JPH0545515A - 多層干渉パターンの形成方法 - Google Patents
多層干渉パターンの形成方法Info
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- JPH0545515A JPH0545515A JP20585791A JP20585791A JPH0545515A JP H0545515 A JPH0545515 A JP H0545515A JP 20585791 A JP20585791 A JP 20585791A JP 20585791 A JP20585791 A JP 20585791A JP H0545515 A JPH0545515 A JP H0545515A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リフトオフマスクの蒸着のときにおける耐性を
向上する事でリフトオフマスクの欠陥によるパターン欠
陥を防止することを目的としている。 【構成】まず基板となるシリコンウェハー（１）の上に
１色目多層干渉フィルターパターンの非形成部をレジス
トパターニングし、図１に示すようにレジストパターン
（２ａ）を形成する。次いで、１色目の多層干渉フィル
ターとして緑色透過フィルターとなる緑色低温蒸着層
１．９４μｍ（３）を、図３に示すようにベタに形成す
る。次いで、１色目の緑色透過フィルターパターンの非
形成部を、図４に示すようにレジストによりリフトオフ
する。レジストパターン（２ａ）を形成した後は、図１
で出来たレジストパターン（２ａ）の付着力を大きくす
るためにプラズマ処理を、図２に示すように行なう。以
上の工程を２色目、３色目についても行う。
向上する事でリフトオフマスクの欠陥によるパターン欠
陥を防止することを目的としている。 【構成】まず基板となるシリコンウェハー（１）の上に
１色目多層干渉フィルターパターンの非形成部をレジス
トパターニングし、図１に示すようにレジストパターン
（２ａ）を形成する。次いで、１色目の多層干渉フィル
ターとして緑色透過フィルターとなる緑色低温蒸着層
１．９４μｍ（３）を、図３に示すようにベタに形成す
る。次いで、１色目の緑色透過フィルターパターンの非
形成部を、図４に示すようにレジストによりリフトオフ
する。レジストパターン（２ａ）を形成した後は、図１
で出来たレジストパターン（２ａ）の付着力を大きくす
るためにプラズマ処理を、図２に示すように行なう。以
上の工程を２色目、３色目についても行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は基板上に多層干渉膜か
らなるパターン、とりわけ色分解フィルターパターン等
の様な薄膜パターンの製造方法に関する。
らなるパターン、とりわけ色分解フィルターパターン等
の様な薄膜パターンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より撮像管や固体撮像素子などの撮
像デバイスのマルチカラー化の手段として色分解フィル
ターが使用されている。この色分解フィルターとして樹
脂の染色による有機物タイプと多層干渉膜による無機物
タイプとが主に実用化されている。後者は前者に比べて
製造費用が大きくなる傾向があるものの、高い透過率特
性を有する他、耐候性や耐光性等の耐環境特性において
優れている。
像デバイスのマルチカラー化の手段として色分解フィル
ターが使用されている。この色分解フィルターとして樹
脂の染色による有機物タイプと多層干渉膜による無機物
タイプとが主に実用化されている。後者は前者に比べて
製造費用が大きくなる傾向があるものの、高い透過率特
性を有する他、耐候性や耐光性等の耐環境特性において
優れている。
【０００３】一方、各種撮像デバイスは、必要とする画
像の高精細度化が進むにつれて、デバイス自体の高精細
度化ひいてはそれに使用する色分解フィルターの高精細
度化の要求を高め、具体的に使用されている色分解フィ
ルターの画素パターンサイズの微細化が求められてい
る。
像の高精細度化が進むにつれて、デバイス自体の高精細
度化ひいてはそれに使用する色分解フィルターの高精細
度化の要求を高め、具体的に使用されている色分解フィ
ルターの画素パターンサイズの微細化が求められてい
る。
【０００４】無機物タイプの色分解フィルターは従来よ
りリフトオフ方式で作られることが多くその主な理由
は、多層干渉膜のエッチングが生産上の障害となってい
た。一般に使用されるリフト材としては、膜付け・パタ
ーニング・リフトオフの容易さと多層干渉膜の膜付け時
の加熱工程への適合性を考慮してＣｕなどの金属が一般
的であった。しかるに、上述したように色分解フィルタ
ーの微細化が求められるようになると、間接的にパター
ン形状が決まる金属リフト材のリフトオフ方式では形状
や欠陥頻度の面で実用的な性能を得ることは困難になっ
てきた。
りリフトオフ方式で作られることが多くその主な理由
は、多層干渉膜のエッチングが生産上の障害となってい
た。一般に使用されるリフト材としては、膜付け・パタ
ーニング・リフトオフの容易さと多層干渉膜の膜付け時
の加熱工程への適合性を考慮してＣｕなどの金属が一般
的であった。しかるに、上述したように色分解フィルタ
ーの微細化が求められるようになると、間接的にパター
ン形状が決まる金属リフト材のリフトオフ方式では形状
や欠陥頻度の面で実用的な性能を得ることは困難になっ
てきた。
【０００５】また、 腐食（ウェットエッチング）法によ
り同様の色分解フィルターを形成する場合には、まず、
基板上の全面に色分解フィルターとなるベタの多層干渉
膜を形成、その多層干渉膜のパターン形成部の上にレジ
ストを形成する。次いで、多層干膜を溶かし去るエッチ
ング液を用いて、レジストが載っていない部分、すなわ
ちパターン形成部の多層干渉膜を除去し、さらにレジス
トを溶かし去るエッチング液用いてパターン形成部の多
層干渉膜の上に形成されているレジストも除去し、色解
フィルターのパターンを得ていく方法であり、最もオー
ソドックスな方法で多の問題を抱えている。
り同様の色分解フィルターを形成する場合には、まず、
基板上の全面に色分解フィルターとなるベタの多層干渉
膜を形成、その多層干渉膜のパターン形成部の上にレジ
ストを形成する。次いで、多層干膜を溶かし去るエッチ
ング液を用いて、レジストが載っていない部分、すなわ
ちパターン形成部の多層干渉膜を除去し、さらにレジス
トを溶かし去るエッチング液用いてパターン形成部の多
層干渉膜の上に形成されているレジストも除去し、色解
フィルターのパターンを得ていく方法であり、最もオー
ソドックスな方法で多の問題を抱えている。
【０００６】多層干渉膜の蒸着層は、公知の蒸着法によ
り所定の膜厚の高屈折率層と低屈折率層とを交互に多数
積層することにより形成できるが、その蒸着温度を約１
５０℃とする低温蒸着法により形成することが好まし
い。これにより蒸着温度を約３００℃とする通常蒸着法
に比してレジストパターンの欠陥発生に対する影響を少
なくすることが出来る。
り所定の膜厚の高屈折率層と低屈折率層とを交互に多数
積層することにより形成できるが、その蒸着温度を約１
５０℃とする低温蒸着法により形成することが好まし
い。これにより蒸着温度を約３００℃とする通常蒸着法
に比してレジストパターンの欠陥発生に対する影響を少
なくすることが出来る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属リフト材に
おいては、ウェットエッチングの特徴である等方性エッ
チングによる微細化の問題、多層干渉膜（０．１〜５．
０μｍ）をリフトオフするのに必要な厚膜化の問題、リ
フトオフ時間が長い為に起こる欠陥、膜欠陥・異物・付
着力のコントロールの問題、液疲労等の液管理の問題、
工程が進むにつれて表面の凹凸に対応していかなければ
ならない等の各種問題解決が望まれる。プラズマ処理の
ないレジストでは、上記金属リフト材のような問題は小
さいものの多層干渉膜の真空蒸着においてレジストパタ
ーンの耐性に問題があり、パターンのだれ・膨張及び基
板への絶対的な付着力不足による剥離等により形状不良
やレジストパターン形成部への多層干渉膜付着、いわゆ
る混色不良や部分的な欠陥不良を生んでいた。
おいては、ウェットエッチングの特徴である等方性エッ
チングによる微細化の問題、多層干渉膜（０．１〜５．
０μｍ）をリフトオフするのに必要な厚膜化の問題、リ
フトオフ時間が長い為に起こる欠陥、膜欠陥・異物・付
着力のコントロールの問題、液疲労等の液管理の問題、
工程が進むにつれて表面の凹凸に対応していかなければ
ならない等の各種問題解決が望まれる。プラズマ処理の
ないレジストでは、上記金属リフト材のような問題は小
さいものの多層干渉膜の真空蒸着においてレジストパタ
ーンの耐性に問題があり、パターンのだれ・膨張及び基
板への絶対的な付着力不足による剥離等により形状不良
やレジストパターン形成部への多層干渉膜付着、いわゆ
る混色不良や部分的な欠陥不良を生んでいた。
【０００８】腐食法によるパターン形成方法では、多層
干渉膜と基板あるいはレジストとの密着性が悪い場合に
は、その間にエッチング液が浸み込み、パターニング精
度が著しく低下する。また、ウェットエッチングは等方
性エッチングなのでアンダーカットによっても低下す
る。さらに先に形成された色分解フィルターは後の色分
解フィルター形成の都度に新にエッチング液やレジスト
現像液にさらされることになり先に形成された色分解フ
ィルターが損傷を受ける割合が多くなる。
干渉膜と基板あるいはレジストとの密着性が悪い場合に
は、その間にエッチング液が浸み込み、パターニング精
度が著しく低下する。また、ウェットエッチングは等方
性エッチングなのでアンダーカットによっても低下す
る。さらに先に形成された色分解フィルターは後の色分
解フィルター形成の都度に新にエッチング液やレジスト
現像液にさらされることになり先に形成された色分解フ
ィルターが損傷を受ける割合が多くなる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、この発明は、基板上にレジストを塗布しパターン
非形成部にレジストパターンを施した後、これをプラズ
マ処理によりレジスト耐性を向上させ、その後全面に多
層干渉膜を真空蒸着により形成、しかる後これをリフト
オフ法にて所望のパターンが２度以上繰り返し得られる
ことを特徴とする多層干渉パターンの形成方法を提供す
る。
ため、この発明は、基板上にレジストを塗布しパターン
非形成部にレジストパターンを施した後、これをプラズ
マ処理によりレジスト耐性を向上させ、その後全面に多
層干渉膜を真空蒸着により形成、しかる後これをリフト
オフ法にて所望のパターンが２度以上繰り返し得られる
ことを特徴とする多層干渉パターンの形成方法を提供す
る。
【００１０】この場合、基板が透明基板であり、多層干
渉膜が色分解フイルターである場合、基板へのダメージ
が光学的な障害の原因となり、それの発生を防止してい
る点で効果が大きい。
渉膜が色分解フイルターである場合、基板へのダメージ
が光学的な障害の原因となり、それの発生を防止してい
る点で効果が大きい。
【００１１】また、基板が固体撮像素子であり、多層干
渉膜が色分解フイルターである場合も、基板が撮像素子
であるためにリフト材を金属としている事による欠点を
回避している点で効果が大きい。
渉膜が色分解フイルターである場合も、基板が撮像素子
であるためにリフト材を金属としている事による欠点を
回避している点で効果が大きい。
【００１２】また、多層干渉膜が低温蒸着により形成し
たりイオンアシスト蒸着したり低温イオンアシスト蒸着
により形成する場合でも金属リフト材ではなくレジスト
をリフト材として用いる事が可能となる。
たりイオンアシスト蒸着したり低温イオンアシスト蒸着
により形成する場合でも金属リフト材ではなくレジスト
をリフト材として用いる事が可能となる。
【００１３】特に、レジストが耐熱性ポジレジストであ
る場合、温度耐性の点で効果があり、また、ポジレジス
トである事により膜強度を強くする事に相乗的効果が期
待できる。
る場合、温度耐性の点で効果があり、また、ポジレジス
トである事により膜強度を強くする事に相乗的効果が期
待できる。
【００１４】
【作用】レジストは一般の金属リフト材に比べかなり微
細なパターンも作成可能であるし、厚膜化（高アスペク
ト比）も一般的な工程により容易に得ることができる。
また、リフトオフ時間においても市販されているリムー
バーを使用すればよいし部分的な残りが生じる様であれ
ば液温を上昇させたり溶剤やＵＳ洗浄を併用すればよ
い。多層干渉パターンが次々に生成されるに伴って表面
の凹凸部や溝等、表面形状が複雑になってもレジストは
スピンコート法なので柔軟に対応できスパッタやイオン
プレーティングによる金属膜のようにパターン側壁にで
きる膜質の粗い所やクラック等がないため部分的に弱い
所がなく一様である。しかも、塗布後の表面は平坦であ
り次工程のレジストパターン形成に障害とならない。
細なパターンも作成可能であるし、厚膜化（高アスペク
ト比）も一般的な工程により容易に得ることができる。
また、リフトオフ時間においても市販されているリムー
バーを使用すればよいし部分的な残りが生じる様であれ
ば液温を上昇させたり溶剤やＵＳ洗浄を併用すればよ
い。多層干渉パターンが次々に生成されるに伴って表面
の凹凸部や溝等、表面形状が複雑になってもレジストは
スピンコート法なので柔軟に対応できスパッタやイオン
プレーティングによる金属膜のようにパターン側壁にで
きる膜質の粗い所やクラック等がないため部分的に弱い
所がなく一様である。しかも、塗布後の表面は平坦であ
り次工程のレジストパターン形成に障害とならない。
【００１５】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。
説明する。
【００１６】図１乃至図１２は、緑色透過フィルター、
赤色透過フィルター、青色透過フィルターの３種の色分
解フィルターパターンをシリコンウェハーやガラス基板
の上に２次元的に配列したカラーフィルターをこの発明
の多層干渉パターンの形成方法により製造する場合の製
造工程を順に表わしている。
赤色透過フィルター、青色透過フィルターの３種の色分
解フィルターパターンをシリコンウェハーやガラス基板
の上に２次元的に配列したカラーフィルターをこの発明
の多層干渉パターンの形成方法により製造する場合の製
造工程を順に表わしている。
【００１７】すなわち、この方法においては、まず基板
となるシリコンウェハー（１）の上に１色目多層干渉フ
ィルターパターンの非形成部をレジストパターニング
し、図１に示すようにレジストパターン（２ａ）を形成
する。
となるシリコンウェハー（１）の上に１色目多層干渉フ
ィルターパターンの非形成部をレジストパターニング
し、図１に示すようにレジストパターン（２ａ）を形成
する。
【００１８】この場合、レジストパターン（２ａ）に使
用するレジストとしては、高解像度を持ち、粘度が比較
的高く厚膜が可能な物で、プラズマ処理（ＲＩＥ等を含
む）の際にも形状が安定で好適に使用できる耐熱レジス
トを使用することが好ましい。例えば、約１３０℃まで
の加熱に耐え得るＦＨ５６００Ｆ（富士ハント社製）を
使用することができ、これをスピンコート法により塗布
・パターンニングし膜厚３．４μｍに形成レジストパタ
ーン（２ａ）を得る。
用するレジストとしては、高解像度を持ち、粘度が比較
的高く厚膜が可能な物で、プラズマ処理（ＲＩＥ等を含
む）の際にも形状が安定で好適に使用できる耐熱レジス
トを使用することが好ましい。例えば、約１３０℃まで
の加熱に耐え得るＦＨ５６００Ｆ（富士ハント社製）を
使用することができ、これをスピンコート法により塗布
・パターンニングし膜厚３．４μｍに形成レジストパタ
ーン（２ａ）を得る。
【００１９】レジストパターン（２ａ）を形成した後
は、図１で出来たレジストパターン（２ａ）の付着力を
大きくするためにプラズマ処理を、図２に示すように行
なう。また、ここでは、フロンガスによるドライエッチ
ングを行なっても同じ結果が得られるが、プラズマ処理
したレジストパターン（２ａ’）と色分解フィルターパ
ターン（３）との膜厚差が後のリフトオフのしやすさに
効いて来るので、レジストの膜厚減少量が少ないＡｒガ
ス・ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）モードに
よるプラズマ処理が良い。また、この工程でさらに耐熱
性等の形状安定性を向上させることも同時に出来る。こ
のプラズマ処理は、特別な処理を使用しなくとも工程短
縮のため真空蒸着器内での処理も可能である。
は、図１で出来たレジストパターン（２ａ）の付着力を
大きくするためにプラズマ処理を、図２に示すように行
なう。また、ここでは、フロンガスによるドライエッチ
ングを行なっても同じ結果が得られるが、プラズマ処理
したレジストパターン（２ａ’）と色分解フィルターパ
ターン（３）との膜厚差が後のリフトオフのしやすさに
効いて来るので、レジストの膜厚減少量が少ないＡｒガ
ス・ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）モードに
よるプラズマ処理が良い。また、この工程でさらに耐熱
性等の形状安定性を向上させることも同時に出来る。こ
のプラズマ処理は、特別な処理を使用しなくとも工程短
縮のため真空蒸着器内での処理も可能である。
【００２０】次いで、１色目の多層干渉フィルターとし
て緑色透過フィルターとなる蒸着温度約１５０°Ｃの緑
色低温蒸着層１．９４μｍ（３）を、図３に示すように
ベタに形成する。
て緑色透過フィルターとなる蒸着温度約１５０°Ｃの緑
色低温蒸着層１．９４μｍ（３）を、図３に示すように
ベタに形成する。
【００２１】このとき、イオン銃とニュートラライザー
によりイオンアシスト蒸着をしてもよい。このときの条
件としては、イオン化ガスとしてＡｒ＋１０％Ｏ2を使
用し３ＳＣＣＭの流量で加速電圧０．５ＫＶ、加速電流
６０ｍＡ等である。
によりイオンアシスト蒸着をしてもよい。このときの条
件としては、イオン化ガスとしてＡｒ＋１０％Ｏ2を使
用し３ＳＣＣＭの流量で加速電圧０．５ＫＶ、加速電流
６０ｍＡ等である。
【００２２】次いで、１色目の緑色透過フィルターパタ
ーンの非形成部を、図４に示すようにレジストによりリ
フトオフする。具体的には、例えば、マイクロポジット
・リムーバー１１６５（シプレイ社製）を使用すればよ
く基板上に多層膜及びレジストの残りが出るようであれ
ば、液温を約８０℃に上昇させたり、溶剤やＵＳ洗浄を
併用すればよい。
ーンの非形成部を、図４に示すようにレジストによりリ
フトオフする。具体的には、例えば、マイクロポジット
・リムーバー１１６５（シプレイ社製）を使用すればよ
く基板上に多層膜及びレジストの残りが出るようであれ
ば、液温を約８０℃に上昇させたり、溶剤やＵＳ洗浄を
併用すればよい。
【００２３】次いで、図１と同様な方法で、２色目の赤
色透過フィルターパターンの非形成部にレジストパター
ン（２ｂ）を、図５に示すように得る。３色の色分解フ
ィルターが同じ画素サイズであればレジストのパターニ
ング精度は図１に到る最初の工程と変わりがなく困難は
ない。レジストは、金属リフト材に見られる様に表面の
凹凸やパターン側壁にできる膜質の粗い所やクラック等
が発生しない点で工程が進んで形状が複雑になっても各
種の問題がでない。
色透過フィルターパターンの非形成部にレジストパター
ン（２ｂ）を、図５に示すように得る。３色の色分解フ
ィルターが同じ画素サイズであればレジストのパターニ
ング精度は図１に到る最初の工程と変わりがなく困難は
ない。レジストは、金属リフト材に見られる様に表面の
凹凸やパターン側壁にできる膜質の粗い所やクラック等
が発生しない点で工程が進んで形状が複雑になっても各
種の問題がでない。
【００２４】次いで、図２と同様な方法で、２色目の赤
色透過フィルターパターンの非形成部にレジストパター
ン（２ｂ）の付着力・耐熱性等の形状安定性を向上させ
たレジストパターン（２ｂ’）を、図６に示すように得
る。
色透過フィルターパターンの非形成部にレジストパター
ン（２ｂ）の付着力・耐熱性等の形状安定性を向上させ
たレジストパターン（２ｂ’）を、図６に示すように得
る。
【００２５】次いで、図３と同様な方法で、２色目の赤
色透過フィルターとなる赤色低温蒸着層１．５４μｍ
（４）を、図７に示すようにベタに形成する。
色透過フィルターとなる赤色低温蒸着層１．５４μｍ
（４）を、図７に示すようにベタに形成する。
【００２６】次いで、図４と同様な方法で、レジストに
より赤色透過フィルターパターンの非形成部を、図８に
示すようにリフトオフする。
より赤色透過フィルターパターンの非形成部を、図８に
示すようにリフトオフする。
【００２７】以下同様にして、３色目の青色透過フィル
ターパターンの非形成部にレジストパターン（２ｃ）
を、図９に示すように形成する。
ターパターンの非形成部にレジストパターン（２ｃ）
を、図９に示すように形成する。
【００２８】次に、プラズマ処理により付着力・耐熱性
等の形状安定性を向上させたレジストパターン（２
ｃ’）を、図１０に示すように得る。
等の形状安定性を向上させたレジストパターン（２
ｃ’）を、図１０に示すように得る。
【００２９】次いで、３色目の青色透過フィルターとな
る青色低温蒸着層１．０８μｍ（５）ベタに形成し、最
後にレジストパターン（２ｃ’）により青色透過フィル
ターパターンの非形成部を、図１１に示すようにリフト
オフする。これにより、図１２に示すように、３色の色
分解フィルーを得る。
る青色低温蒸着層１．０８μｍ（５）ベタに形成し、最
後にレジストパターン（２ｃ’）により青色透過フィル
ターパターンの非形成部を、図１１に示すようにリフト
オフする。これにより、図１２に示すように、３色の色
分解フィルーを得る。
【００３０】以上、この発明の実施例について説明した
が、この発明はこれに限られることなく種々の態様をと
ることができいる。例えば、上記の実施例においては、
形成する多層干渉膜は緑色・赤色・青色の３種の低温蒸
着層としたが、２種以上であれば任意の多層干渉膜とす
ることができる。また、そのパターン形状もストライプ
状のフィルターを平行に形成したものをはじめとして種
々のものとすることができる。基板についても、シリコ
ンウェハー（１）やＣＣＤを直接基板として使用する
他、デバイス凹凸面にカラーフィルターを直接形成する
オンチップ、透明ガラスを基板にしてもよい。
が、この発明はこれに限られることなく種々の態様をと
ることができいる。例えば、上記の実施例においては、
形成する多層干渉膜は緑色・赤色・青色の３種の低温蒸
着層としたが、２種以上であれば任意の多層干渉膜とす
ることができる。また、そのパターン形状もストライプ
状のフィルターを平行に形成したものをはじめとして種
々のものとすることができる。基板についても、シリコ
ンウェハー（１）やＣＣＤを直接基板として使用する
他、デバイス凹凸面にカラーフィルターを直接形成する
オンチップ、透明ガラスを基板にしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、レジストパターンの
精度が色分解フィルターのパターンサイズを決定するの
で、必要とする画素サイズの高精細度化によるパターン
サイズの微細化要求に十分対応できる。また、厚膜が可
能でリフトオフ時間が短く薬剤による損傷が低減でき、
表面形状に関わりなくパターニングが可能である。工程
は、レジストパターニング・プラズマ処理・膜付け・リ
フトオフの繰り返しと容易で、しかもプラズマ処理と膜
付けは同じ真空装置内で行なうことが可能で歩留まりを
著しく向上させることができる。
精度が色分解フィルターのパターンサイズを決定するの
で、必要とする画素サイズの高精細度化によるパターン
サイズの微細化要求に十分対応できる。また、厚膜が可
能でリフトオフ時間が短く薬剤による損傷が低減でき、
表面形状に関わりなくパターニングが可能である。工程
は、レジストパターニング・プラズマ処理・膜付け・リ
フトオフの繰り返しと容易で、しかもプラズマ処理と膜
付けは同じ真空装置内で行なうことが可能で歩留まりを
著しく向上させることができる。
【００３２】従って、精密な多層干渉パターンをオンチ
ップ化して有利に製造することが、可能となる。
ップ化して有利に製造することが、可能となる。
【図１】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図２】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図３】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図４】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図５】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図６】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図７】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図８】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図９】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図１０】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
途上の断面図である。
途上の断面図である。
【図１１】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
途上の断面図である。
途上の断面図である。
【図１２】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
後の断面図である。
後の断面図である。
１ シリコンウェハー ２ａ、２ｂ、２ｃ レジストパターン層 ２ａ’、２ｂ’、２ｃ' プラズマ処理レジストパター
ン層 ３ 緑色低温蒸着層 ４ 赤色低温蒸着層 ５ 青色低温蒸着層
ン層 ３ 緑色低温蒸着層 ４ 赤色低温蒸着層 ５ 青色低温蒸着層
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に多層干渉膜のパターンを形成する
方法において、基板上のパターン非形成部にレジストを
パターニングした後、これをプラズマ処理する。その後
全面に多層干渉膜を真空蒸着により形成、しかる後これ
をリフトオフ法にて所望のパターンが２度以上繰り返し
得られることを特徴とする多層干渉パターンの形成方
法。 - 【請求項２】基板が透明基板であり、多層干渉膜が色分
解フイルターである請求項１に記載の多層干渉膜パター
ンの形成方法。 - 【請求項３】基板が固体撮像素子であり、多層干渉膜が
色分解フイルターである請求項１に記載の多層干渉膜パ
ターンの形成方法。 - 【請求項４】多層干渉膜が低温蒸着により形成する事を
特徴とする請求項１に記載の多層干渉膜パターンの形成
方法。 - 【請求項５】多層干渉膜がイオンアシスト蒸着により形
成する事を特徴とする請求項１に記載の多層干渉膜パタ
ーンの形成方法。 - 【請求項６】多層干渉膜が低温イオンアシスト蒸着によ
り形成する事を特徴とする請求項１に記載の多層干渉膜
パターンの形成方法。 - 【請求項７】レジストが耐熱性ポジレジストである請求
項１に記載の多層干渉膜パターンの形成方法。
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|---|---|---|---|
| JP20585791A JP3036136B2 (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | パターン状多層干渉膜の形成方法 |
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| JP (1) | JP3036136B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
- 1991-08-16 JP JP20585791A patent/JP3036136B2/ja not_active Expired - Fee Related
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