JPH11213448A - 耐食性反射膜及び該膜で被覆された構造体 - Google Patents
耐食性反射膜及び該膜で被覆された構造体Info
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- JPH11213448A JPH11213448A JP10013577A JP1357798A JPH11213448A JP H11213448 A JPH11213448 A JP H11213448A JP 10013577 A JP10013577 A JP 10013577A JP 1357798 A JP1357798 A JP 1357798A JP H11213448 A JPH11213448 A JP H11213448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温高湿の環境に置かれても、Ａｇ薄膜に腐
食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で被覆したも
のは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対して、またＡｇ
−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００ｎｍ以上の波
長の可視光に対して９０％以上の反射率を維持する。 【解決手段】 耐食性反射膜は基体１０の表面に形成さ
れたＡｇ薄膜１１と、このＡｇ薄膜１１表面に形成され
たＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜１２又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
とを備え、このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜１２の組成がＭｇ
２０〜３０原子％であり、このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の
組成がＡｌ５〜５０原子％であり、残部Ａｇである。
食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で被覆したも
のは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対して、またＡｇ
−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００ｎｍ以上の波
長の可視光に対して９０％以上の反射率を維持する。 【解決手段】 耐食性反射膜は基体１０の表面に形成さ
れたＡｇ薄膜１１と、このＡｇ薄膜１１表面に形成され
たＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜１２又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
とを備え、このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜１２の組成がＭｇ
２０〜３０原子％であり、このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の
組成がＡｌ５〜５０原子％であり、残部Ａｇである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属、ガラス、セラ
ミックス、プラスチックス等の基体表面にＡｇ薄膜が形
成された耐食性反射膜に関する。更に詳しくは、基体表
面がＡｇ薄膜で被覆された、光ディスク（ＣＤ）、光磁
気ディスク（ＭＯ）、ミニディスク（ＭＤ）、リフレク
タ、照明器具、標識、Ａｇめっき製品等に適する構造体
に関するものである。
ミックス、プラスチックス等の基体表面にＡｇ薄膜が形
成された耐食性反射膜に関する。更に詳しくは、基体表
面がＡｇ薄膜で被覆された、光ディスク（ＣＤ）、光磁
気ディスク（ＭＯ）、ミニディスク（ＭＤ）、リフレク
タ、照明器具、標識、Ａｇめっき製品等に適する構造体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のＡｇ薄膜は銀白色の美しい光沢
を有し、電気及び熱の伝導率が金属薄膜中もっとも高い
点で優れている。特に反射率が可視光の広い波長域にわ
たって１００％に近い値を示すために、鏡面を必要とす
る装置、例えば上記光ディスク、光磁気ディスク等の反
射膜に広く利用されている。またＡｇ薄膜は装飾美があ
るうえ、抗菌性が高いために洋食器に高級感と清潔感を
与える。その一方でＡｇ薄膜は耐食性に乏しい欠点があ
る。即ち、乾燥雰囲気中では、Ａｇは酸素中で高温に熱
しても酸化されず化学的にも安定な金属であるけれど
も、通常の湿気を含んだ大気中や硫化ガスや紫外線の存
在下では、Ａｇは変質したり、変色したり、或いは光沢
を失ったりする。特に硫黄とは直接結合して、例えばＨ
2Ｓと反応して常温でも容易にＡｇ2Ｓとなり黒色に変化
する。更にＡｇ薄膜は高温高湿の環境に置かれると白濁
化し、曇化する。従来、このようなＡｇ薄膜の耐食性を
向上させる方法として、薄膜を他の金属との合金にする
方法や、透明なプラスチックやセラミック被膜を保護膜
としてＡｇ薄膜に被覆する方法などが挙げられる。
を有し、電気及び熱の伝導率が金属薄膜中もっとも高い
点で優れている。特に反射率が可視光の広い波長域にわ
たって１００％に近い値を示すために、鏡面を必要とす
る装置、例えば上記光ディスク、光磁気ディスク等の反
射膜に広く利用されている。またＡｇ薄膜は装飾美があ
るうえ、抗菌性が高いために洋食器に高級感と清潔感を
与える。その一方でＡｇ薄膜は耐食性に乏しい欠点があ
る。即ち、乾燥雰囲気中では、Ａｇは酸素中で高温に熱
しても酸化されず化学的にも安定な金属であるけれど
も、通常の湿気を含んだ大気中や硫化ガスや紫外線の存
在下では、Ａｇは変質したり、変色したり、或いは光沢
を失ったりする。特に硫黄とは直接結合して、例えばＨ
2Ｓと反応して常温でも容易にＡｇ2Ｓとなり黒色に変化
する。更にＡｇ薄膜は高温高湿の環境に置かれると白濁
化し、曇化する。従来、このようなＡｇ薄膜の耐食性を
向上させる方法として、薄膜を他の金属との合金にする
方法や、透明なプラスチックやセラミック被膜を保護膜
としてＡｇ薄膜に被覆する方法などが挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜を
他の金属、例えばＴｉ、Ｐｄ等との合金（Ａｇ−Ｔｉ合
金、Ａｇ−Ｐｄ合金等）にした場合には、耐食性は向上
するが反射率が低下してしまう不具合があった。またＡ
ｇ薄膜を保護膜で被覆した場合には、ピンホール、剥離
等の保護膜の膜欠陥を完全になくすことが困難であり、
このような欠陥部から侵入した水分や腐食性ガスにより
Ａｇ薄膜の腐食が進行してしまうことがあった。本発明
の目的は、高温高湿の環境に置かれても、Ａｇ薄膜に腐
食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で被覆したも
のは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対して、またＡｇ
−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００ｎｍ以上の波
長の可視光に対して９０％以上の反射率をそれぞれ維持
する耐食性反射膜及びこの反射膜で被覆された構造体を
提供することにある。
他の金属、例えばＴｉ、Ｐｄ等との合金（Ａｇ−Ｔｉ合
金、Ａｇ−Ｐｄ合金等）にした場合には、耐食性は向上
するが反射率が低下してしまう不具合があった。またＡ
ｇ薄膜を保護膜で被覆した場合には、ピンホール、剥離
等の保護膜の膜欠陥を完全になくすことが困難であり、
このような欠陥部から侵入した水分や腐食性ガスにより
Ａｇ薄膜の腐食が進行してしまうことがあった。本発明
の目的は、高温高湿の環境に置かれても、Ａｇ薄膜に腐
食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で被覆したも
のは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対して、またＡｇ
−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００ｎｍ以上の波
長の可視光に対して９０％以上の反射率をそれぞれ維持
する耐食性反射膜及びこの反射膜で被覆された構造体を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、基体１０の表面に形成されたＡｇ薄
膜１１と、このＡｇ薄膜１１表面に形成されたＡｇ−Ｍ
ｇ合金超薄膜１２とを備え、このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜
１２の組成がＭｇ２０〜３０原子％であり、残部Ａｇで
あることを特徴とする耐食性反射膜である。また請求項
２に係る発明は、図示しないが、基体の表面に形成され
たＡｇ薄膜と、このＡｇ薄膜表面に形成されたＡｇ−Ａ
ｌ合金超薄膜とを備え、このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の組
成がＡｌ５〜５０原子％であり、残部Ａｇであることを
特徴とする耐食性反射膜である。
図１に示すように、基体１０の表面に形成されたＡｇ薄
膜１１と、このＡｇ薄膜１１表面に形成されたＡｇ−Ｍ
ｇ合金超薄膜１２とを備え、このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜
１２の組成がＭｇ２０〜３０原子％であり、残部Ａｇで
あることを特徴とする耐食性反射膜である。また請求項
２に係る発明は、図示しないが、基体の表面に形成され
たＡｇ薄膜と、このＡｇ薄膜表面に形成されたＡｇ−Ａ
ｌ合金超薄膜とを備え、このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の組
成がＡｌ５〜５０原子％であり、残部Ａｇであることを
特徴とする耐食性反射膜である。
【０００５】Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−Ａｌ合金
超薄膜は、高温高湿条件下でも変色も曇化もせず、Ａｇ
薄膜との付着が良好であり、かつ超薄膜であるがゆえに
金属膜でありながら光の吸収量が小さいという特性を持
つ。従ってＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−Ａｌ合金超
薄膜でＡｇ膜を被覆することにより、高温高湿条件に対
する耐食性を向上させることができる。また請求項１に
係る発明においてＭｇ濃度が２０原子％未満、請求項２
に係る発明においてＡｌ濃度が５原子％未満にそれぞれ
なると、高温高湿条件下でのＡｇ薄膜の曇化を防止する
効果が不十分になる。更に請求項１に係る発明において
Ｍｇ濃度が３０原子％、請求項２に係る発明においてＡ
ｌ濃度が５０原子％をそれぞれ越えると反射膜の反射率
が低下する。
超薄膜は、高温高湿条件下でも変色も曇化もせず、Ａｇ
薄膜との付着が良好であり、かつ超薄膜であるがゆえに
金属膜でありながら光の吸収量が小さいという特性を持
つ。従ってＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−Ａｌ合金超
薄膜でＡｇ膜を被覆することにより、高温高湿条件に対
する耐食性を向上させることができる。また請求項１に
係る発明においてＭｇ濃度が２０原子％未満、請求項２
に係る発明においてＡｌ濃度が５原子％未満にそれぞれ
なると、高温高湿条件下でのＡｇ薄膜の曇化を防止する
効果が不十分になる。更に請求項１に係る発明において
Ｍｇ濃度が３０原子％、請求項２に係る発明においてＡ
ｌ濃度が５０原子％をそれぞれ越えると反射膜の反射率
が低下する。
【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、図２に示すように、基体１０の表面
にアンダコート層１３を介してＡｇ薄膜１１が形成され
た耐食性反射膜である。請求項４に係る発明は、請求項
１ないし３いずれかに係る発明であって、Ａｇ−Ｍｇ合
金超薄膜１２又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の表面にトップ
コート層１４が形成された請求項１ないし３いずれか記
載の耐食性反射膜である。
係る発明であって、図２に示すように、基体１０の表面
にアンダコート層１３を介してＡｇ薄膜１１が形成され
た耐食性反射膜である。請求項４に係る発明は、請求項
１ないし３いずれかに係る発明であって、Ａｇ−Ｍｇ合
金超薄膜１２又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜の表面にトップ
コート層１４が形成された請求項１ないし３いずれか記
載の耐食性反射膜である。
【０００７】基体の表面にアンダコート層を形成してか
らＡｇ薄膜を形成すると、Ａｇ薄膜の基体に対する密着
性が高まり、反射膜の耐食性をより一層良好にする。上
記合金超薄膜の表面にトップコート層を形成する場合も
同様に反射膜の耐食性をより一層良好にする。
らＡｇ薄膜を形成すると、Ａｇ薄膜の基体に対する密着
性が高まり、反射膜の耐食性をより一層良好にする。上
記合金超薄膜の表面にトップコート層を形成する場合も
同様に反射膜の耐食性をより一層良好にする。
【０００８】請求項５に係る発明は、請求項１、３又は
４いずれかに係る発明であって、Ａｇ薄膜１１が少なく
とも５００オングストロームの膜厚を有し、Ａｇ−Ｍｇ
合金超薄膜１２が１０〜１００オングストロームの膜厚
を有する耐食性反射膜である。請求項６に係る発明は、
請求項２ないし４いずれかに係る発明であって、Ａｇ薄
膜が少なくとも５００オングストロームの膜厚を有し、
Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜が１０〜４０オングストロームの
膜厚を有する耐食性反射膜である。
４いずれかに係る発明であって、Ａｇ薄膜１１が少なく
とも５００オングストロームの膜厚を有し、Ａｇ−Ｍｇ
合金超薄膜１２が１０〜１００オングストロームの膜厚
を有する耐食性反射膜である。請求項６に係る発明は、
請求項２ないし４いずれかに係る発明であって、Ａｇ薄
膜が少なくとも５００オングストロームの膜厚を有し、
Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜が１０〜４０オングストロームの
膜厚を有する耐食性反射膜である。
【０００９】Ａｇ薄膜の膜厚が５００オングストローム
未満では膜厚が不十分で入射した光が一部透過し、反射
率が小さくなる不具合がある。また合金超薄膜の膜厚が
１０オングストローム未満ではＡｇ薄膜を均一に被覆す
ることが困難であり、１００オングストローム（請求項
５）又は４０オングストローム（請求項６）を越えると
反射膜の反射率を低下させる。
未満では膜厚が不十分で入射した光が一部透過し、反射
率が小さくなる不具合がある。また合金超薄膜の膜厚が
１０オングストローム未満ではＡｇ薄膜を均一に被覆す
ることが困難であり、１００オングストローム（請求項
５）又は４０オングストローム（請求項６）を越えると
反射膜の反射率を低下させる。
【００１０】請求項７に係る発明は、基体１０が金属、
ガラス、セラミックス又はプラスチックスであって、こ
の基体の表面に請求項１ないし６いずれか記載の耐食性
反射膜で被覆された構造体である。
ガラス、セラミックス又はプラスチックスであって、こ
の基体の表面に請求項１ないし６いずれか記載の耐食性
反射膜で被覆された構造体である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の基体は、金属、ガラス、
セラミックス又はプラスチックスである。金属は純Ａｇ
を含む。例えば光ディスク、光磁気ディスク、ミニディ
スク、リフレクタ、照明器具、標識、Ａｇめっき製品に
用いられるＡｇ薄膜が形成される基体である。アンダコ
ート層を設ければＡｇ薄膜の密着性がより高まり剥離を
生じる恐れはなくなる。また基体は平板に限らず、凹面
物、凸面物、凹凸状物、その他立体物を含む。このアン
ダコート層や合金超薄膜の表面に形成されるトップコー
ト層は、樹脂液をコーティングして形成される透明な合
成樹脂層又は蒸着により形成されるサイアロン（ＳｉＡ
ｌＯＮ）、Ｓｉ3Ｎ4等の透明なセラミック層である。こ
のアンダコート層又はトップコート層の厚さは基体の平
滑度や構造体の用途に応じてそれぞれ決められる。
セラミックス又はプラスチックスである。金属は純Ａｇ
を含む。例えば光ディスク、光磁気ディスク、ミニディ
スク、リフレクタ、照明器具、標識、Ａｇめっき製品に
用いられるＡｇ薄膜が形成される基体である。アンダコ
ート層を設ければＡｇ薄膜の密着性がより高まり剥離を
生じる恐れはなくなる。また基体は平板に限らず、凹面
物、凸面物、凹凸状物、その他立体物を含む。このアン
ダコート層や合金超薄膜の表面に形成されるトップコー
ト層は、樹脂液をコーティングして形成される透明な合
成樹脂層又は蒸着により形成されるサイアロン（ＳｉＡ
ｌＯＮ）、Ｓｉ3Ｎ4等の透明なセラミック層である。こ
のアンダコート層又はトップコート層の厚さは基体の平
滑度や構造体の用途に応じてそれぞれ決められる。
【００１２】Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜におけるＭｇの含有
量は２０〜３０原子％であり、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜に
おけるＡｌの含有量は５〜５０原子％である。耐食性反
射膜で被覆された構造体の用途により、また要求される
反射率特性により、上記範囲内で含有量は変化する。
量は２０〜３０原子％であり、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜に
おけるＡｌの含有量は５〜５０原子％である。耐食性反
射膜で被覆された構造体の用途により、また要求される
反射率特性により、上記範囲内で含有量は変化する。
【００１３】本発明のＡｇ薄膜と、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄
膜又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法などの方法により形
成される。スパッタリング法の中で特にマグネトロンス
パッタリング法が好ましい。これは合金組成の制御をス
パッタリングの際にターゲットに印加される電力値の増
減、被着体の位置の移動によって容易に行うことができ
ること、基体に対する膜の密着力が大きいこと、大面積
の基体に組成、厚さの均一な膜を形成しやすいことなど
による。例えば光ディスク、光磁気ディスク、ミニディ
スク、照明器具用の反射膜は、主としてこのマグネトロ
ンスパッタリング法により形成され、家庭用プラスチッ
ク製品のめっき膜、鏡などの反射膜は、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法により形成される。またスパッタ
リング法でＡｇ薄膜と上記合金超薄膜を形成する場合に
は、Ａｇ薄膜を形成した後、大気に曝すことなく連続し
て上記合金超薄膜を形成することができる。このスパッ
タリング法によるＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−Ａｌ
合金超薄膜の形成は、ＡｇターゲットとＭｇ又はＡｌの
ターゲットを用いたコスパッタリングや、或はＡｇ−Ｍ
ｇ合金ターゲット又はＡｇ−Ａｌ合金ターゲットを用い
たスパッタリングのいずれによっても行うことができ
る。
膜又はＡｇ−Ａｌ合金超薄膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法などの方法により形
成される。スパッタリング法の中で特にマグネトロンス
パッタリング法が好ましい。これは合金組成の制御をス
パッタリングの際にターゲットに印加される電力値の増
減、被着体の位置の移動によって容易に行うことができ
ること、基体に対する膜の密着力が大きいこと、大面積
の基体に組成、厚さの均一な膜を形成しやすいことなど
による。例えば光ディスク、光磁気ディスク、ミニディ
スク、照明器具用の反射膜は、主としてこのマグネトロ
ンスパッタリング法により形成され、家庭用プラスチッ
ク製品のめっき膜、鏡などの反射膜は、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法により形成される。またスパッタ
リング法でＡｇ薄膜と上記合金超薄膜を形成する場合に
は、Ａｇ薄膜を形成した後、大気に曝すことなく連続し
て上記合金超薄膜を形成することができる。このスパッ
タリング法によるＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−Ａｌ
合金超薄膜の形成は、ＡｇターゲットとＭｇ又はＡｌの
ターゲットを用いたコスパッタリングや、或はＡｇ−Ｍ
ｇ合金ターゲット又はＡｇ−Ａｌ合金ターゲットを用い
たスパッタリングのいずれによっても行うことができ
る。
【００１４】次に、基体表面にＡｇ薄膜とＡｇ−Ｍｇ合
金超薄膜を形成する具体的な態様について説明する。Ａ
ｇ−Ａｌ合金超薄膜の形成も同様である。 (a) ＡｇターゲットとＭｇターゲットを用いたコスパッ
タリング法による場合：図３に示すように、Ａｇターゲ
ット２１とＭｇターゲット２２と基体ホルダ２３をチャ
ンバ中心Ｏから所定の等距離だけ隔てて配置する。チャ
ンバ中心ＯとＡｇターゲット２１の中心を結ぶ線Ａとチ
ャンバ中心ＯとＭｇターゲット２２の中心を結ぶ線Ｂと
のなす角度をηとするとき、この角度ηの範囲内を移動
可能に基体ホルダ２３が配置される。線Ａからのホルダ
２３の移動角はθで示される。図４及び図５に示すよう
に、基体ホルダ２３には基体１０が保持され、基体１０
がターゲット２１及び２２に対してそれぞれ所定の高さ
になるようにホルダ２３を配置する。Ａｇターゲット２
１及びＭｇターゲット２２には、一方のターゲットから
スパッタリングされた粒子が横方向に飛散して他方のタ
ーゲット表面を汚染しないように円筒状シールド２４が
それぞれ設けられる。またＭｇターゲット２２の上方に
はシャッタ２６が除去可能に設けられる。スパッタリン
グ時に基体ホルダ２３は一定の速度で自転するようにな
っている。
金超薄膜を形成する具体的な態様について説明する。Ａ
ｇ−Ａｌ合金超薄膜の形成も同様である。 (a) ＡｇターゲットとＭｇターゲットを用いたコスパッ
タリング法による場合：図３に示すように、Ａｇターゲ
ット２１とＭｇターゲット２２と基体ホルダ２３をチャ
ンバ中心Ｏから所定の等距離だけ隔てて配置する。チャ
ンバ中心ＯとＡｇターゲット２１の中心を結ぶ線Ａとチ
ャンバ中心ＯとＭｇターゲット２２の中心を結ぶ線Ｂと
のなす角度をηとするとき、この角度ηの範囲内を移動
可能に基体ホルダ２３が配置される。線Ａからのホルダ
２３の移動角はθで示される。図４及び図５に示すよう
に、基体ホルダ２３には基体１０が保持され、基体１０
がターゲット２１及び２２に対してそれぞれ所定の高さ
になるようにホルダ２３を配置する。Ａｇターゲット２
１及びＭｇターゲット２２には、一方のターゲットから
スパッタリングされた粒子が横方向に飛散して他方のタ
ーゲット表面を汚染しないように円筒状シールド２４が
それぞれ設けられる。またＭｇターゲット２２の上方に
はシャッタ２６が除去可能に設けられる。スパッタリン
グ時に基体ホルダ２３は一定の速度で自転するようにな
っている。
【００１５】このようなスパッタリング装置で基体表面
にＡｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を形成するに
は、先ず図４に示すように基体１０を基体ホルダ２３に
保持してホルダ２３を角度θ＝０度（図３）にセット
し、基体１０をＡｇターゲット２１に対向させる。この
ときＭｇターゲット２２の上方にこのターゲットより大
径のシャッタ２６を配置してＭｇターゲットを覆ってお
く。チャンバ内が所定の真空度に到達したところで、チ
ャンバ内にＡｒガスを導入して所定のガス圧にし、スパ
ッタリングを開始し、基体表面にＡｇを所望の膜厚だけ
成膜する。次いでＭｇターゲット２２の上方に配置した
シャッタ２６を取除いた後、基体ホルダ２３をそのまま
の状態にしておくか、或は図５に示すようにＡｇターゲ
ット２１とＭｇターゲット２２の間に移動する。即ち、
このとき角度θを角度ηが１２０度の場合に０〜４０度
（図３）にする。この状態でスパッタリングを再開し、
Ａｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を所望の膜厚だ
け成膜する。 (b) Ａｇ−Ｍｇ合金ターゲットを用いたスパッタリング
法による場合：図６に示すように、Ａｇターゲット２１
とＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７と基体ホルダ２３をチ
ャンバ中心Ｏから所定の等距離だけ隔てて配置する。角
度η及び角度θは上記(a)の場合と同様である。図７及
び図８に示すように、基体ホルダ２３には基体１０が保
持され、基体１０がターゲット２１及び２７に対してそ
れぞれ所定の高さになるようにホルダ２３を配置する。
Ａｇターゲット２１及びＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７
には、上記(a)の場合と同じ円筒状シールド２４がそれ
ぞれ設けられ、かつシャッタ２６が除去可能にそれぞれ
設けられる。スパッタリング時に基体ホルダは一定の速
度で自転するようになっている。
にＡｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を形成するに
は、先ず図４に示すように基体１０を基体ホルダ２３に
保持してホルダ２３を角度θ＝０度（図３）にセット
し、基体１０をＡｇターゲット２１に対向させる。この
ときＭｇターゲット２２の上方にこのターゲットより大
径のシャッタ２６を配置してＭｇターゲットを覆ってお
く。チャンバ内が所定の真空度に到達したところで、チ
ャンバ内にＡｒガスを導入して所定のガス圧にし、スパ
ッタリングを開始し、基体表面にＡｇを所望の膜厚だけ
成膜する。次いでＭｇターゲット２２の上方に配置した
シャッタ２６を取除いた後、基体ホルダ２３をそのまま
の状態にしておくか、或は図５に示すようにＡｇターゲ
ット２１とＭｇターゲット２２の間に移動する。即ち、
このとき角度θを角度ηが１２０度の場合に０〜４０度
（図３）にする。この状態でスパッタリングを再開し、
Ａｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を所望の膜厚だ
け成膜する。 (b) Ａｇ−Ｍｇ合金ターゲットを用いたスパッタリング
法による場合：図６に示すように、Ａｇターゲット２１
とＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７と基体ホルダ２３をチ
ャンバ中心Ｏから所定の等距離だけ隔てて配置する。角
度η及び角度θは上記(a)の場合と同様である。図７及
び図８に示すように、基体ホルダ２３には基体１０が保
持され、基体１０がターゲット２１及び２７に対してそ
れぞれ所定の高さになるようにホルダ２３を配置する。
Ａｇターゲット２１及びＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７
には、上記(a)の場合と同じ円筒状シールド２４がそれ
ぞれ設けられ、かつシャッタ２６が除去可能にそれぞれ
設けられる。スパッタリング時に基体ホルダは一定の速
度で自転するようになっている。
【００１６】このようなスパッタリング装置で基体表面
にＡｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を形成するに
は、先ず図７に示すように基体１０を基体ホルダ２３に
保持してホルダ２３を角度θ＝０度（図６）にセット
し、基体１０をＡｇターゲット２１に対向させる。この
ときＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７の上方にこのターゲ
ットより大径のシャッタ２６を配置してＡｇ−Ｍｇ合金
ターゲットを覆っておく。チャンバ内が所定の真空度に
到達したところで、チャンバ内にＡｒガスを導入して所
定のガス圧にし、スパッタリングを開始し、基体表面に
Ａｇを所望の膜厚だけ成膜する。次いで図８に示すよう
に基体ホルダ２３を角度θ＝η（図６）にセットした
後、Ａｇ−Ｍｇ合金ターゲットの上方に配置したシャッ
タ２６を取除いてＡｇターゲット２１の上方まで移動し
このターゲット２１を覆っておく。基体１０をＡｇ−Ｍ
ｇ合金ターゲット２７に対向させた状態でスパッタリン
グを再開し、Ａｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を
所望の膜厚だけ成膜する。
にＡｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を形成するに
は、先ず図７に示すように基体１０を基体ホルダ２３に
保持してホルダ２３を角度θ＝０度（図６）にセット
し、基体１０をＡｇターゲット２１に対向させる。この
ときＡｇ−Ｍｇ合金ターゲット２７の上方にこのターゲ
ットより大径のシャッタ２６を配置してＡｇ−Ｍｇ合金
ターゲットを覆っておく。チャンバ内が所定の真空度に
到達したところで、チャンバ内にＡｒガスを導入して所
定のガス圧にし、スパッタリングを開始し、基体表面に
Ａｇを所望の膜厚だけ成膜する。次いで図８に示すよう
に基体ホルダ２３を角度θ＝η（図６）にセットした
後、Ａｇ−Ｍｇ合金ターゲットの上方に配置したシャッ
タ２６を取除いてＡｇターゲット２１の上方まで移動し
このターゲット２１を覆っておく。基体１０をＡｇ−Ｍ
ｇ合金ターゲット２７に対向させた状態でスパッタリン
グを再開し、Ａｇ薄膜に続いてＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜を
所望の膜厚だけ成膜する。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞基体として３０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍの
ガラス板（コーニング社製、７０５９Ｆ）を用意した。
このガラス板の表面に上記(a)のコスパッタリング法で
Ａｇ薄膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。
それぞれ直径５インチのＡｇターゲットとＭｇターゲッ
トを用い、これらのターゲットと直径４インチの基体ホ
ルダとをチャンバ中心から１４０ｍｍの等距離隔てて配
置した。図３に示す角度ηは１２０度である。基体ホル
ダにはガラス板の基体を保持し、基体がＡｇターゲット
とＭｇターゲットに対してそれぞれ１００ｍｍの高さに
なるようにホルダを配置した。スパッタリングパワーは
Ａｇターゲット及びＭｇターゲットの投入電力ともＲＦ
１００Ｗに設定し、スパッタリング時に基体ホルダを１
０ｒｐｍで自転させた。
る。 ＜実施例１＞基体として３０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍの
ガラス板（コーニング社製、７０５９Ｆ）を用意した。
このガラス板の表面に上記(a)のコスパッタリング法で
Ａｇ薄膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。
それぞれ直径５インチのＡｇターゲットとＭｇターゲッ
トを用い、これらのターゲットと直径４インチの基体ホ
ルダとをチャンバ中心から１４０ｍｍの等距離隔てて配
置した。図３に示す角度ηは１２０度である。基体ホル
ダにはガラス板の基体を保持し、基体がＡｇターゲット
とＭｇターゲットに対してそれぞれ１００ｍｍの高さに
なるようにホルダを配置した。スパッタリングパワーは
Ａｇターゲット及びＭｇターゲットの投入電力ともＲＦ
１００Ｗに設定し、スパッタリング時に基体ホルダを１
０ｒｐｍで自転させた。
【００１８】このようなスパッタリング装置で、先ず図
４に示すように基体１０を基体ホルダ２３に保持して、
ホルダ２３を角度θ＝０度にセットし、Ｍｇターゲット
を６０ｍｍの高さに配置した直径１６０ｍｍのシャッタ
２６で覆った。チャンバ内が真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ
に到達したところで、チャンバ内にＡｒガスを導入し１
×１０-3Ｔｏｒｒにし、スパッタリングを開始した。基
体の温度を２５±３℃に維持して、基体表面にＡｇを１
０００オングストロームだけ成膜した。次いでＭｇター
ゲットの上方に配置したシャッタ２６を取除いた後、基
体ホルダ２３を図５に示すようにＡｇターゲット２１と
Ｍｇターゲット２２の間に移動した（θ＝３０度）。こ
の状態でスパッタリングを再開し、Ａｇ薄膜に続いてＡ
ｇ−Ｍｇ合金超薄膜を１００オングストロームだけ成膜
した。このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを２５．６原子
％含有していた。
４に示すように基体１０を基体ホルダ２３に保持して、
ホルダ２３を角度θ＝０度にセットし、Ｍｇターゲット
を６０ｍｍの高さに配置した直径１６０ｍｍのシャッタ
２６で覆った。チャンバ内が真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ
に到達したところで、チャンバ内にＡｒガスを導入し１
×１０-3Ｔｏｒｒにし、スパッタリングを開始した。基
体の温度を２５±３℃に維持して、基体表面にＡｇを１
０００オングストロームだけ成膜した。次いでＭｇター
ゲットの上方に配置したシャッタ２６を取除いた後、基
体ホルダ２３を図５に示すようにＡｇターゲット２１と
Ｍｇターゲット２２の間に移動した（θ＝３０度）。こ
の状態でスパッタリングを再開し、Ａｇ薄膜に続いてＡ
ｇ−Ｍｇ合金超薄膜を１００オングストロームだけ成膜
した。このＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを２５．６原子
％含有していた。
【００１９】＜比較例１＞実施例１と同じスパッタリン
グ装置を用い、かつ同一のスパッタリング条件でガラス
板の基体表面に膜厚が１０００オングストロームのＡｇ
薄膜のみ形成した。これを比較例１とした。
グ装置を用い、かつ同一のスパッタリング条件でガラス
板の基体表面に膜厚が１０００オングストロームのＡｇ
薄膜のみ形成した。これを比較例１とした。
【００２０】＜比較例２＞実施例１と同じスパッタリン
グ装置を用い、かつθ＝２０度とする以外は実施例１と
同一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ
薄膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ
薄膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ｍｇ合
金超薄膜の膜厚は５０オングストロームであった。この
Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを１８．５原子％含有して
いた。
グ装置を用い、かつθ＝２０度とする以外は実施例１と
同一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ
薄膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ
薄膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ｍｇ合
金超薄膜の膜厚は５０オングストロームであった。この
Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを１８．５原子％含有して
いた。
【００２１】＜比較例３＞実施例１と同じスパッタリン
グ装置を用い、かつθ＝０度とする以外は実施例１と同
一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ薄
膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄
膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ｍｇ合金
超薄膜の膜厚は１０００オングストロームであった。こ
のＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを１０．０原子％含有し
ていた。
グ装置を用い、かつθ＝０度とする以外は実施例１と同
一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ薄
膜とＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄
膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ｍｇ合金
超薄膜の膜厚は１０００オングストロームであった。こ
のＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜はＭｇを１０．０原子％含有し
ていた。
【００２２】＜実施例２＞Ｍｇターゲットの代りにＡｌ
ターゲットを用いて、実施例１と同様にコスパッタリン
グしてガラス板の基体表面にＡｇ薄膜とＡｇ−Ａｌ合金
超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄膜の膜厚は１０００
オングストローム、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜の膜厚は１０
オングストロームであった。このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
はＡｌを５．６原子％含有していた。
ターゲットを用いて、実施例１と同様にコスパッタリン
グしてガラス板の基体表面にＡｇ薄膜とＡｇ−Ａｌ合金
超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄膜の膜厚は１０００
オングストローム、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜の膜厚は１０
オングストロームであった。このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
はＡｌを５．６原子％含有していた。
【００２３】＜比較例４＞実施例２と同じスパッタリン
グ装置を用い、かつ実施例２と同一のスパッタリング条
件でガラス板の基体表面にＡｇ薄膜とＡｇ−Ａｌ合金超
薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄膜の膜厚は１０００オ
ングストローム、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜の膜厚は１００
オングストロームであった。このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
はＡｌを実施例２と同じく５．６原子％含有していた。
グ装置を用い、かつ実施例２と同一のスパッタリング条
件でガラス板の基体表面にＡｇ薄膜とＡｇ−Ａｌ合金超
薄膜をこの順で形成した。Ａｇ薄膜の膜厚は１０００オ
ングストローム、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜の膜厚は１００
オングストロームであった。このＡｇ−Ａｌ合金超薄膜
はＡｌを実施例２と同じく５．６原子％含有していた。
【００２４】＜比較例５＞実施例２と同じスパッタリン
グ装置を用い、かつθ＝９０度とする以外は実施例２と
同一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ
薄膜とＡｇ−Ａｌ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ
薄膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ａｌ合
金超薄膜の膜厚は５０オングストロームであった。この
Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜はＡｌを９０．６原子％含有して
いた。
グ装置を用い、かつθ＝９０度とする以外は実施例２と
同一のスパッタリング条件でガラス板の基体表面にＡｇ
薄膜とＡｇ−Ａｌ合金超薄膜をこの順で形成した。Ａｇ
薄膜の膜厚は１０００オングストローム、Ａｇ−Ａｌ合
金超薄膜の膜厚は５０オングストロームであった。この
Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜はＡｌを９０．６原子％含有して
いた。
【００２５】＜耐食試験と評価＞実施例１〜２及び比較
例１〜５のスパッタリング後のガラス板の耐食性を試験
した。具体的にはこれらのガラス板を温度８０℃、相対
湿度８５％に保たれた恒温恒湿容器中に１００時間保持
し、耐食試験前後の分光反射率の変化と表面の外観変化
を調べた。反射率の測定は分光光度計により行い、表面
の外観変化は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭという）
により行った。実施例１及び実施例２の耐食試験前後の
分光反射率の測定結果を図１０及び図１５に、また比較
例３及び比較例５の耐食試験前（成膜直後）の分光反射
率の測定結果を図１３及び図１７にそれぞれ示し、更に
実施例１、比較例１、比較例２、実施例２及び比較例４
の耐食試験前後のＳＥＭ写真を図９、図１１、図１２及
び図１４にそれぞれ示す。
例１〜５のスパッタリング後のガラス板の耐食性を試験
した。具体的にはこれらのガラス板を温度８０℃、相対
湿度８５％に保たれた恒温恒湿容器中に１００時間保持
し、耐食試験前後の分光反射率の変化と表面の外観変化
を調べた。反射率の測定は分光光度計により行い、表面
の外観変化は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭという）
により行った。実施例１及び実施例２の耐食試験前後の
分光反射率の測定結果を図１０及び図１５に、また比較
例３及び比較例５の耐食試験前（成膜直後）の分光反射
率の測定結果を図１３及び図１７にそれぞれ示し、更に
実施例１、比較例１、比較例２、実施例２及び比較例４
の耐食試験前後のＳＥＭ写真を図９、図１１、図１２及
び図１４にそれぞれ示す。
【００２６】図１０、図１３、図１５及び図１７に示す
反射率の変化、及び図９、図１１、図１２及び図１４に
示すＳＥＭ写真より、比較例１、比較例２及び比較例４
は耐食試験により曇化して鏡面でなくなっており、比較
例３及び比較例５は耐食試験前（成膜直後）から反射率
が低いのに対して、実施例１及び実施例２は耐食試験前
（成膜直後）の反射率が高く、かつ耐食試験によっても
曇化せず、耐食試験後も高反射率と鏡面を保つことが分
った。
反射率の変化、及び図９、図１１、図１２及び図１４に
示すＳＥＭ写真より、比較例１、比較例２及び比較例４
は耐食試験により曇化して鏡面でなくなっており、比較
例３及び比較例５は耐食試験前（成膜直後）から反射率
が低いのに対して、実施例１及び実施例２は耐食試験前
（成膜直後）の反射率が高く、かつ耐食試験によっても
曇化せず、耐食試験後も高反射率と鏡面を保つことが分
った。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の反射膜によ
れば、Ａｇ薄膜と密着性が高く、高温高湿条件下でのＡ
ｇ薄膜の曇化を防止する効果をもち、かつＡｇ薄膜の高
反射率を低下させないＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−
Ａｌ合金超薄膜によりＡｇ薄膜を被覆するため、Ａｇ薄
膜は堅牢に保護され、高温高湿の環境に置かれても、Ａ
ｇ薄膜に腐食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で
被覆したものは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対し
て、またＡｇ−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００
ｎｍ以上の波長の可視光に対して９０％以上の反射率を
維持することができる。この耐食性反射膜により金属、
ガラス、セラミックス又はプラスチックスなどからなる
基体の表面を被覆して、光ディスク、光磁気ディスク、
ミニディスク、リフレクタ、照明器具、標識、Ａｇめっ
き製品などの高い反射率が要求される構造体にすれば、
劣悪な環境でも反射率が低下せずに耐食性に優れ、上記
光ディスク等の製品価値を格段に向上させることができ
る。
れば、Ａｇ薄膜と密着性が高く、高温高湿条件下でのＡ
ｇ薄膜の曇化を防止する効果をもち、かつＡｇ薄膜の高
反射率を低下させないＡｇ−Ｍｇ合金超薄膜又はＡｇ−
Ａｌ合金超薄膜によりＡｇ薄膜を被覆するため、Ａｇ薄
膜は堅牢に保護され、高温高湿の環境に置かれても、Ａ
ｇ薄膜に腐食や曇化を生じず、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜で
被覆したものは４５０ｎｍ以上の波長の可視光に対し
て、またＡｇ−Ａｌ合金超薄膜で被覆したものは４００
ｎｍ以上の波長の可視光に対して９０％以上の反射率を
維持することができる。この耐食性反射膜により金属、
ガラス、セラミックス又はプラスチックスなどからなる
基体の表面を被覆して、光ディスク、光磁気ディスク、
ミニディスク、リフレクタ、照明器具、標識、Ａｇめっ
き製品などの高い反射率が要求される構造体にすれば、
劣悪な環境でも反射率が低下せずに耐食性に優れ、上記
光ディスク等の製品価値を格段に向上させることができ
る。
【図１】本発明の耐食性反射膜の断面図。
【図２】本発明の別の耐食性反射膜の断面図。
【図３】本発明のスパッタリング装置の基体ホルダとタ
ーゲットとの位置関係を装置上方から示す模式図。
ーゲットとの位置関係を装置上方から示す模式図。
【図４】本発明のスパッタリング装置の基体ホルダとタ
ーゲットとの位置関係を装置正面から示す模式図。
ーゲットとの位置関係を装置正面から示す模式図。
【図５】本発明のスパッタリング装置の基体ホルダとタ
ーゲットとの位置関係を装置正面から示す別の模式図。
ーゲットとの位置関係を装置正面から示す別の模式図。
【図６】本発明の別のスパッタリング装置の基体ホルダ
とターゲットとの位置関係を装置上方から示す模式図。
とターゲットとの位置関係を装置上方から示す模式図。
【図７】本発明の別のスパッタリング装置の基体ホルダ
とターゲットとの位置関係を装置正面から示す模式図。
とターゲットとの位置関係を装置正面から示す模式図。
【図８】本発明の別のコスパッタリング装置の基体ホル
ダとターゲットとの位置関係を装置正面から示す別の模
式図。
ダとターゲットとの位置関係を装置正面から示す別の模
式図。
【図９】実施例１の耐食試験後の走査型電子顕微鏡写真
図。
図。
【図１０】実施例１の耐食試験前後の分光反射率の測定
結果を示す図。
結果を示す図。
【図１１】比較例１の耐食試験後の走査型電子顕微鏡写
真図。
真図。
【図１２】比較例２の耐食試験後の走査型電子顕微鏡写
真図。
真図。
【図１３】比較例３の耐食試験前（成膜直後）の分光反
射率の測定結果を示す図。
射率の測定結果を示す図。
【図１４】実施例２の耐食試験後の走査型電子顕微鏡写
真図。
真図。
【図１５】実施例２の耐食試験前後の分光反射率の測定
結果を示す図。
結果を示す図。
【図１６】比較例４の耐食試験後の走査型電子顕微鏡写
真図。
真図。
【図１７】比較例５の耐食試験前（成膜直後）の分光反
射率の測定結果を示す図。
射率の測定結果を示す図。
１０ 基体 １１ Ａｇ薄膜 １２ Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜 １３ アンダコート層 １４ トップコート層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】
Claims (7)
- 【請求項１】 基体(10)の表面に形成されたＡｇ薄膜(1
1)と、前記Ａｇ薄膜(11)表面に形成されたＡｇ−Ｍｇ合
金超薄膜(12)とを備え、 前記Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜(12)の組成がＭｇ２０〜３０
原子％であり、残部Ａｇであることを特徴とする耐食性
反射膜。 - 【請求項２】 基体の表面に形成されたＡｇ薄膜と、前
記Ａｇ薄膜表面に形成されたＡｇ−Ａｌ合金超薄膜とを
備え、 前記Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜の組成がＡｌ５〜５０原子％
であり、残部Ａｇであることを特徴とする耐食性反射
膜。 - 【請求項３】 基体(10)の表面にアンダコート層(13)を
介してＡｇ薄膜(11)が形成された請求項１又は２記載の
耐食性反射膜。 - 【請求項４】 Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜(12)又はＡｇ−Ａ
ｌ合金超薄膜の表面にトップコート層(14)が形成された
請求項１ないし３いずれか記載の耐食性反射膜。 - 【請求項５】 Ａｇ薄膜(11)が少なくとも５００オング
ストロームの膜厚を有し、Ａｇ−Ｍｇ合金超薄膜(12)が
１０〜１００オングストロームの膜厚を有する請求項
１、３又は４いずれか記載の耐食性反射膜。 - 【請求項６】 Ａｇ薄膜が少なくとも５００オングスト
ロームの膜厚を有し、Ａｇ−Ａｌ合金超薄膜が１０〜４
０オングストロームの膜厚を有する請求項２ないし４い
ずれか記載の耐食性反射膜。 - 【請求項７】 基体(10)が金属、ガラス、セラミックス
又はプラスチックスであって、前記基体の表面に請求項
１ないし６いずれか記載の耐食性反射膜で被覆された構
造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10013577A JPH11213448A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 耐食性反射膜及び該膜で被覆された構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10013577A JPH11213448A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 耐食性反射膜及び該膜で被覆された構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213448A true JPH11213448A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11837033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10013577A Pending JPH11213448A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 耐食性反射膜及び該膜で被覆された構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006001271A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Kobe Steel Ltd | Ａｇ系２層膜および透明導電体 |
| EP1947645A1 (en) | 2003-03-13 | 2008-07-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Silver alloy sputtering target for forming reflective layer of optical recording medium |
| JP2008191528A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 反射膜およびその作製方法および照明装置 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP10013577A patent/JPH11213448A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1947645A1 (en) | 2003-03-13 | 2008-07-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Silver alloy sputtering target for forming reflective layer of optical recording medium |
| JP2006001271A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Kobe Steel Ltd | Ａｇ系２層膜および透明導電体 |
| JP2008191528A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 反射膜およびその作製方法および照明装置 |
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