JP2023053673A - 反射型マスクブランク用膜付き基板、反射型マスクブランク、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板の一方の主表面側に形成された多層反射膜と、他方の主表面に接して形成された裏面導電膜とを備え、裏面導電膜の、基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とが異なり、基板と接する側の組成が、ＳｉとＮとからなる組成、又はＳｉと、Ｎと、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＷから選択される少なくとも一つ、及び／又はＯ及びＣから選択される少なくとも一つとを含み、Ｓｉ及びＮの合計の含有率が７０原子％以上である組成、基板から最も離間する側の組成が、Ｔａと、Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｌから選択される少なくとも一つとを含み、Ｔａの含有率が６０原子％以上、Ｎ及びＯの合計の含有率が１５原子％以下である組成である反射型マスクブランク用膜付き基板。【効果】本発明の裏面導電膜は、薄い膜であっても、高い膜応力を有し、基板を局所的に加熱する際に用いる光の波長において高い透過率を有している。【選択図】図３
Description
本発明は、ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造などに使用される反射型マスクの素材となる反射型マスクブランク、特に、ＥＵＶマスクの素材となるＥＵＶマスクブランク用として好適な反射型マスクブランク用膜付き基板、反射型マスクブランク用膜付き基板に、吸収体膜が形成された反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法に関する。
半導体デバイス（半導体装置）の製造工程では、転写用マスクに露光光を照射し、マスクに形成されている回路パターンを、縮小投影光学系を介して半導体基板（半導体ウェハ）上に転写するフォトリソグラフィ技術が繰り返し用いられる。従来、露光光の波長はフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザ光を用いた１９３ｎｍが主流となっており、露光プロセスや加工プロセスを複数回組み合わせるマルチパターニングというプロセスを採用することにより、最終的には露光波長より小さい寸法のパターンを形成してきた。
しかし、継続的なデバイスパターンの微細化により、更なる微細パターンの形成が必要とされてきていることから、露光光としてＡｒＦエキシマレーザ光より更に波長の短いＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ（極端紫外））光を用いたＥＵＶリソグラフィ技術が開発されている。ＥＵＶ光とは、波長が例えば１０～２０ｎｍ程度の光、より具体的には、波長が１３．５ｎｍ付近の光である。このＥＵＶ光は、物質に対する透過性が極めて低く、従来の透過型の投影光学系やマスクが使えないことから、反射型の光学素子が用いられる。そのため、パターン転写用のマスクも反射型マスクが提案されている。反射型マスクは、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜の上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。一方、吸収体膜にパターニングする前の状態（レジスト膜が形成された状態も含む）のものが、反射型マスクブランクと呼ばれ、これが反射型マスクの素材として用いられる。
反射型マスクブランクは、低熱膨張の基板と、基板の二つの主表面のうち一方の面に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、その上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを含む基本構造を有している。多層反射膜としては、通常、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光に対する必要な反射率を得る多層反射膜が用いられる。更に、多層反射膜を保護するための保護膜として、ルテニウム（Ｒｕ）膜が、多層反射膜の上に形成される。また、吸収体膜としては、ＥＵＶ光に対して消衰係数の値が比較的大きいタンタル（Ｔａ）などが用いられる（特開２００２－２４６２９９号公報（特許文献１）など）。一方、基板の他方の主表面には、裏面導電膜が形成される。裏面導電膜としては、静電チャッキングのために、金属窒化膜が提案されており、主にクロム、タンタル、モリブテン又はケイ素の窒化膜が挙げられる。
裏面導電膜には、静電チャッキングのために、シート抵抗が低いこと、表面粗さが小さいことなどが求められるほか、基板を挟んで裏面導電膜が形成された側とは反対側の主表面に積層される多層反射膜や保護膜の形成により生じる膜応力による基板の変形を、裏面導電膜の膜応力により緩和する役割を求めることもできる。特に、反射型マスクブランクには、反射型マスクへの加工工程で、１５０～２００℃の温度となる場合があり、これを考慮して、通常、反射型マスクブランクに、予め熱処理が実施される。しかし、熱処理を実施すると、熱処理後に、裏面導電膜のシート抵抗や膜応力などの特性が悪化する場合がある。
また、反射型マスクを用いたパターンの転写においては、反射型マスクの裏面側から、波長４００～８００ｎｍのパルスレーザーを局所的に照射して、基板を局所的に加熱することにより、転写時のパターンの位置ズレを改善する技術が提案されている（特開２０１２－２２３２３号公報（特許文献２））が、この技術に対応できる反射型マスクブランクとするためには、裏面導電膜の波長４００～８００ｎｍの光に対する透過率が高い必要がある。更に、多層反射膜や保護膜の形成により生じる膜応力による基板の変形を、裏面導電膜の膜応力で緩和するために裏面導電膜の膜応力を高くする場合、厚い膜の方が有利であるが、生産性や欠陥発生を抑制する観点では、薄い膜の方が望ましく、裏面導電膜の膜厚は、一般に、５０ｎｍ以下であることが有利である。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、生産性や欠陥発生を抑制する観点で有利なより薄い裏面導電膜、また、基板を挟んで裏面導電膜が形成された側とは反対側の主表面に積層される多層反射膜や保護膜の形成により生じる膜応力による基板の変形を、裏面導電膜の膜応力で緩和するために有利な高い膜応力を有する裏面導電膜、更に、基板を局所的に加熱する際に有利な、加熱に用いる光の波長において高い透過率を有する裏面導電膜を備える反射型マスクブランク用膜付き基板及び反射型マスクブランク、並びに反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、反射型マスクブランクにおいて、基板の主表面の一方の主表面側に多層反射膜又は多層反射膜及びその保護膜、基板の主表面の他方の主表面側に裏面導電膜を形成する場合に、裏面導電膜の基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とを異なるものとし、基板と接する側の組成を、ケイ素と窒素とを主成分とする組成、基板から最も離間する側の組成を、タンタルを主成分とする組成とすることを見出した。
そして、このような裏面導電膜を備える反射型マスクブランク用膜付き基板及び反射型マスクブランクが、生産性や欠陥発生の抑制に有利な薄さと、基板の変形の緩和に有効な高い膜応力とを兼ね備え、基板の加熱に用いる光の波長における高い透過率を有する裏面導電膜を備える反射型マスクブランク用膜付き基板及び反射型マスクブランクであることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、以下の反射型マスクブランク用膜付き基板、反射型マスクブランク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
１．基板と、該基板の二つの主表面のうちの一方の主表面側に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記二つの主表面のうちの他方の主表面に接して形成された裏面導電膜とを備える反射型マスクブランク用膜付き基板であって、
前記裏面導電膜が、前記基板と接する側の組成と、前記基板から最も離間する側の組成とが異なり、
前記基板と接する側の組成が、
ケイ素と窒素とからなる組成、
ケイ素と、窒素と、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、又は
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つと、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成
であり、
前記基板から最も離間する側の組成が、
タンタルと、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つとを含み、タンタルの含有率が６０原子％以上であり、窒素及び酸素の合計の含有率が１５原子％以下である組成
であることを特徴とする反射型マスクブランク用膜付き基板。
２．前記基板と接する側の組成において、窒素及びケイ素の合計に対する窒素の含有率が５３原子％以上であることを特徴とする１に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
３．前記裏面導電膜の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする１又は２に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
４．前記裏面導電膜が、多層で構成されており、前記基板から最も離間する側の層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする３に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
５．前記裏面導電膜が、多層で構成されていることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
６．更に、前記多層反射膜上に形成された保護膜を備えることを特徴とする１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
７．前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
８．前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成し、１５０℃で１０分間の熱処理を実施した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
９．前記裏面導電膜の波長４００～８００ｎｍの範囲内の光の透過率が１０％以上であることを特徴とする１乃至８のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１０．前記裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）が２５０Ω／□以下であることを特徴とする１乃至９のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１１．前記裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．３ｎｍ以下であることを特徴とする１乃至１０のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１２．１乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板の前記多層反射膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
１３．１２に記載の反射型マスクブランクを用いて製造することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
１．基板と、該基板の二つの主表面のうちの一方の主表面側に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記二つの主表面のうちの他方の主表面に接して形成された裏面導電膜とを備える反射型マスクブランク用膜付き基板であって、
前記裏面導電膜が、前記基板と接する側の組成と、前記基板から最も離間する側の組成とが異なり、
前記基板と接する側の組成が、
ケイ素と窒素とからなる組成、
ケイ素と、窒素と、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、又は
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つと、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成
であり、
前記基板から最も離間する側の組成が、
タンタルと、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つとを含み、タンタルの含有率が６０原子％以上であり、窒素及び酸素の合計の含有率が１５原子％以下である組成
であることを特徴とする反射型マスクブランク用膜付き基板。
２．前記基板と接する側の組成において、窒素及びケイ素の合計に対する窒素の含有率が５３原子％以上であることを特徴とする１に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
３．前記裏面導電膜の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする１又は２に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
４．前記裏面導電膜が、多層で構成されており、前記基板から最も離間する側の層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする３に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
５．前記裏面導電膜が、多層で構成されていることを特徴とする１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
６．更に、前記多層反射膜上に形成された保護膜を備えることを特徴とする１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
７．前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
８．前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成し、１５０℃で１０分間の熱処理を実施した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
９．前記裏面導電膜の波長４００～８００ｎｍの範囲内の光の透過率が１０％以上であることを特徴とする１乃至８のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１０．前記裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）が２５０Ω／□以下であることを特徴とする１乃至９のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１１．前記裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．３ｎｍ以下であることを特徴とする１乃至１０のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
１２．１乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランク用膜付き基板の前記多層反射膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
１３．１２に記載の反射型マスクブランクを用いて製造することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
本発明の裏面導電膜は、生産性や欠陥発生を抑制する観点で有利な薄い膜であっても、多層反射膜や保護膜の形成により生じる膜応力による基板の変形を緩和するために有利な高い膜応力を有している。また、本発明の裏面導電膜は、パルスレーザーなどで基板を局所的に加熱する際の加熱に用いる光の波長において高い透過率を有していることから、反射型マスクとした後、反射型マスクを用いた転写時のパターンの位置ズレを、光を用いた加熱により改善する手法を効果的に適用することができる。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明の反射型マスクブランク（ＥＵＶマスクブランク）は、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスク（ＥＵＶマスク）の素材として用いられる。反射型マスクブランクは、反射型マスクブランク用膜付き基板に、吸収体膜を形成し、更に、必要に応じて、他の膜を形成することにより得ることができる。ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶ光の波長は１３～１４ｎｍであり、通常、波長が１３．５ｎｍ程度の光である。
本発明の反射型マスクブランク（ＥＵＶマスクブランク）は、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスク（ＥＵＶマスク）の素材として用いられる。反射型マスクブランクは、反射型マスクブランク用膜付き基板に、吸収体膜を形成し、更に、必要に応じて、他の膜を形成することにより得ることができる。ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶ光の波長は１３～１４ｎｍであり、通常、波長が１３．５ｎｍ程度の光である。
本発明の反射型マスクブランク用膜付き基板は、基板と、基板の二つの主表面のうちの一方の主表面側に、好ましくは基板に接して形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、二つの主表面のうちの他方の主表面に、好ましくは基板に接して形成された裏面導電膜とを備える。本発明の反射型マスクブランクは、基板と、基板の二つの主表面のうちの一方の主表面側に、好ましくは基板に接して形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、多層反射膜の上に形成された吸収体膜と、二つの主表面のうちの他方の主表面に、好ましくは基板に接して形成された裏面導電膜とを備える。反射型マスクブランク用膜付き基板に、吸収体膜を形成し、更に、必要に応じて、他の膜を形成することにより、反射型マスクブランクを得ることができる。反射型マスクブランクからは、反射型マスクブランクを用い、吸収体膜をパターニングすることにより、吸収体パターン（吸収体膜のパターン）を有する反射型マスクを製造することができる。
図１は、本発明の反射型マスクブランク用膜付き基板、及び反射型マスクブランクの一例を示す断面図である。この場合、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０１は、基板１０の一の主表面上に、一の主表面に接して形成された多層反射膜１１と、基板１０の他の主表面上に、他の主表面に接して形成された裏面導電膜２１とを備える。また、（Ｂ）に示される反射型マスクブランク２０１は、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０１の多層反射膜１１上に、多層反射膜１１に接して吸収体膜１３が形成されている。
基板は、ＥＵＶ光露光用として、低熱膨張特性を有するものであることが好ましく、例えば、熱膨張係数が、±２×１０-8／℃の範囲内、好ましくは±５×１０-9／℃の範囲内の材料で形成されているものが好ましい。このような材料としては、チタニアドープ石英ガラス（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス）などが挙げられる。また、基板は、表面が十分に平坦化されているものを用いることが好ましく、基板の主表面の表面粗さは、ＲＭＳ値で０．５ｎｍ以下、特に０．２ｎｍ以下であることが好ましい。このような表面粗さは、基板の研磨などにより得ることができる。本発明において、基板のサイズとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ＳＥＭＩ規格において規定されている、６インチ角、厚さ０．２５インチの６０２５基板と呼ばれるものが好適であり、ＳＩ単位系を用いた場合、通常、１５２ｍｍ角、厚さ６．３５ｍｍの基板と表記される。
本発明において、裏面導電膜は、基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とが異なるように構成される。裏面導電膜において、基板と接する側は、透過率、特に、波長４００～８００ｎｍの光に対する透過率が高いことが好ましく、また、膜応力が高いことが好ましい。一方で、裏面導電膜において、基板から最も離間する側は、シート抵抗が低いことが求められる。
基板と接する側の組成は、透過率や膜応力の特性を向上させる観点、特に、裏面導電膜の厚さを薄くしつつ、必要な高い膜応力を確保する観点から、ケイ素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）を主成分とする組成であることが有効である。この場合、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上であることが好ましく、８０原子％以上であることがより好ましい。また、基板と接する側の組成において、窒素及びケイ素の合計に対する窒素の含有率が５３原子％以上であることが好ましく、５５原子％以上であることがより好ましい。
基板と接する側の組成においては、透過率や膜応力の特性を更に向上させる観点や、更に、表面粗さなどの特性を向上させる観点から、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びタングステン（Ｗ）から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。また、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。
基板と接する側の組成として具体的には、
（１）ケイ素と窒素とからなる組成、
（２）ケイ素と、窒素と、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
（３）ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
（４）ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つと、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成
などが挙げられる。
（１）ケイ素と窒素とからなる組成、
（２）ケイ素と、窒素と、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
（３）ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
（４）ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つと、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成
などが挙げられる。
一方、基板から最も離間する側の組成は、シート抵抗や硬さの特性を向上させる観点、特に、ケイ素と窒素を主成分とする組成では、シート抵抗が高い（導電率が低い）傾向があるため、反射型マスクにおいて露光装置に静電チャッキングされる側である基板から最も離間する側において必要な、十分に低いシート抵抗を確保する観点から、タンタル（Ｔａ）を主成分とする組成であることが有効である。この場合、タンタルの含有率が６０原子％以上であることが好ましく、８０原子％以上であることがより好ましい。
また、基板から最も離間する側の組成は、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びアルミニウム（Ａｌ）から選択される少なくとも一つを含むことが好ましい。タンタルの含有率が高い組成である場合、タンタルは結晶性が高く、表面粗さが大きくなるおそれがあるため、反射型マスクを露光装置に静電チャッキングする際の着脱時に、欠陥が発生する可能性が高い。基板から最も離間する側の組成は、表面粗さを小さく抑えるために、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つの元素を含むようにすることが好ましい。これらの元素を含むことでタンタルを主成分とする基板から最も離間する側が、微結晶又はアモルファスとなり、表面粗さを小さく抑えることができる。ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つの元素を含む場合、その含有率は、０原子％超であるが、５原子％以上であることが好ましく、１０原子％以上であることがより好ましい。
一方、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つの元素を含む場合、タンタルのみの組成と比較してシート抵抗が高くなることに加えて、これらの元素は、熱処理時に酸化されやすく、酸化されると熱処理後のシート抵抗が更に高くなる場合がある。そのため、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つの元素を含む場合、その含有率は、４０原子％以下であることが好ましく、３０原子％以下であることがより好ましく、２０原子％以下であることが更に好ましい。
更に、基板から最も離間する側の組成において、窒素（Ｎ）や酸素（Ｏ）を含んでいてもよいが、窒素及び酸素の合計の含有率が１５原子％以下であることが好ましく、５原子％以下であることがより好ましく、窒素及び酸素が実質的に含まれていない（不純物量を超える窒素及び酸素を含んでいない）ことが更に好ましい。特に、窒素の含有は、シート抵抗を高くする、膜応力を小さくする傾向があるため、窒素が実質的に含まれていない（不純物量を超える窒素を含んでいない）ことが好ましい。
裏面導電膜において、基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とを異なるようにするためには、裏面導電膜を、多層で構成された膜、又は傾斜組成（厚さ方向に組成が変化する組成）を有する膜とすることができる、裏面導電膜を、多層で構成する場合、各々の層を、単一組成の層（厚さ方向に組成が一定である層）とすることも、傾斜組成を有する層とすることもできる。また、裏面導電膜を、多層で構成する場合、裏面導電膜を２層又は３層以上で構成することができるが、裏面導電膜を２層で構成することが好ましい。裏面導電膜が２層で構成されている場合、基板と接する側の層の組成を上記基板と接する側の組成とし、基板から最も離間する側の層の組成を、上記基板から最も離間する側の組成とすればよい。基板から最も離間する側の層の厚さは、裏面導電膜の全体の厚さの１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましく、また、裏面導電膜の全体の厚さの７０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましい。基板から最も離間する側の層の厚さは、具体的には、５ｎｍ以上であることが好ましく、また、２０ｎｍ以下であることが好ましい。
図２は、本発明の反射型マスクブランク用膜付き基板、及び反射型マスクブランクの他の例を示す断面図である。この場合、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０２は、基板１０の一の主表面上に、一の主表面に接して形成された多層反射膜１１と、基板１０の他の主表面上に、他の主表面に接して形成された裏面導電膜２１とを備え、裏面導電膜２１は、基板１０と接する側の層２１ａと、基板１０から最も離間する側の層２１ｂとの２層で構成されている。また、（Ｂ）に示される反射型マスクブランク２０２は、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０２の多層反射膜１１上に、多層反射膜１１に接して吸収体膜１３が形成されている。
裏面導電膜を、基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とが異なるようにし、基板と接する側の組成及び基板から最も離間する側の組成の各々を所定の組成とすることにより、生産性や欠陥発生の抑制に有利な厚さの裏面導電膜とすることができ、基板の変形の緩和に有効な高い膜応力を有する裏面導電膜とすることができる。また、基板の加熱に用いる光の波長、特に、波長４００～８００ｎｍの光における高い透過率を有する裏面導電膜とすることができる。更に、裏面導電膜を、基板と接する側の組成と、基板から最も離間する側の組成とが異なるようにし、基板と接する側の組成及び基板から最も離間する側の組成の各々を所定の組成とすることにより、低いシート抵抗を有する裏面導電膜とすること、表面粗さの小さい裏面導電膜とすることができる。
裏面導電膜の膜厚は、成膜の生産性や、パーティクル発生を抑制する観点から、より薄い方が有利であり、更に、透過率を高くする観点からも薄い方が好ましい。裏面導電膜の膜厚は、具体的には７０ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。一方、裏面導電膜の膜厚の下限は、２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。
基板に、膜を形成した状態の基板の反りは、膜の組成や物性により異なるが、例えば、基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍである場合、（基板が、６０２５基板である場合）、反射型マスクブランク用膜付き基板は、基板に、多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜と、裏面導電膜とを形成する前の、一方の主表面（多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜を形成する側の主表面）の反りと、基板に、多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜と、裏面導電膜とを形成した状態の、一方の主表面（多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜を形成する側の主表面）の反りとの間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることが好ましい。そのため、基板に多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜のみを形成する前後の基板の反りの変化量（ΔＴＩＲ）の絶対値と、基板に裏面導電膜のみを形成する前後の基板の反りの変化量（ΔＴＩＲ）の絶対値が同程度となっていることが好ましい。ここで、反りは、基板の主表面の中心を中心とした一辺が１４２ｍｍ角の範囲内での反りを適用することができる。なお、本発明の反りの変化量（ΔＴＩＲ）では、多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜を形成した主表面を基準として、膜を形成する前の反りに対して、膜を形成した後の反りの変化が凹方向への変化である場合をプラス（＋）、凸方向への変化である場合をマイナス（－）と表記する。
また、反射型マスクブランクには、反射型マスクへの加工工程での熱履歴を考慮して、通常、反射型マスクブランクに、予め熱処理が実施されるが、一般に、熱処理温度が高温になるほど、多層反射膜の反射率が低下するため、熱処理温度は、１５０℃以下とすることが好ましい。そのため、反射型マスクブランク用膜付き基板は、基板に、多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜と、裏面導電膜とを形成する前の、一方の主表面（多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜を形成する側の主表面）の反りと、基板に、多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜と、裏面導電膜とを形成し、１５０℃で１０分間の熱処理を実施した状態の、一方の主表面（多層反射膜又は多層反射膜及び保護膜を形成する側の主表面）の反りとの間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることが好ましい。
反射型マスクブランクから反射型マスクとした後、反射型マスクを用いた転写時のパターンの位置ズレを改善する手法を適用する場合、パルスレーザーなどで基板を局所的に加熱する際の加熱に用いる光の波長において高い透過率を有していることが好ましい。そのため、本発明の裏面導電膜は、波長４００～８００ｎｍの範囲内の光の透過率が１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることが更に好ましい。透過率は、波長４００～８００ｎｍの範囲内の特定の波長（特に５３２ｎｍ）の光に対して、所定の透過率以上であればよいが、波長４００～８００ｎｍの範囲内の全体において、所定の透過率以上であることがより好ましい。
裏面導電膜は、反射型マスクを露光装置に静電チャッキングするために用いられる膜であることから、シート抵抗（ＲＳ）は、２５０Ω／□以下であることが好ましく、１００Ω／□以下であることがより好ましい。
裏面導電膜は、静電チャッキングの着脱時のパーティクル発生を抑制する観点から、表面粗さ（ＲＭＳ）は、より小さいことが好ましく、０．５ｎｍ以下であること、特に０．３ｎｍ以下であることが好ましい。
裏面導電膜は、多層反射膜を形成する前に形成しても、基板の多層反射膜側の全ての膜を形成した後に形成してもよく、また、基板の多層反射膜側の一部の膜を形成した後、裏面導電膜を形成し、その後、基板の多層反射膜側の残部の膜を形成してもよい。
裏面導電膜の形成方法としては、ターゲットに電力を供給し、供給した電力で雰囲気ガスをプラズマ化（イオン化）して、スパッタリングを行うスパッタ法や、イオンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ法が挙げられる。スパッタ法としては、ターゲットに直流電圧を印加するＤＣスパッタ法、ターゲットに高周波電圧を印加するＲＦスパッタ法がある。スパッタ法とはスパッタガスをチャンバーに導入した状態でターゲットに電圧を印加し、ガスをイオン化し、ガスイオンによるスパッタリング現象を利用した成膜方法で、特にマグネトロンスパッタ法は生産性において有利である。ターゲットに印加する電力はＤＣでもＲＦでもよく、また、ＤＣには、ターゲットのチャージアップを防ぐために、ターゲットに印加する負バイアスを短時間反転するパルススパッタリングも含まれる。
裏面導電膜は、例えば、一つ又は二つ以上のターゲットを装着できるスパッタ装置を用いてスパッタ法により形成することができる。具体的には、基板と接する側は、ターゲットとして、ケイ素（Ｓｉ）ターゲット、窒化ケイ素（ＳｉＮ）ターゲットと、必要に応じて、タンタル（Ｔａ）ターゲット、モリブデン（Ｍｏ）ターゲット、クロム（Ｃｒ）ターゲット、チタン（Ｔｉ）ターゲット、ジルコニウム（Ｚｒ）ターゲット、ニオブ（Ｎｂ）ターゲット、ハフニウム（Ｈｆ）ターゲット、タングステン（Ｗ）ターゲットなどを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスと、必要に応じて、窒素ガス（Ｎ2ガス）などの窒素含有ガスと、更に、必要に応じて、酸素ガス（Ｏ2ガス）、酸化炭素ガス（ＣＯガス、ＣＯ2ガス）などの酸素含有ガス、酸化炭素ガス（ＣＯガス、ＣＯ2ガス）、メタン（ＣＨ4）等の炭化水素ガスなどの炭素含有ガスを用いて形成することができる。窒素含有ガス、酸素含有ガス、炭素含有ガスを用いる場合、反応性ガスを用いた反応性スパッタリングとなる。
基板から最も離間する側は、ターゲットとして、タンタル（Ｔａ）ターゲットと、ケイ素（Ｓｉ）ターゲット、ゲルマニウム（Ｇｅ）ターゲット及びアルミニウム（Ａｌ）ターゲットから選択される少なくとも一つのターゲットを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いて形成することができる。この場合、スパッタガスとして、必要に応じて、窒素ガス（Ｎ2ガス）などの窒素含有ガスと、酸素ガス（Ｏ2ガス）、酸化炭素ガス（ＣＯガス、ＣＯ2ガス）などの酸素含有ガス、酸化炭素ガス（ＣＯガス、ＣＯ2ガス）、メタン（ＣＨ4）等の炭化水素ガスなどの炭素含有ガスを用いてもよい。
裏面導電膜において、基板と接する側の組成、基板から最も離間する側の組成、及びその他の部分の組成は、いずれも、ターゲットに印加する電力（及び複数種のターゲットを用いる場合はそれらの比率）、反応性ガスの流量（及び複数種の反応性ガスを用いる場合はそれらの比率）などを適宜調整することにより、所望の組成とすることができる。
多層反射膜は、反射型マスクにおいて、露光光であるＥＵＶ光を反射する膜である。多層反射膜は、低屈折率材料の層と、高屈折率材料の層とを交互に積層させた多層膜であり、露光波長が１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対しては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）層と、シリコン（Ｓｉ）層とを交互に、４０周期（各々４０層ずつ）～６０周期（各々６０層ずつ）程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が用いられる。多層反射膜の膜厚は、通常、２８０～３５０ｎｍ程度である。また、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、ＳｉＮ層を形成してもよい。
多層反射膜の形成方法としては、ターゲットに電力を供給し、供給した電力で雰囲気ガスをプラズマ化（イオン化）して、スパッタリングを行うスパッタ法や、イオンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ法が挙げられる。スパッタ法としては、特にマグネトロンスパッタ法が、生産性において有利である。ターゲットに印加する電力はＤＣでもＲＦでもよく、また、ＤＣには、ターゲットのチャージアップを防ぐために、ターゲットに印加する負バイアスを短時間反転するパルススパッタリングも含まれる。
多層反射膜は、例えば、複数のターゲットを装着できるスパッタ装置を用いてスパッタ法により形成することができ、具体的には、ターゲットとして、モリブデン（Ｍｏ）を含有する層を形成するためのモリブデン（Ｍｏ）ターゲット、ケイ素（Ｓｉ）を含有する層を形成するためのケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いて形成することができる。また、スパッタリングを、反応性ガスを用いた反応性スパッタリングとしてもよく、その場合、例えば、窒素（Ｎ）を含有する膜を形成するときには、窒素ガス（Ｎ2ガス）などの窒素含有ガスを、希ガスと共に用いればよい。
複数の元素を含む層を形成する場合、ターゲットに印加する電力（及び複数種のターゲットを用いる場合はそれらの比率）、反応性ガスの流量（及び複数種の反応性ガスを用いる場合はそれらの比率）などを適宜調整して、所望の組成、結晶性などの物性などを得ることができる。
多層反射膜の上には、吸収体膜が形成される。吸収体膜は、露光光であるＥＵＶ光を吸収して、露光光の反射率を低減する膜であり、反射型マスクにおいては、吸収体膜が形成されている部分と、吸収体膜が形成されていない部分との反射率の差によって、転写パターンを形成する。吸収体膜は、多層反射膜上に、多層反射膜に接して形成してもよいが、通常は、後述する保護膜を介して、多層反射膜上に設けられる。
吸収体膜の材料としては、ＥＵＶ光を吸収し、パターン加工が可能な材料であれば、制限はない。吸収体膜の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）を含有する材料が挙げられる。また、Ｔａ又はＣｒを含有する材料は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などを含有していてもよい。Ｔａを含有する材料としては、Ｔａ単体、ＴａＯ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＣ、ＴａＣＮ、ＴａＣＯ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢ、ＴａＯＢ、ＴａＮＢ、ＴａＯＮＢ、ＴａＣＢ、ＴａＣＮＢ、ＴａＣＯＢ、ＴａＣＯＮＢなどのタンタル化合物が挙げられる。Ｃｒを含有する材料として具体的には、Ｃｒ単体、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢ、ＣｒＯＢ、ＣｒＮＢ、ＣｒＯＮＢ、ＣｒＣＢ、ＣｒＣＮＢ、ＣｒＣＯＢ、ＣｒＣＯＮＢなどのクロム化合物が挙げられる。
吸収体膜は、スパッタリングで形成することができ、スパッタリングは、マグネトロンスパッタが好ましい。具体的には、クロム（Ｃｒ）ターゲット、タンタル（Ｔａ）ターゲットなどの金属ターゲットや、クロム化合物ターゲット、タンタル化合物ターゲットなどの金属化合物ターゲット（Ｃｒ、Ｔａなどの金属と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などとを含有するターゲット）などを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いたスパッタリング、また、希ガスと共に、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガスなどの反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成することができる。吸収体膜の膜厚は、特に制限はないが、通常５０～９０ｎｍ程度である。
多層反射膜と吸収体膜の間には、好ましくは多層反射膜に接して、より好ましくは多層反射膜及び吸収体膜の双方に接して、保護膜を形成することが好ましい。保護膜は、キャッピング層とも呼ばれ、その上の吸収体膜にパターンを形成する際や、吸収体膜のパターン修正の際などに、多層反射膜を保護するために設けられる。
図３は、本発明の反射型マスクブランク用膜付き基板、及び反射型マスクブランクの別の例を示す断面図である。この場合、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０３は、基板１０の一の主表面上に、一の主表面に接して形成された多層反射膜１１と、多層反射膜１１に接して形成された保護膜１２と、基板１０の他の主表面上に、他の主表面に接して形成された裏面導電膜２１とを備え、裏面導電膜２１は、基板１０と接する側の層２１ａと、基板１０から最も離間する側の層２１ｂとの２層で構成されている。また、（Ｂ）に示される反射型マスクブランク２０３は、（Ａ）に示される反射型マスクブランク用膜付き基板１０３の保護膜１２上に、保護膜１２に接して吸収体膜１３が形成されている。
保護膜の材料としては、ルテニウム（Ｒｕ）を含有する材料が好ましい。ルテニウム（Ｒｕ）を含有する材料としては、ルテニウム（Ｒｕ）単体、ルテニウム（Ｒｕ）に、ニオブ（Ｎｂ）やジルコニウム（Ｚｒ）を添加した化合物などが好適に用いられる。保護膜の厚さは、通常５ｎｍ以下、特に４ｎｍ以下であることが好ましい。保護膜の厚さの下限は、通常、２ｎｍ以上である。
保護膜は、多層反射膜と同様に、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により形成することができる。保護膜は、例えば、１つ又は複数のターゲットを装着できるスパッタ装置を用いてスパッタ法により形成することができ、具体的には、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲット、又はニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などを添加したルテニウム（Ｒｕ）ターゲットと、必要に応じてニオブ（Ｎｂ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる１以上の元素のターゲットとを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いて、スパッタリングすることにより形成することができる。
保護膜を、金属以外の他の元素を含む化合物で形成する場合は、スパッタガスとして、希ガスと共に、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガスなどの反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成することができる。また、ターゲットを、化合物としてもよい。
吸収体膜上の基板から離間する側には、好ましくは吸収体膜と接して、吸収体膜とはエッチング特性が異なるハードマスク膜（吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能する、吸収体膜のエッチングマスク膜）を設けてもよい。このハードマスク膜は、吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能する膜である。このハードマスク膜は、吸収体パターンを形成した後には、例えば、パターン検査などの検査で用いる光の波長における反射率を低減するための反射率低減層として残して吸収体膜の一部としても、取り除いて反射型マスク上には残存させないようにしてもよい。ハードマスク膜の材料としては、クロム（Ｃｒ）を含有する材料が挙げられる。Ｃｒを含有する材料で形成されているハードマスク膜は、特に、吸収体膜が、Ｔａを含有し、Ｃｒを含有しない材料で形成されている場合に好適である。吸収体膜の上に、パターン検査などの検査で用いる光の波長における反射率を低減する機能を主に担う層（反射率低減層）を形成するとき、ハードマスク膜は、吸収体膜の反射率低減層の上に形成することができる。ハードマスク膜は、例えば、マグネトロンスパッタ法により形成することができる。ハードマスク膜の膜厚は、特に制限はないが、通常５～２０ｎｍ程度である。
更に、反射型マスクブランクは、基板から最も離間する側に、レジスト膜が形成されたものであってもよい。レジスト膜は、電子線（ＥＢ）レジストが好ましい。
以下、実験例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［実験例１］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、フォトマスク形状分析装置（Photomask Form Analysis System）Ｕｌｔｒａ－Ｆｌａｔ２００－ＥＲＡ（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｔｒｏｐｅｌ社製）で、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定した（以下のＴＩＲの測定において同じ。）。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、フォトマスク形状分析装置（Photomask Form Analysis System）Ｕｌｔｒａ－Ｆｌａｔ２００－ＥＲＡ（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｔｒｏｐｅｌ社製）で、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定した（以下のＴＩＲの測定において同じ。）。
次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した一方の主表面の上に、モリブデン（Ｍｏ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを用い、これらのターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜を成膜した。モリブデン（Ｍｏ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを装着でき、ターゲットを１つずつ個々に又は２以上同時に放電することができるスパッタ装置に、各々のターゲットを装着して、基板を設置した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１２ｓｃｃｍ）を流しながらケイ素（Ｓｉ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２５Ｐａで、厚さ４．２ｎｍのケイ素（Ｓｉ）層を形成した。次に、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１３ｓｃｃｍ）を流しながらモリブデン（Ｍｏ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２６Ｐａで、厚さ２．８ｎｍのモリブテン（Ｍｏ）層を形成した。
これらＳｉ層及びＭｏ層を形成する操作を１サイクルとし、これを４０サイクル繰り返して、Ｓｉ層及びＭｏ層を４０層ずつ形成した。最後に、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１２ｓｃｃｍ）を流しながらケイ素（Ｓｉ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２５Ｐａで、厚さ４．２ｎｍのケイ素（Ｓｉ）層を形成して、厚さ２８４．２ｎｍの多層反射膜を形成した。
次に、多層反射膜の上に、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを用い、ターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜に接する保護膜を成膜した。多層反射膜を成膜したスパッタ装置とは別のスパッタ装置に、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを装着し、多層反射膜を成膜した基板を、大気中に取り出すことなく、多層反射膜を成膜したスパッタ装置から、真空状態を維持した搬送路を経由して、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを装着したスパッタ装置に移動させて、設置した。
チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）を流しながらルテニウム（Ｒｕ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２３Ｐａで、厚さ２．０ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）膜を形成し、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットへの電力の印加を停止して、単層の保護膜を形成した。
多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜及び保護膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－１．１０μｍであった。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜及び保護膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．８０μｍであった。
［実験例２］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定した。
次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した一方の主表面の上に、モリブデン（Ｍｏ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを用い、これらのターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜を成膜した。モリブデン（Ｍｏ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを装着でき、ターゲットを１つずつ個々に又は２以上同時に放電することができるスパッタ装置に、各々のターゲットを装着して、基板を設置した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１２ｓｃｃｍ）を流しながらケイ素（Ｓｉ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２５Ｐａで、厚さ３．７ｎｍのケイ素（Ｓｉ）層を形成した。次に、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１２ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：５０ｓｃｃｍ）を流しながらケイ素（Ｓｉ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．１５Ｐａで、厚さ０．５ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮ）層を形成した。次に、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１３ｓｃｃｍ）を流しながらモリブデン（Ｍｏ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２６Ｐａで、厚さ２．８ｎｍのモリブテン（Ｍｏ）層を形成した。
これらＳｉ層、ＳｉＮ層及びＭｏ層を形成する操作を１サイクルとし、これを４０サイクル繰り返して、Ｓｉ層、ＳｉＮ層及びＭｏ層を４０層ずつ形成した。最後に、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１２ｓｃｃｍ）を流しながらケイ素（Ｓｉ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２５Ｐａで、厚さ４．２ｎｍのケイ素（Ｓｉ）層を形成して、厚さ２８４．２ｎｍの多層反射膜を形成した。
次に、多層反射膜の上に、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを用い、ターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜に接する保護膜を成膜した。多層反射膜を成膜したスパッタ装置とは別のスパッタ装置に、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを装着し、多層反射膜を成膜した基板を、大気中に取り出すことなく、多層反射膜を成膜したスパッタ装置から、真空状態を維持した搬送路を経由して、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを装着したスパッタ装置に移動させて、設置した。
チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）を流しながらルテニウム（Ｒｕ）ターゲットに電力を印加し、スパッタ圧力０．０２３Ｐａで、厚さ２．０ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）膜を形成し、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットへの電力の印加を停止して、単層の保護膜を形成した。
多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜及び保護膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．７０μｍであった。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜及び保護膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．４０μｍであった。
［実施例１］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例１と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例１と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、タンタル（Ｔａ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを用い、これらのターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、裏面導電膜を形成した。タンタル（Ｔａ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを装着でき、ターゲットを１つずつ個々に又は２以上同時に放電することができるスパッタ装置に、各々のターゲットを装着して、基板を設置した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに３００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１５００Ｗの電力を印加し、厚さ３０ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉ層との２層からなる厚さ５０ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４１原子％、窒素の含有率が５１原子％、タンタルの含有率が８原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が９０原子％、ケイ素の含有率が１０原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．８２μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．２８μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は９７Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、ＵＶ分光器Ｓｏｌｉｄｓｐｅｃ－３７００（（株）島津製作所）にて測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１０％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は１１．２％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、０．２８ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．０２μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１００Ω／□であった。
［実施例２］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに３００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１５００Ｗの電力を印加し、厚さ３０ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：５ｓｃｃｍ）を流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉＮ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉＮ層との２層からなる厚さ５０ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４１原子％、窒素の含有率が５１原子％、タンタルの含有率が８原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が８４原子％、ケイ素の含有率が４原子％、窒素の含有率が１２原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．６９μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．０１μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１３０Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１２％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は１３．０％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２１ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．２８μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１３０Ω／□であった。
［実施例３］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にキセノン（Ｘｅ）ガス（流量：１．４ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに１５０Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１６５０Ｗの電力を印加し、厚さ２２ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ１２ｎｍのＴａＳｉ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉ層との２層からなる厚さ３４ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４４原子％、窒素の含有率が５２原子％、タンタルの含有率が４原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が９０原子％、ケイ素の含有率が１０原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．５４μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．１６μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１８５Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても２１％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は２１．７％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２０ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．１４μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１９７Ω／□であった。
［実施例４］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にキセノン（Ｘｅ）ガス（流量：１．４ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながら、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットのみに１８００Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＳｉＮ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉ層との２層からなる厚さ４０ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４７原子％、窒素の含有率が５３原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が９０原子％、ケイ素の含有率が１０原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．５１μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．１９μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１００Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１１％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は１１．０％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２４ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．１３μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１１１Ω／□であった。
［実施例５］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに３００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１５００Ｗの電力を印加し、厚さ１６ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに４８０Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１８０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉ層との２層からなる厚さ３６ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４１原子％、窒素の含有率が５１原子％、タンタルの含有率が８原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が８０原子％、ケイ素の含有率が２０原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．４１μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．２９μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１２３Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１３％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は１３．４％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２２ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、０μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１２９Ω／□であった。
［比較例１］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに１５０００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに３００Ｗの電力を印加し、厚さ１７ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉ層との２層からなる厚さ３７ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が１０原子％、窒素の含有率が４３原子％、タンタルの含有率が４７原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が９０原子％、ケイ素の含有率が１０原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．４９μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．２１μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は８５Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１０％未満であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は８．８％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２２ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．１１μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は９６Ω／□であった。
［比較例２］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに３００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１５００Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＳｉＮＴａ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）のみを流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットのみに６６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａ層と、基板から最も離間する側のＴａ層との２層からなる厚さ４０ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が４１原子％、窒素の含有率が５１原子％、タンタルの含有率が８原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルのみが含有され、タンタル以外の元素は実質的に含有されていなかった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．６７μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．０３μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は８２Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１０％未満であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は８．４％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．３５ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．２７μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は８４Ω／□であった。
［比較例３］
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
１５２ｍｍ角、６．３５ｍｍ厚の低熱膨張ガラス基板（ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス基板）を準備し、基板の一方の主表面の反り（ＴＩＲ）を測定し、低熱膨張ガラス基板の、反り（ＴＩＲ）を測定した主表面の上に、実験例２と同様に、多層反射膜と保護膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、反りを測定した他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
まず、チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：４０ｓｃｃｍ）と、酸素（Ｏ2）ガス（流量：１０ｓｃｃｍ）を流しながらタンタル（Ｔａ）ターゲットに３００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに１５００Ｗの電力を印加し、厚さ２１ｎｍのＳｉＮＴａＯ層を形成した。次に、同一のチャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス（流量：１８ｓｃｃｍ）と、窒素（Ｎ2）ガス（流量：５ｓｃｃｍ）を流しながら、タンタル（Ｔａ）ターゲットに６００Ｗ、ケイ素（Ｓｉ）ターゲットに６０Ｗの電力を印加し、厚さ２０ｎｍのＴａＳｉＮ層を形成して、基板と接する側のＳｉＮＴａＯ層と、基板から最も離間する側のＴａＳｉＮ層との２層からなる厚さ４１ｎｍの裏面導電膜を形成した。
裏面導電膜の組成を実施例１と同様の方法で測定した。基板に接する側の層は、ケイ素の含有率が３３原子％、窒素の含有率が１６原子％、タンタルの含有率が７原子％、酸素の含有率が４４原子％であった。また、基板から最も離間する側の層は、タンタルの含有率が８７原子％、ケイ素の含有率が５原子％、窒素の含有率が８原子％であった。
次に、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、裏面導電膜を成膜する直前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、＋０．３５μｍであった。一方、裏面導電膜を成膜した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）と、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．３５μｍであった。また、裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は９９Ω／□であった。
裏面導電膜の透過率を、実施例１と同様の方法で測定したところ、波長４００～８００ｎｍの範囲内のいずれの波長においても１２％以上であり、特に、波長５３２ｎｍの光の透過率は１２．８％であった。また、裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）を実施例１と同様の方法で測定したところ、０．２３ｎｍであった。
次に、裏面導電膜を成膜した基板に対して、ホットプレート式の熱処理装置にて、１５０℃で１０分間保持する熱処理を実施した後に、再度、裏面導電膜を成膜し、熱処理した後の、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定し、最初に測定した、多層反射膜、保護膜及び裏面導電膜を成膜する前の、同じ側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）との差であるΔＴＩＲを算出したところ、－０．４１μｍであった。また、熱処理後の裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）は１００Ω／□であった。
１０ 基板
１１ 多層反射膜
１２ 保護膜
１３ 吸収体膜
２１ 裏面導電膜
２１ａ 基板と接する側の層
２１ｂ 基板から最も離間する側の層
１０１、１０２、１０３ 反射型マスクブランク用膜付き基板
２０１、２０２、２０３ 反射型マスクブランク
１１ 多層反射膜
１２ 保護膜
１３ 吸収体膜
２１ 裏面導電膜
２１ａ 基板と接する側の層
２１ｂ 基板から最も離間する側の層
１０１、１０２、１０３ 反射型マスクブランク用膜付き基板
２０１、２０２、２０３ 反射型マスクブランク
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、タンタル（Ｔａ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを用い、これらのターゲットと基板の主表面とを対向させ、基板を自転させながら、ＤＣパルスマグネトロンスパッタリングにより、裏面導電膜を形成した。タンタル（Ｔａ）ターゲットとケイ素（Ｓｉ）ターゲットとを装着でき、ターゲットを１つずつ個々に又は２以上同時に放電することができるスパッタ装置に、各々のターゲットを装着して、基板を設置した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
次に、多層反射膜及び保護膜を成膜した側の主表面（一方の主表面）の反り（ＴＩＲ）を測定した。次に、低熱膨張ガラス基板の、他方の主表面の上に、実施例１と同様の装置及び方法で裏面導電膜を形成した。
Claims (13)
- 基板と、該基板の二つの主表面のうちの一方の主表面側に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記二つの主表面のうちの他方の主表面に接して形成された裏面導電膜とを備える反射型マスクブランク用膜付き基板であって、
前記裏面導電膜が、前記基板と接する側の組成と、前記基板から最も離間する側の組成とが異なり、
前記基板と接する側の組成が、
ケイ素と窒素とからなる組成、
ケイ素と、窒素と、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成、又は
ケイ素と、窒素と、タンタル、モリブデン、クロム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム及びタングステンから選択される少なくとも一つと、酸素及び炭素から選択される少なくとも一つとを含み、ケイ素及び窒素の合計の含有率が７０原子％以上である組成
であり、
前記基板から最も離間する側の組成が、
タンタルと、ケイ素、ゲルマニウム及びアルミニウムから選択される少なくとも一つとを含み、タンタルの含有率が６０原子％以上であり、窒素及び酸素の合計の含有率が１５原子％以下である組成
であることを特徴とする反射型マスクブランク用膜付き基板。 - 前記基板と接する側の組成において、窒素及びケイ素の合計に対する窒素の含有率が５３原子％以上であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記裏面導電膜の膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記裏面導電膜が、多層で構成されており、前記基板から最も離間する側の層の厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記裏面導電膜が、多層で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 更に、前記多層反射膜上に形成された保護膜を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。 - 前記基板のサイズが、主表面が１５２ｍｍ角、厚さが６．３５ｍｍであり、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成する前の、前記一方の主表面の反りと、
前記基板に、前記多層反射膜又は前記多層反射膜及び保護膜と、前記裏面導電膜とを形成し、１５０℃で１０分間の熱処理を実施した状態の、前記一方の主表面の反りと
の間の反りの変化量（ΔＴＩＲ）が－０．３～＋０．３μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。 - 前記裏面導電膜の波長４００～８００ｎｍの範囲内の光の透過率が１０％以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記裏面導電膜のシート抵抗（ＲＳ）が２５０Ω／□以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 前記裏面導電膜の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板。
- 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク用膜付き基板の前記多層反射膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜が形成されたていることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 請求項１２に記載の反射型マスクブランクを用いて製造することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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