JPS6363002A - レ−ザ用反射鏡 - Google Patents
レ−ザ用反射鏡Info
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- JPS6363002A JPS6363002A JP61208607A JP20860786A JPS6363002A JP S6363002 A JPS6363002 A JP S6363002A JP 61208607 A JP61208607 A JP 61208607A JP 20860786 A JP20860786 A JP 20860786A JP S6363002 A JPS6363002 A JP S6363002A
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- film
- refractive index
- siox
- reflecting mirror
- laser
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Links
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Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザ用反射鏡に関するものである。
(従来の技術)
従来、レーザ用反射鏡例えばHe −N eレーザ用反
射鏡はガラス質基板上に、金属反射膜としてAI!の真
空原着膜を形成し、その上に保21膜としTSiOz、
5iO1’T I O2等を形成したものであった。
射鏡はガラス質基板上に、金属反射膜としてAI!の真
空原着膜を形成し、その上に保21膜としTSiOz、
5iO1’T I O2等を形成したものであった。
しかしながら、ガラス質基板は、剛性、耐熱性、耐)・
?性に劣るので、ファインセラミック基板を使用したレ
ーザ用反射鏡が提案された。
?性に劣るので、ファインセラミック基板を使用したレ
ーザ用反射鏡が提案された。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、この反射鏡は、湿度70%RH以上の環
境下で長期間使用すると、保護膜に微細なりラックが生
し、そのため金属反射膜が腐食じて反射率が低下してし
まうという第一の問題点があった。
境下で長期間使用すると、保護膜に微細なりラックが生
し、そのため金属反射膜が腐食じて反射率が低下してし
まうという第一の問題点があった。
また、反射率そのものも、ガラス質基板を用いた反射鏡
に比べ低く90%以上の反射率のものが得られないとい
う第二の間ご点があった。
に比べ低く90%以上の反射率のものが得られないとい
う第二の間ご点があった。
この原因は、恐らくファインセラミック基板が高純度の
セラミック粉末を焼結して作製するため、基板表面を鏡
面に研磨しても微細なボア(孔)が残り、従って、その
上に金属反射膜を形成すると、反射膜表面が微細な凹凸
を呈することになるためと思われる。
セラミック粉末を焼結して作製するため、基板表面を鏡
面に研磨しても微細なボア(孔)が残り、従って、その
上に金属反射膜を形成すると、反射膜表面が微細な凹凸
を呈することになるためと思われる。
従って、本発明の目的は、温度10%RH以上の環境下
で長期間使用しても反射率が全く又ははとんど低下せず
、反射率が90%以上のレーザ用反射鏡を提供すること
にある。
で長期間使用しても反射率が全く又ははとんど低下せず
、反射率が90%以上のレーザ用反射鏡を提供すること
にある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは鋭意研究の結果、保は膜兼低屈折率物質か
らなる区波長膜としてSiOx(ただし1<x<2)を
使用し、その上にそれより高屈折率物質からなる×波長
膜を形成すると、湿度70%RH以上の環境下で長期間
使用しても反射率が全く又はほとんど低下せず、しかも
反射率が90%以上になることを見い出し、本発明をな
すに至った。
らなる区波長膜としてSiOx(ただし1<x<2)を
使用し、その上にそれより高屈折率物質からなる×波長
膜を形成すると、湿度70%RH以上の環境下で長期間
使用しても反射率が全く又はほとんど低下せず、しかも
反射率が90%以上になることを見い出し、本発明をな
すに至った。
従って、本発明は、「ファインセラミック基板の上に金
属反射膜を形成してなるレーザ用反射鏡に於いて、 前記金属反射膜表面にSiOx(ただし1<X〈2)か
らなるZ波長膜と、前記S ioxよりも高い屈折率を
有する物質からなる×波長膜とを順に形成したことを特
徴とするレーザ用反射鏡」を提供する。
属反射膜を形成してなるレーザ用反射鏡に於いて、 前記金属反射膜表面にSiOx(ただし1<X〈2)か
らなるZ波長膜と、前記S ioxよりも高い屈折率を
有する物質からなる×波長膜とを順に形成したことを特
徴とするレーザ用反射鏡」を提供する。
(作用)
ファインセラミック基板としては、例えば高純度のアル
ミナ、炭化けい素、窒化けい素、ジルコニアなどの粉末
焼結体が使用される。基板は予め鏡面に仕上げておく。
ミナ、炭化けい素、窒化けい素、ジルコニアなどの粉末
焼結体が使用される。基板は予め鏡面に仕上げておく。
次に基板上に金属反射膜を形成する。使用される金属と
してはA1、Agなどが挙げられる。形成法としては一
般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリン
グなどの薄膜堆積技術が使用される。
してはA1、Agなどが挙げられる。形成法としては一
般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリン
グなどの薄膜堆積技術が使用される。
次いで、本発明の特徴であるSiOx(ただし1<x<
2)からなる1/4波長膜を形成する。
2)からなる1/4波長膜を形成する。
この物質自身は既知であり、一般には蒸着源としてSi
Oを用い、少量の酸素ガスを導入した低真空中で蒸着す
ることにより形成される。これによりx=1〜2 (但
し、両端を含まず)、好ましくはx=1.3〜1.9特
に好ましくはx−1,4〜1.9の透明な膜が得られる
。この膜はXの値に応じてna −1,45〜1.90
の屈折率を示す。
Oを用い、少量の酸素ガスを導入した低真空中で蒸着す
ることにより形成される。これによりx=1〜2 (但
し、両端を含まず)、好ましくはx=1.3〜1.9特
に好ましくはx−1,4〜1.9の透明な膜が得られる
。この膜はXの値に応じてna −1,45〜1.90
の屈折率を示す。
1着に代えて高周波マグネトロン・スパッタリングを用
いてもよい。
いてもよい。
次に高屈折率物質からなる5〈波長膜を形成する。
高屈折率物質としては、使用したS iox膜の屈折率
にもよるが、例えば”i oz 、Ce O□、ZrO
□などが使用される。
にもよるが、例えば”i oz 、Ce O□、ZrO
□などが使用される。
また、反射率が90%以下に低下しなければ、高屈折率
物質からなる1/4波長膜の上に保護膜その他の機能膜
を形成してもよい。
物質からなる1/4波長膜の上に保護膜その他の機能膜
を形成してもよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
鏡面研磨したアルミナ・ファインセラミック基板上に、
真空度I X 10−’〜5 X 10−’Torrで
A1を0.2μm775着することにより金属反射膜を
形成した。
真空度I X 10−’〜5 X 10−’Torrで
A1を0.2μm775着することにより金属反射膜を
形成した。
次にチャンバー内を一旦真空度5×lO−″Torrま
で排気したあと、酸素を導入して真空度を3 X 10
−’〜6 X 10−’Torrにした後、蒸着源にS
iOをセットして蒸着を行ない、膜厚:×波長く基準波
長λ。=632.8 r+e+)のS iox膜(n4
−1.50)を形成し、更にその上に真空度lXl0−
’〜5 X 10−’Torrで膜厚:×波長(基準波
長λ。−632,8nm)のCe 02(n4=2.1
G) 111を形成することによりレーザ用反射鏡を作
成した。
で排気したあと、酸素を導入して真空度を3 X 10
−’〜6 X 10−’Torrにした後、蒸着源にS
iOをセットして蒸着を行ない、膜厚:×波長く基準波
長λ。=632.8 r+e+)のS iox膜(n4
−1.50)を形成し、更にその上に真空度lXl0−
’〜5 X 10−’Torrで膜厚:×波長(基準波
長λ。−632,8nm)のCe 02(n4=2.1
G) 111を形成することによりレーザ用反射鏡を作
成した。
(実施例2)
実施例1に於いて、Ce O□の代わりにTi ○2(
na =2.60)を使用した外は、全く同様社してレ
ーザ用反射鏡を作成した。
na =2.60)を使用した外は、全く同様社してレ
ーザ用反射鏡を作成した。
(実施例3)
実施例2に於いて、Ce O,の代わりにZr Oz(
na =2.15)を使用した外は、全く同様にして反
射鏡を作成した。
na =2.15)を使用した外は、全く同様にして反
射鏡を作成した。
(比較例1)
比較のために、実施例1と同様にして金属反射膜を形成
した後、蒸着源にSin、をセットし真空度I X 1
0−S〜5 X 10−’Torrで膜厚:χ波長(基
準波長λ。=632.8 n+w)のS r Oを膜(
n4−1.46)を形成することによりレーザ用反射鏡
を作成した。
した後、蒸着源にSin、をセットし真空度I X 1
0−S〜5 X 10−’Torrで膜厚:χ波長(基
準波長λ。=632.8 n+w)のS r Oを膜(
n4−1.46)を形成することによりレーザ用反射鏡
を作成した。
(試験例1)
実施例および比較例で作成した反射鏡について、波長λ
−632,8n+nの測定光を用いて反射;(%)を測
定した後、耐熱性、耐湿性を澗ぺるため、温、湿度サイ
クル試験(温度・−40〜+150℃、湿度:20〜9
5%RH)を30サイクル行ない、その後再び反射率(
%)を同様に測定した。この結果を次の第1表に示す。
−632,8n+nの測定光を用いて反射;(%)を測
定した後、耐熱性、耐湿性を澗ぺるため、温、湿度サイ
クル試験(温度・−40〜+150℃、湿度:20〜9
5%RH)を30サイクル行ない、その後再び反射率(
%)を同様に測定した。この結果を次の第1表に示す。
第 1 表 (真空蒸着法)
次に金属反射膜及びSi Ox保護膜を高周波マグネト
ロン・スパッタリング法によって形成した反射鏡の実施
例を示す。
ロン・スパッタリング法によって形成した反射鏡の実施
例を示す。
(実施例4)
スパッタリング装置に、鏡面研磨したアルミナ・ファイ
ンセラミックit反とA1ターゲットをセットし、チャ
ンバー内を一旦真空度: 5 Xl0−”Torrまで
排気した後、Arガスを4大してArガス圧lXl0−
”〜4 X 10−’Torrに保ってスパッタリング
を行ない、基板上に厚さ0.2μmのAf(金属反射膜
)を形成させた。
ンセラミックit反とA1ターゲットをセットし、チャ
ンバー内を一旦真空度: 5 Xl0−”Torrまで
排気した後、Arガスを4大してArガス圧lXl0−
”〜4 X 10−’Torrに保ってスパッタリング
を行ない、基板上に厚さ0.2μmのAf(金属反射膜
)を形成させた。
次にターゲットをSi ○に取替え、Arガス分圧:1
X10−コル4XLO弓Torr、 a素分圧:5×1
0−4〜2 X 10−’Torrの混合ガスを導入し
てスパッタリングを行ない、基板上に厚さ:A波長(基
準波長λ。−632,8nm)のS i Ox (n
a = 1.48)を形成させた。
X10−コル4XLO弓Torr、 a素分圧:5×1
0−4〜2 X 10−’Torrの混合ガスを導入し
てスパッタリングを行ない、基板上に厚さ:A波長(基
準波長λ。−632,8nm)のS i Ox (n
a = 1.48)を形成させた。
最後にターゲットをCeO2に取替え、Arガス圧:
I X 10−’〜6 X 10−’Torrの条件で
スパッタリングを行ない、厚さ:A波長(基準波長λ。
I X 10−’〜6 X 10−’Torrの条件で
スパッタリングを行ない、厚さ:A波長(基準波長λ。
=632.8 nm)のCeO□を堆積させ、これによ
りレーザ用反射鏡を完成させた。
りレーザ用反射鏡を完成させた。
(実施例5)
実施例4に於いて、Ce○2ターゲットの代わりにT
i O2ターゲットを使用した外は全く同様にして反射
鏡を作成した。
i O2ターゲットを使用した外は全く同様にして反射
鏡を作成した。
(実施例6)
実施例4に於いて、Centターゲットの代わりにZr
O□ターゲットを使用した外は全く同様にして反射鏡を
作成した。
O□ターゲットを使用した外は全く同様にして反射鏡を
作成した。
(比較例2)
比較のために、実施例4と同様にして金属反射膜を形成
した後、ターゲットにS iOzをセットしArガス圧
:lX10弓〜6×10弓Torrでスパッタリングを
行ない、膜厚:×波長(基準波長λ。
した後、ターゲットにS iOzをセットしArガス圧
:lX10弓〜6×10弓Torrでスパッタリングを
行ない、膜厚:×波長(基準波長λ。
=632.8 nm)の5in2膜(n、 〜1.45
)を形成することによりレーザ用反射鏡を作成した。
)を形成することによりレーザ用反射鏡を作成した。
(比較例3a)
比較のために、実施例4と同様にして金属反射膜を形成
した後、ターゲットにAfz 03をセットし、Arガ
ス圧:txto−−6X 10−’Torrでスパッタ
リングを行ない、膜厚:+A彼長(基準波長λ。=63
2.8 nm)のA 1 zo、3膜(na 〜1.6
0)を形成することによりレーザ用反射鏡を作成した。
した後、ターゲットにAfz 03をセットし、Arガ
ス圧:txto−−6X 10−’Torrでスパッタ
リングを行ない、膜厚:+A彼長(基準波長λ。=63
2.8 nm)のA 1 zo、3膜(na 〜1.6
0)を形成することによりレーザ用反射鏡を作成した。
(比較例3b)
比較のために、実施例4と同様にして金属反射膜を形成
した後、ターゲットとしてMgF、をセットし、Arガ
ス圧: l X 10”〜6 X 10−’Torrの
条件でスパッタリングを行ない、膜厚:A波長(基準波
長λ。=632.8 nm)のMgFz薄膜(na−1
,38>を形成することによりレーザ用反射鏡を作成し
た。
した後、ターゲットとしてMgF、をセットし、Arガ
ス圧: l X 10”〜6 X 10−’Torrの
条件でスパッタリングを行ない、膜厚:A波長(基準波
長λ。=632.8 nm)のMgFz薄膜(na−1
,38>を形成することによりレーザ用反射鏡を作成し
た。
(比較例4)
比較のために、実施例5に於いてSiOの代わりに、タ
ーゲットとしてMgF2を用いArガス圧: I XI
O”’〜6 Xl0−’Torrの条件でスパッタリン
グしてMgFzFi!膜(n、−1,38)を形成した
外は実施例5と同様にして反射鏡を作成した。
ーゲットとしてMgF2を用いArガス圧: I XI
O”’〜6 Xl0−’Torrの条件でスパッタリン
グしてMgFzFi!膜(n、−1,38)を形成した
外は実施例5と同様にして反射鏡を作成した。
(比較例5)
比較のために、実施例6に於いてSiOの代わりに、タ
ーゲットとしてMgFzを用いArガス圧: I XI
O”3〜6 Xl0−’Torrの条件でスパッタリン
グしてMgFz薄膜(na 〜1.38)を形成した外
は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
ーゲットとしてMgFzを用いArガス圧: I XI
O”3〜6 Xl0−’Torrの条件でスパッタリン
グしてMgFz薄膜(na 〜1.38)を形成した外
は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
(試験例2)
実施例および比較例で作成した反射鏡について試験例1
と同様に試験に供し、試験前後の反射率を測定した。こ
の結果を次の第2表に示す。
と同様に試験に供し、試験前後の反射率を測定した。こ
の結果を次の第2表に示す。
第 2 表 (高周波マグネトロンスパッタリング
法)*実=実施例 比−比較例 次に、各種のファインセラミック基板に反射膜を形成し
た実施例を示す。
法)*実=実施例 比−比較例 次に、各種のファインセラミック基板に反射膜を形成し
た実施例を示す。
(実施例7)
鏡面研磨したジルコニア・ファインセラミック基板を用
い、実施例4と同様に反射鏡を作成した。
い、実施例4と同様に反射鏡を作成した。
この反射鏡の反射率を測定したところ95%(測定波長
λ。−632,8no+)であった。
λ。−632,8no+)であった。
次に、試験例1に従って試験を行なった後、反射率を測
定したところ93%であった。
定したところ93%であった。
(実施例8)
鏡面研磨した炭化けい素・ファインセラミック基板を用
い、実施例1と同様に反射鏡を作成した゛。
い、実施例1と同様に反射鏡を作成した゛。
この反射鏡の反射率を測定したところ93%(測定波長
λ。−632,8nm)であった。
λ。−632,8nm)であった。
次に、試験例1に従って試験を行なった後、反射率を測
定したところ92%であった。
定したところ92%であった。
(実施例11)
鏡面研磨したマグネシア・ファインセラミック基板を用
い、実施例2と同様に反射鏡を作成した。
い、実施例2と同様に反射鏡を作成した。
この反射鏡の反射率を測定したところ92%(測定波長
λ。−632,8r+s+)であった。
λ。−632,8r+s+)であった。
次に試験例1に従って試験を行なったが、反射率は変化
しなかった。
しなかった。
(発明の効果)
以上のように、本発明によれば、湿度70%RH以上の
環境下で長期間使用しても反射率が全く又はほとんど低
下せず、しかも反射率が90%以上のレーザ用反射鏡が
得られる0本発明の反射鏡は特にHe−Neレーザ用反
射鏡として有用である。
環境下で長期間使用しても反射率が全く又はほとんど低
下せず、しかも反射率が90%以上のレーザ用反射鏡が
得られる0本発明の反射鏡は特にHe−Neレーザ用反
射鏡として有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ファインセラミック基板の上に金属反射膜を形成してな
るレーザ用反射鏡に於いて、 前記金属反射膜表面にSiO_x(ただし1<x<2)
からなる1/4波長膜と、前記SiO_xよりも高い屈
折率を有する物質からなる1/4波長膜とを順に形成し
たことを特徴とするレーザ用反射鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208607A JPS6363002A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | レ−ザ用反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208607A JPS6363002A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | レ−ザ用反射鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6363002A true JPS6363002A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16559010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61208607A Pending JPS6363002A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | レ−ザ用反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6363002A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63208801A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレ−ザ用ミラ− |
JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
JP2006515681A (ja) * | 2002-10-10 | 2006-06-01 | グラヴルベル | 親水性反射物品 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP61208607A patent/JPS6363002A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63208801A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレ−ザ用ミラ− |
JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
JP2006515681A (ja) * | 2002-10-10 | 2006-06-01 | グラヴルベル | 親水性反射物品 |
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