JP2014148706A - 薄膜付き基板の製造装置及び製造方法、並びに転写用マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低欠陥で高品質な薄膜付き基板を製造できる薄膜付き基板の製造装置及び製造方法、並びに高品質な転写用マスクを製造できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】真空排気装置を用いて真空状態に保持可能な真空チャンバー２と、チャンバー２内に位置し、絶縁性基板１４の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲット７、８を保持するスパッタリングターゲット保持手段６と、この保持手段６により保持されているスパッタリングターゲット７、８に衝突させる粒子を供給する供給源５と、真空チャンバー２内に位置し、粒子との衝突によってスパッタリングターゲット７、８から叩き出されたスパッタ粒子を絶縁性基板１４の主表面に成膜させるように基板１４を保持する基板保持手段３と、基板保持手段３に保持された絶縁性基板１４の主表面またはその上の薄膜を除電させる除電手段１３を備えて製造装置１を構成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、真空状態においてスパッタリング法により基板の主表面上に薄膜を成膜して薄膜付き基板を製造する薄膜付き基板の製造装置及び製造方法、並びに、基板上に成膜された薄膜をパターニングして転写用マスクを製造する転写用マスクの製造方法に関するものである。

近年における超ＬＳＩデバイス等の高集積回路の高密度化、高精度化により、転写用マスク及びこれに使用される薄膜付き基板に対して様々な要求がなされている。
ここで、従来の薄膜付き基板を製造する技術として、例えば特許文献１乃至３に示されるように、イオンビームスパッタリング法を用いて、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet：極短紫外）リソグラフィー用マスクブランク、およびＥＵＶリソグラフィー用マスクを製造する技術が知られている。これらの技術では、スパッタリングターゲットと成膜用基板とをチャンバー内にそれぞれ収容して真空状態に保持する。そして、チャンバー壁面に取り付けられたイオン源からスパッタリングターゲットにイオンビームを入射し、ターゲットを構成する材料の原子をその表面からスパッタさせることで、スパッタされた原子を基板に付着させて、基板上に単一層若しくは複数層で構成される薄膜を形成している。

また、例えば特許文献４に示されるように、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する技術も知られている。この技術では、ＤＣ電源に接続されたスパッタリングターゲットと、成膜用基板とをチャンバー内にそれぞれ収容して真空状態に保持する。そして、チャンバー内に放電用ガスを導入して放電させ、放電したガス成分の粒子をスパッタリングターゲットに入射させ、ターゲットを構成する材料の原子をその表面からスパッタさせることで、スパッタされた原子を基板に付着させて、基板上に薄膜を形成している。

国際公開第２００６／０４９０２２号公報 特許第４８５８５３９号公報 特開２００９−２７２３１７号公報 特許第４１３７６６７号公報

本発明者は、以下の点を解決すべき課題として認識していた。
上述した特許文献１〜４等に記載の成膜用基板は、合成石英ガラスやＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス等の絶縁性材料で構成されている。そして、かかる成膜用基板は、非常に帯電し易い性質を有しており、真空チャンバー内に導入する前に成膜用基板から静電気を除去しておいても、真空チャンバー内に取り付ける際に帯電することがある。
また、成膜工程中において、スパッタリングターゲットに入射した粒子が、帯電した状態のまま、ターゲットを構成する材料の原子とともに、基板の主表面または主表面上の薄膜に到達し、基板表面を帯電させることがある。この際、特にイオンビームスパッタリング法においてはイオンビーム中に電子を放出し、イオンビームの電気的な中性化を図っているが、正負の電荷を完全にバランスすることは難しい。よって、成膜中の帯電という現象は、基板を真空チャンバー内に導入してから成膜する過程において積極的に除電を行わない限り不可避な現象であると本発明者は考えた。そして、帯電した基板の主表面または主表面上の薄膜に対して成膜処理を行うと、真空チャンバー内の帯電した不純物が基板の主表面又は主表面上の薄膜表面に引きつけられて付着することがあり、成膜用基板の品質を損なう要因となることを本発明者は見出した。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、帯電した不純物が成膜工程において基板の主表面または主表面上の薄膜に付着することを防止して、低欠陥で高品質の薄膜付き基板を製造することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）真空排気装置を用いて真空状態に保持可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に位置し、絶縁性基板の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲットを保持するスパッタリングターゲット保持手段と、前記スパッタリングターゲット保持手段により保持される前記スパッタリングターゲットに衝突させる粒子を供給する供給源と、前記真空チャンバー内に位置し、前記粒子との衝突によって前記スパッタリングターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記絶縁性基板の主表面に成膜させるように前記絶縁性基板を保持する基板保持手段と、を備えた薄膜付き基板の製造装置であって、前記基板保持手段に保持される前記絶縁性基板の主表面または該主表面上の薄膜を除電させる除電手段を備えていることを特徴とする薄膜付き基板の製造装置。

（構成２）前記除電手段は、光照射除電方式のイオナイザーであり、前記真空チャンバー内に前記真空状態において除電用ガスを供給する除電用ガス供給手段を備えることを特徴とする構成１記載の薄膜付き基板の製造装置。

（構成３）前記スパッタリング装置はイオンビームスパッタリング装置であり、
前記供給源は、プラズマから引き出されたイオンをイオンビームとして前記スパッタリングターゲット上へ照射するイオン源であることを特徴とする構成１又は２記載の薄膜付き基板の製造装置。

（構成４）前記除電手段は、光照射除電方式のイオナイザーであり、
前記イオン源の供給口が前記真空チャンバー内に位置し、
前記イオン源内のガスが、除電用ガスとして前記供給口から前記真空チャンバー内に供給されることを特徴とする構成３記載の薄膜付き基板の製造装置。

（構成５）前記スパッタリング装置はマグネトロンスパッタリング装置であり、
前記供給源は、イオン化させた元素をスパッタリングターゲットに衝突させるための電源であることを特徴とする構成１又は２記載の薄膜付き基板の製造装置。

（構成６）絶縁性基板の主表面上にスパッタリング法により薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、前記絶縁性基板を真空状態において保持する工程と、前記絶縁性基板の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲットを前記真空状態において保持する工程と、前記スパッタリングターゲットからスパッタ粒子を叩き出して前記絶縁性基板の主表面に成膜させるように、前記スパッタリングターゲットに衝突させる粒子を供給する工程と、前記真空状態において保持されている前記絶縁性基板の主表面または該主表面上の薄膜を除電する工程と、を備える、薄膜付き基板の製造方法。

（構成７）前記除電する工程は、前記薄膜を成膜する前、及び／又は、成膜段階の少なくとも一部で、行うことを特徴とする構成６記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成８）前記基板主表面または該主表面上の薄膜に対し、前記真空状態で除電用ガスが供給されている状態において、真空紫外線の光を照射して除電させることを特徴とする構成６または７記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成９）前記薄膜を、複数層積層させることを特徴とする構成６乃至８のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成１０）前記薄膜を複数層積層させる間に、前記基板主表面または該主表面上の薄膜を除電させることを特徴とする構成９記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成１１）前記スパッタリング法は、プラズマから引き出されたイオンをイオンビームとして前記スパッタリングターゲット上へ照射するイオンビームスパッタリング法であることを特徴とする構成６乃至１０のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成１２）前記除電する工程は、光照射除電方式により行われ、
前記粒子を供給する工程で用いられるガスが、除電用ガスとして前記絶縁性基板が保持されている前記真空状態下にもたらされることを特徴とする構成１１記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成１３）前記絶縁性基板は、半導体装置、表示装置のいずれかの製造に使用されるマスクブランク用ガラス基板であって、前記薄膜はマスクブランクにおける所定の光学特性を有する薄膜であることを特徴とする構成６乃至１２のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。

（構成１４）構成１２記載の薄膜付き基板の製造方法により得られた薄膜付き基板における前記薄膜は、少なくとも転写パターン形成用薄膜を有し、前記転写パターン形成用薄膜をパターニングして前記絶縁性基板の主表面上に、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

本発明に係る薄膜付き基板の製造装置及び製造方法によれば、前記絶縁性基板を真空状態に保持するとともに、前記絶縁性基板の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲットを前記真空状態において保持し、前記真空状態において保持されている前記絶縁性基板の主表面または主表面上の薄膜を除電することで、前記絶縁性基板の主表面または主表面上の薄膜の帯電を防止できる。従って、帯電した不純物が基板の主表面または主表面上の薄膜に付着することを防止でき、低欠陥で高品質の薄膜付き基板を製造することができる。

本発明の実施の形態１による薄膜付き基板の製造装置を示す平面図である。 本発明の実施の形態２による薄膜付き基板の製造装置を示す正面図である。 本発明の実施の形態３による薄膜付き基板の製造装置を示す部分平面図である。

実施の形態１．
本発明の実施の形態１による薄膜付き基板の製造装置１であるイオンビームスパッタリング装置について、図１を用いて説明する。
図１の平面図において示されるように、本発明の実施の形態１による薄膜付き基板の製造装置１は、平面視略矩形状の真空チャンバー２を備えている。真空チャンバー２の一方の短手面（図１の下辺を一辺とする壁面。以下、説明の便宜上、適宜「下側短手面」という）には、ホルダー取付ロッド４を介して基板ホルダー３が配設されている。基板ホルダー３は、詳細を後述する基板１４を保持した状態で自転できるように構成されている。また、基板ホルダー３は、隅部に押えピン１８が設けられたトップクランプ１７を備えている。基板１４は、基板ホルダー３上に配置されてから、基板１４主表面の隅を押えピン１８で押える形でトップクランプ１７によってクランプされる。トップクランプ１７は、基板ホルダー３とともに基板１４を保持する機能を有するとともに、基板１４側面への膜付着に対するシールドとしても機能する。トップクランプ１７の材料は、基板１４を押さえて発塵を抑制する観点から、絶縁性の材料、例えば、樹脂製のものが好ましい。さらに、樹脂の中でも、比較的高度の高い材質が好ましく、例えば、ポリイミド系樹脂が特に好適である。

また、真空チャンバー２の他方の短手面（図１の上辺を一辺とする壁面。以下、適宜「上側短手面」という）付近には、平面視略矩形状の基台６が、基板ホルダー３に対向するように配設されている。基台６の一方の長辺側（一方の長辺を含む面）には、第一スパッタリングターゲット７が配設され、基台６の他方の長辺側（他方の長辺を含む面）には、第二スパッタリングターゲット８が配設される。第一スパッタリングターゲット７、第二スパッタリングターゲット８を構成する材料としては、マスクブランクにおける所定の光学特性を有する薄膜を成膜するため、金属、合金、非金属又はこれらの化合物を使用することができる。上述の所定の光学特性としては、反射率、透過率等である。本実施の形態１のイオンビームスパッタリング装置を使用して成膜される好適な薄膜としては、高屈折率材料と低屈折率材料を交互に積層した多層反射膜がある。この場合、第一スパッタリングターゲット７を構成する材料としては、Ｓｉ又はＳｉ化合物の高屈折率材料を用いることができる。また、第二スパッタリングターゲット８を構成する材料としては、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ又はＲｈなどの低屈折率材料を用いることができる。本実施の形態では、第一スパッタリングターゲット７にシリコン（Ｓｉ）材料を、第二スパッタリングターゲット８にモリブデン材料を用いた場合について説明する。また、基台６の中心部には回転軸９が配設され、基台６は回転軸９と一体的に回転可能に構成されている。

真空チャンバー２の一方の長手面（図１の左辺を一辺とする壁面。以下、適宜「左側長手面」という）には、真空ポンプ１１が配設された給排通路１０が接続されている。また、給排通路１０には、バルブ（図示せず）が開閉自在に設けられている。

真空チャンバー２の他方の長手面（図１の右辺を一辺とする壁面。以下、適宜「右側長手面」という）には、真空チャンバー２内の圧力を測定するための圧力センサ１２、イオン化された粒子を供給するためのイオン源５がそれぞれ配設されている。イオン源５は、プラズマガス供給手段（図示せず）に接続され、このプラズマガス供給手段からプラズマガスのイオン粒子（例えば、アルゴンイオン）が供給される。また、イオン源５は、基台６に対向するように配設され、プラズマガス供給手段から供給されるイオン粒子を、基台６のスパッタリングターゲット７又は８のいずれかに供給するように構成されている。本実施の形態では、イオン源５から、イオン粒子に加え、プラズマガス（アルゴンガス）も供給されるように構成されている。

また、真空チャンバー２の上側短手面には、イオナイザー１３が、基板ホルダー３に対向するように配設されている。イオナイザー１３には、真空紫外線供給源（図示せず）が設けられ、イオナイザー１３の開口部から真空紫外線（すなわち、１０ｎｍ〜２００ｎｍ波長の紫外線）を基板ホルダー３に向けて照射するように構成されている。
そして、ホルダー取付ロッド４、イオン源５、回転軸９、真空ポンプ１１、圧力センサ１２等の各機器は、制御装置（図示せず）に接続され、この制御装置によって動作が制御されるように構成されている。

以上のような構成を備えた薄膜付き基板製造装置１を用いた薄膜付き基板の製造方法について説明する。
まず、真空ポンプ１１を作動させて、真空チャンバー２内からガスを給排通路１０を介して排出する。そして、圧力センサ１２で真空チャンバー２内の圧力が所定の真空度（形成する膜の特性に影響しない真空度、例えば、１０^−８Ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−６Ｐａ））に達するまで待つ。

次に、薄膜形成用基板である基板１４を、ロボットアーム（図示せず）を介して真空チャンバー２内に導入し、基板１４の主表面が露出するように基板ホルダー３の開口部に収容する。そして、基板ホルダー３に配置された基板１４を、基板１４主表面の隅を押えピン１８で押えた形でトップクランプ１７によってクランプする。
基板１４は、良好な平滑性と平坦度が必要とされ、その材料としては、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板は良好な平滑性と平坦度が得られ、特にマスクブランク用基板として好適である。ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス等）、合成石英ガラス又はβ石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどが挙げられる。
なお、真空チャンバー２に隣接するロボットアーム収容室（図示せず）内も、所定の真空状態に保持されているため、基板１４を導入する際にも、真空チャンバー２を上述した真空状態に保持することができる。

そして、プラズマ用ガス供給手段からイオン源５を介して、プラズマ用ガス（例えばＡｒガス）を真空チャンバー２内に導入する。このとき、真空チャンバー２の真空度は、スパッタリングを行うのに好適な１０^−４〜１０^−２Ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ）に保持されるように制御される。この状態で、イオナイザー１３を作動させて、イオナイザー１３の開口部から真空紫外線を基板１４の主表面に向けて照射する。基板１４主表面付近に存在するＡｒ粒子に真空紫外線を照射することで、Ａｒ粒子をイオン化して、Ａｒ^＋を生成するとともに電子を生成する。このＡｒ^＋または電子が基板１４の主表面の静電気を除去する作用を奏する。より具体的には、生成されたＡｒ^＋または電子が、基板１４の主表面におけるマイナスまたはプラスに帯電した部位に引き寄せられて、帯電した部位を電気的に中和することで、基板１４の主表面の静電気を除去するものと推定される。このようにして、スパッタリング開始時において、帯電した不純物が基板１４の主表面に引き寄せられて主表面上に付着することを防止できる。

そして、イオン源５からイオン化した粒子（すなわちＡｒ^＋粒子）を、基台６に配置された第一スパッタリングターゲット７に供給し、この粒子を第一スパッタリングターゲット７に衝突させて、ターゲット７を構成するシリコン粒子をその表面から叩きだして（スパッタして）、このシリコン粒子を基板１４の主表面に付着させる。この工程中において、基板ホルダー３のロッド４が所定の回転速度で回転するように、そして、第一スパッタリングターゲット７の傾斜角度が一定範囲内で変動するように、基板ホルダー３のロッド４および基台６の回転軸９が制御機器によって制御される。これにより、基板１４の主表面上において、均一にシリコン膜１５ａ（図３参照）を成膜することができる。

シリコン膜１５ａの成膜が完了した後、基台６の回転軸９を略１８０°回転させて、第二スパッタリングターゲット８を基板１４の主表面に対向させる。そして、イオン源５からＡｒ^＋粒子を、基台６に配置された第二スパッタリングターゲット８に供給し、ターゲット８を構成するモリブデン粒子をその表面から叩きだして（スパッタして）、このモリブデン粒子を基板１４の主表面に成膜されたシリコン膜１５ａ表面に付着させる。上述したシリコン膜１５ａの成膜処理と同様に、基板ホルダー３のロッド４や回転軸９を制御することで、基板１４上に成膜されたシリコン膜１５ａ上において、均一な厚さでモリブデン膜１５ｂ（図３参照）を成膜することができる。そして、これらのシリコン膜１５ａ及びモリブデン膜１５ｂの成膜処理を、所定回数（例えば４０回）繰り返して行うことにより、シリコン膜１５ａとモリブデン膜１５ｂとが交互に積層された、露光光であるＥＵＶ光に対して所定の反射率を有する多層反射膜１５が得られる。

本実施の形態では、このシリコン膜１５ａ及びモリブデン膜１５ｂの成膜工程中においても、イオナイザー１３を作動させて、真空紫外線を基板１４の主表面（又は主表面に成膜されたシリコン膜１５ａ、モリブデン膜１５ｂ表面）に対する照射を継続して行う。成膜工程中において、第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８に入射した粒子（Ａｒ^＋）が、帯電した状態のまま、第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８を構成する材料の原子（シリコン粒子、モリブデン粒子）とともに、基板１４の主表面または主表面上のシリコン膜１５ａ、モリブデン膜１５ｂに到達し、結果として表面を正に帯電させる可能性がある。また、通常イオンビームスパッタリング装置においてはニュートラライザー（図示せず）を用いて、イオンビーム中に電子を導入してビームの中性化を図るが、導入する電子が過多になる場合は、電子の効果により、基板表面が負に帯電することもある。上述したように、真空紫外線によって、基板１４主表面付近に存在するＡｒ粒子をイオン化させ、この電子乃至はＡｒ^＋イオンが基板１４の主表面（又は主表面に成膜されたシリコン膜１５ａ、モリブデン膜１５ｂ表面）の帯電を除去する作用を奏する。このようにして、スパッタリング工程中においても、帯電した不純物が基板１４の主表面に引き寄せられることを防止できる。

なお、本実施の形態では、イオナイザー１３を、第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８よりも基板１４に対して後方に配置しているため、スパッタリング工程中に第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８から飛来する粒子のイオナイザー１３の開口部への付着を抑制でき、スパッタリング工程中において連続的に真空紫外線を照射できる点で好ましい。ただし、本発明の対象は、この形態のみに限られず、例えばイオナイザー１３の開口部にシャッターを開閉自在に設けて、間欠的に真空紫外線を照射するようにしてもよい。このような構成とすることで、不純物を引き寄せる帯電量が基板１４または主表面上のシリコン膜１５ａ、モリブデン膜１５ｂに蓄積される前に間欠的に紫外線を照射して除電を行うとともに、真空紫外線を照射しない場合にはシャッターを閉じておき、イオナイザー１３に飛来する粒子が開口部に付着することを防止できる。また、間欠的に照射する際には、複数層積層させる間に照射するようにすると、第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８から飛来する粒子のイオナイザー１３の開口部への付着を抑制できる点で好ましい。また、本実施の形態では、イオナイザー１３の中心軸Ｌを基板１４の主表面の回転中心に向けて配置し、基板１４の主表面全体に真空紫外線を照射することで、基板１４主表面全体の帯電を防止できる点で好適である。ただし、本発明の対象は、この形態のみに限られず、イオナイザー１３の有効照射範囲内の領域に基板１４の主表面が位置するように構成されていればよい。例えば、基板１４の中心から辺縁部（すなわち基板ホルダー３の対角線半分の長さの領域）に亘る領域に真空紫外線を照射し、この状態で基板ホルダー３を回転させることで、基板１４の主表面全体に真空紫外線を照射するように構成してもよい。

上記のようにして得られた多層反射膜１５が形成された基板１４は、その多層反射膜１５上に、露光光であるＥＵＶ光を吸収する吸収体膜（図示せず）を直接あるいは保護膜（キャッピング膜やバッファ膜）（図示せず）を介して成膜することにより、反射型マスクブランク（図示せず）とすることができる。なお、一般に保護膜は、前述で説明した実施の形態１のイオンビームスパッタリング装置、または後述する実施の形態２のマグネトロンスパッタリング装置で成膜することができ、吸収体膜は、後述する実施の形態２のマグネトロンスパッタリング装置で成膜することができる。また、このようにして得られた反射型マスクブランク（図示せず）の吸収体膜（図示せず）に転写パターンを形成することにより、転写用マスクである反射型マスクとすることができる。

以上のようにして、スパッタリング処理時（処理開始前及び処理開始中）において基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜（多層反射膜、保護膜、吸収体膜）への不純物の付着を防止した、低欠陥で高品質の薄膜付き基板である多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、及び転写用マスクである反射型マスクを製造することができる。そして、上述のように基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜への不純物の付着を防止できるため、真空チャンバーの清浄化（メンテナンス）の回数を抑制することが出来、作製される薄膜付き基板の品質を保ちつつ真空チャンバーの長時間の稼働が可能となる。

実施の形態２．
本発明の実施の形態２による薄膜付き基板の製造装置２０であるマグネトロンスパッタリング装置について、図２を用いて説明する。なお、前述の実施の形態１と同様の構成については、その説明を適宜省略する。図２の側面図において示されるように、本発明の実施の形態２による薄膜付き基板の製造装置２０は、真空チャンバー２１を有している。この真空チャンバー２１には、その上部にマグネトロンカソード２２が、そしてその下部に基板ホルダー２３が、互いに対向するように配置されている。マグネトロンカソード２２には、バッキングプレート２４に接着されたスパッタリングターゲット２５が装着されている。スパッタリングターゲット２５を構成する材料としては、前述の実施の形態１で挙げた金属、合金、非金属又はこれらの化合物を使用することができる。本実施の形態２のマグネトロンスパッタリング装置は、成膜する薄膜の膜厚が数ｎｍから数百ｎｍの幅広い範囲で適用できる。例えば、前述の実施の形態１で説明した反射型マスクブランクにおける保護膜や吸収体膜や、透過型マスクブランクにおける遮光膜、反射防止膜、位相シフト膜などが挙げられる。透過型マスクブランクとしては、基板上に遮光膜と反射防止膜を有するバイナリーマスクブランクや、基板上に光半透過膜からなる位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクなどが挙げられる。尚、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、基板上に形成された位相シフト膜上に、遮光膜と反射防止膜を形成してもよい。

本実施の形態２では、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜としてモリブデンシリサイド化合物（窒化されたモリブデンシリサイド）を成膜するマグネトロンスパッタリング装置について説明する。前述のバッキングプレート２４、スパッタリングターゲット２５は、バッキングプレート２４に無酸素鋼を用い、スパッタリングターゲット２５にモリブデンシリサイドを用い、スパッタリングターゲット２５とバッキングプレート２４の接着にはインジウムを用いている。バッキングプレート２４は水冷機構により直接または間接的に冷却されている。マグネトロンカソード２２とバッキングプレート２４及びスパッタリングターゲット２５は電気的に結合されている。基板ホルダー２３には、基板２６が装着される。基板２６の材料としては、実施の形態１で述べた、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス等）、合成石英ガラス又はβ石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス材料を用いることができる。また、基板ホルダー２３には、基板２６の回転角位置を検出するセンサ（図示せず）が配設され、基板２６の回転角位置を検出できるようにしている。

真空チャンバー２１には、成膜用（及び除電用）のガスを導入するガス導入通路２７と、ガス排出通路２８とがそれぞれ接続される。これらの通路２７、２８には、バルブ（図示せず）がそれぞれ配設され、バルブを閉じることで、真空チャンバー２１内のガスの流通を遮断する。また、真空チャンバー２１内部の圧力は圧力センサ３０によって測定される。
真空チャンバー２１には、イオナイザー３１が、基板ホルダー２３に対向するように配設されている。
そして、基板ホルダー２３、ＤＣ電源２９、圧力センサ３０、イオナイザー３１、真空ポンプ、回転角センサ等の各機器は、制御装置（図示せず）に接続され、この制御装置によって動作が制御されるように構成されている。

以上のような構成を備えた薄膜付き基板製造装置２０であるマグネトロンスパッタリング装置を用いた薄膜付き基板であるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法について説明する。
まず、ガス導入通路２７のバルブを閉じた状態で、ガス排出通路２８の真空ポンプ（図示せず）を作動させて、真空チャンバー２１内からガスを排出する。そして、真空チャンバー２１内の圧力が、形成する膜の特性に影響しない所定の真空度（例えば、１０^−８Ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−６Ｐａ））に達するまで待つ。
次に、基板２６を、ロボットアーム（図示せず）を介して真空チャンバー２１内に導入し、基板２６の主表面が露出するように基板ホルダー２３の開口部に収容する。

そして、真空チャンバー２１内にガス導入通路２７からアルゴンガスと窒素ガスを含む混合ガスを導入する。ガス導入通路２７から導入するガスの種類及び混合比を調整することにより、基板２６上に形成する光半透過膜の透過率を調整することができる。本実施の形態では、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを導入する場合について説明するが、本発明の対象はこれに限られず、必要に応じて酸素等の他のガス成分を添加してもよい。

この状態で、イオナイザー３１を作動させて、真空紫外線を基板２６の主表面に向けて照射する。基板２６主表面付近に存在するＡｒ粒子又はＮ_２粒子にイオナイザー３１の開口部から真空紫外線を照射することで、Ａｒ粒子またはＮ_２粒子をイオン化してＡｒ^＋またはＮ^＋を生成するとともに電子を生成する。このＡｒ^＋、Ｎ^＋または電子が、基板１４の主表面におけるマイナスまたはプラスの静電気を除去する作用を奏する。このようにして、スパッタリング開始時において、帯電した不純物が基板２６の主表面に引き寄せられることを防止できる。

そして、ＤＣ電源２９を用いてマグネトロンカソード２２に負電圧を加え、スパッタリングを行う。すなわち、プラズマ化したＡｒ粒子またはＮ_２粒子を、スパッタリングターゲット２５に供給し、この粒子をスパッタリングターゲット２５に衝突させて、スパッタリングターゲット２５を構成するモリブデンシリサイド粒子をその表面から叩きだして（スパッタして）、基板２６の主表面上に窒化されたモリブデンシリサイド膜を成膜する。この工程中において、基板ホルダー２３が所定の回転速度で回転するように制御機器によって制御される。これにより、基板２６の主表面上に窒化されたモリブデンシリサイド膜からなる光半透過膜を、均一に成膜することができる。なお、ＤＣ電源２９はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視できる。

本実施の形態２では、この光半透過膜の成膜工程中においても、イオナイザー３１を作動させて、真空紫外線を基板２６の主表面（又は主表面に成膜された光半透過膜表面）に対する照射を継続して行う。真空紫外線によって、基板２６主表面付近に存在するＡｒ粒子、Ｎ_２粒子をイオン化させるとともに、電子を生成する。成膜工程中においては、スパッタリングターゲット２５に入射した粒子（Ａｒ^＋、Ｎ^＋）が、帯電した状態のまま、ターゲット２５を構成する材料の原子（モリブデンシリサイド粒子）とともに、基板１４の主表面または主表面上の光半透過膜に衝突し、帯電するおそれがある。しかしながら、基板２６の主表面（又は主表面に成膜された光半透過膜表面）付近で生成された電子が、基板２６の主表面（又は主表面に成膜された光半透過膜表面）に帯電した粒子を除去する作用を奏する。このようにして、成膜工程中においても、帯電した不純物が基板２６の主表面に引き寄せられることを防止できる。

そして、基板２６の回転角位置を検出するセンサ（図示せず）によって、放電をＯＮにした時点（成膜開始）の基板回転角位置検出し、基板が整数回回転して放電をＯＮにした時点と同じ回転角位置に基板がきた時点で放電をＯＦＦ（成膜終了）にするように制御を行う。これにより、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクに好適な窒化されたモリブデンシリサイド膜からなる光半透過膜を、基板２６上に均一に成膜することができる。

このようにして得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクに転写パターンを形成することにより、ハーフトーン型位相シフトマスクとすることができる。
以上のようにして、スパッタリング処理時（処理開始前及び処理開始中）における基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜（光半透過膜）への不純物の付着を防止した、低欠陥で高品質の薄膜付き基板であるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及び転写用マスクであるハーフトーン型位相シフトマスクを製造することができる。そして、上述のように基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜への不純物の付着を防止できるため、真空チャンバーの清浄化（メンテナンス）の回数を抑制することが出来、作製される薄膜付き基板の品質を保ちつつ真空チャンバーの長時間の稼働が可能となる。

なお、本実施の形態２では、スパッタリングターゲットとして、モリブデンシリサイドからなるターゲットを用いたが、これに限定されず、例えば、チタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、クロム、ケイ素から選択される少なくとも一種以上の材料からなるターゲットを用いてもよい。

実施の形態３．
本発明の実施の形態３による薄膜付き基板製造装置は、実施の形態１に示した薄膜付き基板の製造装置１において、上述したイオナイザー１３および押えピン１８に換えて、トップクランプ１７の裏面側に導電性材料からなるアースピン１６を設けたものである（図３参照）。同図に示すように、トップクランプ１７が基板１４’主表面の辺縁部を覆うように配設されるとともに、トップクランプ１７に設けられた導電性材料からなるアースピン１６が基板１４’主表面の辺縁部に接触するように配置される。導電性材料としては、ＳＵＳを使用することができる。また、発塵を防止するために、基板１４’と接触するアースピン１６の先端形状は、半球状としている。

以上のような構成を備えた薄膜付き基板製造装置を用いた薄膜付き基板の製造方法について説明する。なお、実施形態１で示した工程と同様の工程については、その説明を適宜省略する。
まず、図１に示した真空チャンバー２を所定の真空状態に保持した後、図３に示すように、基板１４’を基板ホルダー３’に配設する。同図に示すように、基板１４’のアースピン１６の先端面が基板１４’主表面の辺縁部に接触するように配置される。

そして、上述したように、イオンビームによるスパッタリング処理を行い、シリコン膜１５ａ’及びモリブデン膜１５ｂ’の成膜工程を行う。本実施形態３によれば、トップクランプ１７を設けることにより、スパッタ粒子が基板１４’の辺縁部に堆積することが妨げられる。
この成膜工程中において、図１に示した第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８に入射した粒子（Ａｒ^＋）が、帯電した状態のまま、第一スパッタリングターゲット７や、第二スパッタリングターゲット８を構成する材料の原子（シリコン粒子、モリブデン粒子）とともに、基板１４’の主表面上のシリコン膜１５ａ’、モリブデン膜１５ｂ’に付着することがある。本実施の形態３では、アースピン１６の先端面と接している基板１４’の主表面に成膜されたシリコン膜１５ａ’、モリブデン膜１５ｂ’表面の電荷を中和できるため、スパッタリング工程中において、帯電した不純物が基板１４’の主表面に成膜されたシリコン膜１５ａ’、モリブデン膜１５ｂ’表面に引き寄せられて付着することを防止できる。

その後、実施の形態１と同様に、保護膜、吸収体膜（図示せず）を成膜して、反射型マスクブランク（図示せず）とすることができ、この吸収体膜（図示せず）に転写パターンを形成することにより、転写用マスクである反射型マスクとすることができる。
以上のようにして、スパッタリング処理時（処理開始前及び処理開始中）において基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜（多層反射膜、保護膜、吸収体膜）への不純物の付着を防止した、低欠陥で高品質の薄膜付き基板である多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、及び転写用マスクである反射型マスクを製造することができる。そして、上述のように基板の主表面上若しくは主表面に成膜された薄膜への不純物の付着を防止できるため、真空チャンバーの清浄化（メンテナンス）の回数を抑制することが出来、作製される薄膜付き基板の品質を保ちつつ真空チャンバーの長時間の稼働が可能となる。

なお、本実施の形態では、実施の形態１で示したイオナイザー１３および押えピン１８に換えて、トップクランプ１７の裏面側に導電性材料からなるアースピン１６を設けた構成について説明したが、この構成に限らず、例えば、実施の形態１で示したイオナイザー１３とともにアースピン１６を用いることで、更に優れた除電効果を奏することができる。同様に、実施の形態２で示したイオナイザー３１とともにアースピン１６を用いることで、更に優れた除電効果を奏することができる。また、本実施の形態では、アースピン１６を基板１４’の主表面の辺縁部に接するように設けたが、これに限らず、例えば、基板１４’の主表面側の面取り面にアースピン１６を接するように構成してもよい。また、アースピン１６の本数にも特に制限は無く、複数本設けるように構成してもよい。

（実施例１）多層反射膜付き基板の製造方法
基板として、外形１５２．４ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、低膨張のＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスからなるガラス基板１４を用意した。この基板１４をレーザーテック社製 マスク・サブストレート／ブランクス欠陥検査装置Ｍ１３５０で欠陥検査を行った。尚、欠陥検査領域は、１３２ｍｍ角とした。その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は０個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は1個と良好であった。
次いで、前述の実施の形態１で示したイオンビームスパッタリング装置の真空チャンバー２内の真空度（又は圧力）を１×１０^−２Ｐａとして、トップクランプ１７付きの基板ホルダー３に基板１４をセットし、基板１４主表面にイオナイザー１３から真空紫外線を照射した。真空紫外線の照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。

次に、基板１４の主表面上に、イオンビームスパッタリング法により、ＥＵＶ露光光の波長である１３．５ｎｍの領域の反射膜として適した厚さ４．２ｎｍのシリコン膜（高屈折率層）１５ａと厚さ２．８ｎｍのモリブデン膜（低屈折率層）１５ｂを１ペアとして、４０ペア積層した多層反射膜を成膜した。尚、真空紫外線による照射は、シリコン膜１５ａとモリブデン膜１５ｂを１０層ずつ積層した後、２０層積層後、３０層積層後に行った（この時の真空度（圧力）は、１×１０^−４Ｐａであった。）。次に、シリコン膜（４ｎｍ）とルテニウム膜（２．５ｎｍ）の積層膜からなる保護膜を成膜して、多層反射膜付き基板を得た。

この多層反射膜付き基板を上記と同様に、レーザーテック社製 マスク・サブストレート／ブランクス欠陥検査装置Ｍ１３５０で欠陥検査を行った。尚、欠陥検査領域は、１３２ｍｍ角とした。その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は０個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は４個と良好であった。また、多層反射膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の多層反射膜付き基板の収率は、８２％と非常に良好であった。

（ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクの作製）
次に、実施の形態２で示した真空チャンバー２１に多層反射膜付きガラス基板を導入し、多層反射膜付きガラス基板の保護膜表面に真空紫外線を照射した。照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。そして、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）からなる吸収体膜を成膜し、反射型マスクブランクを作製した。この吸収体膜は、ホウ化タンタル（ＴａＢ）ターゲットに多層反射膜付きガラス基板を対向させ、キセノン（Ｘｅ）ガスと窒素（Ｎ_２）ガスの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングを行うことで形成した。なお、吸収体膜の膜厚は７０ｎｍとした。また、吸収体膜の結晶構造をＸ線回折装置（ＸＲＤ）により測定したところ、アモルファス構造であった。

さらに、上述の多層反射膜付きガラス基板Ｙの多層反射膜を形成していない側の裏面に、真空紫外線を照射した。照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。そして、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、裏面導電膜を形成した。裏面導電膜は、クロム（Ｃｒ）ターゲットを多層反射膜付きガラス基板の裏面に対向させ、アルゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ_２）ガスの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングを行うことで形成し、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを得た。なお、裏面導電膜の膜厚は２０ｎｍとした。

（反射型マスクの作製）
上述した吸収体膜の表面に、スピンコート法によりレジストを塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚１５０ｎｍのレジスト膜を成膜した。次いで、所望のパターンの描画及び現像工程を経て、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして、塩素（Ｃｌ_２）ガスを用いたドライエッチングにより、吸収体膜であるＴａＢＮ膜のパターニングを行い、保護膜上に吸収体パターンを形成した。その後、レジスト膜を除去し、洗浄を行い、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の所望の反射型マスクを作製することができた。

（実施例２）
上記実施例１において、多層反射膜成膜前の基板主表面へのイオナイザー１３による真空紫外線照射のみ行った以外は、実施例１と同様に多層反射膜付き基板を作製し、上述と同じ条件で欠陥検査を行った。
その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は１個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は８個と良好であった。また、多層反射膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の多層反射膜付き基板の収率は、４４％と良好であった。

（比較例１）
上記実施例１において、多層反射膜成膜前、及び成膜途中でのイオナイザー１３による真空紫外線照射を行わなかった以外は、実施例１と同様に多層反射膜付き基板を作製し、上述と同じ条件で欠陥検査を行った。
その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は５個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は２３個と悪化した。そして、多層反射膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の多層反射膜付き基板の収率は、１２％となり、実用に耐えうるものではなかった。

（実施例３）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法
基板２６として、外形１５２．４ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、合成石英ガラスからなるガラス基板２６を用意した。
次いで、前述の実施の形態２で示したマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバー２１内をＡｒガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ_２＝１０％：９０％、圧力：０．３Ｐａ）で満たし、この真空チャンバー２１内に基板２６をセットし、基板２６主表面にイオナイザー３１から真空紫外線を照射した。真空紫外線の照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。

次に、基板２６の主表面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、ＡｒＦエキシマレーザー露光光の波長である１９３ｎｍにおいて、５．５％の透過率と、１８０°の位相差を有するように、Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２（モル％）のモリブデンシリサイドターゲットを使用し、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気（圧力：０．３Ｐａ）とし、反応性スパッタリングにより、透明基板２６上に光半透過膜として窒化されたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を膜厚６７．２ｎｍで形成した。

この光半透過膜付き基板をレーザーテック社製 マスク・サブストレート／ブランクス欠陥検査装置Ｍ１３５０で欠陥検査を行った。尚、欠陥検査領域は、１３２ｍｍ角とした。その結果、成膜前のガラス基板の欠陥個数からの増加欠陥は、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は０個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は３個と良好であった。また、光半透過膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の光半透過膜付き基板の収率は、９２％と良好であった。

その後、熱処理装置を用いて２５０℃にて３０分間熱処理を行った。
得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対する透過率が６％、位相角はほぼ１８０°であり、要求値を満足するものであった。

次に、上述の光半透過膜上に、イオナイザー３１から真空紫外線を照射した。真空紫外線の照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。そして、スパッタリングターゲットをクロムターゲットに変え、上述の光半透過膜上に、その光半透過膜を形成した装置と同様のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、アルゴンガスと二酸化炭素ガスと窒素ガスとヘリウムガスとの混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングにより、酸化炭化窒化されたクロム（ＣｒＯＣＮ）と、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングにより窒化されたクロム（ＣｒＮ）の積層からなる遮光層を形成した。なお、ＣｒＯＣＮ層の膜厚は３０ｎｍ、ＣｒＮ層の膜厚は４ｎｍとした。

次に、上述の遮光層上に、イオナイザー３１から真空紫外線を照射した。真空紫外線の照射条件は、１００Ｗの出力を５分間とした。上述の遮光層上に、その遮光層を形成した装置と同様のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、アルゴンガスと二酸化炭素ガスと窒素ガスとヘリウムガスとの混合ガスで、反応性スパッタリングにより、酸化炭化窒化されたクロム（ＣｒＯＣＮ）からなる表面反射防止層（膜厚：１４ｎｍ）を形成した。
このようにして、ガラス基板上に光半透過膜、遮光層及び表面反射防止層を順に積層してなるＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。

（ハーフトーン型位相シフトマスクの作製）
次に、上述した表面反射防止層の表面に、スピンコート法によりレジストを塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を成膜した。次いで、所望のパターン描画及び現像工程を経て、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、表面反射防止層と遮光層のパターニングを行い遮光膜パターンを形成し、その後、レジストパターン及び遮光膜パターンをマスクにして、六フッ化硫黄ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いたドライエッチングにより、光半透過膜パターンを形成した。

その後、残存するレジストパターンを剥離して、再度レジスト膜を塗布し、転写領域内の不要な遮光膜パターンを除去するためのパターン露光を行った後、該レジスト膜を現像してレジストパターンを形成した。次いで、ウェットエッチングを行って、不要な遮光膜パターンを除去し、残存するレジストパターンを剥離して、ハーフトーン型位相シフトマスクを得た。

（比較例２）
上記実施例３において、光半透過膜成膜前にイオナイザー３による真空紫外線照射を行わなかった以外は、実施例３と同様に光半透過膜付き基板を作製し、上述と同じ条件で欠陥検査を行った。
その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は３個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は２０個と悪化した。そして、光半透過膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の光半透過膜付き基板の収率は、７４％であった。

（実施例４）
上記実施例１において、真空紫外線照射を行わず、基板１４’主表面の辺縁部（側面から２ｍｍの位置）にアースピン１６を接触させたこと以外は、実施例１と同様に多層反射膜付き基板を作製し、上述と同じ条件で欠陥検査を行った。
その結果、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数は１個、３５０ｎｍ以下の欠陥個数は８個と良好であった。また、多層反射膜付き基板を５０枚作製したときの、欠陥サイズ３５０ｎｍ超の欠陥個数０個の多層反射膜付き基板の収率は、４４％と良好であった。

上述の実施例１乃至４は、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス基板や合成石英ガラス基板を用いて、多層反射膜付き基板、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、の作製例を説明したが、本発明は、これに限られず、他の材料からなる基板、例えば結晶化ガラス基板を用いてもよい。また、薄膜付き基板としては、レベンソン型やクロムレス型などの他の位相シフトマスクブランク、バイナリーマスクブランク、ナノインプリント用マスクブランクであってもよい。また、転写用マスクとして、ＥＵＶ露光用反射型マスク、ハーフトーン型位相シフトマスク以外に、レベンソン型やクロムレス型などの他の位相シフトマスク、バイナリーマスク、ナノインプリント用モールドであってもよい。
また、上述の実施例１乃至４、比較例１で、欠陥検査で使用したマスクブランク欠陥検査装置についても、本発明は、これに限られない。例えば、検査光の波長が２６６ｎｍ、１９３ｎｍの高感度のマスクブランク欠陥検査装置で評価することができる。

本発明は上述の実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態においては、イオンビームスパッタリング、ＤＣマグネトロンスパッタリングを用いた場合について説明したが、これらに限らず、ＲＦマグネトロンスパッタリング等の他のスパッタリング法で成膜する場合にも適用できる。また、絶縁性基板上に少なくとも記録層が形成された情報記録媒体にも適用できる。また、除電用ガスとしては、上述したＡｒ、Ｎ_２ガスが低コストであり好ましいが、これらのガス以外にも、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス等を用いることができる。なお、酸化を防止するために、酸素を含有しないガスであることが好ましい。
また、成膜方法や成膜装置の構成については特に制限はない。また、上述の実施の形態における材料、サイズ、処理手順、配置形態などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

１ 薄膜付き基板製造装置、２ 真空チャンバー、３、３’ 基板ホルダー、
４ ホルダー取付ロッド、５ イオン源、６ 基台、
７ 第一スパッタリングターゲット、
８ 第二スパッタリングターゲット、９ 回転軸、１０ 給排通路、１１ 真空ポンプ、１２ 圧力センサ、１３ イオナイザー、１４、１４’ 絶縁性基板、１５ 多層反射膜、１５ａ シリコン膜、１５ｂ モリブデン膜、１６ アースピン、１７ トップクランプ、
１８ 押えピン
２０ 薄膜付き基板製造装置、２１ 真空チャンバー、２３ 基板ホルダー、
２４ バッキングプレート、２５ スパッタリングターゲット、２６ 絶縁性基板、
２７ ガス導入通路、２８ ガス排出通路、２９ ＤＣ電源、３０ 圧力センサ、
３１ イオナイザー、

Claims (14)

1. 真空排気装置を用いて真空状態に保持可能な真空チャンバーと、
   前記真空チャンバー内に位置し、絶縁性基板の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲットを保持するスパッタリングターゲット保持手段と、
   前記スパッタリングターゲット保持手段により保持される前記スパッタリングターゲットに衝突させる粒子を供給する供給源と、
   前記真空チャンバー内に位置し、前記粒子との衝突によって前記スパッタリングターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記絶縁性基板の主表面に成膜させるように前記絶縁性基板を保持する基板保持手段と、を備えた薄膜付き基板の製造装置であって、
   前記基板保持手段に保持される前記絶縁性基板の主表面または該主表面上の薄膜を除電させる除電手段を備えていることを特徴とする薄膜付き基板の製造装置。
2. 前記除電手段は、光照射除電方式のイオナイザーであり、
   前記真空チャンバー内に前記真空状態において除電用ガスを供給する除電用ガス供給手段を備えることを特徴とする請求項１記載の薄膜付き基板の製造装置。
3. 前記スパッタリング装置はイオンビームスパッタリング装置であり、
   前記供給源は、プラズマから引き出されたイオンをイオンビームとして前記スパッタリングターゲット上へ照射するイオン源であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜付き基板の製造装置。
4. 前記除電手段は、光照射除電方式のイオナイザーであり、
   前記イオン源の供給口が前記真空チャンバー内に位置し、
   前記イオン源内のガスが、除電用ガスとして前記供給口から前記真空チャンバー内に供給されることを特徴とする請求項３記載の薄膜付き基板の製造装置。
5. 前記スパッタリング装置はマグネトロンスパッタリング装置であり、
   前記供給源は、イオン化させた元素をスパッタリングターゲットに衝突させるための電源であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜付き基板の製造装置。
6. 絶縁性基板の主表面上にスパッタリング法により薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、
   前記絶縁性基板を真空状態において保持する工程と、
   前記絶縁性基板の主表面に成膜される薄膜の材料となるスパッタリングターゲットを前記真空状態において保持する工程と、
   前記スパッタリングターゲットからスパッタ粒子を叩き出して前記絶縁性基板の主表面に成膜させるように、前記スパッタリングターゲットに衝突させる粒子を供給する工程と、
   前記真空状態において保持されている前記絶縁性基板の主表面または該主表面上の薄膜を除電する工程と、を備える、薄膜付き基板の製造方法。
7. 前記除電する工程は、前記薄膜を成膜する前、及び／又は、成膜段階の少なくとも一部で、行うことを特徴とする請求項６記載の薄膜付き基板の製造方法。
8. 前記基板主表面または該主表面上の薄膜に対し、前記真空状態で除電用ガスが供給されている状態において、真空紫外線の光を照射して除電させることを特徴とする請求項６または７記載の薄膜付き基板の製造方法。
9. 前記薄膜を、複数層積層させることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。
10. 前記薄膜を複数層積層させる間に、前記基板主表面または該主表面上の薄膜を除電させることを特徴とする請求項９記載の薄膜付き基板の製造方法。
11. 前記スパッタリング法は、プラズマから引き出されたイオンをイオンビームとして前記スパッタリングターゲット上へ照射するイオンビームスパッタリング法であることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。
12. 前記除電する工程は、光照射除電方式により行われ、
    前記粒子を供給する工程で用いられるガスが、除電用ガスとして前記絶縁性基板が保持されている前記真空状態下にもたらされることを特徴とする請求項１１記載の薄膜付き基板の製造方法。
13. 前記絶縁性基板は、半導体装置、表示装置のいずれかの製造に使用されるマスクブランク用ガラス基板であって、前記薄膜はマスクブランクにおける所定の光学特性を有する薄膜であることを特徴とする請求項６乃至１２のいずれか一に記載の薄膜付き基板の製造方法。
14. 請求項１２記載の薄膜付き基板の製造方法により得られた薄膜付き基板における前記薄膜は、少なくとも転写パターン形成用薄膜を有し、前記転写パターン形成用薄膜をパターニングして前記絶縁性基板の主表面上に、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

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