JPH06169127A - 固体レーザ素子とこれを用いた第二高調波レーザ発振装置 - Google Patents
固体レーザ素子とこれを用いた第二高調波レーザ発振装置Info
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- JPH06169127A JPH06169127A JP24691491A JP24691491A JPH06169127A JP H06169127 A JPH06169127 A JP H06169127A JP 24691491 A JP24691491 A JP 24691491A JP 24691491 A JP24691491 A JP 24691491A JP H06169127 A JPH06169127 A JP H06169127A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ励起による第二高調波発生装置
において必要とされ、かつ、第二高調波に対して高反射
能を有する誘電体光学薄膜の構成並びにその配置関係を
開示する。 【構成】 ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の一端
面には基本波に対して高反射率を有する誘電体光学薄膜
が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面には基
本波に対しては高透過率を保持しながら、第二高調波に
対しては高反射率を有する誘電体光学薄膜が配されてい
る固体レーザ素子を製作し、この固体レーザ素子の集光
レンズに対応する端面には合計１５〜４１層に亘ってＳ
ｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との積層誘電体光学薄膜を、夫々、
基本波に対して高反射率を示す膜厚で配すると共に、前
記固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応する端面
には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆＯ2 との
積層誘電体光学薄膜を、夫々、基本波に対しては高透過
率を示しながら第二高調波に対しては高反射率を示す膜
厚にて配し、第二高調波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ
4 を配した第二高調波発生装置を構成する。
において必要とされ、かつ、第二高調波に対して高反射
能を有する誘電体光学薄膜の構成並びにその配置関係を
開示する。 【構成】 ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の一端
面には基本波に対して高反射率を有する誘電体光学薄膜
が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面には基
本波に対しては高透過率を保持しながら、第二高調波に
対しては高反射率を有する誘電体光学薄膜が配されてい
る固体レーザ素子を製作し、この固体レーザ素子の集光
レンズに対応する端面には合計１５〜４１層に亘ってＳ
ｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との積層誘電体光学薄膜を、夫々、
基本波に対して高反射率を示す膜厚で配すると共に、前
記固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応する端面
には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆＯ2 との
積層誘電体光学薄膜を、夫々、基本波に対しては高透過
率を示しながら第二高調波に対しては高反射率を示す膜
厚にて配し、第二高調波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ
4 を配した第二高調波発生装置を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録媒体である
光ディスク等の記録並びに更生を目的としたレーザ装
置、加工用レーザ装置および学術研究用レーザ装置とし
て利用される第二高調波レーザ発振装置用の固体レーザ
素子、ならびに、この固体レーザ素子を利用した第二高
調波レーザ発振装置に関する。
光ディスク等の記録並びに更生を目的としたレーザ装
置、加工用レーザ装置および学術研究用レーザ装置とし
て利用される第二高調波レーザ発振装置用の固体レーザ
素子、ならびに、この固体レーザ素子を利用した第二高
調波レーザ発振装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザによって励起される第二高
調波は、その波長が短いという特性を生かして、高密度
記録媒体である光ディスク等の記録並びに更生を目的と
したレーザ装置、加工用レーザ装置および学術研究用レ
ーザ装置として利用される事が予想されて居り、各所で
研究が進められている。
調波は、その波長が短いという特性を生かして、高密度
記録媒体である光ディスク等の記録並びに更生を目的と
したレーザ装置、加工用レーザ装置および学術研究用レ
ーザ装置として利用される事が予想されて居り、各所で
研究が進められている。
【０００３】その一つとして、図３に提示された様に、
半導体レーザ励起装置１と、集光レンズ２と、固体レー
ザ素子３と、第二高調波発生素子４と、出力鏡５とから
なり、これらの各部が記載順に位置された半導体レーザ
励起による第二高調波レーザ発振装置が利用されてい
る。
半導体レーザ励起装置１と、集光レンズ２と、固体レー
ザ素子３と、第二高調波発生素子４と、出力鏡５とから
なり、これらの各部が記載順に位置された半導体レーザ
励起による第二高調波レーザ発振装置が利用されてい
る。
【０００４】この場合、図４に示した様に、固体レーザ
素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 はその半導
体レーザ励起装置側になる面には基本波と第二高調波を
共に反射させる機能を有した誘電体光学薄膜３１を配す
と共に、上記誘電体光学薄膜３１と対応する面にはＳｉ
Ｏ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高調
波発生素子４としては、レーザ入出力の両面にＳｉＯ2
とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配
したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子
側になる面には基本波を反射させる機能を有した誘電体
光学薄膜５１を配した第二高調波レーザ発振装置、若し
くは、図５に示した様な、固体レーザ素子３として利用
されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装置側に
なる面には基本波を反射させる機能を有した誘電体光学
薄膜３１１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と
対応する面にはＳｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３
２を配し、第二高調波発生素子４としては固体レーザ素
子３に対応する面にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層からなる
誘電体光学薄膜４１１を配し、前記誘電体光学薄膜４１
１と対応する面にＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波
の多層反射防止膜４１を配したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、
出力鏡５の固体レーザ素子側になる面には基本波を反射
させる機能を有した誘電体光学薄膜５１を、夫々配した
第二高調波レーザ発振装置等が利用されている。
素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 はその半導
体レーザ励起装置側になる面には基本波と第二高調波を
共に反射させる機能を有した誘電体光学薄膜３１を配す
と共に、上記誘電体光学薄膜３１と対応する面にはＳｉ
Ｏ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高調
波発生素子４としては、レーザ入出力の両面にＳｉＯ2
とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配
したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子
側になる面には基本波を反射させる機能を有した誘電体
光学薄膜５１を配した第二高調波レーザ発振装置、若し
くは、図５に示した様な、固体レーザ素子３として利用
されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装置側に
なる面には基本波を反射させる機能を有した誘電体光学
薄膜３１１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と
対応する面にはＳｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３
２を配し、第二高調波発生素子４としては固体レーザ素
子３に対応する面にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層からなる
誘電体光学薄膜４１１を配し、前記誘電体光学薄膜４１
１と対応する面にＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波
の多層反射防止膜４１を配したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、
出力鏡５の固体レーザ素子側になる面には基本波を反射
させる機能を有した誘電体光学薄膜５１を、夫々配した
第二高調波レーザ発振装置等が利用されている。
【０００５】しかしながら、前者の場合、固体レーザ素
子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 は第二高調波
を吸収する性質を有するため、折角、変換して出力しよ
うとしている第二高調波の変換効率を低下させていた。
子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 は第二高調波
を吸収する性質を有するため、折角、変換して出力しよ
うとしている第二高調波の変換効率を低下させていた。
【０００６】また、後者の場合、固体レーザ素子３とし
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装
置側になる面から基本波と第二高調波を共に反射させる
機能有した誘電体光学薄膜３１を外すと共に、これに代
わって、基本波のみを反射させる誘電体光学薄膜３１１
を配し、さらに、前記誘電体光学薄膜３１１と対応する
面にはＳｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配
し、さらに、第二高調波発生素子４としては、固体レー
ザ素子３に対応する面にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層から
なり、第二高調波を反射させると共に基本波の反射防止
機能を有した誘電体光学薄膜４１１を配すと共に、前記
誘電体光学薄膜４１１と対応する面にＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配したＫＴ
ｉＯＰＯ4を配した為、固体レーザ素子３として利用さ
れているＮｄ：ＹＶＯ4 による第二高調波の吸収作用は
抹消されるものの、第二高調波を反射させる機能を有し
た誘電体光学薄膜４１１は、高屈折率物質としてＨｆＯ
2 を、低屈折率物質としてＳｉＯ2 を用いた場合に、入
力レーザの９８％以上を反射させる為には、少なくとも
高屈折率物質と低屈折率物質を交互に１７層以上に亘っ
て積層させた誘電体光学薄膜が必要となると共に、多層
膜を施した為に、交互に配置された高屈折率物質と低屈
折率物質の各層が吸収する基本波並びに第二高調波によ
って、第二高調波発生素子４であるＫＴｉＯＰＯ4 に温
度上昇を与える事となり、結果的に、第二高調波発生素
子４であるＫＴｉＯＰＯ4 に屈折率の変化をもたらし、
この為、レーザの位相を整合させる為の条件が満足出来
ない状態になって、最終的に、第二高調波への変換効率
を低下させる要因になっていた。
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装
置側になる面から基本波と第二高調波を共に反射させる
機能有した誘電体光学薄膜３１を外すと共に、これに代
わって、基本波のみを反射させる誘電体光学薄膜３１１
を配し、さらに、前記誘電体光学薄膜３１１と対応する
面にはＳｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配
し、さらに、第二高調波発生素子４としては、固体レー
ザ素子３に対応する面にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層から
なり、第二高調波を反射させると共に基本波の反射防止
機能を有した誘電体光学薄膜４１１を配すと共に、前記
誘電体光学薄膜４１１と対応する面にＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配したＫＴ
ｉＯＰＯ4を配した為、固体レーザ素子３として利用さ
れているＮｄ：ＹＶＯ4 による第二高調波の吸収作用は
抹消されるものの、第二高調波を反射させる機能を有し
た誘電体光学薄膜４１１は、高屈折率物質としてＨｆＯ
2 を、低屈折率物質としてＳｉＯ2 を用いた場合に、入
力レーザの９８％以上を反射させる為には、少なくとも
高屈折率物質と低屈折率物質を交互に１７層以上に亘っ
て積層させた誘電体光学薄膜が必要となると共に、多層
膜を施した為に、交互に配置された高屈折率物質と低屈
折率物質の各層が吸収する基本波並びに第二高調波によ
って、第二高調波発生素子４であるＫＴｉＯＰＯ4 に温
度上昇を与える事となり、結果的に、第二高調波発生素
子４であるＫＴｉＯＰＯ4 に屈折率の変化をもたらし、
この為、レーザの位相を整合させる為の条件が満足出来
ない状態になって、最終的に、第二高調波への変換効率
を低下させる要因になっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ビディオ・ディスクと
か、光ディスクファイルの記録密度を向上させるために
は、これに使用するレーザのビーム径を絞り込む必要が
ある。
か、光ディスクファイルの記録密度を向上させるために
は、これに使用するレーザのビーム径を絞り込む必要が
ある。
【０００８】しかしながら、このレンズ等を用いてレー
ザを絞り込む場合にも、絞り込まれた後のビーム径は入
射されたレーザの波長程度にしか狭められないところか
ら、波長の短い光源の確保が課題とされている。
ザを絞り込む場合にも、絞り込まれた後のビーム径は入
射されたレーザの波長程度にしか狭められないところか
ら、波長の短い光源の確保が課題とされている。
【０００９】また、光ディスク、レーザプリンタ、レー
ザカード等に使用されている記録材料の多くが短波長領
域の光線に高い感度を示している事から、より波長の短
い半導体レーザを発振する素子の開発が望まれていた。
ザカード等に使用されている記録材料の多くが短波長領
域の光線に高い感度を示している事から、より波長の短
い半導体レーザを発振する素子の開発が望まれていた。
【００１０】この場合、単に、波長の短い半導体レーザ
を発振する装置としては、既に、Ｈｅ−Ｎｅ等を用いた
ガスレーザ装置が存在するものの、このガスレーザ装置
は設備が大掛かりとなる為、設置面積が巨大になると共
に、取扱いの軽便さについても難点があった。
を発振する装置としては、既に、Ｈｅ−Ｎｅ等を用いた
ガスレーザ装置が存在するものの、このガスレーザ装置
は設備が大掛かりとなる為、設置面積が巨大になると共
に、取扱いの軽便さについても難点があった。
【００１１】本発明は、以上の事態に対応する為、半導
体レーザ励起による第二高調波発生装置において必要と
され、かつ、第二高調波に対して高反射能を有する誘電
体光学薄膜の構成並びにその配置関係を明らかにして、
課題を解決する事を目的とする。
体レーザ励起による第二高調波発生装置において必要と
され、かつ、第二高調波に対して高反射能を有する誘電
体光学薄膜の構成並びにその配置関係を明らかにして、
課題を解決する事を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明は、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過
の一端面には基本波に対して高反射能を有する誘電体光
学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面
には基本波に対しては高透過能を保持しながら、第二高
調波に対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施さ
れている固体レーザ素子を開示する。
めに、本発明は、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過
の一端面には基本波に対して高反射能を有する誘電体光
学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面
には基本波に対しては高透過能を保持しながら、第二高
調波に対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施さ
れている固体レーザ素子を開示する。
【００１３】また、本発明は、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶
のレーザ透過の一端面には合計１５〜４１層に亘ってＳ
ｉＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電体光学
薄膜が、夫々結果的に、基本波に対して高反射率を示す
膜厚に調整されて配されると共に、同一固体レーザ素子
の第二次高調波発生素子と対応する端面には合計１７〜
５１層に亘ってＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜とを交互に積層
した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対して
は高透過率を示しながら第二高調波に対しては高反射率
を示す膜厚に調整されて配された固体レーザ素子を開示
する。
のレーザ透過の一端面には合計１５〜４１層に亘ってＳ
ｉＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電体光学
薄膜が、夫々結果的に、基本波に対して高反射率を示す
膜厚に調整されて配されると共に、同一固体レーザ素子
の第二次高調波発生素子と対応する端面には合計１７〜
５１層に亘ってＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜とを交互に積層
した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対して
は高透過率を示しながら第二高調波に対しては高反射率
を示す膜厚に調整されて配された固体レーザ素子を開示
する。
【００１４】さらに、本発明は、ＮｄドープＹＶＯ4 結
晶のレーザ透過の一端面に配された波長が１．０６４μ
ｍの場合に屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2 膜
と、同じく波長が１．０６４μｍの場合に屈折率が１．
９３〜２．０３のＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電
体光学薄膜を構成する夫々の膜厚と、ＮｄドープＹＶＯ
4 結晶のレーザ透過の一端面に配された波長が１．０６
４μｍの場合に屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2
膜と、同じく波長が１．０６４μｍの場合に屈折率が
１．８３〜１．９３のＨｆＯ2 膜とを交互に積層した誘
電体光学薄膜を構成する夫々の膜厚とが、いずれも中心
波長が１．０６４μｍである場合に於ける光学的膜厚が
０．０５以上０．６０以下に調整されると共に、積層さ
れた誘電体光学薄膜の膜厚は、何れも、基本波に対する
透過率と第二高調波に対する反射率とについて、夫々の
所定位置にあって規定された機能が満足される様に、シ
ンプレックス法を用いて算出された膜厚に調整されてい
る固体レーザ素子を開示する。
晶のレーザ透過の一端面に配された波長が１．０６４μ
ｍの場合に屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2 膜
と、同じく波長が１．０６４μｍの場合に屈折率が１．
９３〜２．０３のＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電
体光学薄膜を構成する夫々の膜厚と、ＮｄドープＹＶＯ
4 結晶のレーザ透過の一端面に配された波長が１．０６
４μｍの場合に屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2
膜と、同じく波長が１．０６４μｍの場合に屈折率が
１．８３〜１．９３のＨｆＯ2 膜とを交互に積層した誘
電体光学薄膜を構成する夫々の膜厚とが、いずれも中心
波長が１．０６４μｍである場合に於ける光学的膜厚が
０．０５以上０．６０以下に調整されると共に、積層さ
れた誘電体光学薄膜の膜厚は、何れも、基本波に対する
透過率と第二高調波に対する反射率とについて、夫々の
所定位置にあって規定された機能が満足される様に、シ
ンプレックス法を用いて算出された膜厚に調整されてい
る固体レーザ素子を開示する。
【００１５】本発明は上記の固体レーザ素子を用いた高
調波レーザ発振装置として、半導体レーザ励起装置と、
集光レンズと、固体レーザ素子と、第二高調波発生素子
と、出力鏡とからなり、これらの各部が記載順に位置さ
れた半導体レーザ励起による第二高調波レーザ発振装置
にあって、その一部を構成する固体レーザ素子として上
記の発明になる固体レーザ素子を利用し、ＮｄドープＹ
ＶＯ4 結晶のレーザ透過の左右両端面に誘電体光学薄膜
を配した固体レーザ素子の集光レンズに対応する端面に
は合計１５〜４１層に亘ってＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを
交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本
波に対して高反射率を示す膜厚に調整されて配されると
共に、同一固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応
する端面には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆ
Ｏ2 とを交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的
に、基本波に対しては高透過率を示しながら第二高調波
に対しては高反射率を示す膜厚に調整されて配され、第
二高調波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ4 が配された第
二高調波レーザ発振装置を開示する。
調波レーザ発振装置として、半導体レーザ励起装置と、
集光レンズと、固体レーザ素子と、第二高調波発生素子
と、出力鏡とからなり、これらの各部が記載順に位置さ
れた半導体レーザ励起による第二高調波レーザ発振装置
にあって、その一部を構成する固体レーザ素子として上
記の発明になる固体レーザ素子を利用し、ＮｄドープＹ
ＶＯ4 結晶のレーザ透過の左右両端面に誘電体光学薄膜
を配した固体レーザ素子の集光レンズに対応する端面に
は合計１５〜４１層に亘ってＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを
交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本
波に対して高反射率を示す膜厚に調整されて配されると
共に、同一固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応
する端面には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆ
Ｏ2 とを交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的
に、基本波に対しては高透過率を示しながら第二高調波
に対しては高反射率を示す膜厚に調整されて配され、第
二高調波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ4 が配された第
二高調波レーザ発振装置を開示する。
【００１６】また、本発明は、上記発振装置に付帯し
て、上記の第二高調波レーザ発振装置を構成する固体レ
ーザ素子の追加要因として、前記の発明になるＮｄドー
プＹＶＯ4 結晶のレーザ光透過の一端面に配された波長
が１．０６４μｍである場合に於ける屈折率が１．４３
〜１．４５のＳｉＯ2 膜と、同じく波長が１．０６４μ
ｍである場合に於ける屈折率が１．９３〜２．０３のＴ
ａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電体光学薄膜を構成す
る夫々の膜厚と、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ光透
過の一端面に配された波長が１．０６４μｍである場合
に於ける屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2 膜と、
同じく波長が１．０６４μｍである場合に於ける屈折率
が１．８３〜１．９３のＨｆＯ2 膜とを交互に積層した
誘電体光学薄膜を構成する夫々の膜厚とが、いずれも中
心波長が１．０６４μｍである場合に於ける光学的膜厚
が０．０５以上０．６０以下に調整されると共に、積層
された誘電体光学薄膜の膜厚は、何れも、各膜の膜厚の
多変数関数としてなる多層膜の反射率と、目的の波長に
於ける反射率との差が最小になる様に設定して得た各層
毎の膜厚とし、基本波に対する透過率と第二高調波に対
する反射率とについて、夫々の所定位置にあって規定さ
れた機能が満足される様に、いずれもシンプレックス法
を用いて算出された膜厚関係に調整されている固体レー
ザ素子を利用した第二高調波レーザ発振装置を開示す
る。
て、上記の第二高調波レーザ発振装置を構成する固体レ
ーザ素子の追加要因として、前記の発明になるＮｄドー
プＹＶＯ4 結晶のレーザ光透過の一端面に配された波長
が１．０６４μｍである場合に於ける屈折率が１．４３
〜１．４５のＳｉＯ2 膜と、同じく波長が１．０６４μ
ｍである場合に於ける屈折率が１．９３〜２．０３のＴ
ａ2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電体光学薄膜を構成す
る夫々の膜厚と、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ光透
過の一端面に配された波長が１．０６４μｍである場合
に於ける屈折率が１．４３〜１．４５のＳｉＯ2 膜と、
同じく波長が１．０６４μｍである場合に於ける屈折率
が１．８３〜１．９３のＨｆＯ2 膜とを交互に積層した
誘電体光学薄膜を構成する夫々の膜厚とが、いずれも中
心波長が１．０６４μｍである場合に於ける光学的膜厚
が０．０５以上０．６０以下に調整されると共に、積層
された誘電体光学薄膜の膜厚は、何れも、各膜の膜厚の
多変数関数としてなる多層膜の反射率と、目的の波長に
於ける反射率との差が最小になる様に設定して得た各層
毎の膜厚とし、基本波に対する透過率と第二高調波に対
する反射率とについて、夫々の所定位置にあって規定さ
れた機能が満足される様に、いずれもシンプレックス法
を用いて算出された膜厚関係に調整されている固体レー
ザ素子を利用した第二高調波レーザ発振装置を開示す
る。
【００１７】
【作用】本発明は、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透
過の一端面には基本波に対して高反射能を有する誘電体
光学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端
面には基本波に対しては高透過能を保持しながら、第二
高調波に対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施
されている固体レーザ素子を用いるものであるが、この
場合、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶をレーザが透過する際の
相対する端面に夫々相異なる誘電体光学薄膜を施したの
は、第二高調波レーザ発振装置を構成させる部材として
見た場合、半導体レーザの入力側の端面には基本波に対
して高反射能を有する誘電体光学薄膜が施された端面を
位置させ、これと相対するレーザ透過の他の端面には基
本波に対しては高透過能を保持しながら、第二高調波に
対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施された端
面を位置させる事によって、発生してくる第二高調波が
ＮｄドープＹＶＯ4 結晶によって吸収される割合を極限
まで低下させ、これによって、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶
を利用した第二高調波レーザ発振装置で発生させる第二
高調波の変換効率を極限まで高める為のものである。
過の一端面には基本波に対して高反射能を有する誘電体
光学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端
面には基本波に対しては高透過能を保持しながら、第二
高調波に対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施
されている固体レーザ素子を用いるものであるが、この
場合、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶をレーザが透過する際の
相対する端面に夫々相異なる誘電体光学薄膜を施したの
は、第二高調波レーザ発振装置を構成させる部材として
見た場合、半導体レーザの入力側の端面には基本波に対
して高反射能を有する誘電体光学薄膜が施された端面を
位置させ、これと相対するレーザ透過の他の端面には基
本波に対しては高透過能を保持しながら、第二高調波に
対しては高反射能を有する誘電体光学薄膜が施された端
面を位置させる事によって、発生してくる第二高調波が
ＮｄドープＹＶＯ4 結晶によって吸収される割合を極限
まで低下させ、これによって、ＮｄドープＹＶＯ4 結晶
を利用した第二高調波レーザ発振装置で発生させる第二
高調波の変換効率を極限まで高める為のものである。
【００１８】また、本発明では、ＮｄドープＹＶＯ4 結
晶の一端面上には基本波に対して高反射能を有する誘電
体光学薄膜としてＳｉＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に
合計１５〜４１層に亘って積層して利用するものである
が、これは、誘電体光学薄膜としての積層数が合計１５
層未満では基本波を９８％以上反射させる事が不可能に
なる為であり、逆に、合計４１層を超えた誘電体光学薄
膜を設けてもその目的とする反射率の向上に優位性が無
くなるばかりか、製造工程に於ける滞留時間が徒らに長
引く為である。
晶の一端面上には基本波に対して高反射能を有する誘電
体光学薄膜としてＳｉＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを交互に
合計１５〜４１層に亘って積層して利用するものである
が、これは、誘電体光学薄膜としての積層数が合計１５
層未満では基本波を９８％以上反射させる事が不可能に
なる為であり、逆に、合計４１層を超えた誘電体光学薄
膜を設けてもその目的とする反射率の向上に優位性が無
くなるばかりか、製造工程に於ける滞留時間が徒らに長
引く為である。
【００１９】同じく、本発明では、基本波に対して高反
射能を有する誘電体光学薄膜としてＳｉＯ2 膜とＴａ2
Ｏ5 膜とを交互に合計１５〜４１層に亘って積層したＮ
ｄドープＹＶＯ4 結晶の他の端面上に合計１７〜５１層
に亘ってＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜とを交互に積層した誘
電体光学薄膜を利用するものであるが、これは、誘電体
光学薄膜としての積層数が合計１７層未満では本発明で
目的とする第二高調波の９８％以上反射の確保が不可能
になって、第二高調波の一部がＮｄドープＹＶＯ4 結晶
で吸収され、結果的に第二高調波の出力を低下させてし
まう為であり、逆に、合計５１層を超えた誘電体光学薄
膜を設けてもその目的とする反射率の向上に優位性が無
くなるばかりか、製造工程に於ける滞留時間が悪戯に長
引くだけのものである為である。
射能を有する誘電体光学薄膜としてＳｉＯ2 膜とＴａ2
Ｏ5 膜とを交互に合計１５〜４１層に亘って積層したＮ
ｄドープＹＶＯ4 結晶の他の端面上に合計１７〜５１層
に亘ってＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜とを交互に積層した誘
電体光学薄膜を利用するものであるが、これは、誘電体
光学薄膜としての積層数が合計１７層未満では本発明で
目的とする第二高調波の９８％以上反射の確保が不可能
になって、第二高調波の一部がＮｄドープＹＶＯ4 結晶
で吸収され、結果的に第二高調波の出力を低下させてし
まう為であり、逆に、合計５１層を超えた誘電体光学薄
膜を設けてもその目的とする反射率の向上に優位性が無
くなるばかりか、製造工程に於ける滞留時間が悪戯に長
引くだけのものである為である。
【００２０】本発明では、誘電体光学薄膜を構成する積
層各膜の膜厚をシンプレックス法を用いて算出された膜
厚関係に調整させているが、これは、特定波長域のレー
ザを選択反射もしくは選択透過させる為に適切な膜厚が
容易に確保出来る為である。
層各膜の膜厚をシンプレックス法を用いて算出された膜
厚関係に調整させているが、これは、特定波長域のレー
ザを選択反射もしくは選択透過させる為に適切な膜厚が
容易に確保出来る為である。
【００２１】一方、本発明では、誘電体光学薄膜を構成
する積層膜として、低屈折率物質としてＳｉＯ2 膜を、
高屈折率物質としてＨｆＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを用い
ているが、これは、現在利用され得る酸化物系の低屈折
率物質としてはＳｉＯ2 膜より屈折率の低いものがな
く、また、誘電体光学薄膜として反射率を高く維持しよ
うとすれば低屈折率物質と高屈折率物質との間の屈折率
の差が大きいほど好ましいとされるところから、高屈折
率物質としては中心波長が１．０６４μｍ以下のレーザ
に対してその吸収度が小さいとされ、かつ、高屈折率物
質の中でも比較的屈折率の高いとされるＨｆＯ2 膜とＴ
ａ2 Ｏ5 膜とを用いたものである。
する積層膜として、低屈折率物質としてＳｉＯ2 膜を、
高屈折率物質としてＨｆＯ2 膜とＴａ2 Ｏ5 膜とを用い
ているが、これは、現在利用され得る酸化物系の低屈折
率物質としてはＳｉＯ2 膜より屈折率の低いものがな
く、また、誘電体光学薄膜として反射率を高く維持しよ
うとすれば低屈折率物質と高屈折率物質との間の屈折率
の差が大きいほど好ましいとされるところから、高屈折
率物質としては中心波長が１．０６４μｍ以下のレーザ
に対してその吸収度が小さいとされ、かつ、高屈折率物
質の中でも比較的屈折率の高いとされるＨｆＯ2 膜とＴ
ａ2 Ｏ5 膜とを用いたものである。
【００２２】また、ＳｉＯ2 膜の屈折率を中心波長が
１．０６４μｍである場合に１．４３〜１．４５に、Ｈ
ｆＯ2 膜の屈折率を中心波長が１．０６４μｍである場
合に１．８３〜１．９３に、Ｔａ2 Ｏ5 膜の屈折率を中
心波長が１．０６４μｍである場合に１．９３〜２．０
３に、夫々規定したのは、いずれも、この規定値より小
さい屈折率の場合には誘電体光学薄膜として機械的な品
質を保つ事が困難になる為であり、逆に、この規定値よ
り大きい屈折率の場合には光の吸収度を高めてしまう可
能性が高く、結果的に、目的とする第二高調波の出力を
下げてしまう事になるからである。
１．０６４μｍである場合に１．４３〜１．４５に、Ｈ
ｆＯ2 膜の屈折率を中心波長が１．０６４μｍである場
合に１．８３〜１．９３に、Ｔａ2 Ｏ5 膜の屈折率を中
心波長が１．０６４μｍである場合に１．９３〜２．０
３に、夫々規定したのは、いずれも、この規定値より小
さい屈折率の場合には誘電体光学薄膜として機械的な品
質を保つ事が困難になる為であり、逆に、この規定値よ
り大きい屈折率の場合には光の吸収度を高めてしまう可
能性が高く、結果的に、目的とする第二高調波の出力を
下げてしまう事になるからである。
【００２３】さらに、これら低屈折率物質や高屈折率物
質の薄膜の厚さは、余り薄いと膜の厚さを制御するのが
困難であると共に、逆に、余り厚くし過ぎても吸収、散
乱等によるレーザの出力損失が高まってしまい、只、徒
らに、処理時間を延長させてしまうだけとなる為、中心
波長が１．０６４μｍである場合の光学的膜厚は０．０
５〜０．６０である事が好ましい。
質の薄膜の厚さは、余り薄いと膜の厚さを制御するのが
困難であると共に、逆に、余り厚くし過ぎても吸収、散
乱等によるレーザの出力損失が高まってしまい、只、徒
らに、処理時間を延長させてしまうだけとなる為、中心
波長が１．０６４μｍである場合の光学的膜厚は０．０
５〜０．６０である事が好ましい。
【００２４】
（実施例１） ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶より縦横３ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの固体レーザ素子を切り出し、半導体レ
ーザの入出射する面を光学的に見て平滑に成る様に研磨
した後、先ず低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物
質であるＴａ2Ｏ5 とを用いて、弱酸化雰囲気中で、半
導体レーザの入射面に対して、ＳｉＯ2とＴａ2 Ｏ5 と
の両者を交互に蒸着して得られた誘電体光学薄膜を生成
させた後、半導体レーザの入射面に相対する面に対して
も低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物質であるＨ
ｆＯ2 とを用い上記の方法と同様にして誘電体光学薄膜
を蒸着させた。
ｍ、厚さ１ｍｍの固体レーザ素子を切り出し、半導体レ
ーザの入出射する面を光学的に見て平滑に成る様に研磨
した後、先ず低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物
質であるＴａ2Ｏ5 とを用いて、弱酸化雰囲気中で、半
導体レーザの入射面に対して、ＳｉＯ2とＴａ2 Ｏ5 と
の両者を交互に蒸着して得られた誘電体光学薄膜を生成
させた後、半導体レーザの入射面に相対する面に対して
も低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物質であるＨ
ｆＯ2 とを用い上記の方法と同様にして誘電体光学薄膜
を蒸着させた。
【００２５】この際、何れの場合にも、夫々の誘電体光
学薄膜の膜厚はＯｐｔｉｃａ Ａｃｔａ，１９７３，Ｖ
ｏｌ．２０，Ｎｏ．８のｐ．６４１〜６６１に記載され
ているハイパス・フィルター並びにローパス・フィルタ
ーの設計方法を用いて概略設計を行った後、固体レーザ
素子としての基本波に対する反射率が０．１％を下回る
様に、英国のパーソナル・コンピューター・ソフト会社
であるＫｉｄｇｅｒＯｐｔｉｃｓ Ｌｔｄ製のＭａｃｌ
ｅｏｄ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ ＤｅｓｉｇｎＳｏｆｔｗ
ａｒｅを用いてＣｏｍｐｕｔｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ １
９６５．Ｎｏ．７ ｐ．３０８等に記載されているシン
プレックス法により求めた最適厚さに成るように各酸化
物膜の厚さを設定し、実際には、光学干渉膜厚計を用い
て各蒸着膜の膜厚を制御した。
学薄膜の膜厚はＯｐｔｉｃａ Ａｃｔａ，１９７３，Ｖ
ｏｌ．２０，Ｎｏ．８のｐ．６４１〜６６１に記載され
ているハイパス・フィルター並びにローパス・フィルタ
ーの設計方法を用いて概略設計を行った後、固体レーザ
素子としての基本波に対する反射率が０．１％を下回る
様に、英国のパーソナル・コンピューター・ソフト会社
であるＫｉｄｇｅｒＯｐｔｉｃｓ Ｌｔｄ製のＭａｃｌ
ｅｏｄ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ ＤｅｓｉｇｎＳｏｆｔｗ
ａｒｅを用いてＣｏｍｐｕｔｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ １
９６５．Ｎｏ．７ ｐ．３０８等に記載されているシン
プレックス法により求めた最適厚さに成るように各酸化
物膜の厚さを設定し、実際には、光学干渉膜厚計を用い
て各蒸着膜の膜厚を制御した。
【００２６】上記の如くして得られたＮｄドープＹＶＯ
4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ2 と、同じく
中心波長が１．０６４μｍである場合に１．９５の屈折
率を示すＴａ2 Ｏ5 とで構成された誘電体光学薄膜３１
１の光学的膜厚をその中心波長が１０６４ｎｍである場
合について表１に示す。
4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ2 と、同じく
中心波長が１．０６４μｍである場合に１．９５の屈折
率を示すＴａ2 Ｏ5 とで構成された誘電体光学薄膜３１
１の光学的膜厚をその中心波長が１０６４ｎｍである場
合について表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】また、上記の如くして得られた、Ｎｄドー
プＹＶＯ4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６
４μｍである場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ
2 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に
１．８５の屈折率を示すＨｆＯ2 とで構成された誘電体
光学薄膜４１２の光学的膜厚分布状況をその中心波長が
５３２ｎｍである場合について表２に示す。
プＹＶＯ4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６
４μｍである場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ
2 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に
１．８５の屈折率を示すＨｆＯ2 とで構成された誘電体
光学薄膜４１２の光学的膜厚分布状況をその中心波長が
５３２ｎｍである場合について表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】本実施例に示された如く、ＮｄドープＹＶ
Ｏ4 の結晶を基板とし、この基板の上面に低屈折率物質
であり、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率
が１．４４のＳｉＯ2 と、高屈折率物質であり、中心波
長が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴ
ａ2 Ｏ5 とを用いて、半導体レーザの入射面に対して、
ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との両者が交互になる様に、しか
も、分光反射特性として、基本波に対しては９８％以上
の反射率を有する様に調整された膜厚の薄膜で積層して
得られた誘電体光学薄膜の分光反射率について、自記分
光光度計により測定した結果を図６に示した。
Ｏ4 の結晶を基板とし、この基板の上面に低屈折率物質
であり、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率
が１．４４のＳｉＯ2 と、高屈折率物質であり、中心波
長が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴ
ａ2 Ｏ5 とを用いて、半導体レーザの入射面に対して、
ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との両者が交互になる様に、しか
も、分光反射特性として、基本波に対しては９８％以上
の反射率を有する様に調整された膜厚の薄膜で積層して
得られた誘電体光学薄膜の分光反射率について、自記分
光光度計により測定した結果を図６に示した。
【００３１】その結果、ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶を基
板とし、その上面に配された誘電体光学薄膜が十分にそ
の目的を果している事が明らかになった。
板とし、その上面に配された誘電体光学薄膜が十分にそ
の目的を果している事が明らかになった。
【００３２】また、ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶を基板と
し、その上面に、低屈折率物質であり、中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ
2 と、高屈折率物質であり、中心波長が１．０６４μｍ
である場合に屈折率が１．８５のＨｆＯ2 とを用いて、
半導体レーザの入射面に対して、ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5
との両者が交互になる様に、しかも、分光反射特性とし
て、基本波に対しては９９％以上の透過率を有すると共
に、第二高調波に対しては９８％以上の反射率を有する
様に調整された膜厚の薄膜で積層して得られた誘電体光
学薄膜の分光反射率について、自記分光光度計により測
定した結果を図７に示した。
し、その上面に、低屈折率物質であり、中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ
2 と、高屈折率物質であり、中心波長が１．０６４μｍ
である場合に屈折率が１．８５のＨｆＯ2 とを用いて、
半導体レーザの入射面に対して、ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5
との両者が交互になる様に、しかも、分光反射特性とし
て、基本波に対しては９９％以上の透過率を有すると共
に、第二高調波に対しては９８％以上の反射率を有する
様に調整された膜厚の薄膜で積層して得られた誘電体光
学薄膜の分光反射率について、自記分光光度計により測
定した結果を図７に示した。
【００３３】その結果、ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶を基
板とし、その上面に配された誘電体光学薄膜が十分にそ
の目的を果している事が明らかになった。
板とし、その上面に配された誘電体光学薄膜が十分にそ
の目的を果している事が明らかになった。
【００３４】上記の様にして得られ、図１に示された様
にレーザ透過の左右両面に異なる誘電体光学薄膜３１
１、４１２を配し、ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶を基板１
０とした固体レーザ素子３を図２に示す様な配置関係で
半導体レーザ励起の第二高調波レーザ発生装置に組み込
み、この装置に入射される半導体レーザの強さを７００
ｍＷから９００ｍＷに変化させながら第二高調波レーザ
の出力を測定したところ表３に示す様な結果を得て、こ
の表３より本実験の最大励起力である９００ｍＷを用い
た場合、第二高調波レーザの出力は従来装置によって得
られる数値に比較して２０％を超えた改善が為されてい
ることが判る。
にレーザ透過の左右両面に異なる誘電体光学薄膜３１
１、４１２を配し、ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶を基板１
０とした固体レーザ素子３を図２に示す様な配置関係で
半導体レーザ励起の第二高調波レーザ発生装置に組み込
み、この装置に入射される半導体レーザの強さを７００
ｍＷから９００ｍＷに変化させながら第二高調波レーザ
の出力を測定したところ表３に示す様な結果を得て、こ
の表３より本実験の最大励起力である９００ｍＷを用い
た場合、第二高調波レーザの出力は従来装置によって得
られる数値に比較して２０％を超えた改善が為されてい
ることが判る。
【００３５】
【表３】
【００３６】
（比較例１）図４に示した様に、固体レーザ素子３とし
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装
置側になる面には基本波と第二高調波を共に反射させる
機能を有した中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5と、中心波長が１．０６４
μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を交互
に、しかも、その膜厚が表４に示した様に積層した誘電
体光学薄膜３１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１
と対応する面には中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．４４であって、中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分
光反射特性が図８に示されるＳｉＯ2 反射防止膜３２を
配し、第二高調波発生素子４としては、中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．４４であり、中心
波長が１．０６４μｍである場合にその光学的膜厚が
０．３０６である２層のＳｉＯ2 薄膜の間に、中心波長
が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．５９であ
り、中心波長が１．０６４μｍである場合に光学的膜厚
が０．１３６であるＡｌ2 Ｏ3 の多層反射防止膜４１を
半導体レーザ入出射の両面に配したＫＴｉＯＰＯ4 を用
いた。
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ励起装
置側になる面には基本波と第二高調波を共に反射させる
機能を有した中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5と、中心波長が１．０６４
μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を交互
に、しかも、その膜厚が表４に示した様に積層した誘電
体光学薄膜３１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１
と対応する面には中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．４４であって、中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分
光反射特性が図８に示されるＳｉＯ2 反射防止膜３２を
配し、第二高調波発生素子４としては、中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．４４であり、中心
波長が１．０６４μｍである場合にその光学的膜厚が
０．３０６である２層のＳｉＯ2 薄膜の間に、中心波長
が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．５９であ
り、中心波長が１．０６４μｍである場合に光学的膜厚
が０．１３６であるＡｌ2 Ｏ3 の多層反射防止膜４１を
半導体レーザ入出射の両面に配したＫＴｉＯＰＯ4 を用
いた。
【００３７】
【表４】
【００３８】また、出力鏡５の固体レーザ素子側になる
面には基本波を反射させる機能を有する様に、中心波長
が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ
2 Ｏ5 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を、夫々、表５に示した
光学的膜厚となる様に、交互に積層した誘電体光学薄膜
５１を配した従来の形式の第二高調波レーザ発振装置を
用い、上記と同様な出力試験を行った結果は表３に提示
した値を示し、本発明が優れている事を示している。
面には基本波を反射させる機能を有する様に、中心波長
が１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ
2 Ｏ5 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を、夫々、表５に示した
光学的膜厚となる様に、交互に積層した誘電体光学薄膜
５１を配した従来の形式の第二高調波レーザ発振装置を
用い、上記と同様な出力試験を行った結果は表３に提示
した値を示し、本発明が優れている事を示している。
【００３９】
【表５】
【００４０】（比較例２）図５に示した様に、固体レー
ザ素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体
レーザ励起装置側になる面には基本波を反射させる機能
を有する様に、中心波長が１．０６４μｍである場合に
屈折率が１．４４のＳｉＯ2 と、同じく中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5
とを表１に示す様な膜厚で交互に積層した誘電体光学薄
膜３１１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対
応する面には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．４４であって、同じく中心波長が１．０６４
μｍである場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その
分光反射特性が図８に示されるＳｉＯ2 からなる反射防
止膜３２を配し、第二高調波発生素子４としては、これ
が固体レーザ素子３に対応する面に対しては中心波長が
１．０６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ
2 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．８５のＨｆＯ2 を表６に示した光学的膜厚と
なる様に積層した誘電体光学薄膜４１１を配した。
ザ素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体
レーザ励起装置側になる面には基本波を反射させる機能
を有する様に、中心波長が１．０６４μｍである場合に
屈折率が１．４４のＳｉＯ2 と、同じく中心波長が１．
０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5
とを表１に示す様な膜厚で交互に積層した誘電体光学薄
膜３１１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対
応する面には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．４４であって、同じく中心波長が１．０６４
μｍである場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その
分光反射特性が図８に示されるＳｉＯ2 からなる反射防
止膜３２を配し、第二高調波発生素子４としては、これ
が固体レーザ素子３に対応する面に対しては中心波長が
１．０６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ
2 と、同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．８５のＨｆＯ2 を表６に示した光学的膜厚と
なる様に積層した誘電体光学薄膜４１１を配した。
【００４１】
【表６】
【００４２】また、前記誘電体光学薄膜４１１と対応す
る面には、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折
率が１．４４であり、同じく中心波長が１．０６４μｍ
である場合に光学的膜厚が０．３０６である２層のＳｉ
Ｏ2 薄膜の間に、中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．５９であり、同じく中心波長が１．０６
４μｍである場合に光学的膜厚が０．１３６であるＡｌ
2 Ｏ3 薄膜を配した誘電体光学薄膜４１を配したＫＴｉ
ＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子側になる面
には基本波を反射させる機能を有する様に、中心波長が
１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2
Ｏ5 と同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．４４のＳｉＯ2 を、夫々、表５に示した光学
的膜厚となる様に、交互に積層した誘電体光学薄膜５１
を配した第二高調波レーザ発振装置を用い、上記と同様
な出力試験を行った結果は表６に提示した値を示し、本
発明が優れている事を示している。
る面には、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折
率が１．４４であり、同じく中心波長が１．０６４μｍ
である場合に光学的膜厚が０．３０６である２層のＳｉ
Ｏ2 薄膜の間に、中心波長が１．０６４μｍである場合
に屈折率が１．５９であり、同じく中心波長が１．０６
４μｍである場合に光学的膜厚が０．１３６であるＡｌ
2 Ｏ3 薄膜を配した誘電体光学薄膜４１を配したＫＴｉ
ＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子側になる面
には基本波を反射させる機能を有する様に、中心波長が
１．０６４μｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2
Ｏ5 と同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈
折率が１．４４のＳｉＯ2 を、夫々、表５に示した光学
的膜厚となる様に、交互に積層した誘電体光学薄膜５１
を配した第二高調波レーザ発振装置を用い、上記と同様
な出力試験を行った結果は表６に提示した値を示し、本
発明が優れている事を示している。
【００４３】なお、自記分光光度計を用いて測定した、
誘電体光学薄膜３１の反射率を図９に、誘電体光学薄膜
４１の反射率を図１０に、誘電体光学薄膜４１１の反射
率を図１１に、誘電体光学薄膜５１の反射率を図１２に
示す。
誘電体光学薄膜３１の反射率を図９に、誘電体光学薄膜
４１の反射率を図１０に、誘電体光学薄膜４１１の反射
率を図１１に、誘電体光学薄膜５１の反射率を図１２に
示す。
【００４４】
【発明の効果】本発明による異なった誘電体光学薄膜を
レーザ入出射面に配した固体レーザ素子を用いるとき
は、以上の如くして、レーザの励起入力が増大するほ
ど、これに伴って発振される第二高調波の出力割合を向
上させ得る為、斯装置を利用する業界に大なる貢献を為
す。
レーザ入出射面に配した固体レーザ素子を用いるとき
は、以上の如くして、レーザの励起入力が増大するほ
ど、これに伴って発振される第二高調波の出力割合を向
上させ得る為、斯装置を利用する業界に大なる貢献を為
す。
【図１】は本発明の固体レーザ素子の側面図。
【図２】は本発明の第二高調波レーザ発振装置の概要
図。
図。
【図３】は第二高調波レーザ発振装置の一般的概要図。
【図４】は従来例の第二高調波レーザ発振装置の概要
図。
図。
【図５】は他の従来例の第二高調波レーザ発振装置の概
要図。
要図。
【図６】は誘電体光学薄膜３１１の反射率変化状況を示
した図。
した図。
【図７】は誘電体光学薄膜４１２の反射率変化状況を示
した図。
した図。
【図８】は誘電体光学薄膜３２の反射率変化状況を示し
た図。
た図。
【図９】は誘電体光学薄膜３１の反射率変化状況を示し
た図。
た図。
【図１０】は誘電体光学薄膜４１の反射率変化状況を示
した図。
した図。
【図１１】は誘電体光学薄膜４１１の反射率変化状況を
示した図。
示した図。
【図１２】は誘電体光学薄膜５１の反射率変化状況を示
した図。
した図。
１：半導体レーザ励起装置 ２：集光レンズ ３：固体レーザ素子 ４：第二高調波発生素子 ５：出力鏡 １０：Ｎｄ：ＹＶＯ4 ２０：ＫＴｉＯＰＯ4 ３１：誘電体光学薄膜 ３１１：誘電体光学薄膜 ３２：誘電体光学薄膜 ４１：誘電体光学薄膜 ４１１：誘電体光学薄膜 ４１２：誘電体光学薄膜 ５１：誘電体光学薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザによって励起される固体レ
ーザの第二高調波は、その波長が短いという特性を生か
して、高密度記録媒体である光ディスク等の記録並びに
更生を目的としたレーザ装置、加工用レーザ装置および
学術研究用レーザ装置として利用される事が予想されて
居り、各所で研究が進められている。
ーザの第二高調波は、その波長が短いという特性を生か
して、高密度記録媒体である光ディスク等の記録並びに
更生を目的としたレーザ装置、加工用レーザ装置および
学術研究用レーザ装置として利用される事が予想されて
居り、各所で研究が進められている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】この場合、図４に示した様に、固体レーザ
素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 はその半導
体レーザ側になる面には基本波と第二高調波を共に反射
させる機能を有した誘電体光学薄膜３１を配すと共に、
上記誘電体光学薄膜３１と対応する面にはＳｉＯ2 から
なる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高調波発生素
子４としては、レーザ入出力の両面にＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配したＫＴ
ｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子側になる
面には基本波を反射させる機能を有した誘電体光学薄膜
５１を配した第二高調波レーザ発振装置、若しくは、図
５に示した様な、固体レーザ素子３として利用されてい
るＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ側になる面には基本波
を反射させる機能を有した誘電体光学薄膜３１１を配す
と共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対応する面にはＳ
ｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高
調波発生素子４としては固体レーザ素子３に対応する面
にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層からなる誘電体光学薄膜４
１１を配し、前記誘電体光学薄膜４１１と対応する面に
ＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜
４１を配したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の第二高
調波発生素子側になる面には基本波を反射させる機能を
有した誘電体光学薄膜５１を、夫々配した第二高調波レ
ーザ発振装置等が利用されている。
素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 はその半導
体レーザ側になる面には基本波と第二高調波を共に反射
させる機能を有した誘電体光学薄膜３１を配すと共に、
上記誘電体光学薄膜３１と対応する面にはＳｉＯ2 から
なる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高調波発生素
子４としては、レーザ入出力の両面にＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜４１を配したＫＴ
ｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の固体レーザ素子側になる
面には基本波を反射させる機能を有した誘電体光学薄膜
５１を配した第二高調波レーザ発振装置、若しくは、図
５に示した様な、固体レーザ素子３として利用されてい
るＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ側になる面には基本波
を反射させる機能を有した誘電体光学薄膜３１１を配す
と共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対応する面にはＳ
ｉＯ2 からなる基本波の反射防止膜３２を配し、第二高
調波発生素子４としては固体レーザ素子３に対応する面
にＳｉＯ2 とＨｆＯ2 の積層からなる誘電体光学薄膜４
１１を配し、前記誘電体光学薄膜４１１と対応する面に
ＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 からなる基本波の多層反射防止膜
４１を配したＫＴｉＯＰＯ4 を用い、出力鏡５の第二高
調波発生素子側になる面には基本波を反射させる機能を
有した誘電体光学薄膜５１を、夫々配した第二高調波レ
ーザ発振装置等が利用されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明は上記の固体レーザ素子を用いた高
調波レーザ発振装置として、半導体レーザと、集光レン
ズと、固体レーザ素子と、第二高調波発生素子と、出力
鏡とからなり、これらの各部が記載順に位置された半導
体レーザ励起による第二高調波レーザ発振装置にあっ
て、その一部を構成する固体レーザ素子として上記の発
明になる固体レーザ素子を利用し、ＮｄドープＹＶＯ4
結晶のレーザ透過の左右両端面に誘電体光学薄膜を配し
た固体レーザ素子の集光レンズに対応する端面には合計
１５〜４１層に亘ってＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを交互に
積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対
して高反射率を示す膜厚に調整されて配されると共に、
同一固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応する端
面には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆＯ2 と
を交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基
本波に対しては高透過率を示しながら第二高調波に対し
ては高反射率を示す膜厚に調整されて配され、第二高調
波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ4 が配された第二高調
波レーザ発振装置を開示する。
調波レーザ発振装置として、半導体レーザと、集光レン
ズと、固体レーザ素子と、第二高調波発生素子と、出力
鏡とからなり、これらの各部が記載順に位置された半導
体レーザ励起による第二高調波レーザ発振装置にあっ
て、その一部を構成する固体レーザ素子として上記の発
明になる固体レーザ素子を利用し、ＮｄドープＹＶＯ4
結晶のレーザ透過の左右両端面に誘電体光学薄膜を配し
た固体レーザ素子の集光レンズに対応する端面には合計
１５〜４１層に亘ってＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを交互に
積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対
して高反射率を示す膜厚に調整されて配されると共に、
同一固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応する端
面には合計１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆＯ2 と
を交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基
本波に対しては高透過率を示しながら第二高調波に対し
ては高反射率を示す膜厚に調整されて配され、第二高調
波発生素子としてはＫＴｉＯＰＯ4 が配された第二高調
波レーザ発振装置を開示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】
【実施例】 （実施例１） ＮｄドープＹＶＯ4 の結晶より縦横３ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの固体レーザ素子を切り出し、半導体レ
ーザの入出射する面を光学的に見て平滑に成る様に研磨
した後、先ず低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物
質であるＴａ2Ｏ5 とを用いて、半導体レーザの入射面
に対して、ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との両者を交互に蒸着
して得られた誘電体光学薄膜を生成させた後、半導体レ
ーザの入射面に相対する面に対しても低屈折率物質であ
るＳｉＯ2 と高屈折率物質であるＨｆＯ2 とを用い上記
の方法と同様にして誘電体光学薄膜を蒸着させた。
ｍ、厚さ１ｍｍの固体レーザ素子を切り出し、半導体レ
ーザの入出射する面を光学的に見て平滑に成る様に研磨
した後、先ず低屈折率物質であるＳｉＯ2 と高屈折率物
質であるＴａ2Ｏ5 とを用いて、半導体レーザの入射面
に対して、ＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との両者を交互に蒸着
して得られた誘電体光学薄膜を生成させた後、半導体レ
ーザの入射面に相対する面に対しても低屈折率物質であ
るＳｉＯ2 と高屈折率物質であるＨｆＯ2 とを用い上記
の方法と同様にして誘電体光学薄膜を蒸着させた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】上記の如くして得られたＮｄドープＹＶＯ
4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ2 と、同じく
中心波長が１．０６４μｍである場合に１．９５の屈折
率を示すＴａ2 Ｏ5 とで構成された誘電体光学薄膜３１
１の光学的膜厚をその中心波長が１．０６４μｍである
場合について表１に示す。
4 を基板とし、その上面に中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に１．４４の屈折率を示すＳｉＯ2 と、同じく
中心波長が１．０６４μｍである場合に１．９５の屈折
率を示すＴａ2 Ｏ5 とで構成された誘電体光学薄膜３１
１の光学的膜厚をその中心波長が１．０６４μｍである
場合について表１に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】
【比較例】 （比較例１）図４に示した様に、固体レーザ素子３とし
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ側にな
る面には基本波と第二高調波を共に反射させる機能を有
した中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．９５のＴａ2 Ｏ5 と、中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を交互に、しか
も、その膜厚が表４に示した様に積層した誘電体光学薄
膜３１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１と対応す
る面には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率
が１．４４であって、中心波長が１．０６４μｍである
場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分光反射特
性が図８に示されるＳｉＯ2 反射防止膜３２を配し、第
二高調波発生素子４としては、中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に屈折率が１．４４であり、中心波長が
１．０６４μｍである場合にその光学的膜厚が０．３０
６である２層のＳｉＯ2 薄膜の間に、中心波長が１．０
６４μｍである場合に屈折率が１．５９であり、中心波
長が１．０６４μｍである場合に光学的膜厚が０．１３
６であるＡｌ2 Ｏ3 の多層反射防止膜４１を半導体レー
ザ入出射の両面に配したＫＴｉＯＰＯ4 を用いた。
て利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体レーザ側にな
る面には基本波と第二高調波を共に反射させる機能を有
した中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．９５のＴａ2 Ｏ5 と、中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 を交互に、しか
も、その膜厚が表４に示した様に積層した誘電体光学薄
膜３１を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１と対応す
る面には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率
が１．４４であって、中心波長が１．０６４μｍである
場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分光反射特
性が図８に示されるＳｉＯ2 反射防止膜３２を配し、第
二高調波発生素子４としては、中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に屈折率が１．４４であり、中心波長が
１．０６４μｍである場合にその光学的膜厚が０．３０
６である２層のＳｉＯ2 薄膜の間に、中心波長が１．０
６４μｍである場合に屈折率が１．５９であり、中心波
長が１．０６４μｍである場合に光学的膜厚が０．１３
６であるＡｌ2 Ｏ3 の多層反射防止膜４１を半導体レー
ザ入出射の両面に配したＫＴｉＯＰＯ4 を用いた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】（比較例２）図５に示した様に、固体レー
ザ素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体
レーザ側になる面には基本波を反射させる機能を有する
様に、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．４４のＳｉＯ2 と、同じく中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5 とを表１
に示す様な膜厚で交互に積層した誘電体光学薄膜３１１
を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対応する面
には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．４４であって、同じく中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分光反
射特性が図８に示されるＳｉＯ2 からなる反射防止膜３
２を配し、第二高調波発生素子４としては、これが固体
レーザ素子３に対応する面に対しては中心波長が１．０
６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 と、
同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．８５のＨｆＯ2 を表６に示した光学的膜厚となる様
に積層した誘電体光学薄膜４１１を配した。
ザ素子３として利用されているＮｄ：ＹＶＯ4 の半導体
レーザ側になる面には基本波を反射させる機能を有する
様に、中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．４４のＳｉＯ2 と、同じく中心波長が１．０６４μ
ｍである場合に屈折率が１．９５のＴａ2 Ｏ5 とを表１
に示す様な膜厚で交互に積層した誘電体光学薄膜３１１
を配すと共に、上記誘電体光学薄膜３１１と対応する面
には中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．４４であって、同じく中心波長が１．０６４μｍで
ある場合に光学的膜厚が０．２５０であり、その分光反
射特性が図８に示されるＳｉＯ2 からなる反射防止膜３
２を配し、第二高調波発生素子４としては、これが固体
レーザ素子３に対応する面に対しては中心波長が１．０
６４μｍである場合に屈折率が１．４４のＳｉＯ2 と、
同じく中心波長が１．０６４μｍである場合に屈折率が
１．８５のＨｆＯ2 を表６に示した光学的膜厚となる様
に積層した誘電体光学薄膜４１１を配した。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の
一端面には基本波に対して高反射率を有する誘電体光学
薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面に
は基本波に対しては高透過率を保持しながら、第二高調
波に対しては高反射率を有する誘電体光学薄膜が配され
ている事を特徴とする固体レーザ素子。 - 【請求項２】 ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の
一端面には合計１５〜４１層に亘ってＳｉＯ2 膜とＴａ
2 Ｏ5 膜とを交互に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結
果的に、基本波に対して高反射率を示す膜厚に調整され
て配されると共に、上記の誘電体光学薄膜の配された端
面と対応する同一結晶のレーザ透過の他の端面には合計
１７〜５１層に亘ってＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜とを交互
に積層した誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に
対しては高透過率を示しながら第二高調波に対しては高
反射率を示す膜厚に調整されて配された事を特徴とする
固体レーザ素子。 - 【請求項３】 ＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の
一端面に配された誘電体光学薄膜は中心波長１．０６４
μｍの場合の屈折率が１．４３以上１．４５以下である
ＳｉＯ2 膜と、同じく中心波長１．０６４μｍの場合の
屈折率が１．９３以上２．０３以下であるＴａ2 Ｏ5 膜
とが相互に積層されたものであり、これと対応するＮｄ
ドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透過の他の端面には、中心
波長１．０６４μｍの場合の屈折率が１．４３以上１．
４５であるＳｉＯ2 膜と、同じく中心波長１．０６４μ
ｍの場合の屈折率が１．８３以上１．９３以下であるＨ
ｆＯ2 膜とが交互に積層された誘電体光学薄膜を構成す
る夫々の膜厚とが、いずれも中心波長１．０６４μｍの
場合に於ける光学的膜厚を０．０５以上０．６０以下に
調整されると共に、積層された誘電体光学薄膜の膜厚
は、各膜の膜厚の多変数関数としてなる多層膜の反射率
と、目的の波長に於ける反射率との差が最小になる様に
設定して得た各層毎の膜厚とし、シンプレックス法を用
いて算出された膜厚に調整されている事を特徴とする請
求項１または請求項２記載の固体レーザ素子。 - 【請求項４】 半導体レーザ励起装置と、集光レンズ
と、固体レーザ素子と、第二高調波発生素子と、出力鏡
とからなり、これらの各部が記載順に位置された半導体
レーザ励起による第二高調波レーザ発振装置にあって、
その一部を構成するＮｄドープＹＶＯ4 結晶のレーザ透
過の左右両端面に誘電体光学薄膜を配した固体レーザ素
子の集光レンズに対応する端面には合計１５〜４１層に
亘ってＳｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを交互に積層した誘電体
光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対して高反射率を
示す膜厚に調整されて配されると共に、前記固体レーザ
素子の第二高調波発生素子と対応する端面には合計１７
〜５１層に亘ってＳｉＯ2 とＨｆＯ2 とを交互に積層し
た誘電体光学薄膜が、夫々結果的に、基本波に対しては
高透過率を示しながら第二高調波に対しては高反射率を
示す膜厚に調整されて配され、第二高調波発生素子とし
てはＫＴｉＯＰＯ4 が配された事を特徴とする第二高調
波レーザ発振装置。 - 【請求項５】 固体レーザ素子として請求項３に記載さ
れた固体レーザ素子が配置されている事を特徴とする請
求項４記載の第二高調波レーザ発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246914A JPH07109919B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 第二高調波レーザ発振装置用の固体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246914A JPH07109919B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 第二高調波レーザ発振装置用の固体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169127A true JPH06169127A (ja) | 1994-06-14 |
| JPH07109919B2 JPH07109919B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17155633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3246914A Expired - Lifetime JPH07109919B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 第二高調波レーザ発振装置用の固体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109919B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012169506A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Shimadzu Corp | 小型固体レーザ素子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240150A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-28 | Hitachi Ltd | Equipment for irradiating substance with light having its wavelength c onverted |
| JPS57115891A (en) * | 1980-11-20 | 1982-07-19 | Kantoronikusu Corp | Method and device for increasing frequency of laser beam |
| JPS61185986A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Nec Corp | レ−ザ用反射鏡 |
| JPH03142984A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Brother Ind Ltd | 和差周波発生固体レーザ |
| JPH04157777A (ja) * | 1990-10-20 | 1992-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3246914A patent/JPH07109919B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109919B2 (ja) | 1995-11-22 |
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