JPH07301703A - 高精度光学部品用反射防止膜 - Google Patents
高精度光学部品用反射防止膜Info
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- JPH07301703A JPH07301703A JP6114202A JP11420294A JPH07301703A JP H07301703 A JPH07301703 A JP H07301703A JP 6114202 A JP6114202 A JP 6114202A JP 11420294 A JP11420294 A JP 11420294A JP H07301703 A JPH07301703 A JP H07301703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学部品を強制加熱せず、蒸発源からの輻射
熱を低く抑え、蒸着する光学部品の形状精度を劣化させ
ず、実用上問題ない耐久性の反射防止膜を得る。 【構成】 低屈折率材料としてＳｉＯ2 、高屈折率材料
として蒸発源からの輻射熱の低いＷＯ3 を使用して成膜
する。
熱を低く抑え、蒸着する光学部品の形状精度を劣化させ
ず、実用上問題ない耐久性の反射防止膜を得る。 【構成】 低屈折率材料としてＳｉＯ2 、高屈折率材料
として蒸発源からの輻射熱の低いＷＯ3 を使用して成膜
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、干渉計等に代表される
高精度光学部品の表面に施される反射防止膜に関する。
高精度光学部品の表面に施される反射防止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学部品の形状精度は、その要求
されるレベルが非常に高まり、研磨工程ではほぼ測定限
界レベルに近い高精度な光学部品が作製されるようにな
ってきている。具体的には、半導体リソグラフィーに用
いられる投影レンズにおいてはλ／３０以上（λは使用
波長）の面精度が要求されており、ＣＤプレーヤー等に
使われている光ピックアップ用レンズにおいてもλ／１
０以上の面精度が要求されている。また、これらのレン
ズを評価する干渉計の光学系を構成する光学部品に関し
てはさらに高精度な面形状が要求される。
されるレベルが非常に高まり、研磨工程ではほぼ測定限
界レベルに近い高精度な光学部品が作製されるようにな
ってきている。具体的には、半導体リソグラフィーに用
いられる投影レンズにおいてはλ／３０以上（λは使用
波長）の面精度が要求されており、ＣＤプレーヤー等に
使われている光ピックアップ用レンズにおいてもλ／１
０以上の面精度が要求されている。また、これらのレン
ズを評価する干渉計の光学系を構成する光学部品に関し
てはさらに高精度な面形状が要求される。
【０００３】一般的に、上記光学部品に施される反射防
止膜としては、例えば特公昭４９−１５５０３号公報に
開示される低屈折率材料としてＭｇＦ2 、高屈折率材料
としてＺｒＯ2 により形成された多層膜構成の発明があ
る。
止膜としては、例えば特公昭４９−１５５０３号公報に
開示される低屈折率材料としてＭｇＦ2 、高屈折率材料
としてＺｒＯ2 により形成された多層膜構成の発明があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記特公昭
４９−１５５０３号公報記載の発明においては以下の様
な欠点がある。すなわち、高精度に研磨加工されたガラ
ス製光学部品にＡＲコート（反射防止膜）を蒸着にて形
成する場合、光学部品の加熱温度を最低でも２００℃以
上に保ちつつ蒸着を行う必要があった。なぜならば、蒸
着によって形成される光学膜は、その膜強度および最も
重要な光学特性を満足させるために、基板を加熱するこ
とで蒸着材料の膜硬度や耐久性、さらに最適な屈折率を
得られるようにしている。しかし、このようにせっかく
高精度に加工されたガラス製光学部品に光学膜を蒸着す
る場合、基板を高温に加熱することにより、その形状精
度を損ねてしまう。
４９−１５５０３号公報記載の発明においては以下の様
な欠点がある。すなわち、高精度に研磨加工されたガラ
ス製光学部品にＡＲコート（反射防止膜）を蒸着にて形
成する場合、光学部品の加熱温度を最低でも２００℃以
上に保ちつつ蒸着を行う必要があった。なぜならば、蒸
着によって形成される光学膜は、その膜強度および最も
重要な光学特性を満足させるために、基板を加熱するこ
とで蒸着材料の膜硬度や耐久性、さらに最適な屈折率を
得られるようにしている。しかし、このようにせっかく
高精度に加工されたガラス製光学部品に光学膜を蒸着す
る場合、基板を高温に加熱することにより、その形状精
度を損ねてしまう。
【０００５】また、基板加熱が行えないプラスチック基
板への反射防止膜として、一般的に知られているのは低
屈折率材料としてＳｉＯ2 を用い、高屈折率材料として
ＺｒＯ2 やＴｉＯ2 またはこれらの混合物、あるいはＣ
ｅＯ2 やＺｎＳ等を使う方法である。しかし、ＺｒＯ2
やＴｉＯ2 は融点が高く、プラスチック基板と言えども
蒸発源からの輻射熱の影響で基板温度は１００℃以上に
上昇する。基本的に高精度光学部品に光学膜を成膜する
には基板温度を室温レベル、最高でも５０℃以下に保つ
必要がある。
板への反射防止膜として、一般的に知られているのは低
屈折率材料としてＳｉＯ2 を用い、高屈折率材料として
ＺｒＯ2 やＴｉＯ2 またはこれらの混合物、あるいはＣ
ｅＯ2 やＺｎＳ等を使う方法である。しかし、ＺｒＯ2
やＴｉＯ2 は融点が高く、プラスチック基板と言えども
蒸発源からの輻射熱の影響で基板温度は１００℃以上に
上昇する。基本的に高精度光学部品に光学膜を成膜する
には基板温度を室温レベル、最高でも５０℃以下に保つ
必要がある。
【０００６】その対策として、蒸発源から基板までの距
離を長くしたり、蒸発源と基板との間に遮蔽板を設けて
蒸発源からの輻射熱の影響を少なくする方法が考えられ
る。しかし、上記方法はいずれも成膜装置の大幅な改造
が必要となるため、従来のガラス基板上への成膜装置を
そのまま使用することができないという不具合がある。
また前記方法では、必然的に蒸着時間が長くなり、生産
性の点でも好ましくない。
離を長くしたり、蒸発源と基板との間に遮蔽板を設けて
蒸発源からの輻射熱の影響を少なくする方法が考えられ
る。しかし、上記方法はいずれも成膜装置の大幅な改造
が必要となるため、従来のガラス基板上への成膜装置を
そのまま使用することができないという不具合がある。
また前記方法では、必然的に蒸着時間が長くなり、生産
性の点でも好ましくない。
【０００７】そこで、蒸発源からの輻射熱の低い材料を
用いることができれば前述の問題点を解決することがで
きる。上記ＣｅＯ2 やＺｎＳはこの条件を満たす材料で
ある。しかし、ＣｅＯ2 は傷つきやすくて耐湿性が低い
上に、可視域の短波長側に吸収があるという欠点があ
る。また、ＺｎＳはＣｅＯ2 よりもさらに弱くて傷つき
やすく、耐湿性も低くて水溶性があり、成膜後に大気中
へ放置すると特性が変化してしまうという欠点がある。
用いることができれば前述の問題点を解決することがで
きる。上記ＣｅＯ2 やＺｎＳはこの条件を満たす材料で
ある。しかし、ＣｅＯ2 は傷つきやすくて耐湿性が低い
上に、可視域の短波長側に吸収があるという欠点があ
る。また、ＺｎＳはＣｅＯ2 よりもさらに弱くて傷つき
やすく、耐湿性も低くて水溶性があり、成膜後に大気中
へ放置すると特性が変化してしまうという欠点がある。
【０００８】請求項１，２および３に係わる発明の目的
は、高精度な形状精度が要求されるガラス製またはプラ
スチック製光学部品の蒸着時の基板温度上昇を防ぎ、蒸
着後も形状精度を変化させない反射防止膜の提供にあ
る。
は、高精度な形状精度が要求されるガラス製またはプラ
スチック製光学部品の蒸着時の基板温度上昇を防ぎ、蒸
着後も形状精度を変化させない反射防止膜の提供にあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】課題を解決す
るために、本発明では、蒸発源からの輻射熱の低い高屈
折率材料としてＷＯ3 を使用することとした。従来、Ｗ
Ｏ3 は光学薄膜用材料としてほとんど注目されていなか
った材料である。ＷＯ3 は低いエネルギーで容易に蒸発
させることができる材料であり、蒸発源からの輻射熱を
低く抑えることができるため、熱ダメージを基板に与え
ることがない。また、従来から用いられているＣｅＯ2
やＺｎＳよりも傷つきにくく、耐湿性も比較的高い。さ
らに、完全に酸化した状態であれば可視域で光の吸収も
ほとんどなく、屈折率は１．９５〜２．１を示し、高屈
折率材料として充分な性能を有する反射防止膜を形成す
ることができる。
るために、本発明では、蒸発源からの輻射熱の低い高屈
折率材料としてＷＯ3 を使用することとした。従来、Ｗ
Ｏ3 は光学薄膜用材料としてほとんど注目されていなか
った材料である。ＷＯ3 は低いエネルギーで容易に蒸発
させることができる材料であり、蒸発源からの輻射熱を
低く抑えることができるため、熱ダメージを基板に与え
ることがない。また、従来から用いられているＣｅＯ2
やＺｎＳよりも傷つきにくく、耐湿性も比較的高い。さ
らに、完全に酸化した状態であれば可視域で光の吸収も
ほとんどなく、屈折率は１．９５〜２．１を示し、高屈
折率材料として充分な性能を有する反射防止膜を形成す
ることができる。
【００１０】請求項１の構成では、設計波長をλとして
１層目のＷＯ3 の膜厚を０．１０３λ、２層目のＳｉＯ
2 の膜厚を０．３１７λとすることにより、設計波長λ
で反射率を極小にする反射防止膜が可能となる。同様
に、請求項２の構成では、設計波長をλとして１層目の
ＷＯ3 の膜厚を０．０６９λ、２層目のＳｉＯ2 の膜厚
を０．０８０λ、３層目のＷＯ3 の膜厚を０．４３６
λ、４層目のＳｉＯ2 の膜厚を０．２４１λとすること
により、設計波長λの９０％から１２５％の範囲で反射
率０．５％以下の反射防止波長帯域の広い反射防止膜が
可能となる。同様に請求項３の構成では、設計波長をλ
として１層目のＳｉＯ2 の膜厚を０．０７６λ、２層目
のＷＯ3 の膜厚を０．１０１λ、３層目のＳｉＯ2 の膜
厚を０．３２９λとすることにより、設計波長λで反射
率を０にする反射防止膜が可能となる。
１層目のＷＯ3 の膜厚を０．１０３λ、２層目のＳｉＯ
2 の膜厚を０．３１７λとすることにより、設計波長λ
で反射率を極小にする反射防止膜が可能となる。同様
に、請求項２の構成では、設計波長をλとして１層目の
ＷＯ3 の膜厚を０．０６９λ、２層目のＳｉＯ2 の膜厚
を０．０８０λ、３層目のＷＯ3 の膜厚を０．４３６
λ、４層目のＳｉＯ2 の膜厚を０．２４１λとすること
により、設計波長λの９０％から１２５％の範囲で反射
率０．５％以下の反射防止波長帯域の広い反射防止膜が
可能となる。同様に請求項３の構成では、設計波長をλ
として１層目のＳｉＯ2 の膜厚を０．０７６λ、２層目
のＷＯ3 の膜厚を０．１０１λ、３層目のＳｉＯ2 の膜
厚を０．３２９λとすることにより、設計波長λで反射
率を０にする反射防止膜が可能となる。
【００１１】
【実施例１】図１は本実施例の反射率特性を示すグラフ
である。本実施例では干渉計用参照レンズ上に設けた反
射防止膜を示す。まず、硝材がＢＫ７で面精度がλ／３
０の参照レンズを真空蒸着装置にセットする。この後、
基板加熱を行わずに排気を開始し、装置内真空度が１×
１０-3Ｐａに到達したところで、電子ビーム蒸着により
設計波長を６３０ｎｍとし、１層目のＷＯ3 を光学膜厚
で６５ｎｍまで成膜を行う。次に、１層目と同様に電子
ビーム蒸着で、２層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で２００ｎ
ｍまで成膜を行う。
である。本実施例では干渉計用参照レンズ上に設けた反
射防止膜を示す。まず、硝材がＢＫ７で面精度がλ／３
０の参照レンズを真空蒸着装置にセットする。この後、
基板加熱を行わずに排気を開始し、装置内真空度が１×
１０-3Ｐａに到達したところで、電子ビーム蒸着により
設計波長を６３０ｎｍとし、１層目のＷＯ3 を光学膜厚
で６５ｎｍまで成膜を行う。次に、１層目と同様に電子
ビーム蒸着で、２層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で２００ｎ
ｍまで成膜を行う。
【００１２】本実施例の２層構成反射防止膜の分光特性
は、図１に示す様に、設計波長およびその近傍では反射
率が極小となっている。反射防止膜成膜後の参照レンズ
の面精度に変化は見られなかった。また、このレンズを
温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置した後、
膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用上問題は
なかった。
は、図１に示す様に、設計波長およびその近傍では反射
率が極小となっている。反射防止膜成膜後の参照レンズ
の面精度に変化は見られなかった。また、このレンズを
温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置した後、
膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用上問題は
なかった。
【００１３】
【実施例２】図２は本実施例の反射率特性を示すグラフ
である。本実施例ではｇライン用縮小投影レンズに用い
られる反射防止膜を示す。まず、硝材がＢＫ７で面精度
がλ／３０の参照レンズを真空蒸着装置にセットする。
この後、基板加熱を行わずに排気を開始し、装置内真空
度が１×１０-3Ｐａに到達したところで、電子ビーム蒸
着により設計波長を４３６ｎｍとし、１層目のＷＯ3 を
光学膜厚で３０ｎｍまで成膜を行う。次に、１層目と同
様に電子ビーム蒸着で、２層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で
３５ｎｍまで成膜を行う。以下同様に、３層目のＷＯ3
を光学膜厚で１９０ｎｍ、４層目のＳｉＯ2 を光学膜厚
で１０５ｎｍまで成膜を行う。
である。本実施例ではｇライン用縮小投影レンズに用い
られる反射防止膜を示す。まず、硝材がＢＫ７で面精度
がλ／３０の参照レンズを真空蒸着装置にセットする。
この後、基板加熱を行わずに排気を開始し、装置内真空
度が１×１０-3Ｐａに到達したところで、電子ビーム蒸
着により設計波長を４３６ｎｍとし、１層目のＷＯ3 を
光学膜厚で３０ｎｍまで成膜を行う。次に、１層目と同
様に電子ビーム蒸着で、２層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で
３５ｎｍまで成膜を行う。以下同様に、３層目のＷＯ3
を光学膜厚で１９０ｎｍ、４層目のＳｉＯ2 を光学膜厚
で１０５ｎｍまで成膜を行う。
【００１４】本実施例の４層構成反射防止膜の分光特性
は、図２に示す様に、設計波長およびその近傍では反射
率が０．５％以下となっている。反射防止膜成膜後の投
影レンズの面精度に変化は見られなかった。また、この
レンズを温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置
した後、膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用
上問題はなかった。
は、図２に示す様に、設計波長およびその近傍では反射
率が０．５％以下となっている。反射防止膜成膜後の投
影レンズの面精度に変化は見られなかった。また、この
レンズを温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置
した後、膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用
上問題はなかった。
【００１５】
【実施例３】図３は本実施例の反射率特性を示すグラフ
である。本実施例では光ピックアップ用対物レンズ上に
設けた反射防止膜を示す。まず、基材ＰＭＭＡ（アクリ
ル）で面精度がλ／１０の対物レンズを真空蒸着装置に
セットする。この後、基板加熱を行わずに排気を開始
し、装置内真空度が１×１０-3Ｐａに到達したところ
で、電子ビーム蒸着により設計波長を７９０ｎｍとし、
１層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で６０ｎｍまで成膜を行
う。次に、１層目と同様に電子ビーム蒸着で、２層目の
ＷＯ3 を光学膜厚で８０ｎｍまで成膜を行う。以下同様
に、３層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で２６０ｎｍまで成膜
を行う。
である。本実施例では光ピックアップ用対物レンズ上に
設けた反射防止膜を示す。まず、基材ＰＭＭＡ（アクリ
ル）で面精度がλ／１０の対物レンズを真空蒸着装置に
セットする。この後、基板加熱を行わずに排気を開始
し、装置内真空度が１×１０-3Ｐａに到達したところ
で、電子ビーム蒸着により設計波長を７９０ｎｍとし、
１層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で６０ｎｍまで成膜を行
う。次に、１層目と同様に電子ビーム蒸着で、２層目の
ＷＯ3 を光学膜厚で８０ｎｍまで成膜を行う。以下同様
に、３層目のＳｉＯ2 を光学膜厚で２６０ｎｍまで成膜
を行う。
【００１６】本実施例の３層構成反射防止膜の分光特性
は、図３に示す様に、設計波長では反射率が０％となっ
ている。反射防止膜成膜後の光ピックアップ用対物レン
ズの面精度に変化は見られなかった。また、このレンズ
を温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置した
後、膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用上問
題はなかった。
は、図３に示す様に、設計波長では反射率が０％となっ
ている。反射防止膜成膜後の光ピックアップ用対物レン
ズの面精度に変化は見られなかった。また、このレンズ
を温度７０℃，湿度８０％の環境下に１週間放置した
後、膜の擦傷性および密着性をテストしたが、実用上問
題はなかった。
【００１７】
【発明の効果】請求項１の膜構成では、設計波長で反射
率が極小となる光学特性を有する。請求項２の膜構成で
は、設計波長の前後の広い波長域で反射率の低い特性が
得られる。請求項３の膜構成では、設計波長で反射率が
０となる特性が得られる。いずれの反射防止膜も蒸着す
る光学部品を強制加熱せず、さらに蒸発源の輻射熱も低
いことから光学部品の面形状を熱の影響で劣化させず、
蒸着前の面精度を維持したまま反射防止膜を形成でき
る。また、反射防止膜の耐久性に関しても、これまで一
般的に用いられてきた光学部品を強制加熱させて蒸着を
行う手法に比べ、問題のないレベルである。
率が極小となる光学特性を有する。請求項２の膜構成で
は、設計波長の前後の広い波長域で反射率の低い特性が
得られる。請求項３の膜構成では、設計波長で反射率が
０となる特性が得られる。いずれの反射防止膜も蒸着す
る光学部品を強制加熱せず、さらに蒸発源の輻射熱も低
いことから光学部品の面形状を熱の影響で劣化させず、
蒸着前の面精度を維持したまま反射防止膜を形成でき
る。また、反射防止膜の耐久性に関しても、これまで一
般的に用いられてきた光学部品を強制加熱させて蒸着を
行う手法に比べ、問題のないレベルである。
【００１８】以上説明したように、本発明の高精度光学
部品用反射防止膜は低屈折率材料としてＳｉＯ2 、高屈
折率材料としてＷＯ3 を用い、光学部品を強制加熱せず
に蒸着を行い、蒸発源からの輻射熱を低く抑えることが
でき、蒸着する高精度光学部品の形状精度を劣化させ
ず、また実用上問題ない耐久性も有している。
部品用反射防止膜は低屈折率材料としてＳｉＯ2 、高屈
折率材料としてＷＯ3 を用い、光学部品を強制加熱せず
に蒸着を行い、蒸発源からの輻射熱を低く抑えることが
でき、蒸着する高精度光学部品の形状精度を劣化させ
ず、また実用上問題ない耐久性も有している。
【図１】実施例１を示すグラフである。
【図２】実施例２を示すグラフである。
【図３】実施例３を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 浩 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 三田村 宣明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 新田 佳樹 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 設計波長をλとし、１層目にＷＯ3 の光
学膜厚を０．１０３λ、２層目にＳｉＯ2 の光学膜厚を
０．３１７λ形成したことを特徴とする高精度光学部品
用反射防止膜。 - 【請求項２】 設計波長をλとし、１層目にＷＯ3 の光
学膜厚を０．０６９λ、２層目にＳｉＯ2 の光学膜厚を
０．０８０λ、３層目にＷＯ3 の光学膜厚を０．４３６
λ、４層目にＳｉＯ2 の光学膜厚を０．２４１λ形成し
たことを特徴とする高精度光学部品用反射防止膜。 - 【請求項３】 設計波長をλとし、１層目にＳｉＯ2 の
光学膜厚を０．０７６λ、２層目にＷＯ3 の光学膜厚を
０．１０１λ、３層目にＳｉＯ2 の光学膜厚を０．３２
９λ形成したことを特徴とする高精度光学部品用反射防
止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420294A JP3497236B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 高精度光学部品用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420294A JP3497236B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 高精度光学部品用反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301703A true JPH07301703A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3497236B2 JP3497236B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=14631772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11420294A Expired - Fee Related JP3497236B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 高精度光学部品用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3497236B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002055207A (ja) * | 2000-05-29 | 2002-02-20 | Konica Corp | 光学部品および光学装置 |
| US7372798B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-05-13 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element and optical pickup device |
| JP2009271439A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 反射防止膜を備えた光学部品 |
| WO2015151459A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | オリンパス株式会社 | 光駆動装置 |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP11420294A patent/JP3497236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002055207A (ja) * | 2000-05-29 | 2002-02-20 | Konica Corp | 光学部品および光学装置 |
| US7372798B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-05-13 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element and optical pickup device |
| JP2009271439A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 反射防止膜を備えた光学部品 |
| WO2015151459A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | オリンパス株式会社 | 光駆動装置 |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3497236B2 (ja) | 2004-02-16 |
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