JPH10154345A - 偏光ビームスプリッター - Google Patents
偏光ビームスプリッターInfo
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- JPH10154345A JPH10154345A JP8312159A JP31215996A JPH10154345A JP H10154345 A JPH10154345 A JP H10154345A JP 8312159 A JP8312159 A JP 8312159A JP 31215996 A JP31215996 A JP 31215996A JP H10154345 A JPH10154345 A JP H10154345A
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- polarizing beam
- reflectivity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、設計が簡略であり、膜構成も比較
的単純な偏光ビームスプリッターを提供する。 【解決手段】 δを偏光ビームスプリッターを透過した
Ｐ波とＳ波との位相差とするとき、ｎπ＋（π／４）＜
δ≦ｎπ＋（π／２）を満たす多層膜を、屈折率が２以
上の高屈折率材料からなる膜と、屈折率が１．５以下の
低屈折率材料からなる膜とを基板上に交互に積層して形
成したものである。位相差δを上述した範囲とすること
で、スタックは一種類（シングルスタック）の単純構成
で済み、膜厚の大きい層を含ませる必要もない。膜構成
が単純であれば、それだけ製造面でも容易になるという
利点がある。
的単純な偏光ビームスプリッターを提供する。 【解決手段】 δを偏光ビームスプリッターを透過した
Ｐ波とＳ波との位相差とするとき、ｎπ＋（π／４）＜
δ≦ｎπ＋（π／２）を満たす多層膜を、屈折率が２以
上の高屈折率材料からなる膜と、屈折率が１．５以下の
低屈折率材料からなる膜とを基板上に交互に積層して形
成したものである。位相差δを上述した範囲とすること
で、スタックは一種類（シングルスタック）の単純構成
で済み、膜厚の大きい層を含ませる必要もない。膜構成
が単純であれば、それだけ製造面でも容易になるという
利点がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は所定の波長の光線が
入射した場合に、その偏光状態により分岐する方向が所
定の割合で異なるような偏光ビームスプリッターに関す
る。
入射した場合に、その偏光状態により分岐する方向が所
定の割合で異なるような偏光ビームスプリッターに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置、光磁気ディスク装置、
レーザプリンター、レーザー加工機、測定装置等のレー
ザー応用機器では、半導体レーザからの光の光路と光検
出器に至る光の光路との分割を行うため偏光ビームスプ
リッターが使用されている。
レーザプリンター、レーザー加工機、測定装置等のレー
ザー応用機器では、半導体レーザからの光の光路と光検
出器に至る光の光路との分割を行うため偏光ビームスプ
リッターが使用されている。
【０００３】従来の偏光ビームスプリッターとしては、
基板上に高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させて
なり、その膜構成が、前記基板の近傍には光学的膜厚の
比較的薄い組み合わせからなる第１のスタックを形成
し、その上に光学的膜厚が前記第１のスタックより厚い
第２のスタックを形成したダブルスタックのものがあ
る。ここでスタックとは、高屈折率層と低屈折率層とを
各々所定の範囲の膜厚とした２層１組を１セットとし、
これを数回繰り返したものをいう。
基板上に高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させて
なり、その膜構成が、前記基板の近傍には光学的膜厚の
比較的薄い組み合わせからなる第１のスタックを形成
し、その上に光学的膜厚が前記第１のスタックより厚い
第２のスタックを形成したダブルスタックのものがあ
る。ここでスタックとは、高屈折率層と低屈折率層とを
各々所定の範囲の膜厚とした２層１組を１セットとし、
これを数回繰り返したものをいう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たダブルスタックの偏光ビームスプリッターは、膜構成
が複雑であり容易に製造できないという問題点を有して
いた。
たダブルスタックの偏光ビームスプリッターは、膜構成
が複雑であり容易に製造できないという問題点を有して
いた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、δを偏光ビー
ムスプリッターを透過したＰ波とＳ波との位相差とする
とき、ｎπ＋（π／４）＜δ≦ｎπ＋（π／２）を満た
す多層膜を形成したことが特徴である。
ムスプリッターを透過したＰ波とＳ波との位相差とする
とき、ｎπ＋（π／４）＜δ≦ｎπ＋（π／２）を満た
す多層膜を形成したことが特徴である。
【０００６】前記位相差δを、上述した範囲より大きく
する場合には、膜構成の中に極端に厚い層や極端に薄い
層を含ませる必要がある。このため、膜にクラックが生
じ易く耐久性が悪くなる。また、逆に位相差δが、この
範囲より小さくする場合には、膜構成がダブルスタック
となる傾向がある。このため、膜構成が複雑で製造が困
難となる。一方、本発明の膜構成の場合、上述した範囲
とすることで、スタックは一種類（シングルスタック）
の単純構成で済み、膜厚の大きい層を含ませる必要もな
い。膜構成が単純であれば、それだけ製造面でも容易に
なるという利点がある。
する場合には、膜構成の中に極端に厚い層や極端に薄い
層を含ませる必要がある。このため、膜にクラックが生
じ易く耐久性が悪くなる。また、逆に位相差δが、この
範囲より小さくする場合には、膜構成がダブルスタック
となる傾向がある。このため、膜構成が複雑で製造が困
難となる。一方、本発明の膜構成の場合、上述した範囲
とすることで、スタックは一種類（シングルスタック）
の単純構成で済み、膜厚の大きい層を含ませる必要もな
い。膜構成が単純であれば、それだけ製造面でも容易に
なるという利点がある。
【０００７】
（実施の形態１） （構成）本実施の形態１では、偏光ビームスプリッター
の入射側媒質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４
のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性
として波長λ＝６９０ｎｍの光線が４５度の入射角でこ
の偏光ビームスプリッターに入射した場合、Ｓ偏光の反
射率Ｒｓは８０％程度、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは０％とす
る。
の入射側媒質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４
のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性
として波長λ＝６９０ｎｍの光線が４５度の入射角でこ
の偏光ビームスプリッターに入射した場合、Ｓ偏光の反
射率Ｒｓは８０％程度、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは０％とす
る。
【０００８】実用上許容される誤差は、Ｓ偏光の反射率
Ｒｓは８０±１０％程度、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１５％
以下であり、この範囲を超えた場合には光の利用効率が
悪化するので好ましくない。
Ｒｓは８０±１０％程度、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１５％
以下であり、この範囲を超えた場合には光の利用効率が
悪化するので好ましくない。
【０００９】このような偏光ビームスプリッターを、図
１に示すように屈折率１．４６の低屈折率材料としての
ＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材料としてのＴ
ｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウムからな
る基板（屈折率２．２４）に積層することにより実現す
る。
１に示すように屈折率１．４６の低屈折率材料としての
ＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材料としてのＴ
ｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウムからな
る基板（屈折率２．２４）に積層することにより実現す
る。
【００１０】本実施の形態１の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６０度であった。また、本実施の形
態１の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図８
に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の反
射率Ｒｓは７４％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１０％とな
り、略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６０度であった。また、本実施の形
態１の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図８
に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の反
射率Ｒｓは７４％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１０％とな
り、略良好な特性となっている。
【００１１】（実施の形態２）本実施の形態２では、実
施の形態１と同様、図２に示すように、偏光ビームスプ
リッターの入射側媒質が屈折率１の空気、基板が屈折率
２．２４のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、
目標特性も実施の形態１と同様である。このような偏光
ビームスプリッターを、図２に示すように屈折率１．４
６の低屈折率材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５
の高屈折率材料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚
でニオブ酸リチウムからなる基板に積層することにより
実現する。
施の形態１と同様、図２に示すように、偏光ビームスプ
リッターの入射側媒質が屈折率１の空気、基板が屈折率
２．２４のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、
目標特性も実施の形態１と同様である。このような偏光
ビームスプリッターを、図２に示すように屈折率１．４
６の低屈折率材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５
の高屈折率材料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚
でニオブ酸リチウムからなる基板に積層することにより
実現する。
【００１２】本実施の形態２の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５８度であった。また、本実施の形
態２の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図９
に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の反
射率Ｒｓは７５％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは６％となり、
略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５８度であった。また、本実施の形
態２の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図９
に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の反
射率Ｒｓは７５％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは６％となり、
略良好な特性となっている。
【００１３】（実施の形態３）本実施の形態３では、実
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気であり、基板が屈折率２．２４のニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実
施の形態１と同様である。このような偏光ビームスプリ
ッターを、図３に示すように屈折率１．４６の低屈折率
材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材
料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リ
チウムからなる基板に積層することにより実現する。
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気であり、基板が屈折率２．２４のニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実
施の形態１と同様である。このような偏光ビームスプリ
ッターを、図３に示すように屈折率１．４６の低屈折率
材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材
料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リ
チウムからなる基板に積層することにより実現する。
【００１４】本実施の形態３の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５８度であった。また、本実施の形
態２の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
０に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７０％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは７％とな
り、略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５８度であった。また、本実施の形
態２の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
０に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７０％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは７％とな
り、略良好な特性となっている。
【００１５】（実施の形態４）本実施の形態４では、実
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気であり、基板が屈折率２．２４のニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実
施の形態１と同様である。このような偏光ビームスプリ
ッターを、図４に示すように、屈折率１．４６の低屈折
率材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率
材料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸
リチウムからなる基板に積層することにより実現する。
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気であり、基板が屈折率２．２４のニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実
施の形態１と同様である。このような偏光ビームスプリ
ッターを、図４に示すように、屈折率１．４６の低屈折
率材料としてのＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率
材料としてのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸
リチウムからなる基板に積層することにより実現する。
【００１６】本実施の形態４の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５６度であった。また、本実施の形
態３の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
１に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７４％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１３％とな
り、略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、５６度であった。また、本実施の形
態３の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
１に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７４％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは１３％とな
り、略良好な特性となっている。
【００１７】（実施の形態５）本実施の形態５では、実
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４のニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ 3 ）であり、目標特性も実施の形
態１と同様である。このような偏光ビームスプリッター
を、図５に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材料
であるＳｉＯ2と、屈折率２．２５の高屈折率材料とし
てのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウム
からなる基板に積層することにより実現する。
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４のニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ 3 ）であり、目標特性も実施の形
態１と同様である。このような偏光ビームスプリッター
を、図５に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材料
であるＳｉＯ2と、屈折率２．２５の高屈折率材料とし
てのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウム
からなる基板に積層することにより実現する。
【００１８】本実施の形態５の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６９度であった。また、本実施の形
態５の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
２に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは８２％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは９％とな
り、略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６９度であった。また、本実施の形
態５の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
２に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは８２％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは９％とな
り、略良好な特性となっている。
【００１９】（実施の形態６）本実施の形態６では、実
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４のニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ 3 ）であり、目標特性も実施の形
態１と同様である。このような偏光ビームスプリッター
を、図６に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材料
であるＳｉＯ2と、屈折率２．２５の高屈折率材料とし
てのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウム
からなる基板に積層することにより実現する。
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が屈折率２．２４のニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ 3 ）であり、目標特性も実施の形
態１と同様である。このような偏光ビームスプリッター
を、図６に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材料
であるＳｉＯ2と、屈折率２．２５の高屈折率材料とし
てのＴｉＯ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウム
からなる基板に積層することにより実現する。
【００２０】本実施の形態６の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６０度であった。また、本実施の形
態６の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
３に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７７％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは８％とな
り、略良好な特性となっている。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６０度であった。また、本実施の形
態６の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
３に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７７％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは８％とな
り、略良好な特性となっている。
【００２１】（実施の形態７）本実施の形態７では、実
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が、屈折率２．２４のニオブ
酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実施の
形態１と同様である。このような偏光ビームスプリッタ
ーを、図７に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材
料のＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材料のＴｉ
Ｏ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウムからなる
基板に積層することにより実現する。
施の形態１と同様、偏光ビームスプリッターの入射側媒
質が屈折率１の空気、基板が、屈折率２．２４のニオブ
酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、目標特性も実施の
形態１と同様である。このような偏光ビームスプリッタ
ーを、図７に示すように、屈折率１．４６の低屈折率材
料のＳｉＯ2 と、屈折率２．２５の高屈折率材料のＴｉ
Ｏ2 とを交互に所定の膜厚でニオブ酸リチウムからなる
基板に積層することにより実現する。
【００２２】本実施の形態７の偏光ビームスプリッター
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６８度であった。また、本実施の形
態７の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
４に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７８％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは７％とな
り、略良好な特性となっている。なお、上述の実施の形
態における透過位相差δを測定した結果は、５６度から
６９度の範囲であるが、その他の多くの検討を行った結
果、透過位相差δが４５度から９０度の範囲のものが、
本発明の作用効果を満たすものであることが確認され
た。また、上述の実施の形態においては、高屈折率材料
としてＴｉＯ2 を用いたがこれに変えてＴａ2 Ｏ6 （屈
折率２．１）を用いてもよく、また、低屈折率材料とし
てＳｉＯ2 を用いたがこれに変えてＭｇＦ2 （屈折率
１．４）を用いてもよいことが確認された。さらに、高
屈折率材料は屈折率が２以上のものが望ましく、低屈折
率材料は屈折率が１．５以下のものが望ましいことも確
認された。
のＰ波とＳ波との透過位相差δは成膜後に偏光解析法に
より測定した結果、６８度であった。また、本実施の形
態７の偏光ビームスプリッターの分光反射特性は、図１
４に示す通りであり、波長６９０ｎｍにおいてＳ偏光の
反射率Ｒｓは７８％、Ｐ偏光の反射率Ｒｐは７％とな
り、略良好な特性となっている。なお、上述の実施の形
態における透過位相差δを測定した結果は、５６度から
６９度の範囲であるが、その他の多くの検討を行った結
果、透過位相差δが４５度から９０度の範囲のものが、
本発明の作用効果を満たすものであることが確認され
た。また、上述の実施の形態においては、高屈折率材料
としてＴｉＯ2 を用いたがこれに変えてＴａ2 Ｏ6 （屈
折率２．１）を用いてもよく、また、低屈折率材料とし
てＳｉＯ2 を用いたがこれに変えてＭｇＦ2 （屈折率
１．４）を用いてもよいことが確認された。さらに、高
屈折率材料は屈折率が２以上のものが望ましく、低屈折
率材料は屈折率が１．５以下のものが望ましいことも確
認された。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、透過光の
Ｐ波とＳ波との位相差をδとしたとき、ｎπ＋（π／
４）＜δ≦ｎπ＋（π／２）の条件を満たす多層膜を形
成したことによって、膜構成が単純で済み、膜厚の大き
い層を含ませる必要もなく、製造が容易な偏光ビームス
プリッターを提供することができる。
Ｐ波とＳ波との位相差をδとしたとき、ｎπ＋（π／
４）＜δ≦ｎπ＋（π／２）の条件を満たす多層膜を形
成したことによって、膜構成が単純で済み、膜厚の大き
い層を含ませる必要もなく、製造が容易な偏光ビームス
プリッターを提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態１の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態３の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態４の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態５の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態６の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態７の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
ーの多層膜の組成を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態１の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ーの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図９】本発明の実施の形態２の偏光ビームスプリッタ
ーの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ーの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図１０】本発明の実施の形態３の偏光ビームスプリッ
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図１１】本発明の実施の形態４の偏光ビームスプリッ
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図１２】本発明の実施の形態５の偏光ビームスプリッ
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図１３】本発明の実施の形態６の偏光ビームスプリッ
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
【図１４】本発明の実施の形態７の偏光ビームスプリッ
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
ターの多層膜の波長と分光反射率との関係を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 偏光ビームスプリッターを透過したＰ波
とＳ波との位相差δが、ｎπ＋（π／４）＜δ≦ｎπ＋
（π／２）（ｎは整数）を満たす多層膜を形成したこと
を特徴とする偏光ビームスプリッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8312159A JPH10154345A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8312159A JPH10154345A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154345A true JPH10154345A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18025957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8312159A Withdrawn JPH10154345A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154345A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163291B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Polarization splitter, method of manufacturing same and ophthalmic lens incorporating projection inserts containing it |
| KR101051372B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2011-07-22 | 주식회사 엘엠에스 | 블루-레이 디스크 용 파장판 |
| US9025624B2 (en) | 2011-07-25 | 2015-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Beam generator |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP8312159A patent/JPH10154345A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163291B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Polarization splitter, method of manufacturing same and ophthalmic lens incorporating projection inserts containing it |
| KR101051372B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2011-07-22 | 주식회사 엘엠에스 | 블루-레이 디스크 용 파장판 |
| US9025624B2 (en) | 2011-07-25 | 2015-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Beam generator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040203 |