JP2002504699A - 干渉カラーフィルターのパターンを作成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ある一つの基礎材の上にカラーフィルター薄膜システムパターンを作成するため、リフトオフ法により、レジスト薄膜面領域とレジスト薄膜のない領域を持つパターン化されたレジスト薄膜（３２）を装着し、次ぎにカラーフィルター薄膜システムを装着し（３１）、その後にレジスト薄膜面領域とともにその上の領域に装着されているカラーフィルター薄膜システムを除去するため、そのカラーフィルター薄膜システム（３１）の装着を、最高１５０℃までの温度でプラズマを利用して被膜形成することにより行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） 本発明は、一つの基礎材の上にカラーフィルター薄膜システムパターンを作成
する方法に関する。この方法はリフトオフ法によるものであって、すなわちレジ
スト薄膜面領域とレジスト薄膜のない領域を持つパターン化されたレジスト薄膜
を析出し、次ぎにカラーフィルター薄膜システムを装着し、最後にレジスト薄膜
面領域とともにその上の領域に装着されているカラーフィルター薄膜システムを
除去するものである。

【０００２】 （背景技術） このような技術はリフトオフ法として知られている。この技術は、真空環境中
で行わなければならないプロセス段階が比較的少ないので、比較的低コストであ
る。この技術はたとえばＵＳ−Ａ−３９１４４６４で、次のようなものが知られ
ている： すなわち、リフトオフマスクとしてたとえば厚さを４〜６μｍに指定されたフォ
トレジストまたは金属薄膜を、そしてその上にその半分の厚さの誘電性干渉カラ
ーフィルター薄膜システムを析出する。カラーフィルター薄膜システムを析出す
る前に、リフトオフレジストを長時間、２００℃で８時間以上、真空環境中で硬
化させる。このリフトオフレジストないしそのパターン化された表面は、カラー
フィルター薄膜システムの析出後、本来のリフトオフ段階で高温のキシロールを
用いて除去される。

【０００３】 目を引くのは、このリフトオフレジスト薄膜パターンの処理に手間がかかり、
しかもそのためカラーフィルター薄膜システムを析出する方法に蒸着さえ用いら
れることがあることである。すなわち析出されたシステム薄膜が十分なクォーリ
ティを保証されるためには、２００℃以上という蒸着温度を遵守しなければなら
ない。従ってその下に位置するレジスト薄膜は、変質することなくこの温度に耐
えなければならない。

【０００４】 さらに諸文献、たとえばＨ．Ａ．ＭＡＣＬＥＯＤ，”Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｏ
ｐｔｉｃａｌ Ｆｉｌｔｅｒｓ” ２ｎｄ ｅｄｉｔｉｏｎ，Ａｄａｍ Ｈｉｌ
ｇｅｒ Ｌｔｄ．，１９８６，３５７〜４０５ページから、より低温で蒸着され
た光学的薄膜はスペクトルに関して不安定であることが知られている。そのスペ
クトル特性は周囲温度と空気湿度とともに変化し、その際とくにスペクトル特性
のカットオン、カットオフの両エッジがスペクトル上移動する。スペクトルに関
し安定して十分なクォーリティを備える薄膜を析出したいならば、蒸着温度は非
常に高いものを選択しなければならず、これはその下に位置するレジストがポリ
マー化し、その後のリフトオフプロセスが非常に困難になる原因となる。反対に
蒸着プロセスの温度を低く維持しようとするならば、その代償としてすでに述べ
たように、上記の末端が温度や空気湿度に強く左右されてスペクトル上を移動す
る。

【０００５】 そのほか頭書の文書はレジストを真空中で長時間高温に保つことを提案するが
、これは非常に費用がかかり、この種のパターンを作成する装置の製造速度を著
しく減じる。さらにレジストは必然的に比較的高温に耐えなければならず、これ
を溶解するために高温のキシロールを使用することは、キシロールの発ガン性を
考えると非常に心配される。それだけでなく、２００℃をはるかに超える温度で
カラーフィルター薄膜システムをかぶせる方法を採るには、この温度に耐えるレ
ジスト薄膜を備えなければならないので、その後のレジスト除去に備えて、溶剤
のために大きな作用面を用意しておかなければならない。従ってレジスト薄膜は
、その上に装着するカラーフィルター薄膜システムよりもいちじるしく厚いもの
を選択しなければならない。その結果妨害を受けるゾーンが大きくなる：すなわ
ち、レジスト薄膜の塗布およびパターン化に続いて、レジストの塗布された領域
と塗布されてない領域にカラーフィルター部分システムを析出すると、第１図に
示すように、レジスト領域１のエッジの影となるため、妨害を受けるゾーンをカ
ラーフィルターパターンの周縁領域３に生じ、そこでは妨害を受けない領域５よ
りもカラーフィルターパターンの厚さが薄くなる。レジストの厚さｄが厚くなる
ほど、妨害を受けるカラーフィルターパターンの領域がそれだけ大きくなる。

【０００６】 そのほか、上述のカラーフィルター薄膜システムの蒸着に必要な温度では基盤
ガラスが収縮すること、すなわちその形状が変化することが知られている。これ
は、異なるスペクトルを持つカラーフィルター薄膜システムを順次析出するとき
、たとえば赤、黄、青に対する場合、正確なジオメトリーを得ることができない
ことになり、このことはさらにスペクトル領域を異にするフィルター領域の境界
がシャープさを失うことになる。

【０００７】 さらに上述のような高温の場合はガラス基板が脆化する。とくに温度交代によ
る負荷がかかるとき、たとえばリフトオフ法で複数のカラーフィルター薄膜シス
テムを順次析出する場合に脆化する。これは作成されたパターンの破壊強度を損
なうことに、従って故障が増加することになる。

【０００８】 これらに代わるもう一つの方法があるとすれば、要求される高い蒸着温度、す
なわち３００℃前後の温度に耐えるようなレジストを使用することであろう。し
かしそのようなレジストは高価で、加工が困難である。

【０００９】 さらに金属製、たとえばアルミニウムまたはクロム製のリフトオフマスクを使
用することもできるであろう。しかしこれらをかぶせるには通常これまた真空被
膜形成の作業段階を必要とするので、これもまた高価であろう。

【００１０】 （発明の開示） 本発明の課題は、前記の種類の方法を出発点として、上述の欠点を除くことで
ある。これは請求項１の特徴の記述による方法を実施することによって達成され
る。

【００１１】 それによって、フィルター薄膜システムの析出は、たとえば在来のフォトレジ
ストがポリマー化する温度よりはるかに低い温度で行われ、リフトオフレジスト
の熱負荷を著しく下げることが可能となる。提案するような、基板を高いイオン
照射密度にさらすことになるプラズマを利用する析出法によれば、また好ましく
はプラズマを利用する蒸着またはスパッターによれば、さらに薄膜が密で、スペ
クトル特性が温度や空気湿度に対して安定しているフィルターが生じる。レジス
トに対する熱負荷が著しく少なくなるので、レジストに対する耐熱性の要求が決
定的に減じられる。これはレジストの側では、塗布処理の時間が著しく短くなる
こと、求められるレジスト薄膜の厚さが著しく減じられることにつながり、これ
はさらに第１図に示した妨害を受ける領域３の範囲を減じる。それだけでなく在
来型のフォトレジストを使用し、リフトオフのためには、これをアセトンまたは
ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）のような通常の溶剤で溶解することがで
きる。

【００１２】 本発明による方法で得られるものは次の通り。 ・従って被膜形成温度がはるかに低くなる。これはレジストの厚さが少なくてす
むこと、通常のコスト上有利なレジストを使用できることになる。またレジスト
厚さの削減が得られれば、これは第１図に示した妨害を受ける領域の範囲を減じ
ることに直接つながる。 ・別個のプラズマチャンバーで荷電粒子を生じることによってであれ、グリッド
によって被膜形成室へと抽出することによってであれ、あるいは被膜形成室でプ
ラズマを生じることによってであれ、要するに被膜形成にプラズマを利用するこ
とによって、高い密度のイオン流を基板に衝突させることができるようになり、
これにより密で、光学的に安定したフィルター薄膜が実現される。 ・影によって生じる妨害箇所の範囲は、コリメーターを備えるといった追加的な
調整措置によって、あるいはイオン運動の静電気的な調整によって減じることが
できる。被膜形成チャンバー内の圧力もできるだけ低くし、中間の自由な飛程を
それに対応して長くする。

【００１３】 追加的な調整措置を行わずにスパッターを採用すると、第１図に示すように妨
害を受ける領域３の範囲は約５×ｄとなり、プラズマを利用する多方向づけされ
た方法によると、これは約１×ｄに減じられる。本発明はそれ自体ですでにｄに
対する小さい数値が得られるものである。

【００１４】 スパッターよりも多方向づけされた被膜形成法はプラズマを利用する蒸着であ
って、この場合はすでに知られているように、気化るつぼから生じた物質を、た
とえば電子ビームによる気化により、プロセス空気環境中へ熱的に気化する。そ
の際その空気環境中でプラズマが維持される。これにより影を生じるという問題
はさらに広範囲に除去され、カラーフィルター薄膜システムパターンを範囲は狭
くても高い効率で析出することも可能となる。

【００１５】 ここに提案する方法は、ＬＣＤプロジェクターおよびＣＣＤセンサーのための
カラーフィルターのパターン化にとくに適している。

【００１６】 下記に図を用いて本発明の例を説明する。 第２図は、本発明で採用したスパッター装置の第一の実施バリエーションの略
図である。スパッターされる物質からなるターゲットを含むスパッター源１０、
たとえばマグネトロン源の上に、プラズマ１３が維持される。供給される操作ガ
スＡＧのイオン、たとえばアルゴンが、ターゲットから主として中性のターゲッ
ト物質粒子Ｎをパルス伝送により打ち出す。この粒子は製造物１５の上に堆積す
る。供給ユニット１７の略図に示すようにこのプラズマは、スパッター源を介し
てＤＣ出力により、またはパルス化された直流出力ＰＬにより、または原則とし
てはＤＣ出力とＡＣ出力の重畳により、またはＡＣ出力、とくには高周波出力Ｒ
Ｆにより操作される。この場合通常は非導電性の製造物基板１５に誘電性の薄膜
を析出することが論点なので、とくに次の方法を挙げておく。すなわちプラズマ
を直流で操作するが、第２図の１９ａと１９ｂで概略を示すように、そしてその
図の点線で暗に示すように、指定された時間区分において、好ましくは周期的に
、プラズマを生じる電極を低抵抗で連結するという方法である。誘電性の薄膜に
より、そしてＤＣプラズマまたは基板バイアスを使用して、非導電性基板にプラ
ズマを利用した被膜形成を行うことについては、下記を参照されたい： ＥＰ−５０８３５９または ＵＳ−５４２３９７０ ＥＰ−５６４７８９または次のアメリカ合衆国出願 ＵＳ ＳＮ ０８／３００８６５ ＵＳ ＳＮ ０８／６４１７０７ カラーフィルター薄膜システムの薄膜の生成は、非反応型の方法で、すなわち
操作ガスＡＧを使用するだけで、そして／または反応型のスパッタープロセス及
びＯ₂のような反応ガスＲＧを使用して行われ、たとえばいかなる薄膜物質を使 用するかによって方法が異なる。その際本発明による被膜形成の温度を遵守する
。リフトオフレジスト１１を施した製造物１５には最高１５０℃、好ましくは最
高１００℃とする。

【００１７】 イオン照射密度が高いため、密な薄膜が実現される。周囲温度や空気湿度が変
化しても、この薄膜のスペクトル特性はほとんど変化しない。

【００１８】 コリメーターを備えるといったさらなる調整措置を行わないときでも、第１図
に示す妨害を受ける領域３が約５×ｄの範囲に広がっても甘受できるという場合
なら、本発明によるスパッター被膜形成は利用に適している。

【００１９】 第３図は第１図と同様の略図であるが、本発明の採用する第二の方法、すなわ
ちプラズマを利用する、ないしはイオンを利用する蒸着を示す。この場合たとえ
ば電子ビーム２３及び／または加熱装置２５を用いて、るつぼ２７から物質を気
化させる。供給源２８は、出力される信号に関していえば、第二図で説明した供
給源１７と同様に構成でき、ここでもこれを用いてるつぼ２７の上方に密なプラ
ズマ２４を維持する。製造物はここでは回転駆動される僧帽型キャリアー２６に
取り付けるのが好ましく、このキャリアーの球の中心は気化源２７の中心Ｚとす
る。ここでも温度は最高１５０℃、とくには最高１００℃を遵守する。この方向
づけされた方法によって、フィルター薄膜システムによりリフトオフレジストパ
ターン１１に被膜形成することが可能となる。この薄膜システムは、第１図に示
した妨害を受ける領域３を約１×ｄ以下の範囲におさえるために必要とされるも
のである。

【００２０】 第３図のプラズマを利用する気化、ないしイオンを利用する気化の場合も、構
成すべきカラーフィルター薄膜システムの薄膜のいかんに従って、操作ガスＡＧ
を使用するだけの非反応型の方法、または反応ガスＲＧを使用する反応型の方法
で作業する。

【００２１】 第４図は、基板３０上にあるリフトオフレジストパターン３２の拡大図である
。その上に示すのはプラズマを利用する析出法のためのプラズマ３４の概略であ
る。第４図の点線で示すように、反応型のプロセスにより、とくにイオン化され
た酸素を使用するといった方法により、カラーフィルター薄膜システムの第一の
薄膜３１を装着するような場合は、この略図の３５で暗に示すように、励起され
た反応ガスによって、上述のようにとくにＯ₂によって、または残留ガスから生 じてプラズマ中で活性化された、および／または分解されたＨ₂Ｏによって、リ フトオフレジストパターンが腐食される。

【００２２】 これを阻止する第一の方法は、カラーフィルター薄膜システムの第一の薄膜を
非反応型の方法によって装着すること、すなわち操作ガスアルゴンのみを使用し
、第２図または第３図に従ってこれを行うことである。そのために薄膜物質を直
接ターゲット物質または気化源物質として使用する。

【００２３】 第二の、しかし好ましい方法は第５図に示すとおり、カラーフィルター薄膜シ
ステムの第一の薄膜３１をかぶせる前に、リフトオフレジストパターンに次のよ
うな中間薄膜をかぶせるものである。この中間薄膜は、広帯域の光が十分に損失
なく透過し、すなわち光学的にニュートラルであって、接着性がよく、保護薄膜
としてその後のプロセスに耐えるものである。第５図に示す中間薄膜４５は厚さ
５〜１０ｎｍで、ＳｉＯまたはＳｉＯ₂からなるものが好ましい。これらの物質 は、励起されイオン化された反応ガス、とくに残留ガスから生じるＯ₂またはＨ₂ Ｏによって化学的な腐食を受けない。第５図の点線で示した薄膜３１は、後にか
ぶせられるカラーフィルター薄膜システムの第一の光学的活性のある薄膜であり
、この薄膜は反応型のプロセスによって装着することができる。さらに中間薄膜
４５もＳｉＯ₂からなるものとすることができ、これは反応型ではない方法で、 またはわずかに反応性のある方法で析出される。その後ＳｉＯ₂中間薄膜がカラ ーフィルター薄膜システムの屈折度の低い第一の薄膜を形成し、屈折度のより高
い薄膜がこれに続く。

【００２４】

【実施例】

使用された被膜形成法およびその結果得られたカラーフィルターパターンの例
を、下記に紹介する。

【００２５】

【実施例１】 −基板： ガラス −フィルターパターン： 線条 １６０μｍ幅、 長さ２０ｍｍ、間隔１００μｍ −レジスト薄膜厚さ： ３．２μｍ −レジスト： Ｓｈｉｐｌｅｙ １０４５、６：１に希釈 −光学的フィルター薄膜システム：１．５μｍ（第１図のｄ５） −薄膜システム： ＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂ −ＳｉＯ₂被膜形成プロセス： 反応型スパッター、装置はＢＡＳ ７６７ −供給源： Ｓｉターゲット −スパッター出力： ６．４ｋＷ −操作ガス： Ａｒ −反応ガス： Ｏ₂ −操作ガス流量： ４０ｓｃｃｍ −反応ガス流量： ５０ｓｃｃｍ −速度： ０．３ｎｍ／ｓｅｃ −ＴｉＯ₂被膜形成プロセス： 反応型スパッター −供給源： Ｔｉターゲット −スパッター出力： １０ｋＷ −操作ガス： Ａｒ −反応ガス： Ｏ₂ −操作ガス流量： ４０ｓｃｃｍ −反応ガス流量： ３６ｓｃｃｍ −速度： ０．１６ｎｍ／ｓｅｃ −被膜形成温度： Ｔ≦８０℃ 結果： レジストマスクと隣り合う 妨害を受けたゾーンの大きさ（第１図の１）：≦１０μｍ フィルターのエッジの安定性： ２０℃〜８０℃において エッジの移動≦１ｎｍ この例の場合中間薄膜は使用しない。本来の被膜形成開始前に、プラズマにス
イッチオンする。従ってレジストマスクはＯ₂／Ａｒプラズマと接触する。これ によりレジストのエッジは欠損する。このためリフトオフ作業段階が困難になり
、ないしは比較的厚いレジストマスクが必要となる。

【００２６】

【実施例２】 −基板： ガラス −フィルターパターン： 線条 １０×１０μｍ〜１００×１００μ ｍ −レジスト薄膜厚さ（ｄ）： ０．５μｍ〜２μｍ −光学的フィルター薄膜（ｄ５）：１．５μｍ −レジスト： Ｓｈｉｐｌｅｙ １０４５、６：１〜１：１
に希釈 −薄膜システム： 中間薄膜 ＳｉＯ、厚さ１０ｎｍ、 ＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂ −被膜形成プロセス：ＳｉＯ中間薄膜は非反応型で行いプラズマを利用しない
。ＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂システムはプラズマを利用する蒸着。装置はＬＥＹＢＯＬＤ ＡＰＳ １１００ ＳｉＯ 非反応型、ＡＰＳプラズマ源なし −供給源 ４孔るつぼつき電子ビーム気化器、ＳｉＯ顆粒 −速度： ０．１ｎｍ／ｓｅｃ −装置： ＢＡＳ ７６７ −圧力： １×１０−５ｍｂａｒ。

【００２７】 ＳｉＯ₂：ＡＰＳプラズマ源による反応型蒸着 −供給源 ４孔るつぼつき電子ビーム気化器、ＳｉＯ₂顆粒 −速度： ０．６ｍ／ｓｅｃ ＡＰＳプラズマ源： −放電電流： ５０Ａ −バイアス電圧： １５０Ｖ −Ｕ 陽極−陰極： １３０Ｖ −操作ガス： Ａｒ −反応ガス： Ｏ₂ −操作ガス流量： １５ｓｃｃｍ −反応ガス流量： １０ｓｃｃｍ −総圧力： ３．５×１０−３ｍｂａｒ ＴｉＯ₂：ＡＰＳプラズマ源による反応型蒸着 −供給源： ４孔るつぼつき電子ビーム気化器、 ＴｉＯ₂錠剤状素材 −速度： ０．３ｍ／ｓｅｃ ＡＰＳプラズマ源： −放電電流： ５０Ａ −バイアス電圧： １１０〜１２０Ｖ −Ｕ 陽極−陰極： １００〜１００Ｖ −操作ガス： Ａｒ −反応ガス： Ｏ₂ −操作ガス流量： １１ｓｃｃｍ −反応ガス流量： ３５ｓｃｃｍ −総圧力： ４．２×１０−３ｍｂａｒ −被膜形成温度： Ｔ≦１０５℃ 結果： 安定性： ２０℃〜８０℃において スペクトル上のエッジの移動≦１ｎｍ 妨害を受けたゾーンの大きさ：＜２μＭ。

【００２８】 本発明の措置により、とくにＬＣＤ光弁プロジェクターやＣＣＤセンサーに用
いるような画素パターンを、安価かつ高い歩留まりで作成することが可能となる
。さらにこの画素パターンは環境の変化に対して、とくに温度や湿度の変化に対
して、スペクトルに関して非常に安定している。とくに上述の中間薄膜を使用す
れば、基板に対するカラーフィルターシステムの非常に良好な接着がさらに得ら
れる。必要なリフトオフレジスト薄膜は、その上に装着するカラーフィルター薄
膜システムの２倍よりもはるかに薄くすることができる。オーバーハングする側
壁をレジスト領域に設けることが、たとえば半導体製造におけるアルミニウム蒸
着の際に通常行われているが、これは不要となる。

【００２９】 カラーフィルター薄膜システムの装着が低温で行われ、従ってその下に位置す
るリフトオフレジストパターンがさらされる温度負荷がそれに応じて少なくなる
ため−従って必要とされる温度耐久性が少なくてすむため−リフトオフ法は非常
に単純なものでよく、高温かつ腐食性が強い溶剤または超音波をリフトオフに使
用する必要はない。

【００３０】 上述の中間薄膜を使用するのが好ましく、これによって第一のフィルター薄膜
の反応型の析出によるリフトオフレジストに対するマイナスの影響、とくに反応
性のＡｒ−Ｏ₂−Ｈ₂Ｏプラズマによるレジストパターンの損傷が防止される。

【図面の簡単な説明】

各図の示す内容は次の通り。

【図１】 レジスト塗布され、パターン化され、被膜形成された基板の略図
で、妨害を受けた領域の発生を説明するものである。

【図２】 本発明の方法の実施に適したスパッター被膜形成装置の略図であ
る。

【図３】 本発明の方法の実施に適した装置、かつプラズマを利用する熱的
な蒸着のための装置の図であって、これも略図である。

【図４】 基板の上に装着されたレジストパターンと、その後の被覆形成に
よるレジストパターンの欠損の略図である。

【図５】 第４図と同様な略図で、第４図で説明したフォトレジストエッジ
の欠損を防止するため、レジストパターンとそれに続いて析出したフィルター薄
膜の間に中間薄膜を設けたもののを示す。

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１２年２月２８日（２０００．２．２８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジモッティ，マリア スイス、ツェー・ハー−7323 バングス、 ブンゲルトシュトラーセ、31 Ｆターム(参考） 2H048 BA03 BA52 BB02 BB14 BB42 GA60

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ある一つの基礎材の上にカラーフィルター薄膜システムパタ
   ーンを作成する方法であって、リフトオフ法により、レジスト薄膜面領域とレジ
   スト薄膜のない領域を持つパターン化されたレジスト薄膜をその基礎材上に装着
   し、次ぎにカラーフィルター薄膜システムを装着し、その後にレジスト薄膜面領
   域とともにその上の領域に装着されているカラーフィルター薄膜システムを除去
   する方法において、そのカラーフィルター薄膜システムの装着は、最高１５０℃
   までの温度でプラズマを利用して被膜形成することにより行うことを特徴とする
   方法。
2. 【請求項２】 この装着はスパッターまたはプラズマを利用する蒸着によっ
   て行うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 この装着は低圧電弧放電を利用して行うことを特徴とする、
   請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】 カラーフィルター薄膜システムの装着は最高１００℃までの
   温度で行うことを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法
   。
5. 【請求項５】 プラズマ生成はＤＣまたはＡＣを用いて、とくにはＲＦまた
   はパルス化された直流またはＡＣとＤＣを重畳したものを用いて行うことを特徴
   とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
6. 【請求項６】 カラーフィルター薄膜システムの少なくとも１つの薄膜の装
   着を反応ガス空気環境中で行うことを特徴とする、請求項１から４までのいずれ
   か１項に記載の方法。
7. 【請求項７】 カラーフィルター薄膜システムの第一の薄膜の装着を希ガス
   または酸素を含む空気環境中で行うことを特徴とする、請求項１から５までのい ずれか１項に記載の方法。
8. 【請求項８】 カラーフィルター薄膜システムが屈折率が高い方の薄膜と低
   い方の薄膜を備えることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記
   載の方法。
9. 【請求項９】 レジスト薄膜の第一の薄膜として光学的にほぼニュートラル
   な中間薄膜をかぶせ、この中間薄膜はその後に使用される被膜形成空気環境に対
   してレジスト薄膜より安定しており、好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍの厚さであり
   、さらに好ましくはＳｉＯまたはＳｉＯ_２からなることを特徴とする、請求項１
   から８までのいずれか１項に記載の方法。
10. 【請求項１０】 各薄膜の装着は好ましくは基礎材に垂直な薄膜物質衝突方
    向によって行われることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記
    載の方法。
11. 【請求項１１】 カラーフィルター薄膜システムの基板側の第一の薄膜が光
    学的にほぼニュートラルな薄膜であって、好ましくはＳｉＯ_２またはＳｉＯから
    なることを特徴とする、カラーフィルター薄膜システムのフィールドである基礎
    材の上に装着されたカラーフィルター面パターン。
12. 【請求項１２】 ＬＣＤ光弁プロジェクターまたはＣＣＤセンサーの色読み
    込みに用いるカラーフィルターを製造するために、請求項１から１０までのいず
    れか１項に記載の方法を用いること、または請求項１１に記載のパターンを用い
    ること。