JP5113879B2 - 干渉カラーフィルターのパターンを作製する方法 - Google Patents
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Description
本発明の課題は、前記の種類の方法を出発点として、上述の欠点を除くことである。
・従って被膜形成温度がはるかに低くなる。これはレジストの厚さが少なくてすむこと、通常のコスト上有利なレジストを使用できることになる。またレジスト厚さの削減が得られれば、これは第1図に示した妨害を受ける領域の範囲を減じることに直接つながる。
・別個のプラズマチャンバーで荷電粒子を生じることによってであれ、グリッドによって被膜形成室へと抽出することによってであれ、あるいは被膜形成室でプラズマを生じることによってであれ、要するに被膜形成にプラズマを利用することによって、高い密度のイオン流を基板に衝突させることができるようになり、これにより密で、光学的に安定したフィルター薄膜が実現される。
・影によって生じる妨害箇所の範囲は、コリメーターを備えるといった追加的な調整措置によって、あるいはイオン運動の静電気的な調整によって減じることができる。被膜形成チャンバー内の圧力もできるだけ低くし、中間の自由な飛程をそれに対応して長くする。
第2図は、本発明で採用したスパッター装置の第一の実施バリエーションの略図である。スパッターされる物質からなるターゲットを含むスパッター源10、たとえばマグネトロン源の上に、プラズマ13が維持される。供給される操作ガスAGのイオン、たとえばアルゴンが、ターゲットから主として中性のターゲット物質粒子Nをパルス伝送により打ち出す。この粒子は製造物15の上に堆積する。供給ユニット17の略図に示すようにこのプラズマは、スパッター源を介してDC出力により、またはパルス化された直流出力PLにより、または原則としてはDC出力とAC出力の重畳により、またはAC出力、とくには高周波出力RFにより操作される。この場合通常は非導電性の製造物基板15に誘電性の薄膜を析出することが論点なので、とくに次の方法を挙げておく。すなわちプラズマを直流で操作するが、第2図の19aと19bで概略を示すように、そしてその図の点線で暗に示すように、指定された時間区分において、好ましくは周期的に、プラズマを生じる電極を低抵抗で連結するという方法である。誘電性の薄膜により、そしてDCプラズマまたは基板バイアスを使用して、非導電性基板にプラズマを利用した被膜形成を行うことについては、下記を参照されたい:
EP−508359または
US−5423970
EP−564789または次のアメリカ合衆国出願
US SN 08/300865
US SN 08/641707
カラーフィルター薄膜の生成は、非反応型の方法で、すなわち操作ガスAGを使用するだけで、そして/または反応型のスパッタープロセス及びO2のような反応ガスRGを使用して行われ、たとえばいかなる薄膜物質を使用するかによって方法が異なる。その際本発明による被膜形成の温度を遵守する。リフトオフレジスト11を施した製造物15には最高150℃、好ましくは最高100℃とする。
−基板: ガラス
−フィルターパターン: 線条 160μm幅、
長さ20mm、間隔100μm
−レジスト薄膜厚さ: 3.2μm
−レジスト: Shipley 1045、6:1に希釈
−光学的フィルター薄膜: 1.5μm(第1図のd5)
−薄膜: SiO2/TiO2
−SiO2被膜形成プロセス: 反応型スパッター、装置はBAS 767
−供給源: Siターゲット
−スパッター出力: 6.4kW
−操作ガス: Ar
−反応ガス: O2
−操作ガス流量: 40sccm
−反応ガス流量: 50sccm
−速度: 0.3nm/sec
−TiO2被膜形成プロセス: 反応型スパッター
−供給源: Tiターゲット
−スパッター出力: 10kW
−操作ガス: Ar
−反応ガス: O2
−操作ガス流量: 40sccm
−反応ガス流量: 36sccm
−速度: 0.16nm/sec
−被膜形成温度: T≦80℃
結果:
レジストマスクと隣り合う
妨害を受けたゾーンの大きさ(第1図の1):≦10μm
フィルターのエッジの安定性: 20℃〜80℃において
エッジの移動≦1nm
この例の場合中間薄膜は使用しない。本来の被膜形成開始前に、プラズマにスイッチオンする。従ってレジストマスクはO2/Arプラズマと接触する。これによりレジストのエッジは欠損する。このためリフトオフ作業段階が困難になり、ないしは比較的厚いレジストマスクが必要となる。
−基板: ガラス
−フィルターパターン: 線条 10×10μm〜100×100μm
−レジスト薄膜厚さ(d): 0.5μm〜2μm
−光学的フィルター薄膜(d5):1.5μm
−レジスト: Shipley 1045、6:1〜1:1に希釈
−薄膜: 中間薄膜 SiO、厚さ10nm、
SiO2/TiO2
−被膜形成プロセス:SiO中間薄膜は非反応型で行いプラズマを利用しない。SiO2/TiO 2 はプラズマを利用する蒸着。装置はLEYBOLD APS 1100
SiO 非反応型、APSプラズマ源なし
−供給源 4孔るつぼつき電子ビーム気化器、SiO顆粒
−速度: 0.1nm/sec
−装置: BAS 767
−圧力: 1×10−5mbar。
SiO2:APSプラズマ源による反応型蒸着
−供給源 4孔るつぼつき電子ビーム気化器、SiO2顆粒
−速度: 0.6m/sec
APSプラズマ源:
−放電電流: 50A
−バイアス電圧: 150V
−U 陽極−陰極: 130V
−操作ガス: Ar
−反応ガス: O2
−操作ガス流量: 15sccm
−反応ガス流量: 10sccm
−総圧力: 3.5×10−3mbar
TiO2:APSプラズマ源による反応型蒸着
−供給源: 4孔るつぼつき電子ビーム気化器、
TiO2錠剤状素材
−速度: 0.3m/sec
APSプラズマ源:
−放電電流: 50A
−バイアス電圧: 110〜120V
−U 陽極−陰極: 100〜100V
−操作ガス: Ar
−反応ガス: O2
−操作ガス流量: 11sccm
−反応ガス流量: 35sccm
−総圧力: 4.2×10−3mbar
−被膜形成温度: T≦105℃
結果:
安定性: 20℃〜80℃において
スペクトル上のエッジの移動≦1nm
妨害を受けたゾーンの大きさ:<2μM。
Claims (11)
- ある一つの基礎材の上にカラーフィルター薄膜パターンを作製する方法であって、
リフトオフ法により、レジスト薄膜面領域とレジスト薄膜のない領域を持つパターン化されたレジスト薄膜を前記基礎材上に作製し、
前記レジスト薄膜のない領域および前記レジスト薄膜面領域上に、光学的にほぼニュートラルな中間薄膜を積層し、
次に前記中間薄膜上にカラーフィルター薄膜を作製し、
その後に前記レジスト薄膜面領域とともに前記レジスト薄膜面領域上に作製されているカラーフィルター薄膜を除去する方法において、
前記カラーフィルター薄膜の作製は、最高150℃までの温度で反応性プラズマを用いる蒸着で被膜形成を行い、
前記中間薄膜は、反応性プラズマを用いて蒸着するために、その後に適用する被膜形成空気環境に対して前記レジスト薄膜より安定しており、
前記中間薄膜は、非反応性の被膜形成工程によって作製され、かつSiOまたはSiO2からなることを特徴とする方法。 - 前記カラーフィルター薄膜の作製は、反応性スパッタまたは反応性プラズマ蒸着によって行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記カラーフィルター薄膜の作製はAPSプラズマを利用して行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記カラーフィルター薄膜の作製は最高100℃までの温度で行うことを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- プラズマ生成はDCまたはACを用いて、パルス化された直流またはACとDCを重畳したものを用いて行うことを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- プラズマ生成はRFを用いて行うことを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- カラーフィルター薄膜の第一の薄膜の作製を希ガスまたは酸素を含む空気環境中で行うことを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- カラーフィルター薄膜が屈折率が高い方の薄膜と低い方の薄膜を備えることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記中間薄膜は、5nm〜10nmの厚さであることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 各薄膜の作製は基礎材に垂直な薄膜物質衝突方向を主方向にして行われることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- LCDプロジェクターまたはCCDセンサーの色読み込みに用いるカラーフィルターを製造するために、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法を使用する方法。
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