JPS5926704A - 多層膜反射鏡 - Google Patents
多層膜反射鏡Info
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- JPS5926704A JPS5926704A JP13564382A JP13564382A JPS5926704A JP S5926704 A JPS5926704 A JP S5926704A JP 13564382 A JP13564382 A JP 13564382A JP 13564382 A JP13564382 A JP 13564382A JP S5926704 A JPS5926704 A JP S5926704A
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- Japan
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- substrate
- deposited
- reflecting mirror
- dielectric
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0858—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising a single metallic layer with one or more dielectric layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属薄膜と誘電体薄膜とを組み合せた薄膜部を
有する反射鏡に関するものである。
有する反射鏡に関するものである。
従来、この種の反射鏡として、基板上に金属単層膜を被
着したもの及び金属単層膜と誘電体薄膜とを被着したも
のがある。前者の代表例として、ガラス基板上にアルミ
ニウムを蒸着した反射鏡があり、他方、後者の代表例と
して、ガラス基板に蒸着によって形成されたアルミニウ
ム膜と、このアルミニウム膜上に蒸着されたＳｉＯ２あ
るいｌ”ｊｓｉｏの単層膜とを有する反射鏡がある。後
者の他の例として、アルミニウム膜全蒸着した後、アル
ミニウム膜上にＭｇＦ２及びＣｅＯ２とを交互に２層又
は４層蒸着した反射鏡も提案されている。更に、誘電体
多層膜を利用した反射鏡として、ガラス基板上ＩＣ，Ｃ
ｅＯ２とＭｇＦ２とを交互に１０数層蒸着したものがあ
る。
着したもの及び金属単層膜と誘電体薄膜とを被着したも
のがある。前者の代表例として、ガラス基板上にアルミ
ニウムを蒸着した反射鏡があり、他方、後者の代表例と
して、ガラス基板に蒸着によって形成されたアルミニウ
ム膜と、このアルミニウム膜上に蒸着されたＳｉＯ２あ
るいｌ”ｊｓｉｏの単層膜とを有する反射鏡がある。後
者の他の例として、アルミニウム膜全蒸着した後、アル
ミニウム膜上にＭｇＦ２及びＣｅＯ２とを交互に２層又
は４層蒸着した反射鏡も提案されている。更に、誘電体
多層膜を利用した反射鏡として、ガラス基板上ＩＣ，Ｃ
ｅＯ２とＭｇＦ２とを交互に１０数層蒸着したものがあ
る。
アルミニウム膜を蒸着して反射鏡を製作する場合、基板
温度が高いとアルミニウムが酸化され９反射率が低下す
る。このため、アルミニウムの蒸着は室温中で行われて
いる。このアルミニウム膜上に、 ５ｉｎ２又ＵＳｉＯ
を蒸着した場合。
温度が高いとアルミニウムが酸化され９反射率が低下す
る。このため、アルミニウムの蒸着は室温中で行われて
いる。このアルミニウム膜上に、 ５ｉｎ２又ＵＳｉＯ
を蒸着した場合。
アルミニウム表面がＳｉｎ、、又１”ｊＳｉＯで保護さ
れるという利点がある。このように、アルミニウム表面
１ｓｉｏ２又はＳｉＯで保護した場合、 ５ｉ０２又は
ＳｉＯ薄膜の蒸着による反射率の低下全最小にするため
に、光学的膜厚全反射光の中心波長λのλ／２に等しく
なるように、制御している。
れるという利点がある。このように、アルミニウム表面
１ｓｉｏ２又はＳｉＯで保護した場合、 ５ｉ０２又は
ＳｉＯ薄膜の蒸着による反射率の低下全最小にするため
に、光学的膜厚全反射光の中心波長λのλ／２に等しく
なるように、制御している。
更に、アルミニウム薄膜上にＭｇＦ２及びＣｅ Ｏ２と
を交互に２層又は４層蒸着した場合、ＣｅＯ２及びＭｇ
Ｆ２の光学的膜厚をλ／４に制御することにより、アル
ミニウム表面の保護及び反射率を増加させることができ
る。アルミニウム蒸着後。
を交互に２層又は４層蒸着した場合、ＣｅＯ２及びＭｇ
Ｆ２の光学的膜厚をλ／４に制御することにより、アル
ミニウム表面の保護及び反射率を増加させることができ
る。アルミニウム蒸着後。
ＣｅＯ２又はＭｇ１ｌｉ”２膜形成のために、基板が加
熱されると、アルミニウム表面が酸化された反射率が低
下する。このため、 ＣｅＯ２及びＭｇＦ２は室温で蒸
着されなければならない。
熱されると、アルミニウム表面が酸化された反射率が低
下する。このため、 ＣｅＯ２及びＭｇＦ２は室温で蒸
着されなければならない。
とＣｅ Ｏ２ｆ交互に蒸着することによって得られた誘
電体多層膜構成の反射鏡では、膜形成の際。
電体多層膜構成の反射鏡では、膜形成の際。
反射光の中心波長λに対して１／λとなるように。
各誘電体の膜厚を制御している。また、膜の物理的強度
を強めるために、誘電体多層膜は基板温度を６００℃前
後に加熱した状態で、蒸着されている。
を強めるために、誘電体多層膜は基板温度を６００℃前
後に加熱した状態で、蒸着されている。
上記した各種の反射鏡のうち、ガラス基板にアルミニウ
ム単層膜を蒸着した反射鏡は金属特有の光の吸収のため
約９２％以上の反射率は得られないという欠点がある。
ム単層膜を蒸着した反射鏡は金属特有の光の吸収のため
約９２％以上の反射率は得られないという欠点がある。
また、アルミニウムに軟かい金属であるため９表面に傷
が付き易く。
が付き易く。
扱いにくいという欠点もある。
アルミニウム膜’１ｓｉｏ２又はＳｉＯで被覆した反射
鏡で汀１反射率がアルミニウム単層膜のものより低いと
いう欠点がある。
鏡で汀１反射率がアルミニウム単層膜のものより低いと
いう欠点がある。
更に、アルミニウム表面上に、 ＭｇＦ２とＣｅＯ２と
を交互に蒸着した場合、基板の加熱によってアルミニウ
ムとＭｇＦ２とが反応し９反射率が低下してしまう。こ
れを防止するために＋ ＭｇＦｚｋ室温で蒸着すると、
膜の物理的強度が誘電体多層膜構成の反射鏡に比較して
低下する。更に。
を交互に蒸着した場合、基板の加熱によってアルミニウ
ムとＭｇＦ２とが反応し９反射率が低下してしまう。こ
れを防止するために＋ ＭｇＦｚｋ室温で蒸着すると、
膜の物理的強度が誘電体多層膜構成の反射鏡に比較して
低下する。更に。
６層以上の膜構成にすると、 ＭｇＦ２とＣｅ Ｏ２と
の膜間の応力によって、膜割れ、膜剥離等が発生する。
の膜間の応力によって、膜割れ、膜剥離等が発生する。
次に、誘電体多層膜構成の反射鏡は高い物理的強度を有
する膜を形成できるが、９９％以上の反射率を得るため
ＶｃＶｉ、誘電体膜全１５〜１フ層形成する必要がある
。したがって、製作工程が複雑になってし甘う。
する膜を形成できるが、９９％以上の反射率を得るため
ＶｃＶｉ、誘電体膜全１５〜１フ層形成する必要がある
。したがって、製作工程が複雑になってし甘う。
本発明の目的は高い反射率を有し、且つ、物理的強度の
高い反射鏡を提供することである。
高い反射鏡を提供することである。
本発明の他の目的は少ない層数で高い反射率を実現でき
る反射鏡を提供することである。
る反射鏡を提供することである。
本発明によれば、基板上にアルミニウム膜を形成し、こ
のアルミニウム膜上に、低屈折率誘電体と高屈折率誘電
体との膜を交互ｖｃ６層以層形上形成反射鏡が得られる
。上述したように。
のアルミニウム膜上に、低屈折率誘電体と高屈折率誘電
体との膜を交互ｖｃ６層以層形上形成反射鏡が得られる
。上述したように。
本発明に係る反射鏡は６層程度の誘電体膜全形成するだ
けで、高い反射率及び物理的強度を存する反射鏡が得ら
れる。
けで、高い反射率及び物理的強度を存する反射鏡が得ら
れる。
以下９図面を参照して１本発明の一実施例を説明する。
第１図を参照すると２本発明の一実施例に係る反射鏡は
ポリシングされたガラス基板１０と。
ポリシングされたガラス基板１０と。
この基板１の一表面上に被着された薄膜部１１と全備え
ている。薄膜部１１は基板１０上に被着された膜厚３０
００ Ａのアルミニウム膜層１５ヲ有している。このア
ルミニウム膜層１５ハ基板温度全室温に保った状態で、
蒸着により被着される。
ている。薄膜部１１は基板１０上に被着された膜厚３０
００ Ａのアルミニウム膜層１５ヲ有している。このア
ルミニウム膜層１５ハ基板温度全室温に保った状態で、
蒸着により被着される。
アルミニウム膜層１５上ニ汀２反射光の中心波長λのλ
／４に等しい光学的膜厚を有する８１０２層１６が室温
で蒸着される。このＳｉＯ□層１６がアルミニウム膜層
１５」二に形成されることにより。
／４に等しい光学的膜厚を有する８１０２層１６が室温
で蒸着される。このＳｉＯ□層１６がアルミニウム膜層
１５」二に形成されることにより。
アルミニウム膜層１５がＳｉＯ２層１６ニよって保護さ
れ、以後、基板１０ケ加熱しても、アルミニウム膜層１
５は酸化されない。
れ、以後、基板１０ケ加熱しても、アルミニウム膜層１
５は酸化されない。
更に、この実施例に係る反射鏡の薄膜部１１ホＳｉｎ、
、層１６上に、光学的膜厚λ／４のＴｌＯ２層１７全基
板１０ヲ加熱した状態で被着する。以後。
、層１６上に、光学的膜厚λ／４のＴｌＯ２層１７全基
板１０ヲ加熱した状態で被着する。以後。
ＳｉＯ２層１６とＴｉｅ、、層１７とが交互に基板１０
を加熱した状態で、形成される。この実施例では。
を加熱した状態で、形成される。この実施例では。
アルミニウム膜層１５上に２合計８層のＳｉＯ□層１６
とＴ１０２層１７とが形成され、薄膜部１１ヲ構成して
いる。ここで、 ＳｉＯ２層１ｄＴｉｏ□層１７に比較
して低い屈折率を有している。また１表面には、吸収が
なく、且つ緻密なＴｉｅ、、層１７が露出し−Ｃいるた
め、膜の物理的強度は非常に高く。
とＴ１０２層１７とが形成され、薄膜部１１ヲ構成して
いる。ここで、 ＳｉＯ２層１ｄＴｉｏ□層１７に比較
して低い屈折率を有している。また１表面には、吸収が
なく、且つ緻密なＴｉｅ、、層１７が露出し−Ｃいるた
め、膜の物理的強度は非常に高く。
且つ、 ＳｉＯ□−Ｔｉ０２系では、 ５ｉ０２に圧縮
応力。
応力。
ＴｉＯ２に引張応力が発生し９両応力が緩和される。し
たがって、誘電体層が１０数層積層されても、膜割れ、
膜剥離ぼ発生しなｒ０更に１図示したように、誘電体層
を８層形成した場合。
たがって、誘電体層が１０数層積層されても、膜割れ、
膜剥離ぼ発生しなｒ０更に１図示したように、誘電体層
を８層形成した場合。
約９９チの反射率が得られた。尚、 ５ｉｎ２とＴｉＯ
２とを６層形成しただけでも、約９７係の反射率が得ら
れ、実用に耐える反射鏡を構成できた。
２とを６層形成しただけでも、約９７係の反射率が得ら
れ、実用に耐える反射鏡を構成できた。
第２図を参照して９本発明の一実施例に係る反射鏡の製
法を説明する。まず１本発明で使用される蒸着装置には
、真空槽２１内に複数の基板ホルダー２２が配置される
と共に、基板ホルダー２２と対向する真空槽２１の底部
には、電子銃２６及びこの電子銃２３ニよって加熱され
る蒸発源２４が設けられている。ホルダー２２の近傍に
は膜厚モニターガラス２５が位置付けられており、膜厚
は真空槽２１の外側に設置された光学式膜厚計２６によ
って測定されている。各ホルダー２２の後部に、ヒータ
ー２７が取り付けられると共に、ホルダー２２の前方に
は、水晶振動子式膜厚計２８が設置されている。
法を説明する。まず１本発明で使用される蒸着装置には
、真空槽２１内に複数の基板ホルダー２２が配置される
と共に、基板ホルダー２２と対向する真空槽２１の底部
には、電子銃２６及びこの電子銃２３ニよって加熱され
る蒸発源２４が設けられている。ホルダー２２の近傍に
は膜厚モニターガラス２５が位置付けられており、膜厚
は真空槽２１の外側に設置された光学式膜厚計２６によ
って測定されている。各ホルダー２２の後部に、ヒータ
ー２７が取り付けられると共に、ホルダー２２の前方に
は、水晶振動子式膜厚計２８が設置されている。
また、真空槽２１に酸素を導入するために。
酸素ガスボンベ２９が連結され、且つ、真空槽２１の内
部は排気系３０ヲ用いて排気される。
部は排気系３０ヲ用いて排気される。
次に、この蒸着装置の動作を説明する。
捷ず１表面全ポリシングしだガラス基板１０がトリクレ
ン、アルコール等の有機溶液で洗浄され２表面の汚れを
除去された後、ホルダー２２上にセットされる。排気系
６０ヲ用いて排気を行い、真空槽２１の圧力に５Ｘ１０
Ｔｏｒｒ以下にする。
ン、アルコール等の有機溶液で洗浄され２表面の汚れを
除去された後、ホルダー２２上にセットされる。排気系
６０ヲ用いて排気を行い、真空槽２１の圧力に５Ｘ１０
Ｔｏｒｒ以下にする。
排気に先立って、蒸発源２４中には蒸発物質としてアル
ミニウム片が搬入されており、排気後、電子銃２３ヲ動
作させる。電子銃２６からの電子ビームにより、蒸発源
２４中のアルミニウムが気化し、ガラス基板１０上にア
ルミニウム膜層が形成される。この時、ヒーター２７は
点火されていないため、基板１０の温度は室温に保たれ
る。アルミニウム膜層の膜厚は水晶振動子式膜厚計２８
で監視、測定されており、平均膜厚が３００ＯＡとなっ
た時に、蒸着を停止する。
ミニウム片が搬入されており、排気後、電子銃２３ヲ動
作させる。電子銃２６からの電子ビームにより、蒸発源
２４中のアルミニウムが気化し、ガラス基板１０上にア
ルミニウム膜層が形成される。この時、ヒーター２７は
点火されていないため、基板１０の温度は室温に保たれ
る。アルミニウム膜層の膜厚は水晶振動子式膜厚計２８
で監視、測定されており、平均膜厚が３００ＯＡとなっ
た時に、蒸着を停止する。
次に、基板１０の温度を室温に保った状態で。
蒸発源２４中に、蒸着物質として５１０２材料を導き、
５ｉｎ２材料全電子銃２６によって気化する。
５ｉｎ２材料全電子銃２６によって気化する。
これによって、上記したアルミニウム膜層上には、 ５
ｉ０２膜が蒸着される。５ＩＯ２膜の膜厚は光学式膜厚
計２６によって測定されており、光学的膜厚が波長６０
０ｎｍのλ／４になった時に蒸着を停止する。
ｉ０２膜が蒸着される。５ＩＯ２膜の膜厚は光学式膜厚
計２６によって測定されており、光学的膜厚が波長６０
０ｎｍのλ／４になった時に蒸着を停止する。
５ｉ０２膜の形成によってアルミニウム膜層はＳｉＯ２
層によって覆われるから、以後、基板を加熱しても、ア
ルミニウム表面は酸化されない。
層によって覆われるから、以後、基板を加熱しても、ア
ルミニウム表面は酸化されない。
上述した点を考慮して、ＴｌＯ２膜の生成の際には、ヒ
ーター２７により各ガラス基板１０ヲ加熱する一方、蒸
発物質としてＴ ＩＯ２’ｆｆ蒸発源２４内に導く。更
に、真空槽２１内の酸素（０２）分圧全ｌＸ１０ Ｔ
ｏｒｒ程度にした後、電子銃２３ヲ点火して、 Ｔｉ０
２ｆｆｉ蒸発させる。ＴｌＯ２膜がλ／４の光学的膜厚
となるまで、 ５ｉ０２膜」二に蒸着されると。
ーター２７により各ガラス基板１０ヲ加熱する一方、蒸
発物質としてＴ ＩＯ２’ｆｆ蒸発源２４内に導く。更
に、真空槽２１内の酸素（０２）分圧全ｌＸ１０ Ｔ
ｏｒｒ程度にした後、電子銃２３ヲ点火して、 Ｔｉ０
２ｆｆｉ蒸発させる。ＴｌＯ２膜がλ／４の光学的膜厚
となるまで、 ５ｉ０２膜」二に蒸着されると。
蒸着を停止する。
以後、ヒーター２７で基板１０ヲ加熱した状態で、 ５
ｉ０２膜全Ｔｉｅ２膜上に形成し、続いて、 ＴｌＯ２
膜を前記した操作と同様な操作で形成する。以下、５Ｉ
Ｏ２膜とＴ ＩＯ２膜とを交互に被着することにより、
第１図に示したように、アルミニウム膜層を含めて９層
からなる薄膜部１１ヲ形成する。
ｉ０２膜全Ｔｉｅ２膜上に形成し、続いて、 ＴｌＯ２
膜を前記した操作と同様な操作で形成する。以下、５Ｉ
Ｏ２膜とＴ ＩＯ２膜とを交互に被着することにより、
第１図に示したように、アルミニウム膜層を含めて９層
からなる薄膜部１１ヲ形成する。
上記したように、 ５ｉ０２−Ｔｉ０２系では、応力が
緩和されるため、 ＳｉＯ□及びＴｌＯ２膜を更に積層
しても、膜剥離等は見られず、他方１反射率はより高く
なることがわかった。尚２表面に露出する膜、即ち、最
終的に形成される膜は膜の物理的強度を考慮した場合、
ＴｉＯ２膜であることが望ましい。
緩和されるため、 ＳｉＯ□及びＴｌＯ２膜を更に積層
しても、膜剥離等は見られず、他方１反射率はより高く
なることがわかった。尚２表面に露出する膜、即ち、最
終的に形成される膜は膜の物理的強度を考慮した場合、
ＴｉＯ２膜であることが望ましい。
第ろ図を参照すると２曲線３１に第１図に示した膜構成
の反射鏡の反射率曲線を示し９曲線３２に従来の反射鏡
の反射率曲線？示している。
の反射鏡の反射率曲線を示し９曲線３２に従来の反射鏡
の反射率曲線？示している。
測定に使用された反射鏡はいずれもガラス基板として光
学ガラスＢＫ−７（（株）保谷硝子商品名〕全使用しキ
ーだ。更に、ここでは従来の反射鏡として、 ＣｅＯ
２とＭｇＦ’２とを交互［１７層形成した誘電体多層膜
反射鏡を用いた。
学ガラスＢＫ−７（（株）保谷硝子商品名〕全使用しキ
ーだ。更に、ここでは従来の反射鏡として、 ＣｅＯ
２とＭｇＦ’２とを交互［１７層形成した誘電体多層膜
反射鏡を用いた。
第６図からも明らかな通り１本発明の多層膜反射鏡に従
来の誘電体多層膜反射鏡に比較して。
来の誘電体多層膜反射鏡に比較して。
約半分の膜数で、従来の反射鏡より優れた特性を実現し
ている。更に９本発明の反射鏡は従来のものより、波長
依存性が小さいことから、誘電体の膜厚制御を厳しく行
う必要がない。したがって、製造が従来のものよりも容
易であるという利点金偏えている。
ている。更に９本発明の反射鏡は従来のものより、波長
依存性が小さいことから、誘電体の膜厚制御を厳しく行
う必要がない。したがって、製造が従来のものよりも容
易であるという利点金偏えている。
上に述べた実施例は５ｉｎ２とＴｉＯ□とを組み合せて
薄膜部１１を形成したが、 ＴｉＯ２の代り“＋ Ｔａ
２０５１Ｚｎ０２． ＨｆＯ２等ｋｓｉｏ２あるいＵ
ＳｉＯと組み合せても、上記実施例と同様の効果が得ら
れた。
薄膜部１１を形成したが、 ＴｉＯ２の代り“＋ Ｔａ
２０５１Ｚｎ０２． ＨｆＯ２等ｋｓｉｏ２あるいＵ
ＳｉＯと組み合せても、上記実施例と同様の効果が得ら
れた。
以上述べた通り１本発明によれば、高い反射率を有する
良質の反射鏡を少ない膜層を重ね合せただけで製作でき
る。したがって２作業工程全短縮できるという利点があ
る。更に、硬く緻密な誘電体薄膜によりアルミニウム表
面を保護しているため、物理的耐久性の高い反射鏡が容
易に得られる。
良質の反射鏡を少ない膜層を重ね合せただけで製作でき
る。したがって２作業工程全短縮できるという利点があ
る。更に、硬く緻密な誘電体薄膜によりアルミニウム表
面を保護しているため、物理的耐久性の高い反射鏡が容
易に得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る反射鏡を示す断面図、
第２図は第１図に示した反射鏡を製作するのに使用した
蒸着装置の概略構成図、及び第６図は本発明の反射鏡と
従来の反射鏡との特性を比較して示す図である。 記号の説明 １０：基板 １１：薄膜部 １５ニアルミニウム膜層１
６ ： Ｓｉｎ、、膜 １７ ： ＴｉＯ２膜 ２１：
真空槽 ２２：ホルダー ２５：電子銃 ２４：蒸発源
２５：膜厚モニターガラス ２６：光学式膜厚計２７
：ヒーター ２８：水晶振動子式膜厚計２９＝酸素ガス
ボンベ ３０：排気系
第２図は第１図に示した反射鏡を製作するのに使用した
蒸着装置の概略構成図、及び第６図は本発明の反射鏡と
従来の反射鏡との特性を比較して示す図である。 記号の説明 １０：基板 １１：薄膜部 １５ニアルミニウム膜層１
６ ： Ｓｉｎ、、膜 １７ ： ＴｉＯ２膜 ２１：
真空槽 ２２：ホルダー ２５：電子銃 ２４：蒸発源
２５：膜厚モニターガラス ２６：光学式膜厚計２７
：ヒーター ２８：水晶振動子式膜厚計２９＝酸素ガス
ボンベ ３０：排気系
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の一表面上にアルミニウム膜を形成し。 該アルミニウム膜上に誘電体多層膜を被着した多層膜反
射鏡において、第１の誘電体として。 ンＩＪコン酸化物を前記アルミニウム膜上に被着して、
第１の誘電体層を形成し、第２の誘電体として、チタン
酸化物、タンタル酸化物、ジルコニウム酸化物、及びハ
フニウム酸化物の群から一つの酸化物を選択して、前記
′＝１０９．％ｌ−−一層上に第２の誘電体層として被
着すると共に前記第２の誘電体層上°に、前記第１及び
第２の誘電体を交互に被着して、少くとも６層構造の前
記誘電体多層膜を形成し、且つ、前記誘電体多層膜全形
成する各誘電体層は所定波長λに対して、実質上λｌ／
４に等しい光学的膜厚を有するように構成されているこ
とを特徴とする多層膜反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13564382A JPS5926704A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | 多層膜反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13564382A JPS5926704A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | 多層膜反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5926704A true JPS5926704A (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=15156595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13564382A Pending JPS5926704A (ja) | 1982-08-05 | 1982-08-05 | 多層膜反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926704A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6128903A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-08 | Canon Inc | 反射体 |
| JPS63161403A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Canon Inc | Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 |
| JPS6432201A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Asahi Optical Co Ltd | Laminated structure of thin dielectric film |
| JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
| GB2371562A (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-31 | Gen Electric Co Plc | Coated reflector for a lamp |
| CN105252844A (zh) * | 2015-10-15 | 2016-01-20 | 复旦大学 | 一种宽带薄膜型光热能量转换器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1982
- 1982-08-05 JP JP13564382A patent/JPS5926704A/ja active Pending
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