JP2002246299A - 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 - Google Patents
反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子Info
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- JP2002246299A JP2002246299A JP2001043720A JP2001043720A JP2002246299A JP 2002246299 A JP2002246299 A JP 2002246299A JP 2001043720 A JP2001043720 A JP 2001043720A JP 2001043720 A JP2001043720 A JP 2001043720A JP 2002246299 A JP2002246299 A JP 2002246299A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型露光
マスクにおいて、マスクパターンの位置ずれを抑制する
とともに、解像度に悪影響を及ぼすことなく、ＤＵＶ光
によるマスク検査時のコントラストを向上させることが
できる反射型露光マスクを提供する。 【解決手段】 ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層
膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率
が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ
又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル
合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されてい
る。
マスクにおいて、マスクパターンの位置ずれを抑制する
とともに、解像度に悪影響を及ぼすことなく、ＤＵＶ光
によるマスク検査時のコントラストを向上させることが
できる反射型露光マスクを提供する。 【解決手段】 ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層
膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率
が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ
又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル
合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長が１０〜１５
［ｎｍ］付近のＥＵＶ（Extreme UltraViolet rays：極
端紫外線）を光源としたＥＵＶリソグラフィに用いられ
る反射型露光マスク、その製造方法、および上記反射型
露光マスクを用いたＥＵＶリソグラフィによって製造さ
れる半導体素子に関する。
［ｎｍ］付近のＥＵＶ（Extreme UltraViolet rays：極
端紫外線）を光源としたＥＵＶリソグラフィに用いられ
る反射型露光マスク、その製造方法、および上記反射型
露光マスクを用いたＥＵＶリソグラフィによって製造さ
れる半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化につれて、１００
［ｎｍ］以下の極微細加工を可能にする新たなプロセス
技術の確立が急務になっている。リソグラフィ技術でも
光源の短波長化によって光学的な解像力の向上を図るた
め、従来の水銀ランプやエキシマレーザによる紫外線と
比べて、波長が１０〜１５［ｎｍ］程度と１桁以上も短
いＥＵＶを光源に用いて高解像化を可能とするＥＵＶリ
ソグラフィの開発が精力的に行われている。
［ｎｍ］以下の極微細加工を可能にする新たなプロセス
技術の確立が急務になっている。リソグラフィ技術でも
光源の短波長化によって光学的な解像力の向上を図るた
め、従来の水銀ランプやエキシマレーザによる紫外線と
比べて、波長が１０〜１５［ｎｍ］程度と１桁以上も短
いＥＵＶを光源に用いて高解像化を可能とするＥＵＶリ
ソグラフィの開発が精力的に行われている。
【０００３】ＥＵＶ光は物質による吸収が非常に著し
く、ＥＵＶ光に対する物質の屈折率もほとんど真空の値
に等しい。従って、ＥＵＶリソグラフィの露光装置の光
学系には、「精密光学会誌第６４巻第２号２８２頁−２
８６頁（１９９８年）」に記載されたように、凸面鏡と
凹面鏡を組み合わせた反射光学系が用いられる。また、
露光マスクについても、ガラスレチクルのような透過型
では吸収によるＥＵＶ光の強度低下が著しいことから、
反射型露光マスクが用いられる。
く、ＥＵＶ光に対する物質の屈折率もほとんど真空の値
に等しい。従って、ＥＵＶリソグラフィの露光装置の光
学系には、「精密光学会誌第６４巻第２号２８２頁−２
８６頁（１９９８年）」に記載されたように、凸面鏡と
凹面鏡を組み合わせた反射光学系が用いられる。また、
露光マスクについても、ガラスレチクルのような透過型
では吸収によるＥＵＶ光の強度低下が著しいことから、
反射型露光マスクが用いられる。
【０００４】図１３は従来のＥＵＶリソグラフィ用反射
型露光マスクの断面構造図である。図１３の従来の反射
型露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、こ
の多層膜２上に金属膜からなるマスクパターン３を形成
したものである。ＥＵＶリソグラフィにおいて、マスク
パターン３は、ＥＵＶ光の吸収領域（吸収体）として機
能し、非パターン領域（マスクパターン３が形成されて
いない領域であり、多層膜２の露出領域）６は、ＥＵＶ
光の反射領域（反射体）として機能し、半導体ウエハに
塗布されたＥＵＶリソグラフィ用フォトレジスト（ＥＵ
Ｖ領域に感光性をもつレジスト）上に形成するＥＵＶ露
光像に、露光コントラストを生じさせる。
型露光マスクの断面構造図である。図１３の従来の反射
型露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、こ
の多層膜２上に金属膜からなるマスクパターン３を形成
したものである。ＥＵＶリソグラフィにおいて、マスク
パターン３は、ＥＵＶ光の吸収領域（吸収体）として機
能し、非パターン領域（マスクパターン３が形成されて
いない領域であり、多層膜２の露出領域）６は、ＥＵＶ
光の反射領域（反射体）として機能し、半導体ウエハに
塗布されたＥＵＶリソグラフィ用フォトレジスト（ＥＵ
Ｖ領域に感光性をもつレジスト）上に形成するＥＵＶ露
光像に、露光コントラストを生じさせる。
【０００５】反射体として機能する多層膜２は、反射型
露光マスクの表面にほとんど直角に入射したＥＵＶ光に
対して高い反射率を得るために、ＥＵＶ光の波長に対す
る屈折率が互いに大きく異なった２種類以上の材料層を
周期的に積層させた構造である。この多層膜２には、シ
リコン（Ｓｉ）層２ａが最上層（表層）となるようにＥ
ＵＶ光に対する屈折率が互いに異なるＳｉ層２ａとモリ
ブデン（Ｍｏ）層２ｂとを周期的に積層させた構造が広
く用いられている。この周期的積層構造は、Ｍｏ層２ｂ
上にＳｉ層２ａを積層させた構造を基本周期構造とし、
上記の基本周期構造を３０ないし４０周期積層させたも
ので、上記基本周期構造の厚さは、ＥＵＶ光の波長の約
半分とする。このようなＭｏ／Ｓｉ構造の多層膜２で
は、波長が１３．５［ｎｍ］付近のＥＵＶ光に対して最
大約７０［％］の反射率が得られる。
露光マスクの表面にほとんど直角に入射したＥＵＶ光に
対して高い反射率を得るために、ＥＵＶ光の波長に対す
る屈折率が互いに大きく異なった２種類以上の材料層を
周期的に積層させた構造である。この多層膜２には、シ
リコン（Ｓｉ）層２ａが最上層（表層）となるようにＥ
ＵＶ光に対する屈折率が互いに異なるＳｉ層２ａとモリ
ブデン（Ｍｏ）層２ｂとを周期的に積層させた構造が広
く用いられている。この周期的積層構造は、Ｍｏ層２ｂ
上にＳｉ層２ａを積層させた構造を基本周期構造とし、
上記の基本周期構造を３０ないし４０周期積層させたも
ので、上記基本周期構造の厚さは、ＥＵＶ光の波長の約
半分とする。このようなＭｏ／Ｓｉ構造の多層膜２で
は、波長が１３．５［ｎｍ］付近のＥＵＶ光に対して最
大約７０［％］の反射率が得られる。
【０００６】また、吸収体として機能するマスクパター
ン３は、パターン加工された金属膜からなる。この金属
膜としては、ＥＵＶ光の吸収が高く、パターン加工も容
易であるタンタル（Ｔａ）膜や、Ｔａを主成分とする合
金膜（タンタル合金膜）、例えば、Ｔａとゲルマニウム
（Ｇｅ）の合金膜（以下、Ｔａ／Ｇｅ合金膜と称す
る）、ＴａとＳｉの合金膜（以下、Ｔａ／Ｓｉ合金膜と
称する）、Ｔａとボロン（Ｂ）の合金膜（以下、Ｔａ／
Ｂ合金膜と称する）などが有力な候補として挙げられて
いる。
ン３は、パターン加工された金属膜からなる。この金属
膜としては、ＥＵＶ光の吸収が高く、パターン加工も容
易であるタンタル（Ｔａ）膜や、Ｔａを主成分とする合
金膜（タンタル合金膜）、例えば、Ｔａとゲルマニウム
（Ｇｅ）の合金膜（以下、Ｔａ／Ｇｅ合金膜と称す
る）、ＴａとＳｉの合金膜（以下、Ｔａ／Ｓｉ合金膜と
称する）、Ｔａとボロン（Ｂ）の合金膜（以下、Ｔａ／
Ｂ合金膜と称する）などが有力な候補として挙げられて
いる。
【０００７】図１４は従来のＥＵＶリソグラフィ用反射
型露光マスクの製造工程を説明する図である。まず、図
１４（ａ）のように、下地基板１上にスパッタリング法
などによって多層膜２を形成し、この多層膜２上にスパ
ッタリング法またはＣＶＤ法によってマスク材料膜とし
てＴａ膜４を形成する。次に、図１４（ｂ）のように、
Ｔａ膜４上にレジストを塗布し、電子線やレーザ光の走
査による露光および現像によって所望のレジストパター
ン５を形成する。次に、図１４（ｃ）のように、プラズ
マドライエッチング法などによって、レジストパターン
５をエッチングマスクとしてＴａ膜４をパターニング
し、そのあとレジストパターン５を除去して、Ｔａ膜４
からなるマスクパターン３を形成する。なお、多層膜２
とＴａ膜４の間に、バッファ層として酸化シリコン膜な
どが挿入されている場合もある。この場合には、非パタ
ーン領域６内のバッファ層は、図１４（ｃ）でのＴａ膜
４のパターニングの際に除去される。
型露光マスクの製造工程を説明する図である。まず、図
１４（ａ）のように、下地基板１上にスパッタリング法
などによって多層膜２を形成し、この多層膜２上にスパ
ッタリング法またはＣＶＤ法によってマスク材料膜とし
てＴａ膜４を形成する。次に、図１４（ｂ）のように、
Ｔａ膜４上にレジストを塗布し、電子線やレーザ光の走
査による露光および現像によって所望のレジストパター
ン５を形成する。次に、図１４（ｃ）のように、プラズ
マドライエッチング法などによって、レジストパターン
５をエッチングマスクとしてＴａ膜４をパターニング
し、そのあとレジストパターン５を除去して、Ｔａ膜４
からなるマスクパターン３を形成する。なお、多層膜２
とＴａ膜４の間に、バッファ層として酸化シリコン膜な
どが挿入されている場合もある。この場合には、非パタ
ーン領域６内のバッファ層は、図１４（ｃ）でのＴａ膜
４のパターニングの際に除去される。
【０００８】上記のように製造された反射型露光マスク
は、マスク検査工程において、マスクパターン３が所望
の寸法に形成されているか否かなどが検査される。この
反射型露光マスクの検査では、ＥＵＶ領域の光ではな
く、波長１５０〜３５０［ｎｍ］程度のＤＵＶ（Deep U
ltraViolet rays：遠紫外線）領域の光を反射型露光マ
スクの表面に照射する検査装置が用いられる。
は、マスク検査工程において、マスクパターン３が所望
の寸法に形成されているか否かなどが検査される。この
反射型露光マスクの検査では、ＥＵＶ領域の光ではな
く、波長１５０〜３５０［ｎｍ］程度のＤＵＶ（Deep U
ltraViolet rays：遠紫外線）領域の光を反射型露光マ
スクの表面に照射する検査装置が用いられる。
【０００９】図１５はＥＵＶリソグラフィ用反射型露光
マスクの検査工程を説明する図である。図１５におい
て、ＤＵＶ領域の入射光のビームスポットをＩintと
し、この入射光Ｉintに対し、マスクパターン３の表面
で反射した光をＲta、非パターン領域６の多層膜２の表
面（ここでは、多層膜２の最上層をアモルファスＳｉ層
とする）で反射した光をＲsiとする。
マスクの検査工程を説明する図である。図１５におい
て、ＤＵＶ領域の入射光のビームスポットをＩintと
し、この入射光Ｉintに対し、マスクパターン３の表面
で反射した光をＲta、非パターン領域６の多層膜２の表
面（ここでは、多層膜２の最上層をアモルファスＳｉ層
とする）で反射した光をＲsiとする。
【００１０】上記の検査工程では、図１５のように、Ｄ
ＵＶ領域の光Ｉintを反射型露光マスクの表面に照射
し、マスクパターン３からの反射光Ｒtaと、非パターン
領域６からの反射光Ｒsiとの光量を測定し、マスクコン
トラスト値ＭＣを求める。このマスクコントラスト値Ｍ
Ｃは、 ＭＣ［％］＝｛（Ｒsi−Ｒta）／（Ｒsi＋Ｒta）｝×１００…（１） で定義される。
ＵＶ領域の光Ｉintを反射型露光マスクの表面に照射
し、マスクパターン３からの反射光Ｒtaと、非パターン
領域６からの反射光Ｒsiとの光量を測定し、マスクコン
トラスト値ＭＣを求める。このマスクコントラスト値Ｍ
Ｃは、 ＭＣ［％］＝｛（Ｒsi−Ｒta）／（Ｒsi＋Ｒta）｝×１００…（１） で定義される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしＴａは膜応力の
制御が非常に難しい材料でもある。その理由として大気
中で経時変化を起こすことが挙げられる。これは大気中
に含まれる酸素がＴａの結晶粒界を拡散しながらＴａを
酸化する為、圧縮応力が増加すると一般に考えられてい
る。このような特性を持つ材料をマスクパターン用金属
薄膜として使用すると、マスクパターン形成後の応力変
化によりマスクパターンの輪郭の位置ずれが起こる。そ
の結果設計した通りのマスクパターンが形成できなくな
る。またもう一つの問題点としてマスクパターンをＴａ
で形成した場合、マスクパターン検査が難しいことが挙
げられる。これは以下の理由による。即ち、上記従来の
反射型露光マスクでは、マスクパターンの表面反射率が
十分に低くならないために、マスクコントラスト値につ
いての要求を十分に満足させることができないという問
題がある。このため、マスクパターンの表面反射率をさ
らに低くすることが望まれている。
制御が非常に難しい材料でもある。その理由として大気
中で経時変化を起こすことが挙げられる。これは大気中
に含まれる酸素がＴａの結晶粒界を拡散しながらＴａを
酸化する為、圧縮応力が増加すると一般に考えられてい
る。このような特性を持つ材料をマスクパターン用金属
薄膜として使用すると、マスクパターン形成後の応力変
化によりマスクパターンの輪郭の位置ずれが起こる。そ
の結果設計した通りのマスクパターンが形成できなくな
る。またもう一つの問題点としてマスクパターンをＴａ
で形成した場合、マスクパターン検査が難しいことが挙
げられる。これは以下の理由による。即ち、上記従来の
反射型露光マスクでは、マスクパターンの表面反射率が
十分に低くならないために、マスクコントラスト値につ
いての要求を十分に満足させることができないという問
題がある。このため、マスクパターンの表面反射率をさ
らに低くすることが望まれている。
【００１２】一般に、マスクパターンの吸収体膜（金属
膜）の表面粗さが大きいと、ＤＵＶ光Ｉintがマスクパ
ターン表面で乱反射するため、反射光Ｒtaの光量は低下
する。従って、吸収体膜の表面粗さを大きくすれば、マ
スクコントラストおよびＥＵＶ露光像のコントラストを
高くすることが可能である。しかし、上記吸収体膜の表
面粗さを大きくすると、膜厚ムラも大きくなり、膜厚の
薄い場所ではＥＵＶ光の吸収能が小さくなるため、ＥＵ
Ｖリソグラフィでの解像度に悪影響を及ぼす。従って、
上記吸収体膜の表面は可能な限り滑らかに保持し、かつ
表面反射率を低下させる必要がある。
膜）の表面粗さが大きいと、ＤＵＶ光Ｉintがマスクパ
ターン表面で乱反射するため、反射光Ｒtaの光量は低下
する。従って、吸収体膜の表面粗さを大きくすれば、マ
スクコントラストおよびＥＵＶ露光像のコントラストを
高くすることが可能である。しかし、上記吸収体膜の表
面粗さを大きくすると、膜厚ムラも大きくなり、膜厚の
薄い場所ではＥＵＶ光の吸収能が小さくなるため、ＥＵ
Ｖリソグラフィでの解像度に悪影響を及ぼす。従って、
上記吸収体膜の表面は可能な限り滑らかに保持し、かつ
表面反射率を低下させる必要がある。
【００１３】この課題に対し、吸収体として窒化タンタ
ル（記号：ＴａＮ）を用いて解決する方法が提案された
（特願２０００−０４８６５４）。これにより、ＭＣ値
をタンタルを用いた場合よりも向上させることができ
た。しかしながら微細なパターンを精度良く測定するに
は、ＭＣ値のさらなる向上が必要である。
ル（記号：ＴａＮ）を用いて解決する方法が提案された
（特願２０００−０４８６５４）。これにより、ＭＣ値
をタンタルを用いた場合よりも向上させることができ
た。しかしながら微細なパターンを精度良く測定するに
は、ＭＣ値のさらなる向上が必要である。
【００１４】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたものであり、大気中での経時変化を抑
制することによりマスクパターンの位置ずれを抑制する
とともに、解像度に悪影響を及ぼすことなく、ＤＵＶ光
によるマスク検査時のコントラストを向上させることが
できる反射型露光マスクを提供することを目的とする。
るためになされたものであり、大気中での経時変化を抑
制することによりマスクパターンの位置ずれを抑制する
とともに、解像度に悪影響を及ぼすことなく、ＤＵＶ光
によるマスク検査時のコントラストを向上させることが
できる反射型露光マスクを提供することを目的とする。
【００１５】本発明の他の目的は、上記のような反射型
露光マスクの製造方法を提供することにある。
露光マスクの製造方法を提供することにある。
【００１６】本発明のさらに他の目的は、上記のような
反射型露光マスクを用いて製造された半導体素子を提供
することにある。
反射型露光マスクを用いて製造された半導体素子を提供
することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＥＵＶリソグ
ラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、基板上
に形成された多層膜と、前記多層膜上に、少なくともそ
の表面近傍部分が少なくとも主として酸化タンタルで形
成されたマスクパターンとを有することを特徴とする反
射型露光マスクを提供するものである。
ラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、基板上
に形成された多層膜と、前記多層膜上に、少なくともそ
の表面近傍部分が少なくとも主として酸化タンタルで形
成されたマスクパターンとを有することを特徴とする反
射型露光マスクを提供するものである。
【００１８】前記マスクパターンは、その全体が少なく
とも主として酸化タンタルで形成されているものであっ
ても良い。
とも主として酸化タンタルで形成されているものであっ
ても良い。
【００１９】前記マスクパターンが、少なくとも主とし
て酸化タンタルで形成されたターゲットを用いたスパッ
タ法、少なくとも主としてタンタルで形成されたターゲ
ットを用い、酸素ガスを混合した反応性スパッタ法、又
はＣＶＤ法により形成されたものであっても良い。
て酸化タンタルで形成されたターゲットを用いたスパッ
タ法、少なくとも主としてタンタルで形成されたターゲ
ットを用い、酸素ガスを混合した反応性スパッタ法、又
はＣＶＤ法により形成されたものであっても良い。
【００２０】前記マスクパターンは、前記表面近傍部分
以外の部分がタンタル、タンタル合金、又は窒化タンタ
ルで形成された膜、或いはこれらの２種以上を積層する
ことにより形成した積層膜で形成されており、前記酸化
タンタルが意図的に形成されたものであっても良い。
以外の部分がタンタル、タンタル合金、又は窒化タンタ
ルで形成された膜、或いはこれらの２種以上を積層する
ことにより形成した積層膜で形成されており、前記酸化
タンタルが意図的に形成されたものであっても良い。
【００２１】前記マスクパターンが、タンタル、タンタ
ル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以上
を積層することにより形成した積層膜の表面近傍部分を
意図的に酸化させることにより形成されたものであって
も良い。
ル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以上
を積層することにより形成した積層膜の表面近傍部分を
意図的に酸化させることにより形成されたものであって
も良い。
【００２２】前記酸化が、酸素を含んだガス雰囲気中で
の熱処理、又はプラズマ処理により行われたものであっ
ても良い。
の熱処理、又はプラズマ処理により行われたものであっ
ても良い。
【００２３】前記マスクパターンが、タンタル、タンタ
ル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以上
を積層することにより形成した積層膜から成る第１の層
の上に、前記少なくとも主として酸化タンタルで形成さ
れた表面近傍部分を構成する第２の層を積層することに
より形成されたものであっても良い。
ル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以上
を積層することにより形成した積層膜から成る第１の層
の上に、前記少なくとも主として酸化タンタルで形成さ
れた表面近傍部分を構成する第２の層を積層することに
より形成されたものであっても良い。
【００２４】前記積層が、スパッタ法、ＣＶＤ法により
行われたものであっても良い。
行われたものであっても良い。
【００２５】前記多層膜が２種以上の材料層を周期的に
積層させたものであっても良い。
積層させたものであっても良い。
【００２６】前記多層膜が、最上層がシリコン層となる
ように、シリコン層とモリブデン層とを周期的に積層し
た構造、又は最上層がベリリウム層となるように、ベリ
リウム層とモリブデン層とを周期的に積層した構造を有
するものであっても良い。
ように、シリコン層とモリブデン層とを周期的に積層し
た構造、又は最上層がベリリウム層となるように、ベリ
リウム層とモリブデン層とを周期的に積層した構造を有
するものであっても良い。
【００２７】本発明はまた、ＥＵＶリソグラフィに用い
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主として酸化タン
タルで形成されたターゲットを用いたスパッタ法、少な
くとも主としてタンタルで形成されたターゲットを用
い、酸素ガスを混合した反応性スパッタ法、又はＣＶＤ
法により、前記多層膜上に、少なくとも主として酸化タ
ンタルで形成されたマスク材料膜を形成する工程と、前
記マスク材料膜をパターニングしてマスクパターン形成
する工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスクの
製造方法を提供するものである。
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主として酸化タン
タルで形成されたターゲットを用いたスパッタ法、少な
くとも主としてタンタルで形成されたターゲットを用
い、酸素ガスを混合した反応性スパッタ法、又はＣＶＤ
法により、前記多層膜上に、少なくとも主として酸化タ
ンタルで形成されたマスク材料膜を形成する工程と、前
記マスク材料膜をパターニングしてマスクパターン形成
する工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスクの
製造方法を提供するものである。
【００２８】本発明はまた、ＥＵＶリソグラフィに用い
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主としてタンタル
で形成されたターゲットを用いたスパッタ法、又はＣＶ
Ｄ法により、前記多層膜上に、少なくとも主としてタン
タルで形成された層を形成する工程と、前記少なくとも
主としてタンタルで形成された層の少なくとも表面近傍
部分を酸化してマスク材料膜を形成する工程と、前記マ
スク材料膜をパターニングしてマスクパターン形成する
工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスクの製造
方法を提供するものである。
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主としてタンタル
で形成されたターゲットを用いたスパッタ法、又はＣＶ
Ｄ法により、前記多層膜上に、少なくとも主としてタン
タルで形成された層を形成する工程と、前記少なくとも
主としてタンタルで形成された層の少なくとも表面近傍
部分を酸化してマスク材料膜を形成する工程と、前記マ
スク材料膜をパターニングしてマスクパターン形成する
工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスクの製造
方法を提供するものである。
【００２９】前記酸化する工程が、前記少なくとも主と
してタンタルで形成された層の全体を酸化するものであ
っても良い。
してタンタルで形成された層の全体を酸化するものであ
っても良い。
【００３０】本発明はまた、ＥＵＶリソグラフィに用い
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主としてタンタル
で形成されたターゲットを用いたスパッタ法、又はＣＶ
Ｄ法により、前記多層膜上に、少なくとも主としてタン
タルで形成された第１の層を形成する工程と、少なくと
も主として酸化タンタルで形成されたターゲットを用い
たスパッタ法、少なくとも主としてタンタルで形成され
たターゲットを用い、酸素ガスを混合した反応性スパッ
タ法、又はＣＶＤ法により、前記第２の膜上に、少なく
とも主として酸化タンタルで形成された第２の膜を形成
する工程と、前記第１の膜及び前記第２の膜をパターニ
ングしてマスクパターンを形成する工程とを含むことを
特徴とする反射型露光マスクの製造方法を提供するもの
である。
られる反射型露光マスクの製造方法において、基板上に
多層膜を形成する工程と、少なくとも主としてタンタル
で形成されたターゲットを用いたスパッタ法、又はＣＶ
Ｄ法により、前記多層膜上に、少なくとも主としてタン
タルで形成された第１の層を形成する工程と、少なくと
も主として酸化タンタルで形成されたターゲットを用い
たスパッタ法、少なくとも主としてタンタルで形成され
たターゲットを用い、酸素ガスを混合した反応性スパッ
タ法、又はＣＶＤ法により、前記第２の膜上に、少なく
とも主として酸化タンタルで形成された第２の膜を形成
する工程と、前記第１の膜及び前記第２の膜をパターニ
ングしてマスクパターンを形成する工程とを含むことを
特徴とする反射型露光マスクの製造方法を提供するもの
である。
【００３１】本発明はさらに、上記の反射型露光マスク
を用いたＥＵＶリソグラフィによって製造された半導体
素子を提供するものである。
を用いたＥＵＶリソグラフィによって製造された半導体
素子を提供するものである。
【００３２】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 図１は本発明の第１の実施の形態によるＥＵＶリソグラ
フィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
フィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
【００３３】図１のように、第１の実施の形態の反射型
露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、この
多層膜２上に酸化タンタル（ＴａＯ）膜からなるマスク
パターン１１を形成したものである。このように、第１
の実施の形態の反射型露光マスクは、吸収体として機能
するマスクパターンがＴａＯ膜からなることを特徴とし
ている。
露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、この
多層膜２上に酸化タンタル（ＴａＯ）膜からなるマスク
パターン１１を形成したものである。このように、第１
の実施の形態の反射型露光マスクは、吸収体として機能
するマスクパターンがＴａＯ膜からなることを特徴とし
ている。
【００３４】ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＴａＯ膜か
らなるマスクパターン１１は、ＥＵＶ光の吸収領域（吸
収体）として機能し、非パターン領域（マスクパターン
１１が形成されていない領域であり、多層膜２の露出領
域）６は、ＥＵＶ光の反射領域（反射体）として機能
し、半導体ウエハに塗布されたＥＵＶリソグラフィ用フ
ォトレジスト（ＥＵＶ領域に感光性をもつフォトレジス
ト）上に形成するＥＵＶ露光像に、露光コントラストを
生じさせる。
らなるマスクパターン１１は、ＥＵＶ光の吸収領域（吸
収体）として機能し、非パターン領域（マスクパターン
１１が形成されていない領域であり、多層膜２の露出領
域）６は、ＥＵＶ光の反射領域（反射体）として機能
し、半導体ウエハに塗布されたＥＵＶリソグラフィ用フ
ォトレジスト（ＥＵＶ領域に感光性をもつフォトレジス
ト）上に形成するＥＵＶ露光像に、露光コントラストを
生じさせる。
【００３５】反射体として機能する多層膜２は、ＥＵＶ
光の波長に対する屈折率が互いに大きく異なった２種類
以上の材料層を周期的に積層させた構造である。ここで
は、多層膜２は、最上層（表層）がシリコン（Ｓｉ）層
２ａとなるようにＥＵＶ光に対する屈折率が互いに異な
るＳｉ層２ａとモリブデン（Ｍｏ）層２ｂとを周期的に
積層させた構造である。
光の波長に対する屈折率が互いに大きく異なった２種類
以上の材料層を周期的に積層させた構造である。ここで
は、多層膜２は、最上層（表層）がシリコン（Ｓｉ）層
２ａとなるようにＥＵＶ光に対する屈折率が互いに異な
るＳｉ層２ａとモリブデン（Ｍｏ）層２ｂとを周期的に
積層させた構造である。
【００３６】図２は本発明の第１の実施の形態によるＥ
ＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明
する図である。
ＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明
する図である。
【００３７】まず、図２（ａ）のように、下地基板１上
にスパッタリング法などによって、Ｓｉ層２ａが最上層
となるようにＳｉ層２ａとＭｏ層２ｂとを周期的に積層
させた多層膜２を形成する。さらに詳細には、Ｍｏ層２
ｂ上にＳｉ層２ａを積層させた構造を基本周期構造と
し、上記の基本周期構造を３０ないし４０周期積層させ
る。また、上記基本周期構造の厚さは、ＥＵＶ光の波長
の約半分とする。このようなＭｏ／Ｓｉ構造の多層膜２
では、波長が１３．５［ｎｍ］付近のＥＵＶ光に対して
最大約７０［％］の反射率が得られる。
にスパッタリング法などによって、Ｓｉ層２ａが最上層
となるようにＳｉ層２ａとＭｏ層２ｂとを周期的に積層
させた多層膜２を形成する。さらに詳細には、Ｍｏ層２
ｂ上にＳｉ層２ａを積層させた構造を基本周期構造と
し、上記の基本周期構造を３０ないし４０周期積層させ
る。また、上記基本周期構造の厚さは、ＥＵＶ光の波長
の約半分とする。このようなＭｏ／Ｓｉ構造の多層膜２
では、波長が１３．５［ｎｍ］付近のＥＵＶ光に対して
最大約７０［％］の反射率が得られる。
【００３８】次に、図２（ｂ）のように、多層膜２上に
マスク材料膜としてＴａＯ膜２１を形成する。ＴａＯ膜
２１は、ＴａＯターゲットを用いたスパッタリング法、
Ｔａターゲットを用いてスパッタリングする際に酸素ガ
スを混合した反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法などに
よって形成される。さらに他の方法として、スパッタリ
ング法やＣＶＤ法によって形成したＴａ膜に対し、酸素
を含むガス雰囲気での熱処理やプラズマ処理による酸化
処理を施すことによって、ＴａＯ膜２１を形成すること
もできる。
マスク材料膜としてＴａＯ膜２１を形成する。ＴａＯ膜
２１は、ＴａＯターゲットを用いたスパッタリング法、
Ｔａターゲットを用いてスパッタリングする際に酸素ガ
スを混合した反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法などに
よって形成される。さらに他の方法として、スパッタリ
ング法やＣＶＤ法によって形成したＴａ膜に対し、酸素
を含むガス雰囲気での熱処理やプラズマ処理による酸化
処理を施すことによって、ＴａＯ膜２１を形成すること
もできる。
【００３９】次に、図２（ｃ）のように、ＴａＯ膜２１
上にレジストを塗布し、電子線やレーザ光の走査による
露光および現像によって所望のレジストパターン５を形
成する。
上にレジストを塗布し、電子線やレーザ光の走査による
露光および現像によって所望のレジストパターン５を形
成する。
【００４０】次に、図２（ｄ）のように、プラズマドラ
イエッチング法などによって、レジストパターン５をエ
ッチングマスクとしてＴａＯ膜２１をパターニングし、
その後レジストパターン５を除去して、ＴａＯ膜２１か
らなるマスクパターン１１を形成する。
イエッチング法などによって、レジストパターン５をエ
ッチングマスクとしてＴａＯ膜２１をパターニングし、
その後レジストパターン５を除去して、ＴａＯ膜２１か
らなるマスクパターン１１を形成する。
【００４１】なお、多層膜２とＴａＯ膜２１の間に、バ
ッファ層として図示しない酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜
などが挿入されている場合もある。この場合には、非パ
ターン領域６内のバッファ層は、図２（ｄ）でのＴａＯ
膜２１のパターニングの際に除去される。
ッファ層として図示しない酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜
などが挿入されている場合もある。この場合には、非パ
ターン領域６内のバッファ層は、図２（ｄ）でのＴａＯ
膜２１のパターニングの際に除去される。
【００４２】このようにして形成されたＴａＯ膜は、Ｔ
ａ膜に比べ膜応力の経時変化が小さく、またＴａ膜やＴ
ａＮ膜に比べＤＵＶ光に対する反射率が低いことが見出
された。この点につき、図３乃至図５を参照して説明す
る。
ａ膜に比べ膜応力の経時変化が小さく、またＴａ膜やＴ
ａＮ膜に比べＤＵＶ光に対する反射率が低いことが見出
された。この点につき、図３乃至図５を参照して説明す
る。
【００４３】図３はスパッタ法により成膜したＴａ膜及
び反応性スパッタ法により成膜したＴａＯ膜の大気中で
の応力の経時変化を示したものである。この図から分か
るように、反応性スパッタ法で形成されたＴａＯ膜の方
が大気中での膜応力経時変化が小さく、従ってそのよう
なＴａＯ膜を用いれば、マスクパターン位置精度をＴａ
膜を用いた場合よりも高くすることが可能となる。
び反応性スパッタ法により成膜したＴａＯ膜の大気中で
の応力の経時変化を示したものである。この図から分か
るように、反応性スパッタ法で形成されたＴａＯ膜の方
が大気中での膜応力経時変化が小さく、従ってそのよう
なＴａＯ膜を用いれば、マスクパターン位置精度をＴａ
膜を用いた場合よりも高くすることが可能となる。
【００４４】図４はＤＵＶ光に対するＴａ、ＴａＮ及び
ＴａＯ膜の表面反射率を測定したものである。図４にお
いて、横軸はＤＵＶ光の波長、縦軸は表面反射率であ
る。この表面反射率は、ＤＵＶ光に対するＳｉウエハ表
面での反射強度を基準（１００％）として規格化したも
のである。またＴａ、ＴａＮ及びＴａＯの下層として用
いられる、Ｓｉ膜を最表面に持つＭｏ／Ｓｉ多層膜の反
射率も併せて示した。なお、「ｒｍｓ」は、表面粗さの
実効値（表面の凹凸分布の実効値）である。
ＴａＯ膜の表面反射率を測定したものである。図４にお
いて、横軸はＤＵＶ光の波長、縦軸は表面反射率であ
る。この表面反射率は、ＤＵＶ光に対するＳｉウエハ表
面での反射強度を基準（１００％）として規格化したも
のである。またＴａ、ＴａＮ及びＴａＯの下層として用
いられる、Ｓｉ膜を最表面に持つＭｏ／Ｓｉ多層膜の反
射率も併せて示した。なお、「ｒｍｓ」は、表面粗さの
実効値（表面の凹凸分布の実効値）である。
【００４５】ここで、ＤＵＶ光は、反射型露光マスクの
検査時に、マスクパターン寸法や形状の測定などのため
に反射型露光マスクの表面に照射されるものである。Ｅ
ＵＶ用マスクの検査に用いられる光源波長はＫｒＦレー
ザの波長である２４８ｎｍやＡｒＦレーザの波長である
１９３ｎｍが使用される可能性が高い。上記の波長にお
いて、ＴａＯ膜よりも大きな平均表面粗さ（図中ｒｍｓ
値）を持つＴａ、ＴａＮ膜に比べ、ＴａＯ膜の反射率が
低いことが分かる。この測定結果より上記の式（１）を
用いてマスクコントラストを計算した結果を図５に示
す。検査光源波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍにおけるＭＣ
値はＴａＯの膜が最も高くなっている。従って、マスク
パターン観察時にコントラストの高い像を得ることがで
きる。
検査時に、マスクパターン寸法や形状の測定などのため
に反射型露光マスクの表面に照射されるものである。Ｅ
ＵＶ用マスクの検査に用いられる光源波長はＫｒＦレー
ザの波長である２４８ｎｍやＡｒＦレーザの波長である
１９３ｎｍが使用される可能性が高い。上記の波長にお
いて、ＴａＯ膜よりも大きな平均表面粗さ（図中ｒｍｓ
値）を持つＴａ、ＴａＮ膜に比べ、ＴａＯ膜の反射率が
低いことが分かる。この測定結果より上記の式（１）を
用いてマスクコントラストを計算した結果を図５に示
す。検査光源波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍにおけるＭＣ
値はＴａＯの膜が最も高くなっている。従って、マスク
パターン観察時にコントラストの高い像を得ることがで
きる。
【００４６】上記のＴａ膜は大気放置後十分な時間が経
過してから反射率を測定したものである。従って、Ｔａ
表面には大気中で自然酸化によりＴａＯ膜が形成されて
いるはずであるが、上記実施の形態のように、反応性ス
パッタ法により（酸素を含んだガス中で）意図的に酸化
させたＴａ膜の方が反射率が低くなっている。
過してから反射率を測定したものである。従って、Ｔａ
表面には大気中で自然酸化によりＴａＯ膜が形成されて
いるはずであるが、上記実施の形態のように、反応性ス
パッタ法により（酸素を含んだガス中で）意図的に酸化
させたＴａ膜の方が反射率が低くなっている。
【００４７】このように、意図的に形成されたＴａＯ膜
は、このＴａＯ膜よりも表面粗さの大きなＴａ膜やＴａ
Ｎ膜よりも表面反射率が低い。従って、ＴａＯ膜２１か
らなるマスクパターン１１を設けた第１の実施の形態の
反射型露光マスクでは、Ｔａ膜やＴａＮ膜から成るマス
クパターンを設けた反射型露光マスクよりも、ＤＵＶ光
による検査時のマスクコントラストを大きくすることが
できる。
は、このＴａＯ膜よりも表面粗さの大きなＴａ膜やＴａ
Ｎ膜よりも表面反射率が低い。従って、ＴａＯ膜２１か
らなるマスクパターン１１を設けた第１の実施の形態の
反射型露光マスクでは、Ｔａ膜やＴａＮ膜から成るマス
クパターンを設けた反射型露光マスクよりも、ＤＵＶ光
による検査時のマスクコントラストを大きくすることが
できる。
【００４８】また、マスクパターンの表面粗さを大きく
することなく、マスクパターンの表面反射率を低減させ
ることができるため、マスクパターンの膜厚ムラの増大
によってＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影響を
及ぼすことはない。
することなく、マスクパターンの表面反射率を低減させ
ることができるため、マスクパターンの膜厚ムラの増大
によってＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影響を
及ぼすことはない。
【００４９】なお、上記第１の実施の形態では、吸収体
膜としてＴａＯで形成されたものを用いたが、代りにタ
ンタル合金を酸化処理することにより形成された膜、或
いは、ＴａＯ膜、ＴａＮ膜を酸化処理することにより形
成された膜、タンタル合金を酸化処理することにより形
成された膜の２種以上を積層した膜（積層後に酸化して
も良く、酸化した膜を順次積層したもので良い）で形成
されたものを用いても良い。
膜としてＴａＯで形成されたものを用いたが、代りにタ
ンタル合金を酸化処理することにより形成された膜、或
いは、ＴａＯ膜、ＴａＮ膜を酸化処理することにより形
成された膜、タンタル合金を酸化処理することにより形
成された膜の２種以上を積層した膜（積層後に酸化して
も良く、酸化した膜を順次積層したもので良い）で形成
されたものを用いても良い。
【００５０】なお、タンタル合金を酸化した膜、言換え
れば、タンタル合金の酸化膜（酸化タンタル合金膜）と
しては、例えば、Ｔａ／Ｇｅ合金の酸化膜、Ｔａ／Ｓｉ
合金の酸化膜、Ｔａ／Ｂ合金の酸化膜などがある。
れば、タンタル合金の酸化膜（酸化タンタル合金膜）と
しては、例えば、Ｔａ／Ｇｅ合金の酸化膜、Ｔａ／Ｓｉ
合金の酸化膜、Ｔａ／Ｂ合金の酸化膜などがある。
【００５１】このように、ＴａＯ膜以外の、上記のよう
なＴａＯを主成分とする膜を用いた場合にも上記と同様
の効果がある。特許請求の範囲で、「少なくとも主とし
て酸化タンタルで形成された」と言うのは、酸化タンタ
ルのみで形成された場合と主として酸化タンタルで形成
された場合とを含む。同様に、「少なくとも主としてタ
ンタルで形成された」と言うのは、タンタルのみで形成
された場合と主としてタンタルで形成された場合とを含
む。
なＴａＯを主成分とする膜を用いた場合にも上記と同様
の効果がある。特許請求の範囲で、「少なくとも主とし
て酸化タンタルで形成された」と言うのは、酸化タンタ
ルのみで形成された場合と主として酸化タンタルで形成
された場合とを含む。同様に、「少なくとも主としてタ
ンタルで形成された」と言うのは、タンタルのみで形成
された場合と主としてタンタルで形成された場合とを含
む。
【００５２】以上のように第１の実施の形態の反射型露
光マスクによれば、ＴａＯを主成分とする膜からなるマ
スクパターン１１を形成したことにより、膜応力を小さ
くしてマスクパターンの位置精度を高め、またマスクパ
ターンの表面反射率を従来よりも低減することができ
る。また、マスクパターンの表面粗さを大きくすること
なく、マスクパターンの表面反射率を低減させることが
できるため、ＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影
響を及ぼすことはない。
光マスクによれば、ＴａＯを主成分とする膜からなるマ
スクパターン１１を形成したことにより、膜応力を小さ
くしてマスクパターンの位置精度を高め、またマスクパ
ターンの表面反射率を従来よりも低減することができ
る。また、マスクパターンの表面粗さを大きくすること
なく、マスクパターンの表面反射率を低減させることが
できるため、ＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影
響を及ぼすことはない。
【００５３】第２の実施の形態 図６は本発明の第２の実施の形態によるＥＵＶリソグラ
フィ用反射型露光マスクの断面構造図である。なお、図
６において、図１と同じものには同じ符号を付してあ
る。
フィ用反射型露光マスクの断面構造図である。なお、図
６において、図１と同じものには同じ符号を付してあ
る。
【００５４】図６のように、第２の実施の形態の反射型
露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、この
多層膜２上に、その表面近傍部分即ち表層２２ｂがＴａ
Ｏで形成された金属膜２２からなるマスクパターン１２
を形成したものである。表面近傍部分以外の部分、即ち
底面近傍部分即ち下層２２ａは本例ではＴａで形成され
ている。
露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、この
多層膜２上に、その表面近傍部分即ち表層２２ｂがＴａ
Ｏで形成された金属膜２２からなるマスクパターン１２
を形成したものである。表面近傍部分以外の部分、即ち
底面近傍部分即ち下層２２ａは本例ではＴａで形成され
ている。
【００５５】この第２の実施の形態では、金属膜２２
は、多層膜２上に形成したＴａ膜の表面近傍部分を酸化
させる処理を施すことにより形成されたものである。
は、多層膜２上に形成したＴａ膜の表面近傍部分を酸化
させる処理を施すことにより形成されたものである。
【００５６】Ｔａ膜に酸化処理を施すことにより形成さ
れた金属膜２２においては、酸化により形成されたＴａ
Ｏ層２２ｂと酸化されずに残ったＴａ層２２ａとの境界
は明確ではないが、表面を含む上層に、Ｔａ層よりもＥ
ＵＶ光に対する反射率が低いＴａＯ層が存在し、底面を
含む下層に、ＴａＯ層よりもＥＵＶ光に対する吸収能が
大きいＴａ層が存在していることが重要である。
れた金属膜２２においては、酸化により形成されたＴａ
Ｏ層２２ｂと酸化されずに残ったＴａ層２２ａとの境界
は明確ではないが、表面を含む上層に、Ｔａ層よりもＥ
ＵＶ光に対する反射率が低いＴａＯ層が存在し、底面を
含む下層に、ＴａＯ層よりもＥＵＶ光に対する吸収能が
大きいＴａ層が存在していることが重要である。
【００５７】図７は本発明の第２の実施の形態によるＥ
ＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明
する図である。なお、図７において、図２と同じものに
は同じ符号を付してある。
ＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明
する図である。なお、図７において、図２と同じものに
は同じ符号を付してある。
【００５８】まず、図７（ａ）のように、第１の実施の
形態と同じようにして、下地基板１上にスパッタリング
法などによって多層膜２を形成する。
形態と同じようにして、下地基板１上にスパッタリング
法などによって多層膜２を形成する。
【００５９】次に、図７（ｂ）のように、多層膜２上に
スパッタリング法またはＣＶＤ法によってマスク材料膜
としてＴａ膜２２ｃを形成する。
スパッタリング法またはＣＶＤ法によってマスク材料膜
としてＴａ膜２２ｃを形成する。
【００６０】次に、図７（ｃ）のように、Ｔａ膜２２ｃ
に酸化処理を施すことによってＴａ膜２２ｃの表層にＴ
ａＯ層２２ｂを形成する。上記の酸化処理は、酸素を含
むガス雰囲気中での熱処理やプラズマ処理などによる。
に酸化処理を施すことによってＴａ膜２２ｃの表層にＴ
ａＯ層２２ｂを形成する。上記の酸化処理は、酸素を含
むガス雰囲気中での熱処理やプラズマ処理などによる。
【００６１】図７（ｂ）および図７（ｃ）の工程によ
り、表層にＴａＯ層２２ｂを有し、このＴａＯ層２２ｂ
の下層にＴａ層２２ａを有するマスク材料膜２２が形成
される。
り、表層にＴａＯ層２２ｂを有し、このＴａＯ層２２ｂ
の下層にＴａ層２２ａを有するマスク材料膜２２が形成
される。
【００６２】なお、これ以降のマスク材料膜２２をパタ
ーニングし、金属膜２２からなるマスクパターン１２を
形成する工程は、図２（ｃ）および図２（ｄ）と同じで
ある。
ーニングし、金属膜２２からなるマスクパターン１２を
形成する工程は、図２（ｃ）および図２（ｄ）と同じで
ある。
【００６３】このようにして形成された、表層にＴａＯ
層２２ｂを有し、このＴａＯ層２２ｂの下層にＴａ層２
２ａを有するマスクパターン１２は、ＴａＯ膜のみから
なる第１の実施の形態のマスクパターン１１よりもＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が増大する。これは、Ｔａ層のＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が、ＴａＯ層のＥＵＶ光に対する吸
収能よりも大きいことによる。このため、上記構造のマ
スクパターン１２を設けた第２の実施の形態の反射型露
光マスクでは、第１の実施の形態の反射型露光マスクよ
りも、さらにマスクコントラストを高くすることができ
る。以下、この点につき、図８及び図９を参照して説明
する。
層２２ｂを有し、このＴａＯ層２２ｂの下層にＴａ層２
２ａを有するマスクパターン１２は、ＴａＯ膜のみから
なる第１の実施の形態のマスクパターン１１よりもＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が増大する。これは、Ｔａ層のＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が、ＴａＯ層のＥＵＶ光に対する吸
収能よりも大きいことによる。このため、上記構造のマ
スクパターン１２を設けた第２の実施の形態の反射型露
光マスクでは、第１の実施の形態の反射型露光マスクよ
りも、さらにマスクコントラストを高くすることができ
る。以下、この点につき、図８及び図９を参照して説明
する。
【００６４】まず、上記のようにして形成された吸収体
膜（金属膜）では、ＴａＯ層のみで形成された膜（第１
の実施の形態の膜）に比べＥＵＶ光に対する吸収能が大
きい。これは、膜の密度と構成元素の吸収係数の違いに
よる。
膜（金属膜）では、ＴａＯ層のみで形成された膜（第１
の実施の形態の膜）に比べＥＵＶ光に対する吸収能が大
きい。これは、膜の密度と構成元素の吸収係数の違いに
よる。
【００６５】図８はタンタル（Ｔａ）、酸化タンタル
（ＴａＯ）を成膜した時の膜厚と重量を測定し、密度を
計算した結果の例である。また、参考までに窒化タンタ
ル（ＴａＮ）についても同様の計算結果を示す。吸収体
のＥＵＶ光の吸収能は、同じ膜厚であれば膜密度が低く
なると吸収能は低下する。
（ＴａＯ）を成膜した時の膜厚と重量を測定し、密度を
計算した結果の例である。また、参考までに窒化タンタ
ル（ＴａＮ）についても同様の計算結果を示す。吸収体
のＥＵＶ光の吸収能は、同じ膜厚であれば膜密度が低く
なると吸収能は低下する。
【００６６】図９は、タンタル、酸素のＥＵＶ光に対す
る吸収係数（ｆ２）を示す。また、参考までに窒素につ
いても同様の吸収係数（ｆ２）を示す（"Atomic Data a
nd Nuclear Data Table, vol. 54, No. 2, July 1993"
より引用）。この値が大きいほどＥＵＶ光の吸収が大き
いことを示すが、タンタルに比べ窒素や酸素は小さい。
従って吸収体としての能力はＴａよりもＴａＮやＴａＯ
の方が低くなる。図６のような構造では、下層２２ａを
Ｔａで形成することによりＥＵＶ光の吸収能を高めるこ
とが可能となり、かつ表層をＴａＯで形成することによ
りＤＵＶ光に対する表面反射率を低下させることができ
る。これにより、吸収体のない非パターン部であるＳｉ
表面からの反射率との差を大きくすることが可能とな
る。
る吸収係数（ｆ２）を示す。また、参考までに窒素につ
いても同様の吸収係数（ｆ２）を示す（"Atomic Data a
nd Nuclear Data Table, vol. 54, No. 2, July 1993"
より引用）。この値が大きいほどＥＵＶ光の吸収が大き
いことを示すが、タンタルに比べ窒素や酸素は小さい。
従って吸収体としての能力はＴａよりもＴａＮやＴａＯ
の方が低くなる。図６のような構造では、下層２２ａを
Ｔａで形成することによりＥＵＶ光の吸収能を高めるこ
とが可能となり、かつ表層をＴａＯで形成することによ
りＤＵＶ光に対する表面反射率を低下させることができ
る。これにより、吸収体のない非パターン部であるＳｉ
表面からの反射率との差を大きくすることが可能とな
る。
【００６７】以上のように第２の実施の形態の反射型露
光マスクによれば、Ｔａ膜の表面近傍部分を酸化させる
処理を施すことにより形成されたＴａＯ層２２ｂと、そ
の下にあるＴａ層２２ａとでを有する金属膜２２によっ
てマスクパターン１２を形成したことにより、ＥＵＶ光
に対するコントラストを向上させることができる。ま
た、マスクパターンの表面粗さを大きくすることなく、
マスクパターンの表面反射率を低減させることができる
ため、ＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影響を及
ぼすことはない。
光マスクによれば、Ｔａ膜の表面近傍部分を酸化させる
処理を施すことにより形成されたＴａＯ層２２ｂと、そ
の下にあるＴａ層２２ａとでを有する金属膜２２によっ
てマスクパターン１２を形成したことにより、ＥＵＶ光
に対するコントラストを向上させることができる。ま
た、マスクパターンの表面粗さを大きくすることなく、
マスクパターンの表面反射率を低減させることができる
ため、ＥＵＶリソグラフィにおける解像度に悪影響を及
ぼすことはない。
【００６８】なお、上記第２の実施の形態では、Ｔａ膜
の酸化処理により形成された、表層にＴａＯ層を有し、
このＴａＯ層の下層にＴａ層を有する構造の金属膜を吸
収体膜として用いたが、ＴａＮ膜やＴａ合金膜の表面近
傍部分を酸化することにより形成された膜、或いはＴａ
膜、ＴａＮ膜、Ｔａ合金膜の２種以上を積層した膜の表
面近傍部分を酸化することにより形成された膜を吸収体
膜として用いても良い。
の酸化処理により形成された、表層にＴａＯ層を有し、
このＴａＯ層の下層にＴａ層を有する構造の金属膜を吸
収体膜として用いたが、ＴａＮ膜やＴａ合金膜の表面近
傍部分を酸化することにより形成された膜、或いはＴａ
膜、ＴａＮ膜、Ｔａ合金膜の２種以上を積層した膜の表
面近傍部分を酸化することにより形成された膜を吸収体
膜として用いても良い。
【００６９】第３の実施の形態 図１０は本発明の第３の実施の形態によるＥＵＶリソグ
ラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。なお、
図１０において、図６と同じものには同じ符号を付して
ある。
ラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。なお、
図１０において、図６と同じものには同じ符号を付して
ある。
【００７０】図１０のように、第３の実施の形態の反射
型露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、こ
の多層膜２上に、Ｔａ膜２３ａとＴａＯ膜２３ｂを順次
積層させた金属膜２３からなるマスクパターン１３を形
成したものである。このように、第３の実施の形態で
は、金属膜２３は、多層膜２上にＴａ膜２３ａを形成
し、このＴａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを積層するこ
とにより形成されたものであり、表層にＴａＯ膜２３ｂ
を有し、このＴａＯ膜２３ｂの下層にＴａ膜２３ａを有
する構造である。
型露光マスクは、下地基板１上に多層膜２を形成し、こ
の多層膜２上に、Ｔａ膜２３ａとＴａＯ膜２３ｂを順次
積層させた金属膜２３からなるマスクパターン１３を形
成したものである。このように、第３の実施の形態で
は、金属膜２３は、多層膜２上にＴａ膜２３ａを形成
し、このＴａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを積層するこ
とにより形成されたものであり、表層にＴａＯ膜２３ｂ
を有し、このＴａＯ膜２３ｂの下層にＴａ膜２３ａを有
する構造である。
【００７１】Ｔａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを積層す
ることにより形成される金属膜２３においては、Ｔａ膜
２３ａの膜厚およびＴａＯ膜２３ｂの膜厚を制御するこ
とが容易であるとともに、Ｔａ膜２３ａおよびＴａＯ膜
２３ｂの膜厚を均一にすることができる。
ることにより形成される金属膜２３においては、Ｔａ膜
２３ａの膜厚およびＴａＯ膜２３ｂの膜厚を制御するこ
とが容易であるとともに、Ｔａ膜２３ａおよびＴａＯ膜
２３ｂの膜厚を均一にすることができる。
【００７２】図１１は本発明の第３の実施の形態による
ＥＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説
明する図である。なお、図１１において、図２と同じも
のには同じ符号を付してある。
ＥＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説
明する図である。なお、図１１において、図２と同じも
のには同じ符号を付してある。
【００７３】まず、図１１（ａ）のように、第１の実施
の形態と同じようにして、下地基板１上にスパッタリン
グ法などによって多層膜２を成膜させる。
の形態と同じようにして、下地基板１上にスパッタリン
グ法などによって多層膜２を成膜させる。
【００７４】次に、図１１（ｂ）のように、多層膜２上
にスパッタリング法またはＣＶＤ法によって、マスク材
料膜を構成するＴａ膜２３ａを形成する。
にスパッタリング法またはＣＶＤ法によって、マスク材
料膜を構成するＴａ膜２３ａを形成する。
【００７５】次に、図１１（ｃ）のように、Ｔａ膜２３
ａ上にマスク材料膜を構成するＴａＯ膜２３ｂを形成す
る。ＴａＯ膜２３ｂは、ＴａＯターゲットを用いたスパ
ッタリング法、Ｔａターゲットを用いてスパッタリング
する際に酸素ガスを混合した反応性スパッタリング法、
ＣＶＤ法などによって形成される。
ａ上にマスク材料膜を構成するＴａＯ膜２３ｂを形成す
る。ＴａＯ膜２３ｂは、ＴａＯターゲットを用いたスパ
ッタリング法、Ｔａターゲットを用いてスパッタリング
する際に酸素ガスを混合した反応性スパッタリング法、
ＣＶＤ法などによって形成される。
【００７６】図１１（ｂ）および図１１（ｃ）の工程に
より、Ｔａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを積層した構造
のマスク材料膜２３（表層にＴａＯ層２３ｂを有し、こ
のＴａＯ層２３ｂの下層にＴａ層２３ａを有するマスク
材料膜２３）が形成される。
より、Ｔａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを積層した構造
のマスク材料膜２３（表層にＴａＯ層２３ｂを有し、こ
のＴａＯ層２３ｂの下層にＴａ層２３ａを有するマスク
材料膜２３）が形成される。
【００７７】なお、これ以降のマスク材料膜２３をパタ
ーニングし、マスクパターン１３を形成する工程は、図
２（ｃ）および図２（ｄ）と同じである。
ーニングし、マスクパターン１３を形成する工程は、図
２（ｃ）および図２（ｄ）と同じである。
【００７８】このようにして形成された、表層にＴａＯ
膜２３ｂを有し、このＴａＯ膜２３ｂの下層にＴａ膜２
３ａを有するマスクパターン１３は、ＴａＯ膜のみから
なる第１の実施の形態のマスクパターン１１よりもＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が増大する。このため、上記構造の
マスクパターン１３を設けた第３の実施の形態の反射型
露光マスクでは、第１の実施の形態の反射型露光マスク
よりも、さらにマスクコントラストを高くすることがで
きる。
膜２３ｂを有し、このＴａＯ膜２３ｂの下層にＴａ膜２
３ａを有するマスクパターン１３は、ＴａＯ膜のみから
なる第１の実施の形態のマスクパターン１１よりもＥＵ
Ｖ光に対する吸収能が増大する。このため、上記構造の
マスクパターン１３を設けた第３の実施の形態の反射型
露光マスクでは、第１の実施の形態の反射型露光マスク
よりも、さらにマスクコントラストを高くすることがで
きる。
【００７９】さらに、Ｔａ膜上にＴａＯ膜を積層するこ
とでＴａ／ＴａＯ積層構造のマスク材料膜２３を形成す
る第３の実施の形態では、Ｔａ膜を酸化処理することで
Ｔａ膜の表層にＴａＯ層を設けたマスク材料膜２２を形
成する第２の実施の形態よりも、Ｔａ膜２３ａおよびＴ
ａＯ膜２３ｂの膜厚を、高い均一性で、任意の値に容易
に制御することが可能である。これにより、所望のＥＵ
Ｖ光吸収能を有するマスクパターンを容易に形成するこ
とが可能となる。
とでＴａ／ＴａＯ積層構造のマスク材料膜２３を形成す
る第３の実施の形態では、Ｔａ膜を酸化処理することで
Ｔａ膜の表層にＴａＯ層を設けたマスク材料膜２２を形
成する第２の実施の形態よりも、Ｔａ膜２３ａおよびＴ
ａＯ膜２３ｂの膜厚を、高い均一性で、任意の値に容易
に制御することが可能である。これにより、所望のＥＵ
Ｖ光吸収能を有するマスクパターンを容易に形成するこ
とが可能となる。
【００８０】以上のように第３の実施の形態の反射型露
光マスクによれば、Ｔａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを
積層することにより形成されたＴａＯ膜２３ｂとＴａ膜
２３ａの積層構造を有する金属膜２３によってマスクパ
ターン１３を形成したことにより、ＥＵＶ光に対するコ
ントラストを向上させることができる。また、マスクパ
ターンの表面粗さを大きくすることなく、マスクパター
ンの表面反射率を低減させることができるため、ＥＵＶ
リソグラフィにおける解像度に悪影響を及ぼすことはな
い。
光マスクによれば、Ｔａ膜２３ａ上にＴａＯ膜２３ｂを
積層することにより形成されたＴａＯ膜２３ｂとＴａ膜
２３ａの積層構造を有する金属膜２３によってマスクパ
ターン１３を形成したことにより、ＥＵＶ光に対するコ
ントラストを向上させることができる。また、マスクパ
ターンの表面粗さを大きくすることなく、マスクパター
ンの表面反射率を低減させることができるため、ＥＵＶ
リソグラフィにおける解像度に悪影響を及ぼすことはな
い。
【００８１】さらに、マスク材料膜２３をＴａ／ＴａＯ
積層構造としたことにより、Ｔａ膜２３ａおよびＴａＯ
膜２３ｂの膜厚を、高い均一性で任意の値に容易に制御
することが可能となるため、所望のＥＵＶ光吸収能を有
するマスクパターンを容易に形成することができる。
積層構造としたことにより、Ｔａ膜２３ａおよびＴａＯ
膜２３ｂの膜厚を、高い均一性で任意の値に容易に制御
することが可能となるため、所望のＥＵＶ光吸収能を有
するマスクパターンを容易に形成することができる。
【００８２】なお、第３の実施の形態では、Ｔａ膜上に
ＴａＯ膜を積層した構造の金属膜を吸収体膜として用い
たが、下層としては、Ｔａ膜の外にＴａＮ膜やタンタル
合金膜、これらの２種以上から成る積層膜を用いること
ができ、表層としては、ＴａＯ膜の外に酸化タンタル合
金膜、窒化タンタルを酸化することにより形成した膜を
用いることができる。
ＴａＯ膜を積層した構造の金属膜を吸収体膜として用い
たが、下層としては、Ｔａ膜の外にＴａＮ膜やタンタル
合金膜、これらの２種以上から成る積層膜を用いること
ができ、表層としては、ＴａＯ膜の外に酸化タンタル合
金膜、窒化タンタルを酸化することにより形成した膜を
用いることができる。
【００８３】なお、上記の第１、第２及び第３の実施の
形態では、多層膜２として、Ｓｉ／Ｍｏ膜を用いている
が、Ｓｉ層の代わりに、Ｍｏ層との屈折率の差が大きい
材料層、例えばベリリウム（Ｂｅ）層を用いても良い。
形態では、多層膜２として、Ｓｉ／Ｍｏ膜を用いている
が、Ｓｉ層の代わりに、Ｍｏ層との屈折率の差が大きい
材料層、例えばベリリウム（Ｂｅ）層を用いても良い。
【００８４】第４の実施の形態 以下に説明する第４の実施の形態の半導体素子は、製造
工程のウエハ工程に、上記第１ないし第３の実施の形態
のいずれかの反射型露光マスクを用いたＥＵＶリソグラ
フィ工程を含むことを特徴とする。従って、第４の実施
の形態の半導体素子は、ウエハ工程における他の工程
（ＣＶＤ工程、スパッタリング工程、熱拡散工程、イオ
ンインプランテーション工程など、さらには、水銀ラン
プ光やエキシマレーザ光によるリソグラフィ工程）、お
よび組立工程については、公知技術を用いて製造され
る。
工程のウエハ工程に、上記第１ないし第３の実施の形態
のいずれかの反射型露光マスクを用いたＥＵＶリソグラ
フィ工程を含むことを特徴とする。従って、第４の実施
の形態の半導体素子は、ウエハ工程における他の工程
（ＣＶＤ工程、スパッタリング工程、熱拡散工程、イオ
ンインプランテーション工程など、さらには、水銀ラン
プ光やエキシマレーザ光によるリソグラフィ工程）、お
よび組立工程については、公知技術を用いて製造され
る。
【００８５】図１２は本発明の第４の実施の形態による
ＥＵＶリソグラフィ工程を説明する図である。図１２の
ＥＵＶ露光装置は、「応用物理第６８巻第５号５２０頁
−５２６頁（１９９９）」（応用物理学会）に開示され
たものである。この図１２のＥＵＶ露光装置は、反射型
マスクから反射されたＥＵＶ光像を、ＥＵＶリソグラフ
ィ用フォトレジスト（ＥＵＶ領域に感光性を有するポジ
タイプまたはネガタイプのフォトレジスト）が塗布され
た半導体ウエハ上に縮小投影し、上記フォトレジストを
ＥＵＶ露光するものであり、防振台５１と、チャンバ５
２と、基板５３と、ＥＵＶ光源５４と、反射鏡５５ａ，
５５ｂにより構成される光源光学系と、反射鏡５６ａ，
５６ｂ，５６ｃ，５６ｄにより構成される縮小投影光学
系と、マスク走査ステージ５７と、ウエハ走査ステージ
５８とを備えている。
ＥＵＶリソグラフィ工程を説明する図である。図１２の
ＥＵＶ露光装置は、「応用物理第６８巻第５号５２０頁
−５２６頁（１９９９）」（応用物理学会）に開示され
たものである。この図１２のＥＵＶ露光装置は、反射型
マスクから反射されたＥＵＶ光像を、ＥＵＶリソグラフ
ィ用フォトレジスト（ＥＵＶ領域に感光性を有するポジ
タイプまたはネガタイプのフォトレジスト）が塗布され
た半導体ウエハ上に縮小投影し、上記フォトレジストを
ＥＵＶ露光するものであり、防振台５１と、チャンバ５
２と、基板５３と、ＥＵＶ光源５４と、反射鏡５５ａ，
５５ｂにより構成される光源光学系と、反射鏡５６ａ，
５６ｂ，５６ｃ，５６ｄにより構成される縮小投影光学
系と、マスク走査ステージ５７と、ウエハ走査ステージ
５８とを備えている。
【００８６】防振台５１はチャンバ５２の底面に設けら
れており、基板５３は、防振台５１に載せられてチャン
バ５２内に設けられている。基板５３上には、マスク走
査ステージ５７およびウエハ走査ステージ５８が設けら
れている。また、チャンバ５２内において、光源光学系
を構成する反射鏡５５ａ，５５ｂは、チャンバ５２の側
面に設けられた光源入射口５２ａと、マスク走査ステー
ジ５７の間にそれぞれ配置されており、縮小投影光学系
を構成する反射鏡５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄは、
マスク走査ステージ５７とウエハ走査ステージ５８の間
にそれぞれ配置されている。また、ＥＵＶ光源５４は、
光源入射口５２ａを設けたチャンバ５２の側面位置に設
けられており、光源入射口５２ａからチャンバ５２内に
ＥＵＶ光を入射させる。
れており、基板５３は、防振台５１に載せられてチャン
バ５２内に設けられている。基板５３上には、マスク走
査ステージ５７およびウエハ走査ステージ５８が設けら
れている。また、チャンバ５２内において、光源光学系
を構成する反射鏡５５ａ，５５ｂは、チャンバ５２の側
面に設けられた光源入射口５２ａと、マスク走査ステー
ジ５７の間にそれぞれ配置されており、縮小投影光学系
を構成する反射鏡５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄは、
マスク走査ステージ５７とウエハ走査ステージ５８の間
にそれぞれ配置されている。また、ＥＵＶ光源５４は、
光源入射口５２ａを設けたチャンバ５２の側面位置に設
けられており、光源入射口５２ａからチャンバ５２内に
ＥＵＶ光を入射させる。
【００８７】ＥＵＶリソグラフィ工程（ＥＵＶ露光工
程）においては、上記第１ないし第３の実施の形態のい
ずれかによる反射型露光マスク４１が、パターン面（マ
スクパターンおよび非パターン領域が形成されている側
の面）をウエハ走査ステージ５８に対向させるようにし
て、マスク走査ステージ５７に垂直にセットされる。ま
た、ＥＵＶリソグラフィ用フォトレジストが塗布された
半導体ウエハ４２が、レジスト塗布面をマスク走査ステ
ージ５７に対向させるようにして、ウエハ走査ステージ
５８に垂直にセットされる。
程）においては、上記第１ないし第３の実施の形態のい
ずれかによる反射型露光マスク４１が、パターン面（マ
スクパターンおよび非パターン領域が形成されている側
の面）をウエハ走査ステージ５８に対向させるようにし
て、マスク走査ステージ５７に垂直にセットされる。ま
た、ＥＵＶリソグラフィ用フォトレジストが塗布された
半導体ウエハ４２が、レジスト塗布面をマスク走査ステ
ージ５７に対向させるようにして、ウエハ走査ステージ
５８に垂直にセットされる。
【００８８】ＥＵＶ光源５４からチャンバ５２内に入射
したＥＵＶ光は、光源光学系の反射鏡５５ａ，５５ｂで
それぞれ反射され、反射型マスク４１のパターン面にほ
ぼ垂直に入射する。反射型マスク４１においては、マス
クパターンに入射したＥＵＶ光はマスクパターンで吸収
され、非パターン領域に入射したＥＵＶ光は反射され
る。これにより、反射型マスク４１は、ＥＵＶ光が入射
するパターン領域に応じたＥＵＶ光像を反射する。反射
型マスク４１で反射されたＥＵＶ光像は、縮小投影光学
系の反射鏡５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄで順次反射
されるとともに、縮小投影光学系により画角が縮小され
（例えば１０：１あるいは４：１）、半導体ウエハ４２
に塗布されたフォトレジスト表面に達する。これによ
り、半導体ウエハ４２のフォトレジストは、反射型マス
ク４１の上記パターン領域を縮小投影したＥＵＶ光像に
より露光される。反射型露光マスク４１の位置（ＥＵＶ
光源５４からのＥＵＶ光が入射するパターン領域）は、
マスク走査ステージ５７により走査され、これに応じ
て、半導体ウエハ４２の位置は、ウエハステージ５８に
より走査される。このようにして、反射型マスク４１に
形成されているパターンによるＥＵＶ光像により、上記
フォトレジストが露光される。
したＥＵＶ光は、光源光学系の反射鏡５５ａ，５５ｂで
それぞれ反射され、反射型マスク４１のパターン面にほ
ぼ垂直に入射する。反射型マスク４１においては、マス
クパターンに入射したＥＵＶ光はマスクパターンで吸収
され、非パターン領域に入射したＥＵＶ光は反射され
る。これにより、反射型マスク４１は、ＥＵＶ光が入射
するパターン領域に応じたＥＵＶ光像を反射する。反射
型マスク４１で反射されたＥＵＶ光像は、縮小投影光学
系の反射鏡５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄで順次反射
されるとともに、縮小投影光学系により画角が縮小され
（例えば１０：１あるいは４：１）、半導体ウエハ４２
に塗布されたフォトレジスト表面に達する。これによ
り、半導体ウエハ４２のフォトレジストは、反射型マス
ク４１の上記パターン領域を縮小投影したＥＵＶ光像に
より露光される。反射型露光マスク４１の位置（ＥＵＶ
光源５４からのＥＵＶ光が入射するパターン領域）は、
マスク走査ステージ５７により走査され、これに応じ
て、半導体ウエハ４２の位置は、ウエハステージ５８に
より走査される。このようにして、反射型マスク４１に
形成されているパターンによるＥＵＶ光像により、上記
フォトレジストが露光される。
【００８９】ＥＵＶ露光が終了した半導体ウエハ４２は
現像され、これにより、半導体ウエハ４２上にＥＵＶリ
ソグラフィによるレジストパターンが形成される。この
あと、レジストパターンが形成された半導体ウエハ４２
に対し、上記レジストパターンをエッチングマスクとし
てレジストパターンの下に形成された絶縁膜または金属
膜をドライエッチングするエッチング工程、あるいは上
記レジストパターンをイオンインプランテーションマス
クとするイオンインプランテーション工程などが実施さ
れる。さらに、一連のウエハ工程を終了した半導体ウエ
ハ４２に対し、ダイシング工程をはじめとする組立工程
が実施され、半導体素子ができあがる。
現像され、これにより、半導体ウエハ４２上にＥＵＶリ
ソグラフィによるレジストパターンが形成される。この
あと、レジストパターンが形成された半導体ウエハ４２
に対し、上記レジストパターンをエッチングマスクとし
てレジストパターンの下に形成された絶縁膜または金属
膜をドライエッチングするエッチング工程、あるいは上
記レジストパターンをイオンインプランテーションマス
クとするイオンインプランテーション工程などが実施さ
れる。さらに、一連のウエハ工程を終了した半導体ウエ
ハ４２に対し、ダイシング工程をはじめとする組立工程
が実施され、半導体素子ができあがる。
【００９０】上記のＥＵＶ露光工程に用いた上記第１な
いし第３の実施の形態のいずれかの反射型露光マスク
は、半導体ウエハ４２上に従来よりも微細なレジストパ
ターン（例えば幅が１００［ｎｍ］程度の極微細パター
ン）を高精度に形成することができる。これにより、半
導体ウエハ４２に従来よりも微細な加工（例えば１００
［ｎｍ］程度の極微細加工）を施すことが可能となるた
め、半導体素子の回路集積度を高くすることができる。
いし第３の実施の形態のいずれかの反射型露光マスク
は、半導体ウエハ４２上に従来よりも微細なレジストパ
ターン（例えば幅が１００［ｎｍ］程度の極微細パター
ン）を高精度に形成することができる。これにより、半
導体ウエハ４２に従来よりも微細な加工（例えば１００
［ｎｍ］程度の極微細加工）を施すことが可能となるた
め、半導体素子の回路集積度を高くすることができる。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射型露
光マスクによれば、少なくとも表層がＴａＯのみで又は
主としてＴａＯで形成された膜を吸収体（マスクパター
ン）とする。即ち、吸収体全体をＴａＯで形成するか、
或いはＴａ膜、ＴａＮ膜、又はＴａを主成分とするＴａ
合金膜（Ｔａ／Ｇｅ合金膜、Ｔａ／Ｓｉ合金膜、Ｔａ／
Ｂ合金膜など）の上にＴａＯのみで又は主としてＴａＯ
で形成された層を配することによって、吸収体応力変化
によるマスクパターン位置ずれを抑制することができ、
且つマスクパターン検査時に用いられるＤＵＶ光に対す
る反射率をＴａやＴａＮに比べ低減させることができ、
吸収体のない非パターン部表面（Ｓｉ）からの反射率と
の差を大きくすることができる。その結果、マスクパタ
ーン検査時にパターン部と非パターン部とのコントラス
トが向上する。
光マスクによれば、少なくとも表層がＴａＯのみで又は
主としてＴａＯで形成された膜を吸収体（マスクパター
ン）とする。即ち、吸収体全体をＴａＯで形成するか、
或いはＴａ膜、ＴａＮ膜、又はＴａを主成分とするＴａ
合金膜（Ｔａ／Ｇｅ合金膜、Ｔａ／Ｓｉ合金膜、Ｔａ／
Ｂ合金膜など）の上にＴａＯのみで又は主としてＴａＯ
で形成された層を配することによって、吸収体応力変化
によるマスクパターン位置ずれを抑制することができ、
且つマスクパターン検査時に用いられるＤＵＶ光に対す
る反射率をＴａやＴａＮに比べ低減させることができ、
吸収体のない非パターン部表面（Ｓｉ）からの反射率と
の差を大きくすることができる。その結果、マスクパタ
ーン検査時にパターン部と非パターン部とのコントラス
トが向上する。
【図１】 本発明の第１の実施の形態によるＥＵＶリソ
グラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
グラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態によるＥＵＶリソ
グラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図で
ある。
グラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図で
ある。
【図３】 反応性スパッタ法により成膜したＴａ膜及び
ＴａＯ膜の大気中での応力の経時変化を示した図であ
る。
ＴａＯ膜の大気中での応力の経時変化を示した図であ
る。
【図４】 ＤＵＶ光に対するＴａ、ＴａＮ及びＴａＯ膜
の表面反射率の測定結果を示した図である。
の表面反射率の測定結果を示した図である。
【図５】 Ｔａ膜、ＴａＮ膜、ＴａＯ膜についてのマス
クコントラスト値の計算結果を示す図表である。
クコントラスト値の計算結果を示す図表である。
【図６】 本発明の第２の実施の形態によるＥＵＶリソ
グラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
グラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
【図７】 本発明の第２の実施の形態によるＥＵＶリソ
グラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図で
ある。
グラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図で
ある。
【図８】 タンタル（Ｔａ）、酸化タンタル（Ｔａ
Ｏ）、窒化タンタル（ＴａＮ）を成膜した時の膜厚と重
量を測定し、密度を計算した結果の例を示す図である。
Ｏ）、窒化タンタル（ＴａＮ）を成膜した時の膜厚と重
量を測定し、密度を計算した結果の例を示す図である。
【図９】 タンタル、酸素、窒素のＥＵＶ光に対する吸
収係数（ｆ２）を示す図表である。
収係数（ｆ２）を示す図表である。
【図１０】 本発明の第３の実施の形態によるＥＵＶリ
ソグラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
ソグラフィ用反射型露光マスクの断面構造図である。
【図１１】 本発明の第３の実施の形態によるＥＵＶリ
ソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図
である。
ソグラフィ用反射型露光マスクの製造工程を説明する図
である。
【図１２】 本発明の第４の実施の形態によるＥＵＶリ
ソグラフィ工程を説明する図である。
ソグラフィ工程を説明する図である。
【図１３】 従来のＥＵＶリソグラフィ用反射型露光マ
スクの断面構造図である。
スクの断面構造図である。
【図１４】 従来のＥＵＶリソグラフィ用反射型露光マ
スクの製造工程を説明する図である。
スクの製造工程を説明する図である。
【図１５】 ＥＵＶリソグラフィ用反射型露光マスクの
検査工程を説明する図である。
検査工程を説明する図である。
１ 下地基板、 ２ 多層膜、 １１，１２，１３ マ
スクパターン、 ２１，ＴａＯ膜、 ２２ マスク材料
膜、 ２２ａ Ｔａ層、 ２２ｂ ＴａＯ層、２２ｃ
Ｔａ膜、 ２３ マスク材料膜、 ２３ａ Ｔａ膜、
２３ｂ ＴａＯ膜、 ４１ 反射型露光マスク、 ４２
半導体ウエハ。
スクパターン、 ２１，ＴａＯ膜、 ２２ マスク材料
膜、 ２２ａ Ｔａ層、 ２２ｂ ＴａＯ層、２２ｃ
Ｔａ膜、 ２３ マスク材料膜、 ２３ａ Ｔａ膜、
２３ｂ ＴａＯ膜、 ４１ 反射型露光マスク、 ４２
半導体ウエハ。
Claims (15)
- 【請求項１】 ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型
露光マスクにおいて、 基板上に形成された多層膜と、 前記多層膜上に、少なくともその表面近傍部分が少なく
とも主として酸化タンタルで形成されたマスクパターン
とを有することを特徴とする反射型露光マスク。 - 【請求項２】 前記マスクパターンは、その全体が少な
くとも主として酸化タンタルで形成されていることを特
徴とする請求項１に記載の反射型露光マスク。 - 【請求項３】 前記マスクパターンが、少なくとも主と
して酸化タンタルで形成されたターゲットを用いたスパ
ッタ法、少なくとも主としてタンタルで形成されたター
ゲットを用い、酸素ガスを混合した反応性スパッタ法、
又はＣＶＤ法により形成されたものであることを特徴と
する請求項２に記載の反射型露光マスク。 - 【請求項４】 前記マスクパターンは、前記表面近傍部
分以外の部分がタンタル、タンタル合金、又は窒化タン
タルで形成された膜、或いはこれらの２種以上を積層す
ることにより形成した積層膜で形成されており、前記酸
化タンタルが意図的に形成されたものであることを特徴
とする請求項１に記載の反射型露光マスク。 - 【請求項５】 前記マスクパターンが、タンタル、タン
タル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以
上を積層することにより形成した積層膜の表面近傍部分
を意図的に酸化させることにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項４に記載の反射型露光マスク。 - 【請求項６】 前記酸化が、酸素を含んだガス雰囲気中
での熱処理、又はプラズマ処理により行われたものであ
ることを特徴とする請求項５に記載の反射型露光マス
ク。 - 【請求項７】 前記マスクパターンが、タンタル、タン
タル合金又は窒化タンタルの膜、或いはこれらの２種以
上を積層することにより形成した積層膜から成る第１の
層の上に、前記少なくとも主として酸化タンタルで形成
された表面近傍部分を構成する第２の層を積層すること
により形成されたものであることを特徴とする請求項４
に記載の反射型露光マスク。 - 【請求項８】 前記積層が、スパッタ法、ＣＶＤ法によ
り行われたものであることを特徴とする請求項７に記載
の反射型露光マスク。 - 【請求項９】 前記多層膜が２種以上の材料層を周期的
に積層させたものであることを特徴とする請求項１に記
載の反射型露光マスク。 - 【請求項１０】 前記多層膜が、最上層がシリコン層と
なるように、シリコン層とモリブデン層とを周期的に積
層した構造、又は最上層がベリリウム層となるように、
ベリリウム層とモリブデン層とを周期的に積層した構造
を有することを特徴とする請求項９に記載の反射型露光
マスク。 - 【請求項１１】 ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射
型露光マスクの製造方法において、 基板上に多層膜を形成する工程と、 少なくとも主として酸化タンタルで形成されたターゲッ
トを用いたスパッタ法、少なくとも主としてタンタルで
形成されたターゲットを用い、酸素ガスを混合した反応
性スパッタ法、又はＣＶＤ法により、前記多層膜上に、
少なくとも主として酸化タンタルで形成されたマスク材
料膜を形成する工程と、 前記マスク材料膜をパターニングしてマスクパターン形
成する工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスク
の製造方法。 - 【請求項１２】 ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射
型露光マスクの製造方法において、 基板上に多層膜を形成する工程と、 少なくとも主としてタンタルで形成されたターゲットを
用いたスパッタ法、又はＣＶＤ法により、前記多層膜上
に、少なくとも主としてタンタルで形成された層を形成
する工程と、 前記少なくとも主としてタンタルで形成された層の少な
くとも表面近傍部分を酸化してマスク材料膜を形成する
工程と、 前記マスク材料膜をパターニングしてマスクパターン形
成する工程とを含むことを特徴とする反射型露光マスク
の製造方法。 - 【請求項１３】 前記酸化する工程が、前記少なくとも
主としてタンタルで形成された層の全体を酸化すること
を特徴とする請求項１２に記載の反射型露光マスクの製
造方法。 - 【請求項１４】 ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射
型露光マスクの製造方法において、 基板上に多層膜を形成する工程と、 少なくとも主としてタンタルで形成されたターゲットを
用いたスパッタ法、又はＣＶＤ法により、前記多層膜上
に、少なくとも主としてタンタルで形成された第１の層
を形成する工程と、 少なくとも主として酸化タンタルで形成されたターゲッ
トを用いたスパッタ法、少なくとも主としてタンタルで
形成されたターゲットを用い、酸素ガスを混合した反応
性スパッタ法、又はＣＶＤ法により、前記第２の膜上
に、少なくとも主として酸化タンタルで形成された第２
の膜を形成する工程と、 前記第１の膜及び前記第２の膜をパターニングしてマス
クパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする反
射型露光マスクの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
反射型露光マスクを用いたＥＵＶリソグラフィによって
製造された半導体素子。
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Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299227A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 反射マスクとその製造方法及び露光装置 |
| WO2003085709A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Hoya Corporation | Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them |
| JP2004260050A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| WO2006062099A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007335908A (ja) * | 2007-09-18 | 2007-12-27 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
| US7314688B2 (en) | 2002-09-11 | 2008-01-01 | Hoya Corporation | Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device |
| JP2008116583A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| JP2008277397A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| CN100454485C (zh) * | 2004-12-10 | 2009-01-21 | 凸版印刷株式会社 | 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法 |
| JP2010080504A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、その検査方法及び検査装置 |
| JP2010251490A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP2011018834A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク並びに反射型フォトマスクの製造方法 |
| JP2012069702A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| KR20130029350A (ko) * | 2011-09-14 | 2013-03-22 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR20130034634A (ko) | 2011-09-28 | 2013-04-05 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| EP3893052A1 (en) | 2020-04-10 | 2021-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, method of manufacturing thereof, and reflective mask |
| EP4053633A1 (en) | 2021-03-03 | 2022-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank and reflective mask |
| EP4105718A2 (en) | 2021-06-18 | 2022-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask |
| EP4160311A1 (en) | 2021-10-01 | 2023-04-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate with film for reflective mask blank, reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask |
| KR20230072422A (ko) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
| EP4332676A2 (en) | 2022-09-01 | 2024-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank and method for manufacturing reflective mask |
| EP4390536A2 (en) | 2022-12-21 | 2024-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, reflective mask, and manufacturing method thereof |
| EP4390537A2 (en) | 2022-12-21 | 2024-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161857A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
| JPS63155618A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH022109A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH03173116A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Toshiba Corp | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JPH1079347A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-03-24 | Nec Corp | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JPH11354404A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 |
| JP2000150364A (ja) * | 1998-11-14 | 2000-05-30 | Hoya Corp | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043720A patent/JP2002246299A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161857A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
| JPS63155618A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH022109A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
| JPH03173116A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Toshiba Corp | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JPH1079347A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-03-24 | Nec Corp | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JPH11354404A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 |
| JP2000150364A (ja) * | 1998-11-14 | 2000-05-30 | Hoya Corp | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299227A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 反射マスクとその製造方法及び露光装置 |
| US7390596B2 (en) | 2002-04-11 | 2008-06-24 | Hoya Corporation | Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them |
| WO2003085709A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Hoya Corporation | Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them |
| US7981573B2 (en) | 2002-04-11 | 2011-07-19 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
| US7314688B2 (en) | 2002-09-11 | 2008-01-01 | Hoya Corporation | Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device |
| JP2004260050A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| JP4529359B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2010-08-25 | 凸版印刷株式会社 | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| KR100906026B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2009-07-02 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 반사형 포토마스크 블랭크, 반사형 포토마스크, 및 이것을이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| JPWO2006062099A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2008-06-12 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN100454485C (zh) * | 2004-12-10 | 2009-01-21 | 凸版印刷株式会社 | 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法 |
| JP5003159B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2012-08-15 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2006062099A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7838177B2 (en) | 2004-12-10 | 2010-11-23 | Toppan Printing Co., Ltd. | Reflection type photomask blank, reflection type photomask, and method of manufacturing semiconductor device using the same |
| JP4635610B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及び反射型フォトマスクの製造方法 |
| JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2008116583A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| JP2008277397A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2007335908A (ja) * | 2007-09-18 | 2007-12-27 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
| JP2010080504A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、その検査方法及び検査装置 |
| JP2010251490A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP2011018834A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク並びに反射型フォトマスクの製造方法 |
| JP2012069702A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| KR20130029350A (ko) * | 2011-09-14 | 2013-03-22 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR20130034634A (ko) | 2011-09-28 | 2013-04-05 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| US9075315B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-07-07 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing reflective mask |
| US9625805B2 (en) | 2011-09-28 | 2017-04-18 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing reflective mask |
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| EP3893052A1 (en) | 2020-04-10 | 2021-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, method of manufacturing thereof, and reflective mask |
| KR20210126508A (ko) | 2020-04-10 | 2021-10-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 반사형 마스크 |
| KR20220124638A (ko) | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
| EP4053633A1 (en) | 2021-03-03 | 2022-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank and reflective mask |
| EP4105718A2 (en) | 2021-06-18 | 2022-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask |
| KR20220169415A (ko) | 2021-06-18 | 2022-12-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| EP4160311A1 (en) | 2021-10-01 | 2023-04-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate with film for reflective mask blank, reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask |
| KR20230047895A (ko) | 2021-10-01 | 2023-04-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크용 막 부가 기판, 반사형 마스크 블랭크, 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| KR20230072422A (ko) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
| EP4184245A1 (en) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, and reflective mask |
| EP4332676A2 (en) | 2022-09-01 | 2024-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank and method for manufacturing reflective mask |
| KR20240031910A (ko) | 2022-09-01 | 2024-03-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| EP4390536A2 (en) | 2022-12-21 | 2024-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank, reflective mask, and manufacturing method thereof |
| EP4390537A2 (en) | 2022-12-21 | 2024-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank |
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