TW420823B - Method for manufacturing a structure of color-filter-layer system as well as a color-filter-area structure - Google Patents
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Description
420823 A7 B7五、發明説明P ) 構配無再。真參 結分及,除在可 統S)圍後移術術 条1C範然圍技技 層hn積,範該種 色ec面統配於此 嫌 P 有条分由 , _ff磨層之是如 一 α 塗色統要例 造ft漆濾条主 。。 製11清一層,少64 上< 具配色術甚彳 底術並分濾技驟14 襯技,再之去步 g 在去層,上削理-3 種削塗後圍之處-A 一 以漆然範知的US 於則清,積習要號 關中之圍面為需編 係其性範層術所利 明,構層塗技施專 發法結塗漆種實國 本方 _ 漆清此内美 之一清將 空考 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具有一預定厚度,例如,4至6徹米Ub) =1Χ10Θ 米之光電漆或金颶層可析出削去殼模 (Lift-Off Shell Hold)並在其上面則具有一半厚度之一種電介質的干涉 式濾色層糸統濾色層条統在被析出之前則削去清漆在 真空氣體(Vacuue Atmosphere)内並在攝氏200度超過8 小時之長畤間内被硬化。削去清漆及其結構性之面積將 在濾色層糸統被析出之後在原來的削去步驟中用熱茬 [Zylene, C H4 (CH3 )2 ,二甲苯!而被移除。 顯而易見,削去清漆靨結構為一種昂貴的處理,而且 .為濾色層糸統用之析出方法,根本可完全使用蒸發方 式。為了確保析出条統層之足夠品質,則必須保持在攝 氏200度以上之蒸發溫度。位於其下面之清漆層因而必 須承受該溫度而無任何改變。 眈外,從恪文獻中,例如,從亞當·希格爾(Ada β Hilger)公司的馬克里約德(Η,Α. MALLE0D)所著之Μ薄膜 滅光 H ”(Thin-Fil* Optical Filters}, 1986年第二販 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V ; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) ^20823 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 ! 第 3 5 7頁至第4 0 5 頁 中 習 知 3 在 較 低 溫 度 中 所 m 發 之 光 1 1 1 S3 学 層 m 在 光 譜 方 面 並 不 穩 〇 其 光 譜 特 性 則 随 爆 境 溫 度 及 1 —[· 空 氣 濕 度 而 改 變 9 特 別 是 光 譜 待 性 之 截 割 及 截 止 邊 m 請 ! 1 會 使 光 譜 被 推 移 〇 若 具 有 足 夠 品 質 之 光 譜 穩 定 層 能 被 分 閱 讀 離 或 析 出 ♦ 則 必 須 選 擇 極 高 的 m 發 溫 度 * 此 外 > 亦 可 導 背 1 I 之 1 致 在 其 下 面 的 清 漆 被 聚 合 並 在 最 外 面 容 後 所 進 行 的 削 除 注 意 1 事 1 過 程 會 被 造 成 困 難 〇 反 之 則 試 圈 使 蒸 發 過 程 之 度 保 項 | 再 持 較 低 的 溫 度 則 如 在 前 面 所 提 及 9 在 其 邊 緣 上 刖 産 生 填 寫 本 έ 與 溫 度 及 濕 度 關 僳 m 大 的 光 譜 推 移 現 象 頁 i I 此 外 在 上 述 之 文 獻 中 所 建 議 在 真 空 中 使 清 漆 經 過 較 1 1 長 時 間 的 加 熱 亦 為 · 種 成 本 極 高 的 方 法 ) 而 且 ) 在 實 質 1 1 上 可 減 少 此 種 結 構 所 使 用 製 造 設 備 之 供 給 率 * 此 外 為 1 了 強 迫 被 保 持 在 相 當 高 溫 内 清 漆 之 溶 解 可 使 用 ___* 種 熱 ¥ 占J 1 (或二甲苯) , 認 識 産 生 癌 症 之 則 可 知 其 有 效 性 0 基 於 1 1 濾 色 層 % 統 是 在 攝 氏 2 00 度 以 上 的 溫 度 下 之 塗 層 方 法 ♦ 1 清 漆 層 是 在 能 忍 受 此 種 高 溫 之 情 況 構 成 故 必 須 準 備 溶 ! 1 劑 用 之 較 大 化 學 浸 蝕 面 積 以 供 容 後 移 除 清 漆 之 用 〇 因 此 .Λ 1 在 實 質 上 所 選 擇 清 漆 層 厚 度 大 於 在 其 上 面 所 沉 積 濾 色 I 層 % 統 之 厚 度 〇 此 種 情 況 則 産 生 較 大 干 擾 匾 - 若 緊 接 箸 1 1 在 清 漆 層 之 塗 漆 及 結 構 上 則 在 有 漆 及 無 漆 範 圍 内 析 出 ―一 I 濾 色 部 分 % 统 如 在 第 1 圔 中 所 示 » 由 於 清 漆 範 taat 圍 1 之 1 1 邊 緣 瘅 生 陰 影 f 因 而 在 濾 色 結 構 之 邊 m 範 圍 3 内 産 生 干 f 1 擾 區 在 該 區 内 濾 色 結 構 之 厚 度 小 於 在 未 被 干 擾 的 範 ran 圍 1 I 5 内 之 厚 度 〇 若 清 漆 厚 度 -4 d 愈 大 1 則 被 干 m 之 濾 色 結 構 I I 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 2 Π 8 ? 3 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Α7 Β7五、發明説明(々) 範園愈大。 在這方面則習知,襯底玻璃在前面所提及濾色層条統 在蒸發所需要之溫度下會牧縮,邸改變其外形。此種情 況會導致從撤鄰區域内析出之濾色層糸統産生不同的色 譜,諸如红,黃及藍即是,而且,在幾何形狀方面亦不 能精確地完成,因而,導致在不同色譜範圍内的過濾範 圍之間産生不清晰現象。 在上述之高溫下玻璃襯底亦會變_,特別是在顧及熱 交變應力下,諸如在削去技術中許多濾色屬条统之連鑛 析出期間。此種熱交變應力會導致所製造之結構在裂斷 強度 (Fracture Strength)上受到損害並因而赤使設備 之停頓機會增加》 另一種可代替的辦法是採用一種可耐所要求的蒸發溫 度之清漆,例如,在攝氏 30B度範圍内之溫度,此種清 漆不但昂貴而且加工亦很困難。 此外,亦可使用一種金颶製成之削去殼模,例如,該 殼模可用鉛或銘製成〇此種削去殼模之裝配一般必須在 一真空塗層步驟中完成,因而使其製造成本更昆貴^ 因此,本發明之目的是針對上逑種類之方法以消除上 逑各缺點。此種目的則在實施上述方法中按照申諳專利 範圍第1項之特徴部分而達成。 因而,則可能在濂色層糸統之析期間在實質上受到較 少的熱_力,換言之,遠在聚合溫度以下,諸如傳統的 感光漆即是。利用所建議之電漿促進之析出方法,其中-5 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(2丨Ο X 297公釐) 420823 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(4·) 襯底則被暴露在一種高離子撞擊之密度下,最好利用電 漿促進之蒸鍍(Vapor Deposition)或濺射(Sputtering) ,則在其上面形成濾光層並具有密度層及溫度和濕度穩 定之光譜持性。由於清漆在實質上受到的熱應力較少, 故其必要的熱抵抗力 (Theraa〗 Resistivity)荆産生決 定性的減少,此外,就其本身而言赤可導致在實質上清 漆之處理較短並可降低所要求的清漆厚度,使得按照第 1圖所示受到干擾範圍3之膨脹亦會降低。因此則可使 用傳统的感光漆並可藉一般溶劑之肋以供溶解削去部分 之用,所用之溶劑則如丙酮 (Acetone)或N -甲基啪咯烷 _ (NMP: N-Methyl-2-Pyrrolidone)即是。 根據本發明方法: •由於在實質上已産生降低的塗層溫度,因而導致必要 的清漆厚度之減少及一般成本較低的清漆之_用性。 清漆厚度之降低刖直接導致根據第1圈中所示干擾範 圍減少其膨膜。 •利用塗層之電漿促進,諸如在一分隔的電漿室内産生 電Μ粒子,利用右塗層室内之柵格或在塗層室内之電 漿産生而被抽取,則可實現在襯痣上以高密度之離子 流捧擊,因而則可實現緊密及光學穩定之遇濂層。 •由於陰影作用産生干镘位置之膨脹則可採取校正的措 施予以減少,諸如裝設準直儀(Collinator)或離子移 動之靜電調整(Electrostatic Adjustaent)均是β而 最可能的辦法是盡量在塗層室内使用低壓力,並具有 H·— Ek^i If I n^i ^ aj (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 420823 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( r ) 1 1 適 世 的 較 大 平 均 白 由 路 線 長 度 〇 1 1 若 未 採 取 額 外 的 校 ΊΕ 措 施 J m 可 使 用 噴 鍍 (s F ^ u t t e r ) 1 方 式 根 據 第 1 Η 所 産 生 之 干 擾 範 圔 3 具 有 約 5 * d之 膨 請 1 先 1 m 9 而 在 電 漿 促 進 方 法 中 並 在 多 次 校 正 之 後 可 降 低 至 大 鬩 ik | 約 1 *d。 而根據本發明則d 之數值已變為棰小。 背 I 之 1 用 作 噴 鍍 或 m 射 之 一 種 多 次 校 TE 塗 層 方 法 則 為 電 漿 促 注 意 1 事 1 進 之 蒸 發 (Εν ap 0 Γ a t 1 0 π) * 其 中 則 如 —*. 般 所 習 知 y 材 科 項 再 1 是 從 一 Μ 發 坩 堝 中 加 熱 而 被 蒸 發 在 處 理 氣 體 内 例 50 9 填 寫 本 ά 可 利 用 電 子 波 束 ( E 1 e c t r 0 Ώ B e a η) 蒸 發 9 其 中 則 在 處 理 頁 1 I 氣 體 内 受 到 電 漿 之 促 進 〇 因 而 使 陰 影 之 問 題 可 更 進 __- 步 1 1 被 消 除 , 而 且 > 亦 可 能 使 濾 色 層 % 統 結 構 僅 具 有 極 小 的 1 1 m 脹 並 以 較 高 的 效 率 而 被 析 出 〇 1 訂 所 建 議 的 方 法 待 别 適 用 於 液 晶 顯 示 (L CD : Li gu id 1 C r y s t a 1 D i sp 1 a y)投 射 機 及 電 荷 m 合 元 件 (C CD : Ch a r ge 1 t C ο up 1 e d D e v i c e )感澜器。 1 I 本 發 明 當 參 照 附 圈 並 以 實 例 方 式 詳 述 於 後 ο 1 1 m 式 簡 DD 単 說 明 如 下 | 第 1 画 係 塗 漆 並 具 有 結 雄 的 包 覆 襯 底 之 示 意 圖 以 説 t 明 所 形 成 之 干 擾 範 圍 0 1 1 第 2 圖 僳 實 施 本 發 明 之 方 法 並 適 用 在 噴 鍍 層 設 備 上 之 I 示 思 m 〇 1 1 第 3 圖 % 適 於 實 施 本 發 明 的 方 法 之 設 備 以 供 庵 生 電 漿 1 1 促 進 的 熱 蒸 發 之 用 9 本 画 示 以 示 意 顯 顯 示 〇 1 I 第 4 _ 傜 在 襯 底 上 所 -7 分 配 之 清 漆 結 構 及 其 隨 後 塗 層 1 1 1 i 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(23〇X 297公嫠) 420823 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A7 B7五'發明説明(h ) 磨圆之示意_ 〇 第5圖像輿第4 _相似,在清漆結構及隨後所析出的 過濾層之間另裝設一中間層以避免如第4團中所示在威 光漆邊緣上之磨圓過程。 在第2圖中為根據本發明所使用噴鍍設備的第一實例 之示意圖,從一濺射源10内對目標濺射之材料,諸如一 磁控源(Magnetron Source)即是,可保持一種電漿13β 所輪入之工作氣體AG之離子諸如氬氣(Ar)之離子則利用 昵衝之傳通(Inpulse Transfer)而衝擊在目標上主要可 從目標内將中性的目標材料之粒子N釋放,各粒子N則 沉穡在工件15上面。如在示意圖中所示,在餚電單元17 上電漿可經由醆射源(Sputter Source)直流(DC)或藉一 眤動的直流電醱PL之肋或基本上借肋於蠱加的直流(DC) 及交流(AC)或以交流(AC>,特別是以射頻(RF)之功率來 驅動。基於在本情況中在一般非傳導工件襯底15上所關 心析出之電介質_ 1 5刖特別顯示其可能性,電漿可藉直 流電壓之肋而被_動,然而,各電漿之産生電棰朗如第 2圖中之示意圖所示之19a及19b,又如在圖中以虛線所 示,在預定的時間週期内,最好以遇期方式與低電胆相 連接6有關具有電介質層之非傳導襯底上的電漿促進之 塗層並使用直流<DC)電漿或襯底偏壓(Substrate Bias) 則可參者以下各文獻: -英國專利编號EP-508 359或 美國專利编號DS-5 423 970; -8 ~ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A20823 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(?) —英國專利编號EP-564 789或美國專利申請案 美画專利序號US SS 08/300865 美國專利序號US SN 08/6 41707 濾色層条統之各層可能採用無反應(Nor- Reactive) ,卽除了使用工作氣體AG之外及/或採用一種反鼴的濺 射過程及應用一種反鼴氣體R6,諸如氣氣 (〇2)而商生 艏完兮視所使用之塗層材料而定。因而,根據本發明對 具有削去清漆之工件〗5在塗層上之溫度最高可達攝氏 150度,而以最高溫度保持在攝氏100度為宜。 基於離子之高_擊密度則可實現緊密的各層,其光譜 特性則在環境溫度及空氣濕度之變化下亦很難改變β 若未採取其他的校正措施,如瞄準器(Colliaatoi·)之 提供,則_於應用在根據本發明之各濺射層(Sputtering Coat),其中根據第1圏之千優範圍3刖具有可容忍之 膨眼大約為5*de 在第3圈中,為與第1圖相似之示意圖並代表根據本 發明所使用方法中之第二實施例,換言之,為一種電漿 促進或離子促進之蒸發。例如,可藉一電子波束 (1Π e c t r ο η B e a B ) 2 3及/或一加熱器2 5之助使坩堝2 7内 之材料被蒸發。在本實例中亦再次構成一饋電單元28, 該單元可接受所發出之信號,與在第2圏中所示之餚電 單元U相類似,而在坩堝27的上面則保持一緊密的電漿 21在本實例中,各工件最奸能安裝在一旋轉驅動之支 座球狀藤痕上,而其球心則為蒸發源2 7之中心Ζ β在該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣隼(CNS ) Α4規格(2i〇X29?公釐) 420823 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 例 中 其 最 高 溫 度 亦 被 保 持 在 攝 氏 1 50度 〇 在 該 校 1E 之 1 1 I 方 法 中 亦 可 能 在 除 去 清 漆 結 構 上 塗 層 9 該 結 構 則 具 有 過 1 濾 m % 統 並 根 據 第 1 團 産 生 所 要 求 之 干 擾 範 圍 3 9 而 請 ί 先 1 其 膨 m 則 大 約 在 i*d上或更低。 閱 讀 背 1 第 4 圈 為 一 放 大 圖 9 以 顯 示 在 襯 底 30 上 之 除 去 淸 漆 結 I 之 1 I 構 3 2 〇 在 其 上 面 則 顯 示 電 漿 促 進 的 離 析 方 法 之 電 漿 34的 注 意 玄 ! 1 示 思 圖 〇 若 在 第 4 圖 中 以 虛 線 所 示 的 濾 色 層 % 統 之 第 一 Ψ 項 再 1 層 31像 利 用 一 種 反 應 過 程 而 被 分 配 > 特 別 是 y 在 m 用 離 4 寫 本 裝 I 子 化 之 氣 氣 而 舖 設 該 第 一 層 y 則 在 位 置 3 5上 以 示 意 _ 所 頁 1 1 顯 示 之 除 去 清 漆 結 構 待 别 在 其 邊 緣 範 圍 内 受 到 一 種 激 1 1 I 發 的 反 m 氣 體 之 侵 蝕 , 如 曾 特 別 提 及 之 0 2或在電漿内 1 1 之 活 化 0 2及/ 或在剩餘氣體中從B 2 〇分裂之〇 2 均 是 1 訂 與 此 -far 撕 鬪 之 第 一 可 能 性 則 在 於 濾 色 囑 条 統 之 第 一 _ % 1 I 以 非 反 應 方 式 而 被 分 配 > 從 第 2 1st _ 或 第 3 m 中 則 一 百 了 1 1 * 可 專 門 採 用 工 作 氣 體 之 氬 氣 (A r ) 〇 此 外 > 塗 層 材 料 可 1 I 首 接 被 用 作 標 或 蒸 發 源 材 料 ο 1 i 根 據 第 5 圖 i 較 佳 的 第 _, 可 能 性 m 在 於 分 配 濾 色 層 % Γ 統 的 第 ___- 層 3 1 之 前 9 在 除 去 清 漆 結 構 上 分 配 一 層 中 間 靥 1 該 中 間 層 為 一 光 波 寬 頻 帶 及 最 廣 泛 無 損 失 之 傳 輪 * 邸 1 1 光 學 中 性 而 附 著 良 好 之 中 間 溢 ΓΒ ί 並 可 用 作 保 護 層 並 保 留 | 在 随 後 之 過 程 内 〇 在 第 5 圓 中 所 示 之 中 間 層 45具 有 5 至 ! | 1 0 毫 撤 米 ( nm n a η 〇 οι e t e Γ = 1 〇 9 米或十億分之- -米) 之 ^ 1 1 厚 度 由 S ] 0或S i 0 2 所 組 成 * 在 激 HU, m 的 離 子 化 皮 應 氣 am 歷 1 I 中 特 别 是 剩 餘 氣 m IJ»i. 中 之 〇 ί !或 Η ί 0並 不 受 到 化 B3 学 性 之 1 I -1 0- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0乂297公釐) 420823 A7 B7 五、發明説明(9 ) 侵餘。 濾色層 ,該層 4 5亦可 用下被 第一較 折射層 玆以 構之結 實—M 二— -襯 _滅 在第5國中以虛線所標示之塗層31為稍後所分配 条統之第一旋光層(First Optical Active Layer) 則可利用一種反痛過程而被分配。此外,中間靨 由 Si02組成,該層係在無反作用或僅在弱反作 祈出。一層 3102之中間層則構成濾光層糸統之 低折射層(Refractive Layer)及緊接替之各較离 實例方式説明所使用之塗層方法及所産生濾色結 果如下: 底: _结構: 清漆層厚度: 清漆: 濾光曝条統: 塗層糸統: 塗靨滿稃S ; 0 玻璃 過濾帶160微米U *)寬 20公厘長,100撤米(;ue)距離 3 . 2微米 Shipiey 1045,稀釋 6:1 1 . 5微米(第1圈之d s ) S i0 a / T i0 a 反_睡齡射).玢備BAS 7R7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 濺射源: 潮射功率: 工作氣體 反應氣體 通置工作氣體: 通星反鼴氣_ :
Ti目標 10仟瓦(kW) 氬氣(A r ) 氣氣{ 〇 2 > 40平方公分秒(caa sec) 50平方公分秒(c·2 sec) 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 420823 A7 B7 五、發明説明(、。) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -速率: _塗層過程Ti〇2 -濺射源: -濺射功率: -工作氣體: -反應氣體: -通量工作氣 -通量反_氣 -速率: -塗層溫度: 结i 干擾匾之大小 在清漆殼模旁 濾色層在邊緣 在該實例中則 接通,因眈清漆 緣被磨圓,否則 必要的清漆殼模 實 1-:」.一 -襯底: -濾層結構: -清漆層厚度 -濾光層(d s G . 1 6毫榭米/秒(n B :度噴鍍(濺射) Ti目標 1 0仟瓦(kW> 氬氣 氣氣 體:4 0平方公分秒 ϋ : 3 6平方公分秒 0 .〗δ毫微米/秒 Τ £裼氏80度 10e 米) 邊(第1圖之位置1 ):笤10撤米(#供) 上之穩定性:S1毫微米(na),在攝氏20 度至攝氏8 0度間邊緣移動 放棄中間層,在原來塗層之前則與電漿 殼楔則與〇2/ Ar接觸,因而清漆之邊 該部分則使除去步驟中較為困難或使所 相當厚。 玻璃 過濾帶10X 1G微米至1G0X 1〇β橄米 (d) : fl . &撤米-2橄米 ): 1 . 4撤米 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐) (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 420823 A7 B7五、發明説明(、| ) -清漆: Sflipley 1045,稀釋 6:1至 1:1 -塗層系統: 中間層SiO/ 1Q毫撤米厚 S i 0 2 / T i 0 2 —二_S i 0 a中間層無雷漿促谁之非反應 M , AiiL^^J.LiL2L^AJ〇gLJ£_lt_^ M Ά LEYBQLD APS1XQ 0...( APS: Accessory Power Supply 輔助電源) S: i姚反崖―一崑—齓1潘_置丄让^上置兔源」_— -濺射源: 具有四孔坩堝之電子噴射蒸發器, 及S10粒子 -速率: 〇 . 16毫撤米/秒 -設備: BAS 767 -壓力: 1*105 毫巴(abar = 10s bar) Sin〇:县有酺肋雷潲(APS)之雷聰滙 射率: 具有四孔坩堝之電子噴射蒸發器, 及Si 0 2粒子 -速率: 〇 . 6公尺/秒 随1 鬣 1 ii_pmn— -放電電流 50安培 -偏颳電隱 1 5 〇伏特 -陽極-陰楝電® : 1 3 0伏待 -工作氣體: 氬氣Ur ) -反暱氣體: 氣氣(〇2) -通量工作氣體:15平方公分_秒((;*2 sec) -1 3 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I ✓ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(BOX297公釐) 420823 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(7 ) -通暈反應氣體:10平方公分秒(cm2 sec ) -總壓力: 4.2*lfl3 毫 S (mbar) -塗層溫度: T盖攝氏105度 结 穩定件: <1毫撤米(η*〇,在攝氏20度至 攝氏8 fl度間遴緣移動 干擾區之大小0) : < 2撤米(# κ) 利用本發明所採取之措施,刖可能使像元結構(Pixel S t. r u c t » r e ),持別是,諸如液晶顯示{ L C D )光活瓣投射機 (Light Valve Projector)及電Μ耦合元件戲澜器(CLD Sensor)之製造成本低並具有較小的廢料比率,因此, 對環境之改變,特別是,溫度及濕度之改變並不影轚光 譜之最大穩定件^尤其是,前商_提及中間層之使用則 使濾色条統可在襯底上産生特別良好之黏箸或接合。而 必要削去之清漆層則在實質上比在其上面所分配雙倍厚 度之濾色層条統較薄。諸如在半導體製造中之鍍鋁,一 般均在清漆範阐内装設外伸之御壁,而在本發明之濾色 結構中刖不必要。 由於濂色層条統之塗層是在低溫下完成,因而在其下 商之削去清漆結構所受到的溫度負荷較小-必須具有搔 小的®度m力-因而可使削去技術持别簡化,在削去過 程中不必使用高溫及最大侵蝕性之溶劑或超音波。 前而所提及中間層之應用可避免在第一濾層之反應析 出期間對削去清漆上産生不良影瘅,待別是,由於反應 的Ar- 02 -H2 0電漿而使清漆結構之邊緣受到損害。 -1 4 - (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 420823 B7 五、發明説明(丨> ) 主要元件符號說明: 3 干擾範圍 10 濺射源 11 除去淸漆結構 13 電漿 15 工件 17 饋電單元 19a,19b 電極 23 電子波束 2 4 電漿 25 加熱器 2 7 坩堝 3 0 襯底 3 1 第一層 32,35 除去淸漆結構 45 中間層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線! 本舐張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐)
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 補充 420823 申請專利範圍 第881 〇2 4 〇4號「製造濾色層系統結構所用之方法及濾色面 積結構」專利案 (89年9月修正) 7\申請專利範圍: 1. 一種在襯底上製造濾色層系統結構所用之方法,其係 在該襯底上以削去技術分配一層結構化之淸漆塗層並 具有淸漆塗層面積範圍及無清漆塗層範圍,然後,再 分配一濾色層系統,然後,再將濾色層系統之位於淸 漆塗層面積範圍上所分配範圍去除,其特徵爲:濾色 層系統之分配是利用電漿促進之塗層而在最高150t 時進行。 .2.如申請專利範圍第1項之方法,其中分配方式是利用 濺射或電漿促進之蒸發而完成。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中分配方式是利用 一種低壓電弧放電(Low Voltage Arc D丨scharge)之促 進而完成。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中濾 色層系統之分配是在最高爲1〇〇 °C時完成》 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中電 漿之產生是藉直流或交流電1特別是藉射頻(RF)或脈 衝之直流電壓或疊加的交流及直流電而完成。 6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中濾 色層系統中至少一層之分配是在反應氣體中完成。 7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中濾 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X2W公嫠) 裝-----訂------線— J '言 (請先閱讀背面之注意事項再4寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 A8 經濟部智慧財產局—工消費合作社印製 A rj ^ Q iL U C / C8 D8 六、申請專利範圍 色層系統之第一層之分配是在鈍氣(Inert Gas)或含氧 之氣體中完成。 8. 如申請專利範圍第4項之方法,其中濾色層系統之第 —層之分配是在鈍氣(Inert Gas)或含氧之氣體中完 成ϋ 9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法·其中濾 色層系統包含一些具有較高折射率(Refractive Index) 之層及具有一些較低折射率之層。 10. 如申請專利範圍第6項之方法,其中濾色層系統包含 一些具有較高折射率(Refractive Index)之層及具有一 些較低折射率之層》 11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中在 淸漆層上施加一中間層以作爲第一層,該中間層實質 上是光學中性層且對緊接著所使用之塗層氣體而言比 淸漆層更爲穩定,該中間層最好爲5毫微米(nm)至10 毫微米(ηιη)之厚度並由SiO或Si02所構成。 12. 如申請專利範圍第7項之方法,其中在淸漆層上施加 —中間層以作爲第一層,該中間層實質上是光學中性 層且對緊接著所使用之塗層氣體而言比淸漆層更爲穩 定,該中間層最好爲5毫微米(nm)至10毫微米(nm) 之厚度並由SiO或Si02所構成。 这如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法’其中各 層之分配是在與襯底垂直之塗層材料的投入方向中完 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X2W公i > -----IU----裝-----訂------線— I (請先閱讀背面之注$學項再填寫本頁) A8 B& C8 D8 420823 夂' 申請專利範圍 成。 14. 如申請專利範圍第6項之方法,其中各層之分配是在 與観底垂直之塗層材料的投入方向中完成。 15. 如申請專利範圍第7項之方法,其中各層之分配是在 與襯底垂直之塗層材料的投入方向中完成。 16. 如申請專利範圍第11項之方法,其中各層之分配是在 與襯底垂直之塗層材料的投入方向中完成。 17· —種濾色面積結構,其保分配在襯底上以作爲濾色層 系統的陣列(Array),其特徵爲:濾色層系統之面對襯 底的第一層’實質上爲光學中性層,其最好由8102或 S i 0所構成。 (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 線 蛵4部智慧时產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X2W公f )
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH00417/98A CH693076A5 (de) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Verfahren zur Herstellung einer Farbfilterschichtsystem-Struktur auf einer Unterlage. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW420823B true TW420823B (en) | 2001-02-01 |
Family
ID=4186565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088102404A TW420823B (en) | 1998-02-20 | 1999-02-19 | Method for manufacturing a structure of color-filter-layer system as well as a color-filter-area structure |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6468703B1 (zh) |
EP (2) | EP1057052B2 (zh) |
JP (3) | JP2002504699A (zh) |
CH (1) | CH693076A5 (zh) |
DE (1) | DE59908652D1 (zh) |
ES (1) | ES2214837T3 (zh) |
HK (1) | HK1034118A1 (zh) |
TW (1) | TW420823B (zh) |
WO (1) | WO1999042864A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH693076A5 (de) * | 1998-02-20 | 2003-02-14 | Unaxis Trading Ag | Verfahren zur Herstellung einer Farbfilterschichtsystem-Struktur auf einer Unterlage. |
DE102004034419B4 (de) * | 2004-07-15 | 2009-05-07 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung mehrlagiger, strukturierter Farbfilter |
DE102004034418B4 (de) | 2004-07-15 | 2009-06-25 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung struktuierter optischer Filterschichten auf Substraten |
DE102009034532A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-02-03 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat |
WO2012162880A1 (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | 一种反射式彩色滤光片 |
CN102590917B (zh) * | 2012-03-12 | 2014-05-14 | 杭州麦乐克电子科技有限公司 | 3.65微米至5微米宽带红外滤光片 |
US10197716B2 (en) | 2012-12-19 | 2019-02-05 | Viavi Solutions Inc. | Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method |
KR102465995B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-11-25 | 삼성전자주식회사 | 색분할기 구조와 그 제조방법, 색분할기 구조를 포함하는 이미지센서 및 이미지센서를 포함하는 광학장치 |
US11156753B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-10-26 | Viavi Solutions Inc. | Optical filters |
JP6847996B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2021-03-24 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | 金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914464A (en) * | 1971-04-19 | 1975-10-21 | Optical Coating Laboratory Inc | Striped dichroic filter and method for making the same |
US3771857A (en) † | 1971-04-19 | 1973-11-13 | Optical Coating Laboratory Inc | Striped dichroic filter and method for making the same |
JPS50147339A (zh) * | 1974-05-16 | 1975-11-26 | ||
US3996461A (en) * | 1975-03-31 | 1976-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Silicon photosensor with optical thin film filter |
US4155627A (en) * | 1976-02-02 | 1979-05-22 | Rca Corporation | Color diffractive subtractive filter master recording comprising a plurality of superposed two-level relief patterns on the surface of a substrate |
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JP3829412B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2006-10-04 | Jsr株式会社 | カラーフィルタ用感放射線性組成物 |
CH693076A5 (de) * | 1998-02-20 | 2003-02-14 | Unaxis Trading Ag | Verfahren zur Herstellung einer Farbfilterschichtsystem-Struktur auf einer Unterlage. |
-
1998
- 1998-02-20 CH CH00417/98A patent/CH693076A5/de not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-21 ES ES99900426T patent/ES2214837T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-21 DE DE59908652T patent/DE59908652D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-21 EP EP99900426A patent/EP1057052B2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-21 JP JP2000532744A patent/JP2002504699A/ja active Pending
- 1999-01-21 WO PCT/CH1999/000026 patent/WO1999042864A1/de active IP Right Grant
- 1999-01-21 EP EP04000793.2A patent/EP1437606B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-19 TW TW088102404A patent/TW420823B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-08-18 US US09/641,486 patent/US6468703B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-04 HK HK01103858A patent/HK1034118A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-07-25 US US10/205,088 patent/US6879450B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-10 US US11/076,691 patent/US7632629B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-14 JP JP2009237488A patent/JP4871987B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-05-21 JP JP2010117421A patent/JP5113879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1437606A2 (de) | 2004-07-14 |
EP1057052B8 (de) | 2004-03-10 |
JP4871987B2 (ja) | 2012-02-08 |
JP2010009078A (ja) | 2010-01-14 |
ES2214837T3 (es) | 2004-09-16 |
DE59908652D1 (de) | 2004-04-01 |
EP1057052B2 (de) | 2010-07-21 |
US20020196568A1 (en) | 2002-12-26 |
US6468703B1 (en) | 2002-10-22 |
JP2002504699A (ja) | 2002-02-12 |
JP5113879B2 (ja) | 2013-01-09 |
US20050157414A1 (en) | 2005-07-21 |
US6879450B2 (en) | 2005-04-12 |
EP1057052B1 (de) | 2004-01-21 |
WO1999042864A1 (de) | 1999-08-26 |
EP1437606B1 (de) | 2018-07-18 |
EP1437606A3 (de) | 2004-12-08 |
HK1034118A1 (en) | 2001-10-12 |
US7632629B2 (en) | 2009-12-15 |
EP1057052A1 (de) | 2000-12-06 |
CH693076A5 (de) | 2003-02-14 |
JP2010250329A (ja) | 2010-11-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |