JPS61185986A - レ−ザ用反射鏡 - Google Patents
レ−ザ用反射鏡Info
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- JPS61185986A JPS61185986A JP2545185A JP2545185A JPS61185986A JP S61185986 A JPS61185986 A JP S61185986A JP 2545185 A JP2545185 A JP 2545185A JP 2545185 A JP2545185 A JP 2545185A JP S61185986 A JPS61185986 A JP S61185986A
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- Japan
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- layer
- film
- dielectric layer
- dielectric
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ガス０レーザなどに用いるレーザ用全反射鏡
に関するものである。
に関するものである。
（従来の技術およびその問題点）
レーザの共振器に用いられる反射鏡は１００％に近い反
射率が求められる。従来この種の反射鏡としては、光学
研磨された清浄なガラス基板上に、高屈折率誘電体物質
と低屈折率誘電体物質の交互多層膜を形成したものが一
般に使用されている。
射率が求められる。従来この種の反射鏡としては、光学
研磨された清浄なガラス基板上に、高屈折率誘電体物質
と低屈折率誘電体物質の交互多層膜を形成したものが一
般に使用されている。
この代表例として、ガラス基板上に光学的膜厚がλ／４
のＴ ｉＯｔ 、 Ｓ ｔ Ｏｓの交互多層膜を１９層
以上形成した高反射率の反射鏡が知られている。また、
一方基板上にアルミニニーム膜を形成し、そのアルミニ
ューム膜上に８ ｓ Ｏｓ ＋ Ｔ ｔ Ｏｓの誘電体
多層膜を形成して少ない層数で高反射率の反射鏡を製作
す □ることも提案されている。
のＴ ｉＯｔ 、 Ｓ ｔ Ｏｓの交互多層膜を１９層
以上形成した高反射率の反射鏡が知られている。また、
一方基板上にアルミニニーム膜を形成し、そのアルミニ
ューム膜上に８ ｓ Ｏｓ ＋ Ｔ ｔ Ｏｓの誘電体
多層膜を形成して少ない層数で高反射率の反射鏡を製作
す □ることも提案されている。
前者の場合、誘電体又互層の層数を増すことによって高
反射率の反射鏡を形成出来るが、レーザ用反射鏡として
使用するには、２１層以上の膜の形成が必要となる。そ
のため製作工程が長く複雑になると云う問題があった。
反射率の反射鏡を形成出来るが、レーザ用反射鏡として
使用するには、２１層以上の膜の形成が必要となる。そ
のため製作工程が長く複雑になると云う問題があった。
特に、Ｔｉｅ、は層数が増加するに伴い蒸着工程で長い
時間真空中で高温に維持されることになり、組成変化を
起し、生成膜の屈折率や吸収係数が層数毎に変化する。
時間真空中で高温に維持されることになり、組成変化を
起し、生成膜の屈折率や吸収係数が層数毎に変化する。
そのため蒸着工程の途中でＴ ｉＯ！の蒸着材料を新し
いものに変えるための回転機構等が必要となシ、装置が
大形化し高価になるなどの欠点がらりた。さらに、レー
ザ管の製作工程の中で反射鏡は細口かの加熱工程を通過
するが、前述したＴｉｅ、、 Ｓｉｎ、の交互多層膜の
層数が多い場合には全膜厚が数μｍと厚くなシ８ｉ０．
． Ｔｉｅ、それぞれの熱膨張係数が大きく異なるため
、前記加熱の際に膜割れが発生すると云う欠点もめった
。
いものに変えるための回転機構等が必要となシ、装置が
大形化し高価になるなどの欠点がらりた。さらに、レー
ザ管の製作工程の中で反射鏡は細口かの加熱工程を通過
するが、前述したＴｉｅ、、 Ｓｉｎ、の交互多層膜の
層数が多い場合には全膜厚が数μｍと厚くなシ８ｉ０．
． Ｔｉｅ、それぞれの熱膨張係数が大きく異なるため
、前記加熱の際に膜割れが発生すると云う欠点もめった
。
また、後者のアルミニニーム膜上に酵電体多層膜を交互
に形成し九反射鏡の場合は、アルミニニーム膜上に８ｉ
０．、 Ｔｉｅ、、の誘電体交互多層膜を６層形成する
ことで、その反射率は９７％、８層形成してもせいぜい
９９％の反射率しか得られない。
に形成し九反射鏡の場合は、アルミニニーム膜上に８ｉ
０．、 Ｔｉｅ、、の誘電体交互多層膜を６層形成する
ことで、その反射率は９７％、８層形成してもせいぜい
９９％の反射率しか得られない。
レーザ管の共振器に使用できる反射率を得るためＫは更
に多くの層数を形成しなければならない。
に多くの層数を形成しなければならない。
また、アルミニューム膜の分光反射率は、Ａｒイオンガ
スレーザ十Ｈｅ−Ｎｅガスレーザの発振波長の範囲（４
７００Ａ〜６３２８Ａ）において９２％程度で、鉄膜の
反射率よりも６％以上も低いと云う欠点がおる。
スレーザ十Ｈｅ−Ｎｅガスレーザの発振波長の範囲（４
７００Ａ〜６３２８Ａ）において９２％程度で、鉄膜の
反射率よりも６％以上も低いと云う欠点がおる。
本発明の目的は、上記した欠点を除去し、従来よ多少な
い層数で高い反射率を有し、かつ、熱的に安定な高出力
の得られるレーザ用反射鏡を提供することである。
い層数で高い反射率を有し、かつ、熱的に安定な高出力
の得られるレーザ用反射鏡を提供することである。
（問題点を解決する丸めの手段）
本発明は、ガラス基板の一表面上に銀膜を形成し、この
ｆＩ！ｋＩＩＸ上に所定波長λに対してλ／４の光学的
膜厚を有する第一の誘電体層として５ｉＯｚの層を形成
し、次いでλ／４の光学的膜厚の第二の誘 ゛電体
層としてＴｉｅｓ、 Ｃｅ０＝、 ＨｆＯ＊、 Ｚｒ０
ｔ ０９から選ばれた１つの層を形成し、更に引き続き
第一と第二との誘電体層を交互に形成し、合計の層数が
少なくとも、６層以上となし、かつ最外層に２λ／４の
光学的膜厚の第一の誘電体層を形成したことを特徴とす
る。
ｆＩ！ｋＩＩＸ上に所定波長λに対してλ／４の光学的
膜厚を有する第一の誘電体層として５ｉＯｚの層を形成
し、次いでλ／４の光学的膜厚の第二の誘 ゛電体
層としてＴｉｅｓ、 Ｃｅ０＝、 ＨｆＯ＊、 Ｚｒ０
ｔ ０９から選ばれた１つの層を形成し、更に引き続き
第一と第二との誘電体層を交互に形成し、合計の層数が
少なくとも、６層以上となし、かつ最外層に２λ／４の
光学的膜厚の第一の誘電体層を形成したことを特徴とす
る。
（実施例）
以下、図面を参照しなから本発ＢＡｔ−説明する。
図は、本発明の１実施例に係わるレーザ用全反射鏡の断
面図であシ、清浄に処理された基板ガラス１の表面上に
平均膜厚３３０Ａ程度の銀膜層２を形成し、銀膜層２上
に８ｉ０ｚｌｊ電体朕３を形成する。この場合基板上の
銀の膜厚３３０人で波長６３２８Ａに対し約１０％の透
過率となる。
面図であシ、清浄に処理された基板ガラス１の表面上に
平均膜厚３３０Ａ程度の銀膜層２を形成し、銀膜層２上
に８ｉ０ｚｌｊ電体朕３を形成する。この場合基板上の
銀の膜厚３３０人で波長６３２８Ａに対し約１０％の透
過率となる。
５ｉｏ１ｔＩ電体膜３の光学的膜厚はλ／４（λ＝６３
２８人）である。
２８人）である。
以上の銀膜２及び＠膜２上のＳｉｎ、誘電体膜３は、基
板加熱をしない室温の状態で被着形成することが望まし
い。このために［１２の酸化や散乱による反射率の劣化
はない。
板加熱をしない室温の状態で被着形成することが望まし
い。このために［１２の酸化や散乱による反射率の劣化
はない。
以降のＴ ｉ Ｏ！誘電体膜４及び８ｉ０．誘電体＠３
’の形成に際しては基板を３００℃に加熱し、光学的膜
厚がそれぞれλ／４（λ＝６３２８λ）となる様にした
。
’の形成に際しては基板を３００℃に加熱し、光学的膜
厚がそれぞれλ／４（λ＝６３２８λ）となる様にした
。
交互多層膜の最外層３＃は２／４λの８ｉ０２誘電体膜
である。
である。
本実施例は、基板上に銀Ｍ２ｔ−形成したものに、５ｉ
ｎｓ 、 Ｔｉ０１の＠電体膜を交互に合計７層板着形
成されて博膜部５が構成されている。同本実施例で形成
された８ｉ０ｘ誘電体Ｊ［３，３’、及び３〃の屈折率
は１．４３であシ、Ｔｉｅ、誘電体膜４の屈折率は２３
２でありた。
ｎｓ 、 Ｔｉ０１の＠電体膜を交互に合計７層板着形
成されて博膜部５が構成されている。同本実施例で形成
された８ｉ０ｘ誘電体Ｊ［３，３’、及び３〃の屈折率
は１．４３であシ、Ｔｉｅ、誘電体膜４の屈折率は２３
２でありた。
表１は、銀膜の厚さ誘電体膜の層数、反射率及びレーザ
出力に関する実験データでおる。
出力に関する実験データでおる。
表１
伺これらの実施例に示したレーザ用全反射鏡に於いては
レーザ管製造工程途上の熱処理に対しても安定であシ、
膜割れ等の発生はなかりた。
レーザ管製造工程途上の熱処理に対しても安定であシ、
膜割れ等の発生はなかりた。
更に、レーザ出力に於いては、従来の反射鏡（基板上に
Ｔｉｅｌ、 ５ｉ０１交互２２層の多層形成）を用いた
場合の最大出力値と比較し、約２％向上した。
Ｔｉｅｌ、 ５ｉ０１交互２２層の多層形成）を用いた
場合の最大出力値と比較し、約２％向上した。
以上に述べた実施例は、５ｉＯｉとＴｉ１ｔの誘電体膜
を組み合せて薄膜部を形成したが、Ｔｉｅ、の代）ＫＺ
ｒＯ，、ＣｅＯ□、 ＨｒＯｔ等を使用しても上記実施
例と同様の効果が得られることは云うまでもない。
を組み合せて薄膜部を形成したが、Ｔｉｅ、の代）ＫＺ
ｒＯ，、ＣｅＯ□、 ＨｒＯｔ等を使用しても上記実施
例と同様の効果が得られることは云うまでもない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によるレーザ用全反射鏡は
、従来の誘電体のみからなる多層膜反射鏡に比較し、１
／３以下の膜層数で製作することができ、高反射率の反
射鏡をうろことが出来た。
、従来の誘電体のみからなる多層膜反射鏡に比較し、１
／３以下の膜層数で製作することができ、高反射率の反
射鏡をうろことが出来た。
又、レーザ出力に於いても、優れた特性が得られるこれ
が分かった。一方、アルミニニーム膜と誘電体膜の組み
合によってなる１反射鏡と比較した場合、はるかにすぐ
れた反射率が得られることが明らかとなった。
が分かった。一方、アルミニニーム膜と誘電体膜の組み
合によってなる１反射鏡と比較した場合、はるかにすぐ
れた反射率が得られることが明らかとなった。
以上詳述した通電、本発明のレーザ用反射鏡は、レーザ
出力の改善、熱的安定性の向上が達成されると共に製作
時間を短縮することが出来、その効果は大きい。
出力の改善、熱的安定性の向上が達成されると共に製作
時間を短縮することが出来、その効果は大きい。
図は本発明の１実施例の断面図である。
１・・・・・・基板ガラス、２・・・・・・銀膜、３．
３’、３“・・・・・・５ｉＯｔｉＫ ｓ ４・・・・
・・Ｔｉ Ｏｘ膜、 ５・・・・・・薄膜部。 代理人 弁理士 内 原 晋、、、、、 、。 〈二・二・
３’、３“・・・・・・５ｉＯｔｉＫ ｓ ４・・・・
・・Ｔｉ Ｏｘ膜、 ５・・・・・・薄膜部。 代理人 弁理士 内 原 晋、、、、、 、。 〈二・二・
Claims (1)
- ガラス基板の一表面上に銀膜を形成し、該銀膜上に所定
波長λに対してλ／４の光学的膜厚を有する第一の誘電
体層としてＳｉＯ＿２の層を形成し、次いでλ／４の光
学的膜厚の第二の誘電体層としてＴｉＯ＿２、ＣｅＯ＿
２、ＨｆＯ＿２、ＺｒＯ＿２の中から選ばれた１つの誘
電体層を形成し、更に引き続き第一と第二との誘電体層
を交互に形成し、合計の層数が少なくとも６層以上とな
し、かつ最外層に２λ／４の光学的膜厚の第一の誘電体
層を形成したことを特徴とするレーザ用反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2545185A JPS61185986A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | レ−ザ用反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2545185A JPS61185986A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | レ−ザ用反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185986A true JPS61185986A (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=12166381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2545185A Pending JPS61185986A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | レ−ザ用反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61185986A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856019A (en) * | 1987-02-26 | 1989-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflector for excimer laser and excimer laser apparatus using the reflector |
| JPH06169127A (ja) * | 1991-08-30 | 1994-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 固体レーザ素子とこれを用いた第二高調波レーザ発振装置 |
| US7445348B2 (en) | 2003-05-15 | 2008-11-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Reflector, use thereof, and method for producing reflector |
-
1985
- 1985-02-13 JP JP2545185A patent/JPS61185986A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856019A (en) * | 1987-02-26 | 1989-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflector for excimer laser and excimer laser apparatus using the reflector |
| JPH06169127A (ja) * | 1991-08-30 | 1994-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 固体レーザ素子とこれを用いた第二高調波レーザ発振装置 |
| US7445348B2 (en) | 2003-05-15 | 2008-11-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Reflector, use thereof, and method for producing reflector |
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