接プラズマＣＶＤ法により蒸着せし
められるものだからである。そしてまた、本発明のアン
カー層は、従来のそれと異なりプラズマＣＶＤ法で形成
されているので、当該アンカー層を形成する際に厚ムラ
が生じることがなく、表面の平滑性を保つこともでき
る。また、プラズマＣＶＤ法を用いることにより、特に
可撓性に優れたアンカー層とすることができる。そして
その結果、ペン入力タッチパネルのような大きな摺動付
加にも充分耐え、クラックが入ったり、剥離することが
ない良好な透明導電性フィルムを提供することができ
る。

【００１３】さらに、前記請求項１に記載する発明にお
いては、請求項２に記載するように、前記アンカー層と
してのシリカ層が、ＳｉＯｘＣｙ（ｘ＝０．５〜１．
７、ｙ＝０．１〜１．５）であってもよい。

【００１４】このような組成を有するシリカ層は、前述
した本発明の作用効果を特に発揮することができるから
である。

【００１５】さらに、前記請求項１又は請求項２に記載
する発明においては、請求項３に記載するように、前記
アンカー層を積層しない側の基材表面にハードコート層
を積層してもよい。

【００１６】この発明によれば、前記アンカー層を積層
しない側の基材表面にハードコート層を積層するので、
透明導電性フィルム全体としての強度を上げることがで
き、ペン入力タッチパネルのような大きな摺動負荷がか
かる場合であっても使用することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の透明導電性フィ
ルムについて図面を用いて具体的に説明する。

【００１８】図１は、本発明の透明導電性フィルム１の
概略断面図である。

【００１９】図１に示すように、本発明の透明導電性フ
ィルム１は、基材２、アンカー層３、導電層４、を順次
積層することにより形成されており、アンカー層３がプ
ラズマＣＶＤ法により形成されたシリカ層であることに
特徴を有している。以下、透明導電性フィルム１を構成
するそれぞれについて説明する。

【００２０】［１］基材 本発明の透明導電性フィルム１における基材２は、特に
限定されることはなく、従来から一般的に使用されてい
る透明樹脂フィルムの全てを用いることができる。具体
的には、二軸延伸された透明なポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（以下、単に「ＰＥＴフィルム」とす
る。）や、セルロースフィルムを用いるのが好ましい。
ＰＥＴフィルム以外であっても、例えば、ポリエーテル
スルホンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリア
リレートフィルム、ポリスルホンフィルム、非晶性ポリ
エステルフィルム、非晶性ポリオレフィンフィルム、等
であっても良い。

【００２１】基材の厚さについても、本発明は特に限定
することはなく、当該基材上に以下で説明するアンカー
層と導電層を積層した場合において、透明導電性フィル
ムとして使用可能な程度の厚さであればよい。具体的に
は、２０〜２００μｍ程度の厚さが好ましい。

【００２２】［２］アンカー層 本発明の透明導電性フィルム１におけるアンカー層３
は、前記基材１上に導電層３を固定するために設けられ
る層であり、本発明は、このアンカー層３がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されたシリカ層であることに特徴を有
している。アンカー層３としてのシリカ層をプラズマＣ
ＶＤ法により形成することにより、層圧が均一な薄層を
形成することができ、ウェットコートにより形成された
アンカー層を用いていた従来の透明導電性フィルムが有
する問題点を解決することができるとともに、可撓性に
優れたアンカー層とすることができるからである。

【００２３】図２は、代表的なプラズマＣＶＤ装置の一
例を示す概略図である。

【００２４】図２において、プラズマＣＶＤ装置１１
は、チャンバー１２、このチャンバー１２内に配設され
た供給ローラ１３、巻取ローラ１４、冷却・電極ドラム
１５、補助ローラ１６を備え、冷却・電極ドラム１５は
電源１７に接続されているとともに、チャンバー１２内
は真空ポンプ１８により所望の真空度に設定できるよう
になっている。さらに、チャンバー１２内の冷却・電極
ドラム１５の近傍には、原料供給ノズル１９の開口部が
位置しており、この原料供給ノズル１９の他端は、チャ
ンバー１２外部に配設されている原料揮発供給装置２１
およびガス供給装置２２に接続されている。また、冷却
・電極ドラム１５の近傍にはマグネット２３を設置し、
プラズマの発生を促進している。

【００２５】上述のようなプラズマＣＶＤ装置１１の供
給ローラ１３に、基材２の原反を装着し、補助ローラ１
６、冷却・電極ドラム１５、補助ローラ１６を経由して
巻取ローラ１４に至る図示のような原反搬送パスを形成
する。

【００２６】次に、チャンバー１２内を真空ポンプ１８
により減圧して、真空度１０^-1〜１０^-8ｔｏｒｒ、好ま
しくは、真空度１０^-3〜１０^-7ｔｏｒｒとする。そし
て、原料揮発供給装置２１において原料である有機珪素
化合物を揮発させ、ガス供給装置２２から供給される酸
素ガスおよび不活性ガスと混合させ、この混合ガスを原
料供給ノズル１９を介してチャンバー１２中に導入す
る。この場合、混合ガス中の有機珪素化合物の含有量は
１〜４０％、酸素ガスの含有量は１０〜７０％、不活性
ガスの含有量は１０〜６０％の範囲とすることができ、
例えば、有機珪素化合物と酸素ガスと不活性ガスの混合
比を１：１：１〜１：１７：１４程度とすることができ
る。

【００２７】一方、冷却・電極ドラム１５には電源１７
から所定の電圧が印加されているため、チャンバー１２
内の原料供給ノズル１９の開口部と冷却・電極ドラム１
５との近傍でグロー放電プラズマＰが確立される。この
グロー放電プラズマＰは、混合ガス中の１つ以上のガス
成分から導出されるものである。この状態で、基材２を
一定速度で搬送させ、グロー放電プラズマＰによって冷
却・電極ドラム１５の周面上の基材２上に珪素酸化物の
連続層からなるアンカー層３を形成する。このときのチ
ャンバー１２内の真空度は、１０^-1〜１０^-4ｔｏｒｒ、
好ましくは、１０^-1〜１０^-2ｔｏｒｒとする。また、基
材２の搬送速度は１０〜３００ｍ／分、好ましくは５０
〜１５０ｍ／分とする。

【００２８】このようにアンカー層３が形成された基材
２は巻取ローラ１４に巻き上げられる。

【００２９】上記のようなプラズマＣＶＤ装置１１にお
けるアンカー層３の形成では、プラズマ化した原料ガス
を酸素で酸化しながらＳｉＯ_xの形で基材２上に薄膜が
形成されるので、形成されたシリカ層は、緻密で隙間の
少なく、平滑で可撓性を有する薄層となる。

【００３０】また、プラズマにより基材２の表面が清浄
化され、基材２表面に極性基やフリーラジカルが発生す
るので、形成された珪素酸化物の薄膜と基材２との接着
性が高いものとなる。さらに、上述のように珪素酸化物
薄膜の形成時の真空度は１０ ^-1〜１０^-4ｔｏｒｒ、好ま
しくは、１０^-1〜１０^-2ｔｏｒｒであり、従来の真空蒸
着による珪素酸化物膜形成時の真空度（１０^-4〜１０^-5
ｔｏｒｒ）に比べて低真空度であるため、基材の原反交
換の際の真空状態設定時間を短くすることができ、真空
度も安定しやすく、成膜プロセスが安定する。

【００３１】本発明において使用する有機珪素化合物と
しては、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、
ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、
メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、メ
チルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエ
チルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン等を挙げることができ
る。このなかでは、特に１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサンが好ましく用
いられる。これらの有機珪素化合物は、常温・常圧では
液体である。

【００３２】上述のプラズマＣＶＤ装置１１などで形成
した本発明のアンカー層３の層厚は、その目的つまり基
材上に導電層を固定することができる程度の厚さであれ
ば良く、特に限定されるものではないが、具体的には５
０〜１０００Åであることが好ましい。５０Åより薄い
と、導電層を固定することができない場合があり、また
１０００Åより厚いと、可撓性に問題が生じたり、透明
導電性フィルムに透明性が要求される場合には透明性に
影響が生じる場合があるからである。

【００３３】また、本発明のアンカー層３としてのシリ
カ層中には、シリカ（珪素酸化物）に加えて、炭素、水
素、珪素および酸素のなかの１種類、あるいは２種類以
上の元素からなる化合物が含有されていても良い。例え
ば、Ｃ−Ｈ結合を有する化合物、Ｓｉ−Ｈ結合を有する
化合物、または炭素単体がグラファイト状、ダイヤモン
ド状、フラーレン状になっている場合、さらに原料の有
機珪素化合物やそれらの誘導体を含有しても良い。具体
例を挙げると、ＣＨ₃部位をもつハイドロカ−ボン、Ｓ
ｉＨ₃シリル、ＳｉＨ₂シリレン等のハイドロシリカ、Ｓ
ｉＨ₂ＯＨシラノールなどの水酸基誘導体などを挙げる
ことができる。

【００３４】前述してきた本発明のアンカー層３として
のシリカ層のなかでも、特にその組成が、ＳｉＯｘＣｙ
（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．１〜１．５）であるこ
とが特に好ましい。

【００３５】このような組成を有するシリカ層は、基
材、導電層との密着性に優れ、透過性も良好であり、さ
らに色ムラやカール（湾曲）、抵抗変化等が生じること
がないからである。

【００３６】ここで、このような数値範囲に限定したの
は、ｘの値が０．５より小さいと、可視光域の短波長側
での透過率が低下し透過光が黄色みを帯びてしまい、逆
に１．７より大きいと、可撓性が低下してしまうからで
ある。また、ｙの値が０．１より小さいと、可撓性が低
下してしまい、逆に１．５より大きいと可視光域の短波
長側での透過率が低下し透過光が黄色みを帯びてしまう
からである。

【００３７】［３］導電層 本発明の透明導電性フィルム１における導電層４は、特
に限定されるものではなく、透明導電性フィルムにおい
て一般的に使用されている導電層のいずれをも使用する
ことが可能である。具体的には、ＩＴＯ（酸化インジウ
ムに錫をドーピングした酸化インジウム錫）代表される
が、他に、例えば二酸化錫をアンチモン又はフッ素でド
ーピングした酸化錫アンチモン（ＡＴＯ）、又は、酸化
錫フッ素（ＦＴＯ）、酸化亜鉛をアルミニウムでドーピ
ングした酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、等のドーピ
ング金属酸化物や、酸化インジウムと酸化亜鉛の複合酸
化物など、ドーピングしない金属酸化物などが挙げられ
る。

【００３８】導電層４の形成手段についても、本発明は
特に限定することはなく、一般的に行われているスパッ
タリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法、等によって形成すれば良い。

【００３９】導電層４の層厚は、特に限定するものでは
ないが、１００〜４００Åであることが好ましい。この
範囲で導電層４を形成することにより良好な導電性（一
般的に表面抵抗値で５００Ω／ｓｑ以下）とすることが
できるからである。また、層厚を４００Å以上とする
と、透明導電性フィルムに透明性が要求される場合に透
明性に悪影響を与えることとなるからである。

【００４０】図３は、本発明の透明導電性フィルムの別
の実施の形態を示す断面図である。

【００４１】図３に示すように、本発明の透明導電性フ
ィルム３０は、基材２、アンカー層３、導電層４、を順
次積層し、さらにアンカー層３を積層しない側の表面
（図面では基材２の下側の表面）にハードコート層６を
積層しても良い。また、このハードコート層と基材２と
の接着性を保持するために接着層５を用いても良い。

【００４２】［４］ハードコート層 ハードコート層６は、透明導電性フィルム３０に強度を
付与するために用いられるものであり、当該作用を奏す
るものであれば特に限定されない。

【００４３】具体的には、電離放射線硬化型樹脂を用い
ることが好ましい。この電離放射線硬化型樹脂として
は、分子中に重合不飽和結合又はカチオン重合性官能基
を有するプレポリマー（所謂オリゴマーも包含する）及
び／又はモノマーを適宜混合した電離放射線により硬化
可能な組成物が好ましく用いられる。なお、ここで電離
放射線とは、電磁波又は電荷粒子線のうち分子を重合あ
るいは架橋し得るエネルギー量子を有するものを意味
し、通常、紫外線（ＵＶ）又は電子線（ＥＢ）が用いら
れる。

【００４４】このような電離放射線硬化型樹脂として
は、具体的には、分子中に（メタ）アクリロイル基、
（メタ）アクリロイルオキシ基、等のラジカル重合性不
飽和基、エボキシ基等のカチオン重合性官能基、又はチ
オール基を２個以上有する単量体、またはプレポリマー
からなる。これらの単量体又はプレポリマーは単量体で
用いるか、あるいは複数種混合して用いる。なお、ここ
で、例えば、（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイ
ル基又はメタアクリロイル基の意味で用いている。

【００４５】ラジカル重合性不飽和基を有するプレポリ
マーの例としては、ポリエステル（メタ）アクリレー
ト、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）
アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、トリジ
アン（メタ）アクリレート、シリコン（メタ）アクリレ
ート、等が使用できる。分子量としては、通常２５０〜
１０００００程度のものが用いられる。

【００４６】カチオン重合性官能基を有するプレポリマ
ーの例としては、ビフィノール型エポキシ樹脂、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、等のエポキシ系樹脂、脂肪族系ビ
ニルエーテル、芳香族系ビニルエーテル等のビニルエー
テル系樹脂等のプレポリマーがある。

【００４７】ラジカル重合性不飽和基を有する単官能単
量体の例としては、（メタ）アクリレート化合物の単官
能単量体としては、例えば（メタ）アクリレート、２−
エチルヘキシル（メタ）アクリレート、フェノキシエチ
ル（メタ）アクリレート等がある。

【００４８】ラジカル重要性不飽和基の有する多官能単
量体の例としては、ジエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパンエチレンオキサイドトリ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレート等がある。

【００４９】チオール基を有する単量体の例としては、
トリメチロールプロパントリプロパントリチオグリコレ
ート、ジペンタエリスリトールテトラチオグリコレート
等がある。

【００５０】紫外線又は可視光線にて硬化させる場合に
は、電離放射線硬化樹脂中に光重合開始剤を添加する。
ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂系の場合は、光重
合開始剤として、アセトフェノン類、ベンゾフェノン
類、チオキサントン類、ベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル等を単独又は混合して用いることができる。ま
た、カチオン重合性官能基を有する樹脂系の場合には、
光重合開始剤として、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ス
ルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、メタセロン化合
物、ベンゾインスルホン酸エステル等を単独又は混合物
として用いることができる。

【００５１】なお、これらの光重合開始剤の添加量とし
ては、該電離放射線硬化性樹脂１００重量％に対して、
０．１〜１０重量％程度である。

【００５２】上記電離放射線硬化性樹脂にさらに、必要
に応じて各種添加剤を添加しても良い。これらの添加剤
としては、例えば、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、アクリル樹脂、セルロース系樹脂、等の
熱可塑性樹脂、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、シリ
カ、アルミナ等の微粉末からなる体質顔料（充填剤）、
染料、顔料、等の着色剤などがある。

【００５３】ここで、紫外線源としては、超高圧水銀
燈、高圧水銀燈、低圧水銀燈、カーボンアーク燈、ブラ
ックライト蛍光燈、メタルハライドランプ等の光源が使
用できる。紫外線の波長としては、通常１９００〜３８
００Åの波長域が主として用いられる。

【００５４】電子線源としては、コッククロフトワルト
ン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧
器型、或いは、直線型、ダイナミトロン型、高周波型等
の各種電子線加速器を用い、１００〜１０００ＫｅＶ、
好ましくは１００〜３００ＫｅＶのエネルギーをもつ電
子を照射するものを使用できる。

【００５５】このようなハードコート層６の層厚は、通
常０．５〜１０μｍの範囲内であり、その製造方法は、
通常のコーティング方法を用いることも可能であり、特
に限定されるものではない。

【００５６】［５］接着層 基材２と前記ハードコート層６との接着性を保持するた
めに用いられる接着層５としては、本発明は特に限定す
るものではなく従来公知の接着層のいずれをも用いるこ
とが可能である。

【００５７】なお、本発明は、上述してきた透明導電性
フィルムに限定されるものではない。上記実施の形態
は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された
技術的範囲と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効
果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技
術的範囲に包含される。

【００５８】

【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する。

【００５９】（実施例１）基材として厚み１８８μｍの
ＰＥＴフィルム原反を準備し、これを図２に示したプラ
ズマＣＶＤ装置１１に装着した。次に、プラズマＣＶＤ
装置のチャンバー１２を１×１０^-4ｔｏｒｒまで減圧し
た。一方、原料である有機珪素化合物のヘキサメチルジ
シロキサンを原料揮発供給装置２１において揮発させ、
ガス供給装置２２から供給された酸素ガスおよび不活性
ガスのヘリウムと混合させて原料ガスとした。この原料
ガスの混合比は、ヘキサメチルジシロキサン：Ｏ₂：Ｈ
ｅ＝１：９：８とした。

【００６０】次に、上記の原料ガスを原料供給ノズル１
９を介してチャンバー内に導入し、一方、電源１７から
冷却・電極ドラム１５に供給する電力を１０ｋＷとし、
原料ガスによりグロー放電プラズマを確立させた。この
プラズマ中を基材であるＰＥＴフィルムを速度１００ｍ
／分で搬送し、フィルム上にアンカー層としてのシリカ
層を形成した。この時のチャンバー１２の真空度は４×
１０^-2ｔｏｒｒに保った。

【００６１】そして、形成されたアンカー層としてのシ
リカ層上に、公知の直流マグネトロンスパッタリング装
置（図示せず）を用いて導電層としてのＩＴＯ層を厚さ
３００Åで形成し、図１に示すような実施例１の透明導
電性フィルムを製造した。この際、スパッタターゲット
としてはＩＴＯ焼結体を用い、到達真空度は３×１０ ^-6
ｔｏｒｒとした。また、スパッタガスとしては５％酸素
含有アルゴンを用い、その圧力は３×１０^-3ｔｏｒｒと
した。また、スパッタパワーは直流２．５ｋＷとし、成
膜速度は０．３ｍ／分とした。

【００６２】（実施例２）アンカー層としてのシリカ層
を形成する差異の原料ガスの混合比をヘキサメチルジシ
ロキサン：Ｏ₂：Ｈｅ＝１：３：０とし、当該シリカ層
を形成する際のプラズマＣＶＤ装置内の圧力を０．１３
ｔｏｒｒとした以外は全て上記実施例１と同一の条件で
実施例２の透明導電性フィルムを製造した。

【００６３】（比較例１）基材として厚み１８８μｍの
ＰＥＴフィルム原反を準備し、この上にウレタン樹脂を
グラビアコート法によって厚さ３μｍとなるように塗布
し、これをアンカー層とした。

【００６４】そして、このアンカー層上に、前記実施例
と同様の方法で導電層としてのＩＴＯ層を形成し、比較
例１の透明導電性フィルムを製造した。

【００６５】（比較例２）基材として厚み１８８μｍの
ＰＥＴフィルム原反を準備し、この上にポリシラザン樹
脂をゾルゲル法によって厚さ３μｍとなるように塗布
し、これをアンカー層とした。

【００６６】そして、このアンカー層上に、前記実施例
と同様の方法で導電層としてのＩＴＯ層を形成し、比較
例２の透明導電性フィルムを製造した。

【００６７】（比較例３）基材として厚み１８８μｍの
ＰＥＴフィルム原反を準備し、この上にＰＶＤ法（ＥＢ
加熱タイプの蒸着機）で酸化珪素層を厚さ３００Åとな
るように形成し、これをアンカー層とした。アンカー層
の形成条件は、原料：ＳｉＯ、蒸着時の真空度：４×１
０^-4ｔｏｒｒ、成層速度：１００ｍ／ｍｉｎ、である。

【００６８】そして、このアンカー層上に、前記実施例
１と同様の方法で導電層としてのＩＴＯ層を形成し、比
較例３の透明導電性フィルムを製造した。

【００６９】（比較例４）基材として厚み１８８μｍの
ＰＥＴフィルム原反を準備し、この上に公知の巻取りス
パッタリング装置を用いて酸化珪素層を厚さ３００Åと
なるように形成し、これをアンカー層とした。アンカー
層の形成条件は、原料ターゲット：Ｓｉ、反応ガス：酸
素ガスとＡｒガス、アンカー層形成時の真空度：４．５
×１０^-3ｔｏｒｒ、印加電圧：１３．５６ＭＨｚのＲＦ
電力を３ｋＷ、成層速度：０．３ｍ／ｍｉｎ、である。

【００７０】そして、このアンカー層上に、前記実施例
１と同様の方法で導電層としてのＩＴＯ層を形成し、比
較例４の透明導電性フィルムを製造した。

【００７１】（評価１）上記実施例１及び比較例１〜３
それぞれの透明導電性フィルムについて、密着性、全光
線透過率、色ムラ、カール（透明導電性フィルムの反
り）を評価した。

【００７２】なお、密着性の評価については、ＡＳＴＭ
（American Society for Testing Materials）規格のＤ
３３５９−８７に規定されているクロスカットテープテ
ストで行った。以下の表１に示すクロスカットテープテ
ストのランクは図４に示す基準に基づくものである。ま
た、全光線透過率については、ＪＩＳ−Ｋ６７１４に従
って測定した。そして、色ムラとカールについての評価
は、目視により行った。

【００７３】評価結果を以下の表１に示す。

【００７４】

【表１】 表１からも明らかなように、本発明の実施例は全ての評
価について良好な結果が得られた。一方、比較例１〜３
はいずれも密着性が本発明の実施例に比べ低く、また色
ムラやカールが生じていることも確認された。

【００７５】（評価２）上記実施例２及び比較例３、４
それぞれの透明導電性フィルムについて、抵抗変化とア
ンカー層の組成を評価した。

【００７６】なお、抵抗変化については、ＪＩＳ型屈曲
試験器を使用して、曲率半径５ｍｍに屈曲角１８０°で
１０回屈曲試験をし、その前後のＩＴＯ層の抵抗変化を
測定した。抵抗変化の値は、（抵抗変化）＝（屈曲試験
後の抵抗値）／（屈曲試験前の抵抗値）によりに形成し
た。

【００７７】また、アンカー層の組成については、ＸＰ
Ｓにて測定した。この際、表面汚れ防止のためＡｒイオ
ンで３０秒エッチングした後に測定した。

【００７８】評価結果を以下の表２に示す。

【００７９】

【表２】 表２からも明らかなように本発明の透明導電性フィルム
は、屈曲試験後においても抵抗変化がなく優れた耐久性
を有していることが確認できた。

【００８０】

【発明の効果】この発明によれば、透明導電性フィルム
は、基材、導電層を固定するためのアンカー層、導電
層、を順次積層してなる透明導電性フィルムであって、
前記アンカー層がプラズマＣＶＤ法により形成されたシ
リカ層であるため、従来から問題を生じていた易接着層
を用いなくても、基材と導電層との密着性を向上するこ
とができる。そしてまた、当該アンカー層を形成する際
に厚ムラが生じることがなく、表面の平滑性を保つこと
もできる。そしてその結果、ペン入力タッチパネルのよ
うな大きな摺動付加にも充分耐え、クラックが入った
り、剥離することがない良好な透明導電性フィルムを提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性フィルムを示す概略断面図
である。

【図２】代表的なプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略
図である。

【図３】本発明の透明導電性フィルムの他の一例を示す
概略断面図である。

【図４】ＡＳＴＭ Ｄ３３５９−８７の規格によるクロ
スカットテープテストの評価基準を示す図である。

【符号の説明】

１…透明導電性フィルム ２…基材 ３…アンカー層 ４…導電層 ５…接着層 ６…ハードコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ ５Ｇ３０７ // Ｇ０２Ｆ 1/1333 Ｇ０２Ｆ 1/1333 Ｆターム(参考） 2H089 HA18 HA40 KA16 QA03 QA11 4F100 AA20B AH06 AK42 AR00B AR00D AT00A BA03 BA04 BA07 BA10C BA10D EH66 EH66B EJ61 EJ61B GB41 JG01 JG01C JK12D JL11 JN01 YY00B 4K030 AA06 AA09 BA29 BA35 BA44 CA07 CA12 FA03 LA11 5B068 BB05 BC08 5B087 AA04 CC14 CC15 CC36 5G307 FA02 FB01 FC02

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材、導電層を固定するためのアンカー
   層、導電層、を順次積層してなる透明導電性フィルムで
   あって、 前記アンカー層がプラズマＣＶＤ法により形成されたシ
   リカ層であることを特徴とする透明導電性フィルム。
2. 【請求項２】 前記アンカー層としてのシリカ層が、Ｓ
   ｉＯｘＣｙ（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．１〜１．
   ５）であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電
   性フィルム。
3. 【請求項３】 前記アンカー層を積層しない側の基材表
   面にハードコート層を積層してなることを特徴とする請
   求項１又は請求項２に記載の透明導電性フィルム。