JP2000241605A

JP2000241605A - 反射防止膜及び表示装置並びに成膜装置

Info

Publication number: JP2000241605A
Application number: JP11334970A
Authority: JP
Inventors: Hirokazu Ishikawa; 博一石川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1999-11-25
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】密着性に優れ、透過率を調整でき、かつ、光
学特性にも優れている。【解決手段】基板の一主面上に、ケイ素、ケイ素酸化
物、ケイ素窒化物のいずれかからなる接着層と、金属窒
化物を含有する第１の光学薄膜と、屈折率が１．８以上
である第２の光学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の
範囲である第３の光学薄膜とが、この順に積層形成され
てなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜及びそ
れを用いた表示装置、並びに当該反射防止膜の製造に適
した成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、反射防止膜は、例えば空気とガラ
スとの光学的境界面における屈折率を減少させる必要が
ある光学や電気光学の分野で広く使われている。これら
の応用分野としては、カメラのレンズ、コピー装置のプ
ラテン（原稿台）、機器用のカバーガラス、陰極線管
（いわゆる、ＣＲＴ）用パネル、その他の表示装置等が
ある。

【０００３】このような反射防止膜としては、例えば図
７に示すような構成のものが挙げられる。すなわち、樹
脂基板１０１の一主面１０１ａ上に例えば厚さ１０ｎｍ
のＳｉＯ_X（Ｘは２未満の正数）よりなる第１の層１０
２、例えば厚さ２０ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化
物：indium tin oxide）層よりなる第２の層１０３、例
えば厚さ２５ｎｍのＳｉＯ₂よりなる第３の層１０４、
例えば厚さ６０ｎｍのＩＴＯ層よりなる第４の層１０
５、例えば厚さ１００ｎｍのＳｉＯ₂よりなる第５の層
１０６が順次形成されてなるものが挙げられる。

【０００４】しかしながら、このような反射防止膜は５
層にもわたる多層構造であり、総膜厚が２１５ｎｍと厚
いことから、その製造が困難かつ煩雑となる。その結
果、生産性が良好ではない、製造コストが高価となって
しまうといった不都合が生じている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、積層数ができ
るだけ少ない反射膜が要求されている。積層数が少なけ
れば、積層工程が少ないことから製造が容易かつ簡便と
なり、生産性が良好となって、製造コストも削減される
ことは明らかである。

【０００６】このような要求に対応するべく、特開平９
−１５６９６４号公報や、特開平９−１６５２３１号公
報等に示されるように、基板上に第１の光学薄膜として
ＴｉＮを主として含む薄膜を配し、その上に第２の光学
薄膜として比較的低屈折率のＳｉＯ₂薄膜を配した反射
防止膜が提案されている。

【０００７】しかしながら、これらの反射防止膜は、ガ
ラス基板に接着されることを前提として作製されてお
り、プラスチック基板に接着して使用する場合には、プ
ラスチック基板と反射防止膜との密着性がよくないこと
から、簡単に膜が剥離してしまう。

【０００８】ところで、陰極線管のパネルガラスの透過
率は、５０％前後とされているが、透過率が低いほど、
陰極線管の画像の輝度は下がり、その一方でコントラス
トは上がるという特性がある。特に、陰極線管をモニタ
ーとして用いる場合には、コントラストの高いものが好
まれる。コントラストの調整は、パネルガラスの透過率
を調整することで可能であるが、幾つかの製品毎にパネ
ルガラスのコントラストを微妙に調整するのは容易なこ
とではない。さらに、フラットパネルでは、中心部と端
部とでガラスの厚さが異なり、ガラス材料の吸収が強い
と、中心部と端部とで光の透過率が異なることとなる。
これは、陰極線管としては好ましいことではない。

【０００９】そこで、パネルガラスには透明のものを用
い、反射防止膜の透過率を調整することによりコントラ
ストを上げる方法が模索されている。

【００１０】しかしながら、反射防止膜の構成を変えず
に透過率を上げようとすると反射率が高くなり、また、
透過率を下げようとするとバンド幅が狭くなるなど、種
々の特性が良好な反射防止膜は得られていない。

【００１１】そこで本発明は上述したような従来の実情
に鑑みて提案されたものであり、密着性に優れ、透過率
を調整でき、かつ、光学特性の良い反射防止膜を提供す
ることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の反射防止膜は、
基板の一主面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化
物のいずれかからなる接着層と、金属窒化物を含有する
第１の光学薄膜と、屈折率が１．８以上である第２の光
学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第３
の光学薄膜とが、この順に積層形成されてなることを特
徴とする。

【００１３】上記第２の光学薄膜については、その屈折
率が比較的高い１．８以上のものが適当であるが、特に
２以上であることが好ましい。また第３の光学薄膜の材
料としては、比較的屈折率の低いＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃が好ましく、これらの屈折率は１．３５〜１．７
の範囲内にある。

【００１４】上述したような本発明に係る反射防止膜で
は、各構成膜の材料、特性が規定されているので、各構
成膜の膜厚を変化させることにより、光学特性を低下さ
せることなく透過率を調整することができる。

【００１５】また、本発明の反射防止膜は、基板の一主
面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物のいずれ
かからなる接着層と、金属窒化物を含有する第１の光学
薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第２の
光学薄膜とが、この順に積層形成されてなることを特徴
とする。

【００１６】上述したような本発明に係る反射防止膜で
は、各構成膜の材料、特性が規定されており、各構成膜
の膜厚を変化させることにより、光学特性を低下させる
ことなく透過率を調整することができる。

【００１７】また、本発明の表示装置は、表示部のフェ
ース・プレート表面側に、反射防止膜が配され、上記反
射防止膜は、基板の一主面上に、ケイ素、ケイ素酸化
物、ケイ素窒化物のいずれかからなる接着層と、金属窒
化物を含有する第１の光学薄膜と、屈折率が１．８以上
である第２の光学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の
範囲である第３の光学薄膜とが、この順に積層形成され
てなるとともに、上記基板が対向面となるように配され
ていることを特徴とする。

【００１８】上述したような本発明に係る表示装置で
は、表示部のフェース・プレート表面側に配された上記
反射防止膜の各構成膜の材料、特性が規定されており、
各構成膜の膜厚を変化させることにより、光学特性を低
下させることなく透過率を調整することができるため、
コントラストの良い画像が得られる。

【００１９】また、本発明の成膜装置は、連続して走行
するフィルム状の基板の主面上に薄膜を形成する成膜装
置であって、上記基板の走行路に沿って配された複数の
成膜室を有し、上記複数の成膜室は、異なる材料からな
る薄膜を形成する成膜手段をそれぞれ有し、上記基板
は、上記複数の成膜室を通過する際に、それぞれの成膜
室に配された成膜手段によって薄膜が形成されることに
より、複数の薄膜が順次積層形成されることを特徴とす
る。

【００２０】上述したような本発明に係る表示装置で
は、異なる材料からなる薄膜を形成する成膜手段をそれ
ぞれ有する複数の成膜室が、走行するフィルム状の基板
の走行路に沿って連続して配されているので、連続的に
複数の薄膜を順次積層形成できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本実施の形態に係る反射防止膜１は、図１
に示すように、基板２上に、接着層３と、第１の光学薄
膜４と、第２の光学薄膜５と、第３の光学薄膜６とが、
この順に積層形成されてなる。

【００２２】基板２は、ポリエチレンテレフタレート
（以下、ＰＥＴと呼ぶ。）フィルム、透明又は半透明の
ガラス等からなる。基板２の材料としてＰＥＴフィルム
を用いる場合、図１に示すように、ＰＥＴフィルム２ａ
上にハードコート層２ｂを形成する。このハードコート
層２ｂは、この種の反射防止膜において一般的なアクリ
ル等の樹脂が塗布することにより形成される。

【００２３】接着層３の材料としては、ケイ素、ケイ素
酸化物、ケイ素窒化物のいずれかが用いられることが好
ましく、その中でも特に、光学特性等の観点からＳｉＯ
_X（Ｘは２未満の正数）が用いられることが好ましい。
この接着層３は、反射防止膜１を基板２上に密着させる
役割を担うと同時に、反射防止膜１の光学特性にも寄与
する。

【００２４】そして、この接着層３の膜厚は、１ｎｍ〜
１０ｎｍ程度の範囲であることが好ましい。接着層３の
膜厚が１ｎｍよりも小さいと、反射防止膜１を基板２上
に十分に密着させることができない。また、接着層３の
膜厚が１０ｎｍよりも大きいと反射防止膜１の光学特性
を低下させてしまう。接着層３の膜厚を１ｎｍ〜１０ｎ
ｍとすることで、反射防止膜１を基板２上に十分に密着
させることができるとともに、反射防止膜１の光学特性
を良好なものとすることができる。

【００２５】具体的には、例えば後述する実験例にも示
されるように、接着層３の材料としてＳｉＯ_Xを用い、
反射防止膜１の透過率を６３．５％とした場合には、光
学特性等の観点から、接着層３の最適膜厚は５ｎｍ程度
とされる。

【００２６】第１の光学薄膜４は、金属窒化物を含有す
る。第１の光学薄膜４に用いられる金属窒化物として
は、窒化チタン、窒化ジルコニウム又は窒化ハフニウム
等が挙げられる。その中でも、導電性を有するものが好
ましく、窒化チタンが最も好ましいものとして挙げられ
る。

【００２７】そして、この第１の光学薄膜４の厚みは、
光学特性の観点から、７ｎｍ〜３７ｎｍ程度の範囲とす
ることが好ましい。さらに、この反射防止膜１でバンド
幅が１．５以上の特性を得ようとすると、第１の光学薄
膜４は、１４ｎｍ〜２７ｎｍ程度の厚さとすることがよ
り好ましい。例えば、第１の光学薄膜４の材料として窒
化チタン（ＴｉＮ）を用いた場合、ＴｉＮは成膜条件に
より光学特性が異なるが、その厚みを上述の範囲とすれ
ば、良い特性の反射防止膜１を構成できる。

【００２８】ここで、バンド幅とは、ある光学特性を満
たす波長領域の最長波長を最短波長で割った値であっ
て、ここでは反射率のカーブが１％を超える可視領域の
バンド幅、すなわち長波長側で反射率が１％を超えると
ころの波長を、短波長側で１％を超えるところの波長で
割った値とした。例えば、その特性を満たす波長領域が
４５０ｎｍから７００ｎｍの間とすると、バンド幅は７
００／４５０≒１．５５６となる。この値は大きいほど
良い。

【００２９】また、この第１の光学薄膜４に用いられる
材料は、視感波長範囲における屈折率ｎと消衰係数ｋと
が、｛ｎ（ｒ）−０．５｝≦ｎ≦｛ｎ（ｒ）＋０．
５｝、｛ｋ（ｒ）−０．５｝≦ｋ≦｛ｋ（ｒ）＋０．
５｝を満たす材料であることが好ましい。ここで、ｎ
（ｒ）は波長λにおける屈折率であり、また、ｋ（ｒ）
は波長λにおける消衰係数である。そして、このｎ
（ｒ）及びｋ（ｒ）は、次の近似式で表される。

【００３０】ｎ（ｒ）＝-0.00642ｎ_S ²+1.66878ｎ_S+0.02
786ｋ_S ²+0.83206ｋ_S+0.15426ｒ²-0.85276ｒ-0.01964ｎ_S
ｋ_S-0.58109ｎ_Sｒ-0.93386ｋ_Sｒ+0.66289 ｋ（ｒ）＝0.0496972ｎ_S ²-2.07664ｎ_S+0.00896ｋ_S ²+1.3
025ｋ_S-3.44187ｒ²+7.11118ｒ-0.03678ｎ_Sｋ_S+1.95241
ｎ_Sｒ-0.22876ｋ_Sｒ-3.69482 ここで、上式中ｎ_Sは、参照波長λ_Sにおける屈折率であ
り、ｋ_Sは、参照波長λ_Sにおける消衰係数である。ま
た、ｒはλ／λ_Sで表される係数である。

【００３１】上式を満たすような材料を第１の光学薄膜
４に用いることで、導電性が高く、広い周波数帯域にお
いても反射防止率が高い反射防止膜１を得ることができ
る。なお、上記式については、本発明者の発明による特
開平９−１６５２３１号公報に、その詳細が記されてい
る。

【００３２】第２の光学薄膜５は、屈折率が１．８〜３
程度の比較的屈折率の高い材料からなる。このような屈
折率の高い材料としては、透明導電膜、ＩＴＯ又はＳｉ
Ｏ_X（Ｘは２未満の正数）等が挙げられ、その中でもよ
り好ましい材料としてはＩＴＯが挙げられる。

【００３３】そして、この第２の光学薄膜５は、その厚
みが２５ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。第２の
光学薄膜５の厚みを２５ｎｍ以下の範囲とすることで、
良い特性の反射防止膜１が得られる。さらに、この反射
防止膜１でバンド幅が１．５以上の特性を得ようとする
と、第２の光学薄膜５の厚みは２０ｎｍ以下とすること
がより好ましい。

【００３４】第３の光学薄膜６は、屈折率が１．３５〜
１．７の範囲である比較的屈折率の低い材料からなる。
このような屈折率の低い材料としては、ＳｉＯ₂、Ｍｇ
Ｆ₂又はＡｌ₂Ｏ₃等が挙げられ、その中でもより好まし
い材料としてはＳｉＯ₂が挙げられる。

【００３５】そして、この第３の光学薄膜６の厚みは、
４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であることが好ましい。第
３の光学薄膜６の厚みを４０ｎｍ〜１００ｎｍとするこ
とで、良い特性の反射防止膜１が得られる。さらに、こ
の反射防止膜１でバンド幅が１．５以上の特性を得よう
とすると、第３の光学薄膜６の厚みは６０ｎｍ〜８０ｎ
ｍの範囲とすることがより好ましい。

【００３６】上述したような構成を有することによっ
て、この反射防止膜１は、基板２との密着性を良好に保
つことができるだけでなく、光学特性にも優れたものと
なる。さらに、この反射防止膜１は、後述する実験例に
も示されるように、各層の膜厚を適宜変化させること
で、その透過率を４５％〜７０％の範囲で調整すること
ができる。

【００３７】ここで、反射防止膜１の透過率が７０％以
下である反射防止膜１の需要は、透過率が８０％を超え
るものに比べて大きい。よって、反射防止膜１の透過率
の調整は、陰極線管のコントラストを向上させるために
は重要な技術であり、それを実現する反射防止膜１が強
く望まれていた。

【００３８】本実施の形態に係る反射防止膜１では、後
述する実験例に具体的に示されるように、反射率やバン
ド幅等の特性を低下させることなく透過率を調整するこ
とができる。

【００３９】さらに、この４層構成の反射防止膜１は、
トータル膜厚が１１０ｎｍ程度であり、従来の反射防止
膜の膜厚（２００ｎｍ以上）に比べて半分程度である。
したがって、従来の製造装置を用いて本実施の形態に係
る反射防止膜１を製造する場合、生産量の向上が期待で
きる。

【００４０】なお、この反射防止膜１を、接着層３と、
第１の光学薄膜４と、第３の光学薄膜６とからなる３層
構成とすることもできる。後述する実験例に示されるよ
うに、透過率が７０％以下の反射防止膜１を要する場合
は４層の構成が必要とされるが、透過率が７０％を超え
る反射防止膜１を要する場合は、第２の光学薄膜５をな
くした３層構成とした場合でも十分良好な特性が得られ
る。したがって、３層構成と４層構成とを適宜使い分け
ることで広範囲な透過率調整が可能となる。

【００４１】また、この反射防止膜１については、第３
の光学薄膜６上に、保護膜が配されていることが好まし
い。この保護膜の厚さは、約５ｎｍ以下が適当である。

【００４２】そして、上述したような反射防止膜１を表
示部のフェース・プレート表面側に配して陰極線管を構
成しても良い。

【００４３】すなわち、図２に示すように、陰極線管１
０のフェース・プレート１１上に接着層１２を介して、
基板２上に接着層３と第１の光学薄膜４と第２の光学薄
膜５と第３の光学薄膜６とが積層された本実施の形態に
係る反射防止膜１を配し、さらにその上に防染コート層
１３を配したものが挙げられる。この場合、反射防止膜
１の第１の光学薄膜４が窒化チタンを主として含み、こ
の第１の光学薄膜４が導電性を有し、かつ接地されてい
ることが好ましい。

【００４４】上記本発明の反射防止膜１を、表示部のフ
ェース・プレート１１の表面側に配した本発明の陰極線
管１０においては、反射防止特性が良好で実用に適した
ものとなる。

【００４５】さらに、この場合、反射防止膜１の第１の
光学薄膜４を窒化チタンとすると、上記窒化チタンは吸
収特性が強いことから、陰極線管１０の表示画像のコン
トラストが向上し、好ましい。

【００４６】上記のような陰極線管１０においては、図
２中矢印Ａ₂で示される反射光の光量は、反射防止膜１
によって、図２中矢印Ａ₁で示す入射光の光量よりも少
なくなる。

【００４７】さらに、上記のような陰極線管１０におい
ては、反射防止膜１に電磁波シールド機能も持たせるこ
とが好ましい。したがって、反射防止膜１によって上記
陰極線管１０内の図２中矢印Ｂ₁で示す電磁波は、図２
中矢印Ｂ₂で示すように陰極線管１０内の電磁波よりも
弱められて放出される。

【００４８】また、本実施の形態に係る反射防止膜１
は、図３に示すように、表示部のフェース・プレート表
面側が平面とされてなる、いわゆるフラットパネルの陰
極線管に適用することもできる。図３に示すように、フ
ラットパネルの陰極線管２０では、パネルガラス２１の
厚みが、例えば中心部で１５ｍｍ（ｔ₁）、端部では１
８ｍｍ（ｔ₂）と、中心部と端部とで異なり、ガラス材
料の吸収が強い場合には、中心と端部とで光の透過率が
異なることとなってしまう。

【００４９】そこで、パネルガラス２１には透明のもの
を用い、反射防止膜１の透過率を調整することによりコ
ントラストを上げることが必要となってくる。

【００５０】すなわち、図３に示すように、陰極線管２
０のパネルガラス２１上に接着層２２を介して、本実施
の形態に係る反射防止膜１を配し、さらにその上に防染
コート層２３を配したものが挙げられる。このように、
本発明の反射防止膜１を用いることで、光学特性を低下
させることなく、その透過率を調整することができるた
め、フラットパネルの陰極線管２０においても表示画像
のコントラストを向上させることができる。

【００５１】次に、上述のような本実施の形態に係る反
射防止膜１の製造方法について述べる。先ず、例えばポ
リエチレンテレフタレート等の樹脂よりなるフィルム２
ａの一主面上にハードコート層２ｂを塗布形成して樹脂
基板２を形成する。このハードコート層は、この種の反
射防止膜１において一般的なアクリル等の樹脂を塗布し
て形成すれば良い。

【００５２】次に、上記樹脂基板２の一主面上に、接着
層３と、第１の光学薄膜４と、第２の光学薄膜５と、第
３の光学薄膜６とをこの順に積層形成する。

【００５３】この接着層３をＳｉＯ_Xの化学式で示さ
れ、Ｘが２未満の正数である化合物により形成する場合
には、シリコンをターゲットとして直流或いは交流スパ
ッタリングを行って形成すれば良い。シリコンの酸化
は、マスフローコントローラー（ＭＦＣ）等で導入され
た微量の酸素或いはバックグラウンドの残留酸素若しく
は水分により行えば良い。

【００５４】また、上記第１の光学薄膜４をＴｉＮより
なる薄膜とする場合には、チタンをターゲットとして、
例えば直流スパッタリングを行って形成すれば良い。

【００５５】ここで、接着層３をＳｉＯ_Xの化学式で示
され、Ｘが２未満の正数である化合物から構成し、第１
の光学薄膜４をＴｉＮから構成する場合、成膜時の水分
や酸素の分圧は、接着層３や第１の光学薄膜４の特性に
大きく影響する。

【００５６】ＳｉＯ_Xをスパッタリング等により被着さ
せて接着層３を形成する際に、成膜室内に残留水分が多
いと、ＳｉＯ_XのＸを２未満の任意の正数値で安定して
作ることが難しく、ＳｉＯ_XがＳｉＯ₂になりやすい。接
着層３がＳｉＯ₂から構成されると、基板２と反射防止
膜１との間の密着性が低下してしまう。そこで、ＳｉＯ
_Xの成膜室に、水分を強力に排気する、−１００℃以下
程度の低温に冷却されたクライオパネル等のポンプがあ
ると、プロセスが安定し、ＳｉＯ_XのＸを２未満の任意
の正数値で安定して作ることができる。また、シリコン
の酸化の程度は酸素分圧により決定されるが、当然のこ
とながら酸素分圧が低いほど、ケイ素のみの組成とな
り、メタル化して光学的に吸収特性が強くなってしま
う。その結果、反射防止特性を損なうため、酸素分圧が
極端に低くならないようにすることが好ましい。

【００５７】一方、ＴｉＮをスパッタリング等により被
着させて第１の光学薄膜４を形成する際に、成膜室内の
残留酸素や水分の存在で、ＴｉＮがＴｉＯ_XＮ_Yとなって
しまう。ＴｉＮといってもある程度の酸素を含む場合が
多いが、Ｏの割合が多いと、電気抵抗が高くなりやす
い。ここで、水分圧とＴｉＮの体積抵抗率との関係を図
４に示す。ＴｉＮの体積抵抗値は、電磁波のシールドが
効率よく行われる５×１０^-4Ωｃｍ以下であることが望
ましいので、ＴｉＮ成膜時の残留水分を低く抑えること
は重要である。そのために、ＴｉＮの成膜室に、水分を
強力に排気する−１００℃以下程度の低温に冷却された
クライオパネル等のポンプがあると良い。また、水分圧
が低い方が反射防止膜１を作るための光学特性の良いＴ
ｉＮ膜ができる。

【００５８】また、成膜中に、光学モニターで膜の光学
特性を観察しながら成膜条件を適宜変化させることで、
安定した品質の反射防止膜１を得ることができる。例え
ば、接着層３の密着特性は、形成されたＳｉＯ_X膜の光
の吸収を観察するとわかる。ＳｉＯ_Xの吸収が大きいほ
ど、基板２との密着性は良い。

【００５９】そして、第２の光学薄膜５をＩＴＯよりな
る薄膜とする場合においては、イリジウム−錫をターゲ
ットとして、例えば交流スパッタリングを行って形成す
れば良い。

【００６０】また、第３の光学薄膜６をＳｉＯ₂よりな
る薄膜とする場合においても、シリコンをターゲットと
して、例えば交流スパッタリングを行って形成すれば良
い。

【００６１】この場合、図５に示すような成膜装置３０
を使用すると、生産性が良好であり、好ましい。この成
膜装置３０は、スパッタリングを行うことが可能であっ
て、接着層３、第１の光学薄膜４、第２の光学薄膜５及
び第３の光学薄膜６を、連続して順次形成することがで
きるようになされたものである。すなわち、この成膜装
置３０は、巻き出し室３１と、第１の成膜機３２と、第
２の成膜機３３と、巻き取り室３４とを有する。

【００６２】そして、巻き出し室３１内には、図中矢印
ｍ₁で示すように時計回り方向に回転する円柱状の巻き
出しロール３５が配され、巻き取り室３４内には、図中
矢印ｍ₂で示すように時計回り方向に回転する円柱状の
巻き取りロール３６が配されている。

【００６３】第１の成膜機３２内には、図中矢印ｍ₃で
示すように時計回り方向に回転する円柱状の冷却キャン
３７が配され、第２の成膜機３３内には、図中矢印ｍ₄
で示すように時計回り方向に回転する円柱状の冷却キャ
ン３８が配されている。なお、第１の成膜機３２及び第
２の成膜機３３内には、冷却キャン３７、３８の表面を
例えば−１２０℃程度まで冷却する図示しない水分用冷
却ポンプが配されている。

【００６４】このため、巻き出し室３１内の巻き出しロ
ール３５から図中矢印Ｍで示すように第１の成膜機３２
へと送り出された樹脂基板２は、第１の成膜機３２内の
冷却キャン３７の周面を走行した後、第２の成膜機３３
へと送られ、第２の成膜機３３内の冷却キャン３８の周
面を走行した後、巻き取り室３４内の巻き取りロール３
６に巻き取られることとなる。そして、この成膜装置内
には、樹脂基板２が所定のテンションを有して円滑に走
行するように、円柱状のガイドロール３９が順次設けら
れている。なお、これらの巻き出しロール３５、冷却キ
ャン３７、巻き取りロール３６、ガイドロール３９が、
樹脂基板２を幅方向に支持可能な大きさとなされている
ことは言うまでもない。

【００６５】第１の成膜機３２は、樹脂基板２の走行路
となる基板走行部４０と、樹脂基板２上に接着層３を形
成する第１の成膜室４１と、接着層３上に第１の光学薄
膜４を形成する第２の成膜室４２と、第１の光学薄膜４
上に第２の光学薄膜５を形成する第３の成膜室４３とを
備える。これらの基板走行部４０、第１の成膜室４１、
第２の成膜室４２及び第３の成膜室４３は、冷却キャン
３７の周面に沿って配されるとともに、仕切り版によっ
て仕切られており、それぞれ独立したものとされてい
る。

【００６６】基板走行部４０では、巻き出し室３１から
送り出されてきた樹脂基板２を冷却キャン３７へと供給
し、また、冷却キャン３７の周面を走行した樹脂基板２
を、接続部４４を介して第２の成膜機３３へと送り出
す。そして、基板走行部４０は、ターボポンプ４５によ
って排気されて所定の真空度とされている。

【００６７】第１の成膜室４１は、ターボポンプ４６に
よって排気されて所定の真空度とされている。そして、
第１の成膜室４１には、樹脂基板２に相対向する位置
に、接着層３となる材料のターゲット４７が配されてい
る。この樹脂基板２上に接着層３をＳｉＯ_Xの化学式で
示され、Ｘが２未満の正数である化合物により形成する
場合には、シリコンターゲットが用いられる。

【００６８】ここで、接着層３をＳｉＯ_Xから形成する
場合、第１の成膜室４１には、水分を強力に排気するク
ライオパネル４８が配されていることが好ましい。Ｓｉ
Ｏ_X成膜時に、クライオパネル４８によって水分の分圧
を最適化することでプロセスが安定し、ＳｉＯ_XのＸを
２未満の任意の正数値で安定して作ることができる。

【００６９】また、この第１の成膜室４１には、接着層
３の光透過率を測定する光透過率測定部４９が設けられ
ている。ＳｉＯ_X膜の光吸収が大きいほど、樹脂基板２
との密着性は良く、接着層３の成膜中に光透過率測定部
４９で膜の光学特性を観察しながら成膜条件を適宜変化
させることで、安定した品質の反射防止膜１を得ること
ができる。

【００７０】第２の成膜室４２は、ターボポンプ５０に
よって排気されて所定の真空度とされている。そして、
第２の成膜室４２には、樹脂基板２に相対向する位置
に、第１の光学薄膜４となる材料のターゲット５１が配
されている。第１の光学薄膜４をＴｉＮにより形成する
場合には、チタンターゲットが用いられる。

【００７１】ここで、第１の光学薄膜４をＴｉＮから形
成する場合、第２の成膜室４２には、水分を強力に排気
するクライオパネル５２が配されていることが好まし
い。ＴｉＮ成膜時には、水分圧が低い方が反射防止膜１
を作るための光学特性の良いＴｉＮ膜ができる。

【００７２】第３の成膜室４３は、ターボポンプ５３に
よって排気されて所定の真空度とされている。そして、
第３の成膜室４３には、樹脂基板２に相対向する位置
に、第２の光学薄膜５となる材料のターゲット５４が配
されている。第２の光学薄膜５をＩＴＯにより形成する
場合には、イリジウム−錫ターゲットが用いられる。

【００７３】そして、この第１の成膜機３２には、接着
層３、第１の光学薄膜４及び第２の光学薄膜５が形成さ
れた樹脂基板２の反射率を測定する反射率測定部５５
と、導電性を測定する接触式の導電性測定部５６とが、
基板走行部４０の冷却キャン３７と接続部４４との間に
配されている。成膜中に、反射率測定部５５と導電性測
定部５６とで膜の特性を観察しながら成膜条件を適宜変
化させることで、安定した品質の反射防止膜１を得るこ
とができる。

【００７４】第２の成膜機３３は、樹脂基板２の走行路
となる基板走行部５７と、第２の光学薄膜５上に第３の
光学薄膜６を形成する第４の成膜室５８及び第５の成膜
室５９とを備える。これらの基板走行部５７、第４の成
膜室５８及び第５の成膜室５９は、冷却キャン３８の周
面に沿って配されるとともに、仕切り版によって仕切ら
れており、それぞれ独立したものとされている。

【００７５】基板走行部５７では、接続部４４を介して
第１の成膜機３２から送り出されてきた樹脂基板２を冷
却キャン３８へと供給し、また、冷却キャン３８の周面
を走行した樹脂基板２を巻き取り室３４へと送り出す。
そして、基板走行部５７は、ターボポンプ６０によって
排気されて所定の真空度とされている。

【００７６】第４の成膜室５８は、ターボポンプ６１に
よって排気されて所定の真空度とされている。そして、
第４の成膜室５８には、樹脂基板２に相対向する位置
に、第３の光学薄膜６となる材料のターゲット６２が配
されている。第３の光学薄膜６をＳｉＯ₂により形成す
る場合には、シリコンターゲットが用いられる。

【００７７】ここで、第３の光学薄膜６をＳｉＯ₂によ
り形成する場合、その成膜速度が他の材料に比して比較
的遅いため、一つの成膜室のみで第３の光学薄膜６を形
成しようとすると、この工程が律速となって、反射防止
膜１の生産性を低下させてしまう。そこで、この成膜装
置３０では、第３の光学薄膜６を形成するための成膜室
として、第５の成膜室５９を設けている。

【００７８】第５の成膜室５９は、ターボポンプ６３に
よって排気されて所定の真空度とされている。そして、
第５の成膜室５９には、樹脂基板２に相対向する位置
に、第３の光学薄膜６となる材料のターゲット６４が配
されている。第３の光学薄膜６をＳｉＯ₂により形成す
る場合には、シリコンターゲットが用いられる。

【００７９】このように、成膜速度が比較的遅いＳｉＯ
₂からなる第３の光学薄膜６を成膜するための成膜室を
２つ設けることによって、第３の光学薄膜６の成膜速度
を上げて、反射防止膜１の生産性を向上することができ
る。この第５の成膜室５９で形成されるＳｉＯ₂は、第
４の成膜室５８で形成されるＳｉＯ₂と特性的に同じも
のであることは勿論である。

【００８０】また、この第２の成膜機３３には冷却キャ
ン３８を通過して各層が形成された樹脂基板２を厚さ方
向に挟むように光照射部６５ａと受光部６５ｂとを配
し、光照射部から照射された光が受光部によりどのくら
い受光されるかを測定する光透過率測定部６５と、樹脂
基板２の反射率を測定する反射率測定部６６とが、基板
走行部５７に配されている。成膜中に、光透過率測定部
６５と反射率測定部６６とで膜の光学特性を観察しなが
ら成膜条件を適宜変化させることで、安定した品質の反
射防止膜１を得ることができる。

【００８１】したがって、この成膜装置３０により本発
明の反射防止膜１を製造する場合、以下に示すような方
法により製造を行う。

【００８２】先ず、巻き出しロール３５、冷却キャン３
７，３８、巻き取りロール３６を時計回りに回転させ
て、巻き出しロール３５から樹脂基板２を図中矢印Ｍで
示すように、第１の成膜機３２へと送り出す。

【００８３】第１の成膜機３２へと送り込まれた樹脂基
板２を、冷却キャン３７周面上を走行させて、シリコン
ターゲットを用いたスパッタリングにより、ＳｉＯ_Xの
化学式で示され、Ｘが２未満の正数値である化合物より
なる接着層３を形成する。この後、上記接着層３の光透
過率が光透過率測定部４９によって測定される。なお、
この測定結果に応じて製品の良否を判断するとともに、
この後の製造条件の調整を行う。そして、このように接
着層３が形成された樹脂基板２は第２の成膜室４２へと
送り込まれる。

【００８４】第２の成膜室４２へと送り込まれた樹脂基
板２を、冷却キャン３７周面上を走行させ、チタンター
ゲットを用いたスパッタリングにより、接着層３上に、
窒化チタンよりなる第１の光学薄膜４を形成する。そし
て、第１の光学薄膜４が形成された樹脂基板２は第３の
成膜室４３へと送り込まれる。

【００８５】第３の成膜室４３へと送り込まれた樹脂基
板２を、冷却キャン３７周面上を走行させ、イリジウム
−錫ターゲットを用いたスパッタリングにより、第１の
光学薄膜４上に、ＩＴＯよりなる第２の光学薄膜５を形
成する。

【００８６】このようにして接着層３、第１の光学薄膜
４及び第２の光学薄膜５が形成された樹脂基板２は、こ
の後、基板走行部４０に配された反射率測定部５５によ
って反射率が測定され、また、導電率測定部５６によっ
て導電率が測定される。なお、この測定結果に応じて製
品の良否を判断するとともに、この後の製造条件の調整
を行う。そして、接着層３、第１の光学薄膜４及び第２
の光学薄膜５が形成された樹脂基板２は、接続部４４を
介して第２の成膜機３３へと送られ、さらに第４の成膜
室５８へと送り込まれる。

【００８７】第４の成膜室５８へと送り込まれた樹脂基
板２を、冷却キャン３８周面上を走行させて、シリコン
ターゲットを用いたスパッタリングにより、第２の光学
薄膜５上に、第３の光学薄膜６となるＳｉＯ₂を被着さ
せる。

【００８８】このとき、ＳｉＯ₂の成膜速度は比較的遅
いため、第２の光学薄膜５上に、ＳｉＯ₂からなる第３
の光学薄膜６を形成する際に、第４の成膜室５８と第５
の成膜室５９とでＳｉＯ₂を被着させる。第３の光学薄
膜６の半分程度の厚みにＳｉＯ₂が被着された樹脂基板
２は第５の成膜室５９へと送り込まれる。

【００８９】第５の成膜室５９へと送り込まれた樹脂基
板２を、冷却キャン３８周面上を走行させて、シリコン
ターゲットを用いたスパッタリングによりＳｉＯ₂を被
着させて第３の光学薄膜６を形成する。

【００９０】このようにして接着層３、第１の光学薄膜
４、第２の光学薄膜５及び第３の光学薄膜６が順次形成
された反射防止膜１が完成し、この後、基板走行部５７
に配された光透過率測定部６５によって光透過率が測定
され、また、光反射率測定部６６によって反射率が測定
される。なお、この測定結果に応じて製品の良否を判断
するとともに、この後の製造条件の調整を行う。そし
て、完成した反射防止膜１は、巻き取り室３４に送られ
て、巻き取りロール３６により巻き取られる。

【００９１】このように、この成膜装置３０では、樹脂
基板２上に接着層３、第１の光学薄膜４、第２の光学薄
膜５及び第３の光学薄膜６を、連続して形成することが
できるので、生産時間が短縮され、生産性が向上する。

【００９２】なお、上述した説明では、樹脂基板２を一
方向にのみ走行させながら光学薄膜を積層形成する場合
を例に挙げたが、本実施の形態に係る成膜装置３０は、
樹脂基板２を正逆両方向に走行させて光学薄膜を積層形
成することもできる。

【００９３】また、上述した説明では、光学薄膜を積層
形成して反射防止膜１を製造する場合を例に挙げて説明
したが、本実施の形態に係る成膜装置３０はこれに限定
されるものではなく、複数の薄膜が積層されてなるもの
を製造する場合にも適用可能である。

【００９４】〈実験例〉次に、本発明を適用した反射防
止膜について、各構成膜の膜厚を変えた場合の特性の変
化について行った実験例について説明する。

【００９５】上述したような構成を有する反射防止膜に
ついて、各膜の厚さを変化させて反射防止膜を作製し、
そのときの反射防止膜の反射特性、透過率、内面反射特
性及びバンド幅を評価した。

【００９６】反射特性は、反射防止膜の表面からの光に
対するもので、裏側のＰＥＴ基板と空気との境界面での
反射はないものとしている。ここでは視感反射率を計算
した。

【００９７】透過率は、膜の表面から入射した光に対す
る視感透過率である。

【００９８】内面反射特性は、ＰＥＴフィルム内面から
反射防止膜へ向かう、つまり逆方向の光に対する視感反
射率である。この反射率が高いとフィルム内で蛍光体か
ら発せられた光がガラスとフィルムの内部で多重反射し
画像のコントラストを落とすので好ましくない。

【００９９】ここで、本実験例においては、ＰＥＴ基板
上に、３．５μｍ厚のハードコート層を形成し、ハード
コート層上にＳｉＯ_X膜と、ＴｉＮ膜と、ＩＴＯ膜と、
ＳｉＯ₂膜とをこの順に積層してＮｏ．１〜Ｎｏ．１３
の反射防止膜を作製した。ここで、この反射防止膜の各
構成膜に用いられた材料の、各波長における光学特性を
表１に示す。

【０１００】

【表１】

【０１０１】表１より、接着層のＳｉＯ_X膜と第３の光
学薄膜のＳｉＯ₂膜の光学特性が異なっている。これ
は、ＳｉＯ_X膜はＰＥＴ基板との密着性を重視し、Ｓｉ
Ｏ₂膜は光学特性を重視したためである。

【０１０２】そして、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１３の反射防止
膜の各構成膜の膜厚（ｎｍ）と、そのときの反射特性、
透過率、内面反射特性及びバンド幅を表２に示す。ま
た、Ｎｏ．５の反射防止膜について、波長と反射率との
関係を図６に示した。

【０１０３】

【表２】

【０１０４】ここで、この実験例では、反射防止膜の透
過率を４０％〜８５％の間とするとともに、その透過率
のときに反射率及び内面反射が小さくなるように各構成
膜厚を最適化した。反射防止膜の光学特性に対する要求
レベルを、製造マージンを考慮して以下のように考え
る。

【０１０５】反射率（視感反射率）：０．５％以下透過率（視感透過率）：４０〜８５で任意に設定する内面反射（視感反射率）：２０％以下バンド幅：１．４５以上ＳｉＯ_X膜は、成膜条件によりその光学特性が大きく変
わり、それに応じて最適膜厚も変化するが、接着層とし
ては１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であればおおむねその役割
を満足する。

【０１０６】表２より、ＴｉＮ膜の厚みを７ｎｍ〜３７
ｎｍ程度の範囲としたときに良好な光学特性が得られて
いることがわかる。ＴｉＮ膜の厚みが上記の範囲から外
れると反射率が上昇してしまう。また、バンド幅が１．
５以上の特性を得ようとすると、ＴｉＮ膜の厚みは、１
４ｎｍ〜２７ｎｍ程度とすることが好ましいことがわか
る。

【０１０７】また、ＩＴＯ膜の厚みを２５ｎｍ以下程度
の範囲としたときに良好な光学特性が得られていること
がわかる。ＩＴＯ膜の厚みが２５ｎｍよりも大きいと反
射率や内面反射率が上昇してしまう。さらに、バンド幅
が１．５以上の特性を得ようとすると、ＩＴＯ膜の厚み
は２０ｎｍ以下とすることが好ましいことがわかる。

【０１０８】また、ＳｉＯ₂膜の厚みを４０ｎｍ〜１０
０ｎｍの範囲としたときに良好な特性が得られているこ
とがわかる。ＳｉＯ₂膜の厚みが上記の範囲から外れる
と反射率や内面反射率が上昇してしまう。さらに、この
反射防止膜１でバンド幅が１．５以上の特性を得ようと
すると、ＳｉＯ₂膜の厚みは６０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲
とすることがより好ましい。

【０１０９】そして、表２から、透過率が４５％〜７８
％の程度の範囲とするときに、特性の良い反射防止膜が
得られることがわかる。また、透過率が７０％以下の場
合では、４層の構成であるが、透過率が７０％を超える
場合では、３層構成で最適解があるため第２の光学薄膜
は不要である。すなわち、３層構成と４層構成を適宜使
い分けることで広範囲な透過率調整が可能となることが
わかる。

【０１１０】このように、本発明に係る反射防止膜で
は、各構成膜の膜厚を変化させることで、光学特性を低
下させることなく簡単に透過率を調整することができ
る。また、Ｎｏ．６の反射防止膜について波長と反射率
との関係を示した図６からも明らかなように、広い波長
範囲において優れた反射防止効果を有する反射防止膜を
得ることができることがわかる。

【０１１１】また、第２の光学薄膜としてＩＴＯ膜の代
わりにＳｉＯ_X膜を用いて、同様に各膜の厚さを変化さ
せてＮｏ．１４〜Ｎｏ．１６の反射防止膜を作製し、そ
のときの各特性を評価した。その結果を表３に示す。な
お、ここでは、反射防止膜の透過率として要求が強いと
思われる、６３．５％の透過率についてのみ実験を行っ
た。

【０１１２】

【表３】

【０１１３】表３から、第２の光学薄膜としてＩＴＯ膜
の代わりにＳｉＯ_X膜を用いた場合においても、良好な
特性を有する優れた反射防止膜が得られることがわか
る。

【０１１４】

【発明の効果】本発明では、各層を構成する材料や厚み
を規定することで、特性を低下させることなく、透過率
を調整でき、かつはがれにくい反射防止膜を実現でき
る。

【０１１５】また、この反射防止膜をフェースプレート
に張り付けた本発明の表示装置では、コントラストを向
上させ、画像を見やすくすることができる。さらに、こ
の表示装置では、反射防止膜の透過率を調整すること
で、中心部と端部での透過率を均一にでき、画質の場所
による不均一をなくすことができる。

【０１１６】また、本発明の成膜装置では、複数の成膜
手段を基板の走行路に沿って配することで、複数の薄膜
を連続的に積層形成することができ、製造時間を大幅に
短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る反射防止膜の一構成例を示す断面
図である。

【図２】本発明に係る表示装置の一構成例を模式的に示
す断面図である。

【図３】本発明に係る表示装置の他の構成例を模式的に
示す断面図である。

【図４】ＴｉＮについて水分圧と体積抵抗率との関係を
示す図である。

【図５】本発明に係る成膜装置の一構成例を示す模式図
である。

【図６】実験例で作製された反射防止膜について波長と
反射率との関係を示す図である。

【図７】従来の反射防止膜の一構成例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１反射防止膜、２基板、３接着層、４第１の光
学薄膜、５第２の光学薄膜、６第３の光学薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一主面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物のいずれかからな
る接着層と、金属窒化物を含有する第１の光学薄膜と、屈折率が１．８以上である第２の光学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第３の光学薄膜
とが、積層形成されてなることを特徴とする反射防止
膜。
【請求項２】上記接着層の厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍの
範囲であることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。
【請求項３】上記ケイ素酸化物は、ＳｉＯ_X（Ｘは２
未満の正数）で表されることを特徴とする請求項１記載
の反射防止膜。
【請求項４】上記金属窒化物が、窒化チタンであるこ
とを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項５】上記第１の光学薄膜を形成する窒化チタン
の体積抵抗値が５×１０^-4Ωｃｍ以下であることを特徴
とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項６】上記第１の光学薄膜の膜厚が、７ｎｍ〜
３７ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の反射防
止膜。
【請求項７】上記第１の光学薄膜の膜厚が、１４ｎｍ
〜２７ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の反射
防止膜。
【請求項８】上記金属窒化物が、窒化ジルコニウム又
は窒化ハフニウムであることを特徴とする請求項１記載
の反射防止膜。
【請求項９】上記金属窒化物が、導電性を有すること
を特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項１０】上記第２の光学薄膜の膜厚が、２５ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。
【請求項１１】上記第２の光学薄膜の膜厚が、２０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。
【請求項１２】上記第２の光学薄膜が、透明導電膜で
あることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項１３】上記第２の光学薄膜が、膜厚２５ｎｍ
以下のインジウム錫酸化物であることを特徴とする請求
項１記載の反射防止膜。
【請求項１４】上記第２の光学薄膜が、膜厚２５ｎｍ
以下のＳｉＯ_X（Ｘは２未満の正数）であることを特徴
とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項１５】上記第３の光学薄膜が、ＳｉＯ₂から
なり、当該第３の光学薄膜の厚さが４０ｎｍ〜１００ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項１６】上記第３の光学薄膜が、ＳｉＯ₂から
なり、当該第３の光学薄膜の厚さが６０ｎｍ〜８０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項１７】上記第３の光学薄膜が、ＭｇＦ₂又は
Ａｌ₂Ｏ₃であることを特徴とする請求項１記載の反射防
止膜。
【請求項１８】上記第３の光学薄膜上に、保護膜が形
成されていることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。
【請求項１９】基板の一主面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物のいずれかからな
る接着層と、金属窒化物を含有する第１の光学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第２の光学薄膜
とが、積層形成されてなることを特徴とする反射防止
膜。
【請求項２０】表示部のフェース・プレート表面側
に、反射防止膜が配され、上記反射防止膜は、基板の一
主面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物のいず
れかからなる接着層と、金属窒化物を含有する第１の光学薄膜と、屈折率が１．８以上である第２の光学薄膜と、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第３の光学薄膜
とが、積層形成されてなるとともに、上記基板がフェー
ス・プレート表面と対向するように配されていることを
特徴とする表示装置。
【請求項２１】陰極線を用いた陰極線管であることを
特徴とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２２】上記フェース・プレート表面が略平面
とされたフラットパネルディスプレイであることを特徴
とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２３】連続して走行するフィルム状の基板の
主面上に薄膜を形成する成膜装置であって、上記基板の走行路に沿って配された複数の成膜室を有
し、上記複数の成膜室は、異なる材料からなる薄膜を形成す
る成膜手段をそれぞれ有し、上記基板は、上記複数の成膜室を通過する際に、それぞ
れの成膜室に配された成膜手段によって薄膜が形成され
ることにより、複数の薄膜が順次積層形成されることを
特徴とする成膜装置。
【請求項２４】上記成膜手段は、スパッタリングによ
り薄膜を形成するものであることを特徴とする請求項２
３記載の成膜装置。
【請求項２５】上記複数の成膜室は、上記基板の主面上に、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒
化物のいずれかからなる接着層を形成する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で形成された上記接着層上に、金属窒
化物を含有する第１の光学薄膜を形成する第２の成膜室
と、上記第２の成膜室で形成された上記第１の光学薄膜上
に、屈折率が１．８以上である第２の光学薄膜を形成す
る第３の成膜室と、上記第３の成膜室で形成された上記第２の光学薄膜上
に、屈折率が１．３５〜１．７の範囲である第３の光学
薄膜を形成する第４の成膜室とが、この順に配されてい
ることを特徴とする請求項２３記載の成膜装置。
【請求項２６】上記基板の走行路中に配され当該基板
上に形成された上記薄膜の特性を分析する分析手段と、上記分析手段によって分析された薄膜の特性に応じて成
膜条件を制御する制御手段とを備え、上記分析手段は、成膜が継続して行われている状態で、
基板上に形成された薄膜の特性を分析し、上記制御手段は、上記分析手段で分析された薄膜の特性
に応じて、成膜条件を制御することを特徴とする請求項
２３記載の成膜装置。
【請求項２７】上記分析手段は、光反射率を測定する
光反射率測定手段であることを特徴とする請求項２６記
載の成膜装置。
【請求項２８】上記分析手段は、光透過率を測定する
光透過率測定手段であることを特徴とする請求項２６記
載の成膜装置。
【請求項２９】上記分析手段は、導電性を測定する導
電性測定手段であることを特徴とする請求項２６記載の
成膜装置。