JPH022109A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPH022109A JPH022109A JP63146546A JP14654688A JPH022109A JP H022109 A JPH022109 A JP H022109A JP 63146546 A JP63146546 A JP 63146546A JP 14654688 A JP14654688 A JP 14654688A JP H022109 A JPH022109 A JP H022109A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線マスクに係り、詳しくは、特にＸ線吸収
体のＸ線透過膜に対する応力を低くすることができるＸ
線マスクに関するものである。
体のＸ線透過膜に対する応力を低くすることができるＸ
線マスクに関するものである。
ｘ′ｆＩＡマスクは、Ｘ線吸収の大きいＸ線吸収体、Ｘ
線を透過するいわゆるメンブレンと呼ばれるＸ線透過膜
（Ｘ線に対して透明な膜ともいう）およびこれを支持す
る支持枠等から構成されている。
線を透過するいわゆるメンブレンと呼ばれるＸ線透過膜
（Ｘ線に対して透明な膜ともいう）およびこれを支持す
る支持枠等から構成されている。
例えば、半導体素子のパターンを形成するにはＸ線マス
クを用いることができる。具体的には半導体デバイスパ
ターンに対応したＸ線マスクを、Ｘ線レジストを表面に
塗布した半導体ウェハ面に近接配置し、Ｘ線マスクにＸ
線を照射して、Ｘ線マスク上のパターンを半導体内ウェ
ハ面上のＸ線レジストに露光することによってパターン
を形成することができる。
クを用いることができる。具体的には半導体デバイスパ
ターンに対応したＸ線マスクを、Ｘ線レジストを表面に
塗布した半導体ウェハ面に近接配置し、Ｘ線マスクにＸ
線を照射して、Ｘ線マスク上のパターンを半導体内ウェ
ハ面上のＸ線レジストに露光することによってパターン
を形成することができる。
第７図は従来のＸ線マスクの一例の構成を示す図、第８
図（ａ）〜（ｄ）は従来例の製造方法を説明する図であ
る。
図（ａ）〜（ｄ）は従来例の製造方法を説明する図であ
る。
これらの図において、１は例えばＳｉＣセラミックスか
らなる支持枠、２は例えばＳｌからなる基板、３は例え
ばＳｉＣからなるＸ線を透過するＸ線透過膜、４は各単
体のＷ、ＴａあるいはＡｕからなるＸ線吸収体である。
らなる支持枠、２は例えばＳｌからなる基板、３は例え
ばＳｉＣからなるＸ線を透過するＸ線透過膜、４は各単
体のＷ、ＴａあるいはＡｕからなるＸ線吸収体である。
次に、その製造工程について簡単に説明する。
まず、第８図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板２上にＳｉＣを堆積して膜厚が例えば２μｍのＸ
線透過膜３を形成する。
り基板２上にＳｉＣを堆積して膜厚が例えば２μｍのＸ
線透過膜３を形成する。
次に、第８図（ｂ）に示すように、例えばエポキシ接着
剤を用いることにより基板２の裏面に厚さか例えば５ｍ
ｍの支持枠１を接着する。
剤を用いることにより基板２の裏面に厚さか例えば５ｍ
ｍの支持枠１を接着する。
次に、第８図（Ｃ）に示すように、例えばウエントエソ
チングにより基板２を選択的にエッチハックする。ウェ
ットエツチングには例えばＨＦ／１（Ｎｏ３／ＣＨ，Ｃ
０ＯＨの混合溶液が用いられる。
チングにより基板２を選択的にエッチハックする。ウェ
ットエツチングには例えばＨＦ／１（Ｎｏ３／ＣＨ，Ｃ
０ＯＨの混合溶液が用いられる。
次Ｇこ、第８図（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法
によりＸ線透過膜３上にＸ線吸収体４を形成する。
によりＸ線透過膜３上にＸ線吸収体４を形成する。
そして、例えばＲＩＥ法によりＸ線吸収体４を選択的に
エツチングして所定のＬＳＩ用のパターンを形成するこ
とにより、第７図に示すような構造のＸ線マスクが完成
する。
エツチングして所定のＬＳＩ用のパターンを形成するこ
とにより、第７図に示すような構造のＸ線マスクが完成
する。
しかしながら、このような従来のＸ線マスクにあっては
、Ｘ線吸収体４のＸ線透過膜３に対する応力（機械的応
力）を低くすることと、Ｘ線吸収体４の表面をなめらか
にすることを同時に達成することができないという問題
点があった。Ｘ線吸収体４のＸ線透過膜３に対する応力
が大きいと、Ｘ線透過膜３が伸び縮みして歪が生し易く
、また、第８図（ｄ）に示すＸ線吸収体４の表面がなめ
らかでなく荒れていると、第７図に示す後行程でのパタ
ーン形成したＸ線吸収体４の側壁が荒れ易くなってしま
うのである。
、Ｘ線吸収体４のＸ線透過膜３に対する応力（機械的応
力）を低くすることと、Ｘ線吸収体４の表面をなめらか
にすることを同時に達成することができないという問題
点があった。Ｘ線吸収体４のＸ線透過膜３に対する応力
が大きいと、Ｘ線透過膜３が伸び縮みして歪が生し易く
、また、第８図（ｄ）に示すＸ線吸収体４の表面がなめ
らかでなく荒れていると、第７図に示す後行程でのパタ
ーン形成したＸ線吸収体４の側壁が荒れ易くなってしま
うのである。
第９図は、従来のＸ線マスクにおいて、Ｘ線吸収体をス
パッタ法にて形成する際のガス圧力とＸ線吸収体のＸ線
透過膜に対する応力を示している。
パッタ法にて形成する際のガス圧力とＸ線吸収体のＸ線
透過膜に対する応力を示している。
第９図に示すように、Ｘ線吸収体のＸ線透過膜に対する
応力を小さくするためには、図中Ａ点及びＢ点になるよ
うにガス圧力を調整する必要がある。
応力を小さくするためには、図中Ａ点及びＢ点になるよ
うにガス圧力を調整する必要がある。
しかし、低圧力側では応力の零クロスカーブ（Ａ点付近
のカーブ）は非常に急激であるので、その応力を安定（
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃａｔ程度）に制御するこ
とは困難である。しかし、このＡ点付近の領域ではＸ線
吸収体４の表面をＳＥＭ（走査型電子顕Ｒ′ｖｌ）で観
察すると非常になめらかであることが判る。一方、高圧
力側では応力カーブ（Ｂ点より高圧力側のカーブ）が非
常にゆるやかであり、かつ非常に応力が小さいので、低
応力を容易に、かつ安定（ｌ Ｘ １０’ ｄｙｍ ／
ＣＩｌ＋程度）に制御することが可能である。しかし
、このＢ点より高圧力側の領域でのＸ線吸収体４をＳＥ
Ｍで観察すると、柱状結晶（膜厚が０．１〜０．２μｍ
で幅が１μｍ程度）が発達し、表面に凹凸が生じてなめ
らかさを失っていることが判る。
のカーブ）は非常に急激であるので、その応力を安定（
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃａｔ程度）に制御するこ
とは困難である。しかし、このＡ点付近の領域ではＸ線
吸収体４の表面をＳＥＭ（走査型電子顕Ｒ′ｖｌ）で観
察すると非常になめらかであることが判る。一方、高圧
力側では応力カーブ（Ｂ点より高圧力側のカーブ）が非
常にゆるやかであり、かつ非常に応力が小さいので、低
応力を容易に、かつ安定（ｌ Ｘ １０’ ｄｙｍ ／
ＣＩｌ＋程度）に制御することが可能である。しかし
、このＢ点より高圧力側の領域でのＸ線吸収体４をＳＥ
Ｍで観察すると、柱状結晶（膜厚が０．１〜０．２μｍ
で幅が１μｍ程度）が発達し、表面に凹凸が生じてなめ
らかさを失っていることが判る。
なお、第９図は例えば屯体の純粋なＴａからなるＸ線吸
収体４のＸ線透過膜３に対する応力とスパッタ時のガス
圧力との関係を示す図であり、縦軸のプラス方向は引っ
ばり応力が働いている状態を示しており、マイナス方向
は圧縮応力が働いている状態を示している。
収体４のＸ線透過膜３に対する応力とスパッタ時のガス
圧力との関係を示す図であり、縦軸のプラス方向は引っ
ばり応力が働いている状態を示しており、マイナス方向
は圧縮応力が働いている状態を示している。
第１の発明に係るＸ線マスクは上記目的達成のため、Ｘ
線吸収体を有するＸ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体
を、ＴａにＡ１、Ｔｉ、Ｓｉ、ＭＯのうち少なくとも１
種以上を添加して形成した合金で構成している。
線吸収体を有するＸ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体
を、ＴａにＡ１、Ｔｉ、Ｓｉ、ＭＯのうち少なくとも１
種以上を添加して形成した合金で構成している。
第２の発明に係るＸ線マスクは一ヒ記目的達成のため、
Ｘ線吸収体を有するＸ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収
体を、ＴａにＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、ＭＯのうち少なくとも
１種以上を添加して更にＮ２ガスあるいは０□ガスを加
えて形成した合金の窒化物あるいは酸化物で構成してい
る。
Ｘ線吸収体を有するＸ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収
体を、ＴａにＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、ＭＯのうち少なくとも
１種以上を添加して更にＮ２ガスあるいは０□ガスを加
えて形成した合金の窒化物あるいは酸化物で構成してい
る。
〔作 用］
第１の発明のＸ線マスクでは、Ｘ線吸収体がＴａにＡ／
！、Ｔ ｉ、、Ｓ ｉ、、Ｍｏのうち少なくとも１種以
上の添加により形成された合金で構成される。
！、Ｔ ｉ、、Ｓ ｉ、、Ｍｏのうち少なくとも１種以
上の添加により形成された合金で構成される。
第２の発明のＸ線マスクでは、Ｘ線吸収体がＴａにＡＱ
、Ｔ ｉ、Ｓ ｉ、Ｍｏのうち少なくとも１種以上の添
加と、Ｎ２ガスあるいはｏ２ガスの添加により形成され
た合金の窒化物あるいは酸化物で構成される。
、Ｔ ｉ、Ｓ ｉ、Ｍｏのうち少なくとも１種以上の添
加と、Ｎ２ガスあるいはｏ２ガスの添加により形成され
た合金の窒化物あるいは酸化物で構成される。
したがって、第１、第２の発明によれば、第３図及び第
６図に示すように従来のもの（ｐｕｒｅ Ｔ ａ ）よ
り応力カーブがゆるやかになり、Ｘ線吸収体のＸ線透過
膜に対する応力を容易に低くすることができる。更に、
高圧力側のＸ線吸収体の表面の凹凸が緩和されてなめら
かになる。
６図に示すように従来のもの（ｐｕｒｅ Ｔ ａ ）よ
り応力カーブがゆるやかになり、Ｘ線吸収体のＸ線透過
膜に対する応力を容易に低くすることができる。更に、
高圧力側のＸ線吸収体の表面の凹凸が緩和されてなめら
かになる。
〔実施例］
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は第１の発明に係るＸ線マスクの一実施例の構成
を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）は一実施例の製造方法
を説明する図である。
を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）は一実施例の製造方法
を説明する図である。
これらの図において、第７図および第８図と同一符号は
同一または相当部分を示し、４ａはＸ線吸収体（第１の
発明に係るＸ線吸収体に該当する）で、ＴａにＡｆを添
加して形成したＴａ−Ａｆｆ合金から構成されている。
同一または相当部分を示し、４ａはＸ線吸収体（第１の
発明に係るＸ線吸収体に該当する）で、ＴａにＡｆを添
加して形成したＴａ−Ａｆｆ合金から構成されている。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第２図（ａ）に示す工程のものは、従来通りであ
り、第８図（ａ）〜（Ｃ）で説明した工程を経ることに
より得ることができるのでここでは省略する。
り、第８図（ａ）〜（Ｃ）で説明した工程を経ることに
より得ることができるのでここでは省略する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、例えばスパック法に
よりＸ線透過膜３上に膜厚が例えば０．５〜１．０μｍ
のＸ線吸収体４ａを形成する。具体的にはＴａにＡＩ！
、を例えば１ｗｔ％添加したＴ ａ −Ａ２合金ターゲ
ットを作成し、次いで放電パワーが例えば３００ Ｗ
（直径８φのＴａ−Ａｌ！、合金ターゲットに対しての
放電パワーの値である）、ガス圧力が例えば２５〜３０
ｍｔｏｒｒでスパッタ形成することができる。この時の
成膜速度は約５００人／ｍｉｎである。
よりＸ線透過膜３上に膜厚が例えば０．５〜１．０μｍ
のＸ線吸収体４ａを形成する。具体的にはＴａにＡＩ！
、を例えば１ｗｔ％添加したＴ ａ −Ａ２合金ターゲ
ットを作成し、次いで放電パワーが例えば３００ Ｗ
（直径８φのＴａ−Ａｌ！、合金ターゲットに対しての
放電パワーの値である）、ガス圧力が例えば２５〜３０
ｍｔｏｒｒでスパッタ形成することができる。この時の
成膜速度は約５００人／ｍｉｎである。
そして、第８図（ｄ）に示す従来法と同様、例えばＲＩ
Ｅ法によりＸ線吸収体４ａを選択的にエソヂングして所
定のＬＳＩ用のパターンを形成することにより、第１図
に示すような構造のＸ線マスクが完成する。ここでＲＩ
Ｅには例えばＣｒ２／ＣＣＬ混合ガスを用いることがで
きる。
Ｅ法によりＸ線吸収体４ａを選択的にエソヂングして所
定のＬＳＩ用のパターンを形成することにより、第１図
に示すような構造のＸ線マスクが完成する。ここでＲＩ
Ｅには例えばＣｒ２／ＣＣＬ混合ガスを用いることがで
きる。
すなわち、上記実施例ではＸ線吸収体４ａをＴ；Ｊ ；
ｌ Ａ １を添加して形成した合金で構成したので、Ｘ
線吸収体４ａのＸ線透過膜３に対する応力を容易に低く
制御することができ、かつＸ線吸収体４ａの表面をなめ
らかにすることができる。具体的には第３図に示すよう
に、Ｘ線吸収体４ａ（ＴａＡ ｌ ）は従来のもの（ｐ
ｕｒｅ Ｔ ａ ）より応力カーブがゆるやかになり応
力の制御性を向上させることができる。更に、高圧力側
の領域でのＸ線吸収体４ａの表面をＳＥＭで観察すると
、凹凸が緩和されており、なめらかになっていることが
確認できる。また、Ｘ線吸収体４ａ （Ｔａ−Ａｆｆｉ
）の密度は１３．５〜１６．５と高密度な膜を得ること
ができる。
ｌ Ａ １を添加して形成した合金で構成したので、Ｘ
線吸収体４ａのＸ線透過膜３に対する応力を容易に低く
制御することができ、かつＸ線吸収体４ａの表面をなめ
らかにすることができる。具体的には第３図に示すよう
に、Ｘ線吸収体４ａ（ＴａＡ ｌ ）は従来のもの（ｐ
ｕｒｅ Ｔ ａ ）より応力カーブがゆるやかになり応
力の制御性を向上させることができる。更に、高圧力側
の領域でのＸ線吸収体４ａの表面をＳＥＭで観察すると
、凹凸が緩和されており、なめらかになっていることが
確認できる。また、Ｘ線吸収体４ａ （Ｔａ−Ａｆｆｉ
）の密度は１３．５〜１６．５と高密度な膜を得ること
ができる。
したがって、Ｘ線リソグラフィーにおける高精度なＸ線
マスクの実現に寄与するところが大きい。
マスクの実現に寄与するところが大きい。
次に、第４図は第２の発明に係るＸ線マスクの一実施例
の構成を示す図、第５図（，３）、（ｂ）は一実施例の
製造方法を説明する図である。
の構成を示す図、第５図（，３）、（ｂ）は一実施例の
製造方法を説明する図である。
これらの図において、第７図及び第８図と同一符号は同
一または相当部分を示し、４ｂはＸ線吸収体（第２の発
明に係るＸ線吸収体に該当する）で、ＴａにＡｆｆｉを
添加して更にＮＺガスを加えて形成した合金の窒化物か
ら構成されている。
一または相当部分を示し、４ｂはＸ線吸収体（第２の発
明に係るＸ線吸収体に該当する）で、ＴａにＡｆｆｉを
添加して更にＮＺガスを加えて形成した合金の窒化物か
ら構成されている。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第５図（ａ）に示す工程のものは従来通りであり
、第８図（ａ）〜（Ｃ）で説明した工程を経ることによ
り得ることができるのでここでは省略する。
、第８図（ａ）〜（Ｃ）で説明した工程を経ることによ
り得ることができるのでここでは省略する。
次に、第５図（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりＸ線透過ｙ３上に膜厚が例えば０．５〜１．０μｍ
のＸ線吸収体４ｂを形成する。具体的にはＴａにＡｌを
例えば１４％を添加したＴａＡｆの合金ターゲットを放
電パワーが例えば３００Ｗ（直径８φのＴａ−Ａ４２合
金ターゲツトに対しての放電パワーの値）、ガス圧力が
例えば２０〜３０ｍｔｏｒｒ 、スパッタガスがＡｌガ
ス＋（１〜１０％）Ｎ２ガスによりスパッタ形成するこ
とができる。
よりＸ線透過ｙ３上に膜厚が例えば０．５〜１．０μｍ
のＸ線吸収体４ｂを形成する。具体的にはＴａにＡｌを
例えば１４％を添加したＴａＡｆの合金ターゲットを放
電パワーが例えば３００Ｗ（直径８φのＴａ−Ａ４２合
金ターゲツトに対しての放電パワーの値）、ガス圧力が
例えば２０〜３０ｍｔｏｒｒ 、スパッタガスがＡｌガ
ス＋（１〜１０％）Ｎ２ガスによりスパッタ形成するこ
とができる。
この時の成膜速度は４００人／ ｍ ｉ ｎである。
そして、第８図（ｄ）に示す従来法と同様例えは［ＩＥ
法によりＸ線吸収体４ｂを選択的に工・７ナングして所
定のＬＳＩ用のパターンを形成することにより、第４図
に示すような構造のＸ線マスクが完成する。ここでＲＩ
Ｅには例えばＣＩ２．／ＣＣＺ、の混合ガスを用いるこ
とができる。
法によりＸ線吸収体４ｂを選択的に工・７ナングして所
定のＬＳＩ用のパターンを形成することにより、第４図
に示すような構造のＸ線マスクが完成する。ここでＲＩ
Ｅには例えばＣＩ２．／ＣＣＺ、の混合ガスを用いるこ
とができる。
すなわち、上記実施例ではＸ線吸収体４ｂをＴａにｌＸ
℃を添加して更にＮ２ガスを加えて形成した合金の窒化
物で構成したので、Ｘ線吸収体４ｂのＸ線透過膜３に対
する応力を容易に低く制御することができ、かつＸ線吸
収体４ｂの表面をなめらかにすることができる。具体的
には第６図に示すように、Ｘ線吸収体４ ｂ （Ｔａ−
Ｔ（１−Ｎ）は従来のもの（ｐｕｒｅＴ ａ ）より応
力カーブがゆるやかになり応力の制御性を向上させるこ
とができる（第１の発明のもの（Ｔａ−Ａｎ （１ｗＬ
％））よりも向上させることかできる）。更に、高圧力
側の領域でのＸ線吸収体４ｂの表面をＳＥＭで観察する
と、凹凸が緩和されており、なめらかになっていること
が確認できる。具体的には従来のものの柱状結晶の膜厚
が０．１−０．２μｒｎであったものが、０．０２μｍ
程度まで微小化しておりなめらかさが向上する。Ｘ線吸
収体４ ｂ （Ｔａ −Ａｆ−Ｎ）は１２．５〜１６．
０と高密度な膜を得ることができる。
℃を添加して更にＮ２ガスを加えて形成した合金の窒化
物で構成したので、Ｘ線吸収体４ｂのＸ線透過膜３に対
する応力を容易に低く制御することができ、かつＸ線吸
収体４ｂの表面をなめらかにすることができる。具体的
には第６図に示すように、Ｘ線吸収体４ ｂ （Ｔａ−
Ｔ（１−Ｎ）は従来のもの（ｐｕｒｅＴ ａ ）より応
力カーブがゆるやかになり応力の制御性を向上させるこ
とができる（第１の発明のもの（Ｔａ−Ａｎ （１ｗＬ
％））よりも向上させることかできる）。更に、高圧力
側の領域でのＸ線吸収体４ｂの表面をＳＥＭで観察する
と、凹凸が緩和されており、なめらかになっていること
が確認できる。具体的には従来のものの柱状結晶の膜厚
が０．１−０．２μｒｎであったものが、０．０２μｍ
程度まで微小化しておりなめらかさが向上する。Ｘ線吸
収体４ ｂ （Ｔａ −Ａｆ−Ｎ）は１２．５〜１６．
０と高密度な膜を得ることができる。
したがって、Ｘ線リソグラフィーにおける高精度なＸ線
マスクの実現に寄与するところが大きい。
マスクの実現に寄与するところが大きい。
なお、第１の発明に係る実施例では、Ｘ線吸収体４ａを
ＴａにＡｆを添加して形成したＴａ −Ａ２合金から構
成した場合について説明したが、第１の発明はこれに限
定されるものではなく、ＴａにＡ２、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏ
のうち少なくとも１種以上添加して形成した合金であれ
ばよく、具体的には例えばＴａにＡ、ｅ、Ｔｉの２種を
添付して形成した合金の場合であっても、ＴａにＴｉ、
Ｓｉ、Ｍｏの３種を添付して形成した合金の場合であっ
てもよい。
ＴａにＡｆを添加して形成したＴａ −Ａ２合金から構
成した場合について説明したが、第１の発明はこれに限
定されるものではなく、ＴａにＡ２、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏ
のうち少なくとも１種以上添加して形成した合金であれ
ばよく、具体的には例えばＴａにＡ、ｅ、Ｔｉの２種を
添付して形成した合金の場合であっても、ＴａにＴｉ、
Ｓｉ、Ｍｏの３種を添付して形成した合金の場合であっ
てもよい。
第１の発明に係る実施例はＸ線吸収体４ａをＴａに１ｗ
Ｌ％（重量％）のＡＡを添加した最も好ましい場合の態
様について説明したが、第１の発明はこれに限定される
もの′ζはなく、Ｔａに重量％て０．１〜１０−１％の
Ａｆを添加する場合であればよく、好ましくは０．５〜
５−１％のＡｌを添加する場合であり、具体的には例え
ば好ましい態様としては第３図に示すように、Ｔａ −
Ａｎ （０，７ｗｔ％）、Ｔ ａ −Ａｆ（３−ｔ％）
というように上記実施例（Ｔ’ａ−Ａ／２ （１ｗｔ％
））と同様な効果を１することができる。
Ｌ％（重量％）のＡＡを添加した最も好ましい場合の態
様について説明したが、第１の発明はこれに限定される
もの′ζはなく、Ｔａに重量％て０．１〜１０−１％の
Ａｆを添加する場合であればよく、好ましくは０．５〜
５−１％のＡｌを添加する場合であり、具体的には例え
ば好ましい態様としては第３図に示すように、Ｔａ −
Ａｎ （０，７ｗｔ％）、Ｔ ａ −Ａｆ（３−ｔ％）
というように上記実施例（Ｔ’ａ−Ａ／２ （１ｗｔ％
））と同様な効果を１することができる。
第２の発明に係る実施例では、Ｘ線吸収体４ｂをＴａに
Ａ２を添加して更にＮ２ガスを加えて形成した合金の窒
化物で構成した場合について説明したが、第２の発明は
これに限定されるものではな（、Ｔａに、ｌ、Ｔｉ、、
Ｓｉ、Ｍｏのうし少なくとも１種以上添加して更にＮ２
ガスを加えて形成した合金の窒化物で構成する場合であ
ってもよい。また、Ｎ２ガスを加える他に酸素を加える
場合であってもよく、この場合は合金の酸化物（例えば
Ｔａ−Ａｆｆ−０の酸化物）となる。
Ａ２を添加して更にＮ２ガスを加えて形成した合金の窒
化物で構成した場合について説明したが、第２の発明は
これに限定されるものではな（、Ｔａに、ｌ、Ｔｉ、、
Ｓｉ、Ｍｏのうし少なくとも１種以上添加して更にＮ２
ガスを加えて形成した合金の窒化物で構成する場合であ
ってもよい。また、Ｎ２ガスを加える他に酸素を加える
場合であってもよく、この場合は合金の酸化物（例えば
Ｔａ−Ａｆｆ−０の酸化物）となる。
第２の発明に係る実施例は、Ｎｔガスを１０ｗＬ％加え
た最も好ましい場合の態様について説明したが、第２の
発明はこれに回定されるものではなく、重量％で１〜１
０−ｔ％加える場合であればよい。ここで、１ｗｔ％以
下にするとほとんど効果（加えない場合と同し）がなく
、１０−Ｌ％以上にすると密度が小ざくなりもろくなる
ので実用上問題がある。
た最も好ましい場合の態様について説明したが、第２の
発明はこれに回定されるものではなく、重量％で１〜１
０−ｔ％加える場合であればよい。ここで、１ｗｔ％以
下にするとほとんど効果（加えない場合と同し）がなく
、１０−Ｌ％以上にすると密度が小ざくなりもろくなる
ので実用上問題がある。
［発明の効果］
第１、第２の発明によれば、Ｘ線吸収体のＸ線透過膜に
対する応力を低くすることができ、かつＸ線吸収体の表
面をなめらかにすることかてぎるという効果がある。
対する応力を低くすることができ、かつＸ線吸収体の表
面をなめらかにすることかてぎるという効果がある。
第１図は第１の発明に係るＸ線マスクのブ実施例の構成
を示す図、 第２図は第１の発明の一実施例の製造工程を説明する図
、 第３図は第１の発明の一実施例の効果を説明するし１、 第４図は第２の発明に係るＸ線マスクの一実施例の構成
を示す図、 第５図５ま第２の発明の一実施例のｆｉ造工程を説明す
る図、 第６図は第２の発明の一実施例の効果を説明する図、 第７図は従来のＸ線マスクの一例の構成を示す図、 第８図は従来例の一例の製造工程を説明する図、第９図
は従来例の課題を説明する図である。 １・・・・・・支持枠、 ２・・・・・・基板、 ３・・・・・・Ｘ線透過膜、 ４ａ、４ｂ・・・・・・Ｘ線吸収体。
を示す図、 第２図は第１の発明の一実施例の製造工程を説明する図
、 第３図は第１の発明の一実施例の効果を説明するし１、 第４図は第２の発明に係るＸ線マスクの一実施例の構成
を示す図、 第５図５ま第２の発明の一実施例のｆｉ造工程を説明す
る図、 第６図は第２の発明の一実施例の効果を説明する図、 第７図は従来のＸ線マスクの一例の構成を示す図、 第８図は従来例の一例の製造工程を説明する図、第９図
は従来例の課題を説明する図である。 １・・・・・・支持枠、 ２・・・・・・基板、 ３・・・・・・Ｘ線透過膜、 ４ａ、４ｂ・・・・・・Ｘ線吸収体。
Claims (2)
- （１）Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収体を
有するＸ線マスクにおいて、 前記Ｘ線吸収体を、ＴａにＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏのう
ち少なくとも１種以上を添加して形成した合金で構成し
たことを特徴とするＸ線マスク。 - （２）Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収体を
有するＸ線マスクにおいて、 前記Ｘ線吸収体を、ＴａにＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏのう
ち少なくとも１種以上を添加して、更にＮ＿２ガスある
いはＯ＿２ガスを加えて形成した合金の窒化物あるいは
酸化物で構成したことを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654688A JP2742056B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線マスク |
| EP89110677A EP0346828B1 (en) | 1988-06-14 | 1989-06-13 | X-ray absorber for use in x-ray lithography and method for fabrication thereof by sputtering |
| DE8989110677T DE68902591T2 (de) | 1988-06-14 | 1989-06-13 | Roentgenstrahl-absorptionsmittel fuer roentgenstrahllithographie und herstellung durch zerstaeubung. |
| KR8908154A KR910007247B1 (en) | 1988-06-14 | 1989-06-14 | X-ray mack |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654688A JP2742056B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022109A true JPH022109A (ja) | 1990-01-08 |
| JP2742056B2 JP2742056B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=15410103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654688A Expired - Fee Related JP2742056B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線マスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2742056B2 (ja) |
| KR (1) | KR910007247B1 (ja) |
| DE (1) | DE68902591T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950468A (en) * | 1987-03-11 | 1990-08-21 | Sunstar Kabushiki Kaisha | Hair treating composition |
| JPH02247986A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Molex Inc | 平らで、しなやかなケーブルを回路ボードへ接続するためのストレーン・リリーフ構造体 |
| US5754619A (en) * | 1996-01-09 | 1998-05-19 | Nec Corporation | X-ray mask for X-ray lithography and method of producing same |
| US5773177A (en) * | 1989-03-09 | 1998-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure process |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
| US6197457B1 (en) | 1998-05-22 | 2001-03-06 | Nec Corporation | X-ray mask and method of fabricating the same |
| JP2002246299A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 |
| WO2022259915A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464711A (en) * | 1994-08-01 | 1995-11-07 | Motorola Inc. | Process for fabricating an X-ray absorbing mask |
| US6139699A (en) | 1997-05-27 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films |
| US7253109B2 (en) | 1997-11-26 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system |
| US6911124B2 (en) | 1998-09-24 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a TaN seed layer |
| TWI223873B (en) | 1998-09-24 | 2004-11-11 | Applied Materials Inc | Nitrogen-containing tantalum films |
| KR101109229B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2012-01-30 | 주식회사 케이이씨 | 이중 접합 게이트를 갖는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136521A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1447976A1 (de) * | 1965-09-30 | 1969-10-09 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Belichtungsmasken mit hohem Kontrast |
| US3873824A (en) * | 1973-10-01 | 1975-03-25 | Texas Instruments Inc | X-ray lithography mask |
| JP3343976B2 (ja) * | 1993-02-18 | 2002-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 衛生洗浄装置 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP14654688A patent/JP2742056B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-13 EP EP89110677A patent/EP0346828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-13 DE DE8989110677T patent/DE68902591T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-14 KR KR8908154A patent/KR910007247B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136521A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Sharp Corp | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455204B1 (en) | 1922-09-05 | 2002-09-24 | Nec Corporation | X-ray mask and method of fabricating the same |
| US4950468A (en) * | 1987-03-11 | 1990-08-21 | Sunstar Kabushiki Kaisha | Hair treating composition |
| JPH02247986A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Molex Inc | 平らで、しなやかなケーブルを回路ボードへ接続するためのストレーン・リリーフ構造体 |
| JPH0626155B2 (ja) * | 1989-02-24 | 1994-04-06 | モレックス インコーポレーテッド | 平らで、しなやかなケーブルを回路ボードへ接続するためのストレーン・リリーフ構造体 |
| US5773177A (en) * | 1989-03-09 | 1998-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure process |
| US5754619A (en) * | 1996-01-09 | 1998-05-19 | Nec Corporation | X-ray mask for X-ray lithography and method of producing same |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
| US6197457B1 (en) | 1998-05-22 | 2001-03-06 | Nec Corporation | X-ray mask and method of fabricating the same |
| JP2002246299A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 |
| WO2022259915A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0346828A2 (en) | 1989-12-20 |
| DE68902591D1 (de) | 1992-10-01 |
| JP2742056B2 (ja) | 1998-04-22 |
| EP0346828A3 (en) | 1990-03-28 |
| EP0346828B1 (en) | 1992-08-26 |
| DE68902591T2 (de) | 1993-04-08 |
| KR910007247B1 (en) | 1991-09-24 |
| KR910002308A (ko) | 1991-01-31 |
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|---|---|---|---|
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