JPH0716038B2 - 気体レーザー - Google Patents
気体レーザーInfo
- Publication number
- JPH0716038B2 JPH0716038B2 JP61016641A JP1664186A JPH0716038B2 JP H0716038 B2 JPH0716038 B2 JP H0716038B2 JP 61016641 A JP61016641 A JP 61016641A JP 1664186 A JP1664186 A JP 1664186A JP H0716038 B2 JPH0716038 B2 JP H0716038B2
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- Japan
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- layers
- refractive index
- gas laser
- wavelength
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、少くとも一方の端面にブルースター窓を持
つ放電管と、不要なレーザー放射波長を抑制する波長選
択性の誘電層系と、高い屈折率nhと低い屈折率nlの層
(Δn=nh−nl≧0.5)が交互に重ねられ、特に同じ光
学的厚さを有する多重層を備える気体レーザーに関する
ものである。
つ放電管と、不要なレーザー放射波長を抑制する波長選
択性の誘電層系と、高い屈折率nhと低い屈折率nlの層
(Δn=nh−nl≧0.5)が交互に重ねられ、特に同じ光
学的厚さを有する多重層を備える気体レーザーに関する
ものである。
この種のレーザーは例えば西独国特許出願公開第234291
1号公報に記載され公知である。
1号公報に記載され公知である。
気体レーザーの放出光は通常多数の波長を含んでいるか
ら、単一の波長を必要とする場合にはそれ以外の放出ス
ペクトル部分を抑制する手段を講じなければならない。
上記の特許出願公開公報に記載されているレーザーでは
一方の共振器反射鏡が次のような重層構造となつてい
る。λ/2層(2/1価層)の前後にそれぞれ一つの光学的
に厚いλ/4層(4/1価層)と光学的に薄いλ/4層から成
る対の多数が鏡映対称に配置される。ここでλは不要な
レーザー光波長である。この種の重層系によりきわだつ
た反射ミニマムが得られる。従つて比較的密集している
レーザースペクトル線中から特定の線を簡単に過分離
することができるが、逆にこのようなスペクトルから一
つの波長を除いて残りの総てを抑制することは困難であ
る。
ら、単一の波長を必要とする場合にはそれ以外の放出ス
ペクトル部分を抑制する手段を講じなければならない。
上記の特許出願公開公報に記載されているレーザーでは
一方の共振器反射鏡が次のような重層構造となつてい
る。λ/2層(2/1価層)の前後にそれぞれ一つの光学的
に厚いλ/4層(4/1価層)と光学的に薄いλ/4層から成
る対の多数が鏡映対称に配置される。ここでλは不要な
レーザー光波長である。この種の重層系によりきわだつ
た反射ミニマムが得られる。従つて比較的密集している
レーザースペクトル線中から特定の線を簡単に過分離
することができるが、逆にこのようなスペクトルから一
つの波長を除いて残りの総てを抑制することは困難であ
る。
このような波長選択性は重層構造の変化によつて達成す
ることができるが、そのためには例えば線間隔が比較的
狭いAr+レーザーの場合にも検出可能の出力低下を生ず
る程度に反射最大部が温度と圧力に関係する成層組織が
必要となる。共振器の両方の反射面設けられた誘電エツ
ジ・フイルターによつて線の選別を行う場合には条件が
いくらか緩和されるが、その代りにコストが上昇する。
反射鏡を製作するには比較的柔らかい材料を多くの場合
曲面に磨き上げなければならないから、歩留りが低く高
価となる。
ることができるが、そのためには例えば線間隔が比較的
狭いAr+レーザーの場合にも検出可能の出力低下を生ず
る程度に反射最大部が温度と圧力に関係する成層組織が
必要となる。共振器の両方の反射面設けられた誘電エツ
ジ・フイルターによつて線の選別を行う場合には条件が
いくらか緩和されるが、その代りにコストが上昇する。
反射鏡を製作するには比較的柔らかい材料を多くの場合
曲面に磨き上げなければならないから、歩留りが低く高
価となる。
反射鏡には広帯域のものを使用し、スペクトル線の選択
はエタロン、波長選択性偏光子又は分散素子によること
も可能であるが、共振器に補助部品を設けることは構造
を複雑にし光を弱める点からも避けなければならない。
はエタロン、波長選択性偏光子又は分散素子によること
も可能であるが、共振器に補助部品を設けることは構造
を複雑にし光を弱める点からも避けなければならない。
この発明の目的は、冒頭に挙げたレーザーにおいて放出
光の不要波長部分が簡単かつ確実に抑制されるようにす
ることである。
光の不要波長部分が簡単かつ確実に抑制されるようにす
ることである。
この目的は特許請求の範囲第1項に特徴として挙げた構
成を採用することによつて達成される。
成を採用することによつて達成される。
この発明による気体レーザーは比較的廉価に製作され
る。即ち補助部品を必要とせず、ブルースター窓は研磨
容易な硬い材料(石英)で作られ表面は平坦であるか
ら、コーテイングと層の堆積が容易となる。多重層は2
種類の層によつて構成され、層の厚さは同種のものの間
ではその理想値 から数%の偏差が許される。その上光学特性が著しく改
善され、波長選択性の反射鏡と比べると減衰値が実効光
と不要光においてほぼ等しく、温度と圧力の変動の影響
は軽減される。
る。即ち補助部品を必要とせず、ブルースター窓は研磨
容易な硬い材料(石英)で作られ表面は平坦であるか
ら、コーテイングと層の堆積が容易となる。多重層は2
種類の層によつて構成され、層の厚さは同種のものの間
ではその理想値 から数%の偏差が許される。その上光学特性が著しく改
善され、波長選択性の反射鏡と比べると減衰値が実効光
と不要光においてほぼ等しく、温度と圧力の変動の影響
は軽減される。
この発明の有利な実施態様とその展開は特許請求の範囲
第2項以下に示されている。
第2項以下に示されている。
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説明
する。
する。
この実施例は主として波長0.488μmの単色光だけを放
出するようにしたAr+レーザーである。このレーザーは
アルゴンを満たした放電管1で構成され、その両端部に
放電電極2,3が設けられ、両端面はブルースター窓4,5で
閉鎖されている。放電管1は二つの反射鏡6,7を備える
共振器内に置かれる。
出するようにしたAr+レーザーである。このレーザーは
アルゴンを満たした放電管1で構成され、その両端部に
放電電極2,3が設けられ、両端面はブルースター窓4,5で
閉鎖されている。放電管1は二つの反射鏡6,7を備える
共振器内に置かれる。
第2図に拡大して示すように窓5の反射鏡7に向つた表
面は誘電多重層8によつて覆われている。この層系は全
体で12の層9,10から成り、これらの層は屈折率2.2,厚さ
71.2nmのものと屈折率1.46,厚さ120.5nmのものとの2種
類であり、これら2種類の層が交替して重ね合わされて
いる。層材料は高屈折率のものがTa2O3,低屈折率のも
のがSiO2である。
面は誘電多重層8によつて覆われている。この層系は全
体で12の層9,10から成り、これらの層は屈折率2.2,厚さ
71.2nmのものと屈折率1.46,厚さ120.5nmのものとの2種
類であり、これら2種類の層が交替して重ね合わされて
いる。層材料は高屈折率のものがTa2O3,低屈折率のも
のがSiO2である。
励起確率Aの各レーザー光波長λiに対する反射率Rpを
次表に示す。これは入射角55.5°のp偏向光に対するも
のである。
次表に示す。これは入射角55.5°のp偏向光に対するも
のである。
層の厚さの偏差が±1%であり迷光と吸収による損失が
全体で0.05%以下のとき、0.488μm線の損失は約0.2%
であり、その他の線は抑制される。本来強く励起され
る。0.514μm線もこの振動数領域でRp値が特に高いた
め他の線と同様に抑制される。
全体で0.05%以下のとき、0.488μm線の損失は約0.2%
であり、その他の線は抑制される。本来強く励起され
る。0.514μm線もこの振動数領域でRp値が特に高いた
め他の線と同様に抑制される。
この発明は上記の実施例に限定されるものではない。例
えば多重層は適当に変更することによりAr+レーザーの
他のスペクトル線又は他の稀ガス・レーザーのスペクト
ル線の一つを選択するのに使用することができる。多重
層の変更はこれ以外の点でも可能である。即ち低屈折率
層と高屈折率層のいずれか一方又はその双方を更に厚く
して選択性を向上させることができる。又多重層の一部
をブルースター窓の内面に移すことができる。このよう
に多重層をブルースター窓の両面に分割して設けること
は熱安定性の点で有利である。層の形成も上記とは別の
方法例えばスパツタリングによることができる。ブルー
スター窓は管の気密閉鎖に使用しても、あるいは単に機
械的に保持してもよい。
えば多重層は適当に変更することによりAr+レーザーの
他のスペクトル線又は他の稀ガス・レーザーのスペクト
ル線の一つを選択するのに使用することができる。多重
層の変更はこれ以外の点でも可能である。即ち低屈折率
層と高屈折率層のいずれか一方又はその双方を更に厚く
して選択性を向上させることができる。又多重層の一部
をブルースター窓の内面に移すことができる。このよう
に多重層をブルースター窓の両面に分割して設けること
は熱安定性の点で有利である。層の形成も上記とは別の
方法例えばスパツタリングによることができる。ブルー
スター窓は管の気密閉鎖に使用しても、あるいは単に機
械的に保持してもよい。
第1図はこの発明の実施例の概略図、第2図はその一部
の拡大図である。1:放電管、2と3:放電電極、4と5:ブ
ルースター窓、6と7:共振器反射鏡、8:誘電多重層。
の拡大図である。1:放電管、2と3:放電電極、4と5:ブ
ルースター窓、6と7:共振器反射鏡、8:誘電多重層。
Claims (7)
- 【請求項1】少くとも一方の端面にブルースター窓を持
つ放電管と、不要なレーザー放射波長を抑制する波長選
択性の誘電層系と、高い屈折率nhの層と低い屈折率n1の
層(Δn=nh−n1≧0.5)が交互に重ねられている多重
層を備える気体レーザーにおいて、誘電層系がブルース
ター窓(5)上に設けられていること、この層系が多重
層(8)だけによつて構成され、5層から9層の間の各
種の層(9,10)を備え、これらの層の厚さdの間には次
の関係: 0.98dom≦dim≦1.02dom, dim=i番目のm種層の厚さ, q=正の整数(≧0) λ=所定のレーザー光の各層においての波長 があることを特徴とする気体レーザー。 - 【請求項2】dim,domが次の関係式: 0.99dom≦dim≦1.01dom, 0.9λ/4≦dom≦1.1λ/4 を満たしていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の気体レーザー。 - 【請求項3】多重層(8)が最高7層の各種層(9,10)
から成り、その屈折率の間には 1.9≦nh≦2.5,1.38≦nl≦1.7 Δn≡nh−nl≧0.6の関係があることを特徴とする特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の気体レーザー。 - 【請求項4】アルゴンイオン・レーザーとして波長λは
λ=0.488μmであり、多重層(8)は少くとも6層か
ら成り、その屈折率の間には 2.1≦nh≦2.3,1.4≦n1≦1.5 の関係があることを特徴とする特許請求の範囲第3項記
載の気体レーザー。 - 【請求項5】多重層(8)が6層(9,10)から成り、nh
とnlはそれぞれ約2.2と約1.46であり、高屈折率層の厚
さは約71.2nm,低屈折率層の厚さは約120.5nmであること
を特徴とする特許請求の範囲第4項記載の気体レーザ
ー。 - 【請求項6】高屈折率層がTa2O3から成り、低屈折率層
がSiO2から成ることを特徴とする特許請求の範囲第5項
記載の気体レーザー。 - 【請求項7】多重層(8)がブルースター窓(5)の外
側に置かれていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項乃至第6項の一つに記載の気体レーザー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3503092 | 1985-01-30 | ||
DE3503092.5 | 1985-01-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61182288A JPS61182288A (ja) | 1986-08-14 |
JPH0716038B2 true JPH0716038B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=6261179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61016641A Expired - Lifetime JPH0716038B2 (ja) | 1985-01-30 | 1986-01-28 | 気体レーザー |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4800568A (ja) |
EP (1) | EP0190635B1 (ja) |
JP (1) | JPH0716038B2 (ja) |
DE (1) | DE3662737D1 (ja) |
DK (1) | DK43786A (ja) |
ES (1) | ES8800795A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5071222A (en) * | 1987-12-29 | 1991-12-10 | Luxar Corporation | Lightpipe tip for contact laser surgery |
WO1989006872A1 (en) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Gas laser |
US5127018A (en) * | 1989-08-08 | 1992-06-30 | Nec Corporation | Helium-neon laser tube with multilayer dielectric coating mirrors |
US4961202A (en) * | 1989-08-18 | 1990-10-02 | American Laser Corporation | Single line laser and method |
FR2661784B1 (fr) * | 1990-05-02 | 1992-07-03 | Thomson Csf | Laser de puissance a miroir actif. |
US5226054A (en) * | 1991-09-18 | 1993-07-06 | Coherent, Inc. | Cavity mirror for suppressing high gain laser wavelengths |
FR2681738B1 (fr) * | 1991-09-24 | 1993-11-05 | Thomson Csf | Lasers de puissance a filtre semiconducteur. |
US5625638A (en) * | 1993-05-28 | 1997-04-29 | Coherent, Inc. | Sealed crystalline windows for hollow laser fibers |
US6116961A (en) | 1998-11-12 | 2000-09-12 | Adc Telecommunications, Inc. | Jack assembly |
US7065109B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-20 | Melles Griot Inc. | Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection |
WO2020194572A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ギガフォトン株式会社 | ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3815036A (en) * | 1971-09-20 | 1974-06-04 | A Nozik | INFRARED WINDOWS AND OPTICAL COATINGS FOR SAME DERIVED FROM CD{11 SnO{11 |
JPS5010118B2 (ja) * | 1972-08-28 | 1975-04-18 | ||
GB1529813A (en) * | 1974-10-16 | 1978-10-25 | Siemens Ag | Narrow-band interference filter |
US4084883A (en) * | 1977-02-28 | 1978-04-18 | The University Of Rochester | Reflective polarization retarder and laser apparatus utilizing same |
NL7802454A (nl) * | 1978-03-07 | 1979-09-11 | Philips Nv | Gasontladingslaser voor het opwekken van lineair gepolariseerde straling. |
GB2075746B (en) * | 1980-04-09 | 1983-12-07 | Secr Defence | Laser with feedback frequency control |
JPS6037631B2 (ja) * | 1981-06-08 | 1985-08-27 | 株式会社東芝 | アルゴン・イオン・レ−ザ装置 |
US4573156A (en) * | 1983-09-16 | 1986-02-25 | At&T Bell Laboratories | Single mode laser emission |
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US4685110A (en) * | 1984-09-24 | 1987-08-04 | Spectra-Physics, Inc. | Optical component of a laser |
-
1986
- 1986-01-27 DE DE8686101041T patent/DE3662737D1/de not_active Expired
- 1986-01-27 EP EP86101041A patent/EP0190635B1/de not_active Expired
- 1986-01-28 JP JP61016641A patent/JPH0716038B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-29 DK DK43786A patent/DK43786A/da unknown
- 1986-01-29 US US06/823,641 patent/US4800568A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-01-30 ES ES551447A patent/ES8800795A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0190635A1 (de) | 1986-08-13 |
ES8800795A1 (es) | 1987-11-16 |
DK43786D0 (da) | 1986-01-29 |
DE3662737D1 (en) | 1989-05-11 |
US4800568A (en) | 1989-01-24 |
DK43786A (da) | 1986-07-31 |
ES551447A0 (es) | 1987-11-16 |
JPS61182288A (ja) | 1986-08-14 |
EP0190635B1 (de) | 1989-04-05 |
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