JPH0628230B2 - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
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- JPH0628230B2 JPH0628230B2 JP6625487A JP6625487A JPH0628230B2 JP H0628230 B2 JPH0628230 B2 JP H0628230B2 JP 6625487 A JP6625487 A JP 6625487A JP 6625487 A JP6625487 A JP 6625487A JP H0628230 B2 JPH0628230 B2 JP H0628230B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造時に使用されるＸ線露光
用のマスクおよびその製造方に関するものである。
用のマスクおよびその製造方に関するものである。
従来から、この種のＸ線露光用マスクのＸ線吸収体パタ
ーン材料としては、一般にAu（金）が用いられてきた。
ーン材料としては、一般にAu（金）が用いられてきた。
このAu材料は、軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、かつ
他の金属材料に比較して柔らかい材料であるため、マス
ク基板上にパターン膜を形成した場合，吸収体パターン
の位置歪みの原因となるところの，基板に与える応力を
小さくし得ると云う特長がある。
他の金属材料に比較して柔らかい材料であるため、マス
ク基板上にパターン膜を形成した場合，吸収体パターン
の位置歪みの原因となるところの，基板に与える応力を
小さくし得ると云う特長がある。
しかし、この反面，Au材料は、化学的に安定であること
から、同Au材料によつてＸ線吸収体パターン膜を形成す
る際に、現在，半導体装置製造時の微細加工プロセスで
多用されている反応性イオンエッチング法(RIE)を適用
することができず、加工性の点で問題を有しており、こ
のために、近年に至つては、このAu材料と同程度のＸ線
吸収係数をもつＷ（タングステン）を、吸収体パターン
膜の材料として用いるようにしたＸ線露光用マスクの開
発がなされてきている。
から、同Au材料によつてＸ線吸収体パターン膜を形成す
る際に、現在，半導体装置製造時の微細加工プロセスで
多用されている反応性イオンエッチング法(RIE)を適用
することができず、加工性の点で問題を有しており、こ
のために、近年に至つては、このAu材料と同程度のＸ線
吸収係数をもつＷ（タングステン）を、吸収体パターン
膜の材料として用いるようにしたＸ線露光用マスクの開
発がなされてきている。
しかして、このＷ材料に関しては、これを通常のRIE法
によるCF4などの反応性ガスによつてエッチングし得る
ために、吸収体パターン膜に要求されるところの，パタ
ーンエッジが垂直でかつパターン幅が１μｍ程度の吸収
膜を比較的容易に形成できるのであるが、こゝでも、一
方，このＷパターン膜は、マスク基板となるSiN,SiO2,B
Nなどの無機系材料に対する接着性が悪く、Ｘ線吸収体
パターン膜形成後のマスク洗浄などにおいて、形成され
た吸収体パターン膜が剥離されてしまう場合があると云
う問題点がある。
によるCF4などの反応性ガスによつてエッチングし得る
ために、吸収体パターン膜に要求されるところの，パタ
ーンエッジが垂直でかつパターン幅が１μｍ程度の吸収
膜を比較的容易に形成できるのであるが、こゝでも、一
方，このＷパターン膜は、マスク基板となるSiN,SiO2,B
Nなどの無機系材料に対する接着性が悪く、Ｘ線吸収体
パターン膜形成後のマスク洗浄などにおいて、形成され
た吸収体パターン膜が剥離されてしまう場合があると云
う問題点がある。
そこで、本発明者らは、この問題点を解決するため、先
に特願昭61-195991号として、Ｗ（タングステン）にTi
（チタン）を加えた合金，つまりTi-W合金を吸収体パタ
ーン材料とするＸ線露光用マスクを開発した。
に特願昭61-195991号として、Ｗ（タングステン）にTi
（チタン）を加えた合金，つまりTi-W合金を吸収体パタ
ーン材料とするＸ線露光用マスクを開発した。
すなわち，このＸ線吸収体パターン材料として用いるTi
-W合金は、Tiの含有量が0.5〜10wt％のとき、Ｘ線露光
において利用されるPdLαとかMoLαなどの軟Ｘ線に対し
て吸収係数が大きく、前記したRIE法による微細加工が
可能であつて、しかもマスク基板としてのSinとかSiO2
などの無機系材料に対する接着性も良好になるもので、
このことからＸ線吸収体パターン膜として、0.5〜10wt
％のTiを含有するTi-W合金を用いるようにしているので
ある。
-W合金は、Tiの含有量が0.5〜10wt％のとき、Ｘ線露光
において利用されるPdLαとかMoLαなどの軟Ｘ線に対し
て吸収係数が大きく、前記したRIE法による微細加工が
可能であつて、しかもマスク基板としてのSinとかSiO2
などの無機系材料に対する接着性も良好になるもので、
このことからＸ線吸収体パターン膜として、0.5〜10wt
％のTiを含有するTi-W合金を用いるようにしているので
ある。
しかして、前記提案に係るTi-W合金を用いたＸ線吸収体
パターン材料においては、マスクパターンの位置歪みを
可及的に小さくするために、その内部応力を可能な限り
小さな値になるようにして、これをマスク基板上に膜形
成させる必要があり、このためにこゝでのTi-W合金によ
る成膜には、一般にAr（アルゴン）ガスを用いたスパッ
タ成膜法が適用され、かつその応力制御法として、内部
応力のArガス圧力依存性を利用する手段が採用されてい
る。
パターン材料においては、マスクパターンの位置歪みを
可及的に小さくするために、その内部応力を可能な限り
小さな値になるようにして、これをマスク基板上に膜形
成させる必要があり、このためにこゝでのTi-W合金によ
る成膜には、一般にAr（アルゴン）ガスを用いたスパッ
タ成膜法が適用され、かつその応力制御法として、内部
応力のArガス圧力依存性を利用する手段が採用されてい
る。
こゝで第２図には、前記Ti-W合金をArガスによる反応性
ガスを用いてDC放電スパッタ成膜法により成膜させたと
きの，Arガス圧力とTi-W合金膜の内部に生ずる応力（内
部応力）との関係を示してある。
ガスを用いてDC放電スパッタ成膜法により成膜させたと
きの，Arガス圧力とTi-W合金膜の内部に生ずる応力（内
部応力）との関係を示してある。
すなわち，この第２図から明らかな通り、Arガス圧力が
低圧（10mtorr）状態から増加するのに伴い、Ti-W合金
膜の内部に生ずる応力は、圧縮力から引張り力に急激に
変化し、かつ30mtorr以上のArガス圧力では、その圧力
と共に内部応力が小さくなつて、50mtorr以上でほゞ一
定した小さな値となることを示しており、このArガス圧
力と内部応力との関係から、内部応力の小さいTi-W合金
膜を得るためには、おゝよそ、14mtorrまたは50mtorr以
上のArガス圧力で成膜すれば良いことが判る。
低圧（10mtorr）状態から増加するのに伴い、Ti-W合金
膜の内部に生ずる応力は、圧縮力から引張り力に急激に
変化し、かつ30mtorr以上のArガス圧力では、その圧力
と共に内部応力が小さくなつて、50mtorr以上でほゞ一
定した小さな値となることを示しており、このArガス圧
力と内部応力との関係から、内部応力の小さいTi-W合金
膜を得るためには、おゝよそ、14mtorrまたは50mtorr以
上のArガス圧力で成膜すれば良いことが判る。
しかし一方，このようにして成膜されたTi-W合金膜の密
度を測定した結果によれば、Arガス圧力が14mtorrでは1
8.9g/cm3，同50mtorr以上では13.0g/cm3以下となつて、
50mtorr以上の成膜の場合には、密度が小さくて吸収体
膜として十分に作用しないことが判明しており、このた
めに低い内部応力でのTi-W合金膜の成膜には、Arガス圧
力の増加に従つて内部応力が圧縮力から引張り力に急激
に変化する圧力範囲，つまり、内部応力ゼロを横切るAr
ガス圧力（おゝよそ14mtorr）で行なうようにしている
のである。
度を測定した結果によれば、Arガス圧力が14mtorrでは1
8.9g/cm3，同50mtorr以上では13.0g/cm3以下となつて、
50mtorr以上の成膜の場合には、密度が小さくて吸収体
膜として十分に作用しないことが判明しており、このた
めに低い内部応力でのTi-W合金膜の成膜には、Arガス圧
力の増加に従つて内部応力が圧縮力から引張り力に急激
に変化する圧力範囲，つまり、内部応力ゼロを横切るAr
ガス圧力（おゝよそ14mtorr）で行なうようにしている
のである。
このように、先に提案したTi-W合金膜によるＸ線吸収体
パターン膜の成膜においては、Arガスを用いたスパッタ
成膜法により、Arガス圧力の増加に従つて、内部応力が
圧縮力から引張り力に急激に変化する圧力範囲での，内
部応力ゼロを横切るArガス圧力で行なうようにしている
ために、成膜中でのガス圧力の変動が、成膜後における
吸収体膜の内部応力に強く影響して、低内部応力による
Ｘ線吸収体パターン膜を再現性良く得られないと云う不
都合があつた。
パターン膜の成膜においては、Arガスを用いたスパッタ
成膜法により、Arガス圧力の増加に従つて、内部応力が
圧縮力から引張り力に急激に変化する圧力範囲での，内
部応力ゼロを横切るArガス圧力で行なうようにしている
ために、成膜中でのガス圧力の変動が、成膜後における
吸収体膜の内部応力に強く影響して、低内部応力による
Ｘ線吸収体パターン膜を再現性良く得られないと云う不
都合があつた。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであつて、その目的とするところは、Ti-W
合金膜による低内部応力のＸ線吸収体パターン膜を有す
るＸ線露光用マスクおよびその製造方法を提供すること
である。
なされたものであつて、その目的とするところは、Ti-W
合金膜による低内部応力のＸ線吸収体パターン膜を有す
るＸ線露光用マスクおよびその製造方法を提供すること
である。
前記目的を達成するために、この発明に係るＸ線露光用
マスクは、マスク基板上にＮ２（窒素）ガスの混入した
Ti（チタン）-W（タングステン）合金からなるＸ線吸収
体パターン膜を形成したものである。
マスクは、マスク基板上にＮ２（窒素）ガスの混入した
Ti（チタン）-W（タングステン）合金からなるＸ線吸収
体パターン膜を形成したものである。
また、その製造方法は、Ti（チタン）を含有するTi（チ
タン）-W（タングステン）合金を用いたＸ線吸収体パタ
ーン膜材料を、Ar（アルゴン）ガスにＮ2（窒素）ガス
を加えた反応性ガスでスパッタリングして成膜させるよ
うにしたものである。
タン）-W（タングステン）合金を用いたＸ線吸収体パタ
ーン膜材料を、Ar（アルゴン）ガスにＮ2（窒素）ガス
を加えた反応性ガスでスパッタリングして成膜させるよ
うにしたものである。
すなわち，この発明のマスクにおいては、Ｘ線吸収体パ
ターン膜にＮ２ガスが混入しているので、内部応力が小
さくなり、かつＸ線吸収が良好である。
ターン膜にＮ２ガスが混入しているので、内部応力が小
さくなり、かつＸ線吸収が良好である。
また、この発明方法においては、スパッタ成膜法によつ
て、マスク基板上にTi-W合金膜を形成する際，Arガスに
Ｎ2ガスを加えた反応性ガスを用いることにより、Ti-W
合金膜内にＮ2を混入させるようにしたので、吸収係数
が良好で、かつ低内部応力のTi-W合金膜によるＸ線吸収
体パターン膜を再現性良く形成し得るのである。
て、マスク基板上にTi-W合金膜を形成する際，Arガスに
Ｎ2ガスを加えた反応性ガスを用いることにより、Ti-W
合金膜内にＮ2を混入させるようにしたので、吸収係数
が良好で、かつ低内部応力のTi-W合金膜によるＸ線吸収
体パターン膜を再現性良く形成し得るのである。
以下、この発明に係るＸ線露光用マスク吸収体パターン
膜の形成方法の一実施例につき、第１図(a)および(b)を
参照して詳細に説明する。
膜の形成方法の一実施例につき、第１図(a)および(b)を
参照して詳細に説明する。
第１図(a)はターゲットとしてTi-W合金を用い、かつAr
ガスにＮ2ガスを20％程度加えた反応性ガスを用い、DC
1kwの放電によつてスパッタ成膜した場合での，Ti-W合
金膜の内部応力とガス圧力との関係を示したものであ
り、また、同図(b)はこれと同様に、ターゲットとしてT
i-W合金を用い、かつArガスにＮ2ガスを30％程度加えた
反応性ガスを用い、DC 1kwの放電によつてスパッタ成膜
した場合での，Ti-W合金膜の内部応力とガス圧力との関
係を示したものである。
ガスにＮ2ガスを20％程度加えた反応性ガスを用い、DC
1kwの放電によつてスパッタ成膜した場合での，Ti-W合
金膜の内部応力とガス圧力との関係を示したものであ
り、また、同図(b)はこれと同様に、ターゲットとしてT
i-W合金を用い、かつArガスにＮ2ガスを30％程度加えた
反応性ガスを用い、DC 1kwの放電によつてスパッタ成膜
した場合での，Ti-W合金膜の内部応力とガス圧力との関
係を示したものである。
すなわち，この第１図(a)に示されているところの，Ar
ガスにＮ2ガスをおゝよそ20％程度加えた反応性ガスを
用いる場合にあつては、Ti-W合金膜の内部応力とガス圧
力との関係が、前記した従来での，Arガスのみによる反
応性ガスを用いたスパッタ成膜法の場合とほゞ同様な傾
向を示していて、低圧（10mtorr）状態から圧力が増加
するのに伴つて、Ti-W合金膜の内部に生ずる応力は、圧
縮力から引張り力に急激に変化し、その後における30mt
orr以上のArガス圧力での内部応力を小さくし得るので
あるが、しかしこの場合，引張り力が最大になるときの
内部応力の大きさは、Arガスのみによるスパッタ成膜法
に比較して約1/3程度まで小さくなつており、これによ
つて、Ti-W合金膜内へのＮ2ガスの混入が、その内部応
力を小さくするのに役立つていることが判る。
ガスにＮ2ガスをおゝよそ20％程度加えた反応性ガスを
用いる場合にあつては、Ti-W合金膜の内部応力とガス圧
力との関係が、前記した従来での，Arガスのみによる反
応性ガスを用いたスパッタ成膜法の場合とほゞ同様な傾
向を示していて、低圧（10mtorr）状態から圧力が増加
するのに伴つて、Ti-W合金膜の内部に生ずる応力は、圧
縮力から引張り力に急激に変化し、その後における30mt
orr以上のArガス圧力での内部応力を小さくし得るので
あるが、しかしこの場合，引張り力が最大になるときの
内部応力の大きさは、Arガスのみによるスパッタ成膜法
に比較して約1/3程度まで小さくなつており、これによ
つて、Ti-W合金膜内へのＮ2ガスの混入が、その内部応
力を小さくするのに役立つていることが判る。
また、同図(b)の場合は、前例よりもArガスへのＮ2ガス
の混入量を30％程度に増加させたものであつて、この場
合には、ガス圧力の増加と共に、10mtorrから15mtorrま
での間は、その内部応力が圧縮力から引張り力に急激に
変化するが、しかし、ガス圧力が15mtorr以上になる
と、その変化の割合が非常に小さくなるもので、20mtor
rないし30mtorrのガス圧力で成膜したTi-W合金膜の内部
応力は、0.5〜2.0×108N/m2と非常に小さくなり、この
値は、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン膜として十分
に満足できるものであり、そしてまた、このときのTi-W
合金膜の密度については、17〜18.5g/cm2であつて、そ
の吸収係数も十分に大きくとり得るのである。
の混入量を30％程度に増加させたものであつて、この場
合には、ガス圧力の増加と共に、10mtorrから15mtorrま
での間は、その内部応力が圧縮力から引張り力に急激に
変化するが、しかし、ガス圧力が15mtorr以上になる
と、その変化の割合が非常に小さくなるもので、20mtor
rないし30mtorrのガス圧力で成膜したTi-W合金膜の内部
応力は、0.5〜2.0×108N/m2と非常に小さくなり、この
値は、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン膜として十分
に満足できるものであり、そしてまた、このときのTi-W
合金膜の密度については、17〜18.5g/cm2であつて、そ
の吸収係数も十分に大きくとり得るのである。
さらに、ArガスへのＮ2ガスの混入量を30％程度とし、
かつガス圧力を20mtorrないし30mtorr内の一点に設定
し、10回ほど成膜を繰り返して、それぞれの場合でのTi
-W合金膜の内部応力を測定した結果，同内部応力の変動
は、平均的に5%以下であつて、その内部応力の再現性も
良いことを確認できた。
かつガス圧力を20mtorrないし30mtorr内の一点に設定
し、10回ほど成膜を繰り返して、それぞれの場合でのTi
-W合金膜の内部応力を測定した結果，同内部応力の変動
は、平均的に5%以下であつて、その内部応力の再現性も
良いことを確認できた。
次に、ArガスへのＮ2ガスの混入量を30％，ガス圧力を3
0mtorrとしたスパッタ成膜法によつて、直径50mmφ，膜
厚４μｍのBN（ボロンナイトライド）薄膜基板上に、膜
厚１μｍのTi-W合金膜を成膜させ、かつこのようにして
得たTi-W合金膜をCF4ガスによるRIE法により、所望のパ
ターンにエッチング成形して所期のＸ線吸収体パターン
膜とし、光波干渉式座標測定器を用い、このＸ線吸収体
パターン膜におけるマスクパターンの位置精度を測定し
たところ、その位置ずれ量は、設計値に対してσx,y＝
±0.08μｍ以下であつて、低歪みによるＸ線露光用マス
クを容易に得ることができた。
0mtorrとしたスパッタ成膜法によつて、直径50mmφ，膜
厚４μｍのBN（ボロンナイトライド）薄膜基板上に、膜
厚１μｍのTi-W合金膜を成膜させ、かつこのようにして
得たTi-W合金膜をCF4ガスによるRIE法により、所望のパ
ターンにエッチング成形して所期のＸ線吸収体パターン
膜とし、光波干渉式座標測定器を用い、このＸ線吸収体
パターン膜におけるマスクパターンの位置精度を測定し
たところ、その位置ずれ量は、設計値に対してσx,y＝
±0.08μｍ以下であつて、低歪みによるＸ線露光用マス
クを容易に得ることができた。
なお、前記実施例においては、ArガスへのＮ2ガスの混
入量を30％としているが、このＮ2ガスの混入量を30％
〜50％の範囲に設定しても、同様の結果が得られる。
入量を30％としているが、このＮ2ガスの混入量を30％
〜50％の範囲に設定しても、同様の結果が得られる。
また、こゝではTi-W膜にＮ2を混入させるために、Arガ
ス内にＮ2ガスを混入させているが、このArガス内に混
入させるガスは、Ｎ2を混入できるものであれば、Ｎ2と
化合した任意のガスであつて良い。
ス内にＮ2ガスを混入させているが、このArガス内に混
入させるガスは、Ｎ2を混入できるものであれば、Ｎ2と
化合した任意のガスであつて良い。
さらに、この実施例では、DC放電によるスパッタ成膜法
によつてTi-W合金膜を成膜させているが、RF放電による
スパッタ成膜法を適用しても良く、また、この実施例の
場合には、Ti-W合金をターゲットに用いているが、成膜
後のTi-W合金膜内に同様な低応力を得られるものであれ
ば、ターゲット合金に対して予めＮ2を混入させたもの
でも、同様の結果が得られる。
によつてTi-W合金膜を成膜させているが、RF放電による
スパッタ成膜法を適用しても良く、また、この実施例の
場合には、Ti-W合金をターゲットに用いているが、成膜
後のTi-W合金膜内に同様な低応力を得られるものであれ
ば、ターゲット合金に対して予めＮ2を混入させたもの
でも、同様の結果が得られる。
以上詳述したように、この発明のＸ線露光用マスクによ
れば、Ｘ線吸収体パターン膜にＮ2ガスが混入している
ので、内部応力が小さくなり、かつＸ線吸収が良好であ
る。
れば、Ｘ線吸収体パターン膜にＮ2ガスが混入している
ので、内部応力が小さくなり、かつＸ線吸収が良好であ
る。
また、この発明の製造方法によれば、Ti-W合金によるＸ
線吸収体パターン膜の形成に際し、このTi-W合金膜をア
ルゴンガスに窒素ガスを加えた反応性ガスを用いるスパ
ッタ成膜法により成膜させるようにしたので、膜特性が
良好になる。特に、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン
膜の材料であるTi-W合金を、Arガスに30％〜50％程度の
Ｎ2ガスを加えた反応性ガスによスパッタ成膜法で成膜
させるようにすると、吸収係数が良好で、かつ低内部応
力のTi-W合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性良
く形成でき、これによつて、高精度のＸ線露光用マスク
を得られると云う特長がある。
線吸収体パターン膜の形成に際し、このTi-W合金膜をア
ルゴンガスに窒素ガスを加えた反応性ガスを用いるスパ
ッタ成膜法により成膜させるようにしたので、膜特性が
良好になる。特に、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン
膜の材料であるTi-W合金を、Arガスに30％〜50％程度の
Ｎ2ガスを加えた反応性ガスによスパッタ成膜法で成膜
させるようにすると、吸収係数が良好で、かつ低内部応
力のTi-W合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性良
く形成でき、これによつて、高精度のＸ線露光用マスク
を得られると云う特長がある。
第１図はこの発明に係るＸ線露光用マスク吸収体膜の形
成方法の各別の実施例による，ArガスにＮ2ガスを加え
た反応性ガスを用いてTi-W合金膜をスパッタ成膜したと
きの，ガス圧力とTi-W合金膜の内部応力との関係を示す
グラフであつて、同図(a)および(b)はArガスに加えるＮ
2ガスの割合が、それぞれに20％および30％の場合であ
り、また、第２図は同上方法での従来例の場合のArガス
を用いてTi-W合金膜をスパッタ成膜したときの，ガス圧
力とTi-W合金膜の内部応力との関係を示すグラフであ
る。
成方法の各別の実施例による，ArガスにＮ2ガスを加え
た反応性ガスを用いてTi-W合金膜をスパッタ成膜したと
きの，ガス圧力とTi-W合金膜の内部応力との関係を示す
グラフであつて、同図(a)および(b)はArガスに加えるＮ
2ガスの割合が、それぞれに20％および30％の場合であ
り、また、第２図は同上方法での従来例の場合のArガス
を用いてTi-W合金膜をスパッタ成膜したときの，ガス圧
力とTi-W合金膜の内部応力との関係を示すグラフであ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】マスク基板と、 このマスク基板上に所望のパターンで形成されＮ２ガス
の混入したTi-W合金からなるＸ線吸収体膜と からなるＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】マスク基板上にTi-W合金によるＸ線吸収体
パターン膜を形成して構成するＸ線露光用マスクの製造
方法において、 前記Ti-W合金によるＸ線吸収体パターン膜の形成に際
し、このTi-W合金膜をアルゴンガスに窒素ガスを加えた
反応性ガスを用いるスパッタ成膜法により成膜させるよ
うにし、これによって膜形成されるTi-W合金膜の内部に
窒素を混入させたことを特徴とするＸ線露光用マスクの
製造方法。 - 【請求項３】アルゴンガスへの窒素ガスの混入量が３０
％〜５０％の範囲内であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6625487A JPH0628230B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
| US07/085,210 US4873162A (en) | 1986-08-20 | 1987-08-14 | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| DE19873727678 DE3727678A1 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-19 | Roentgenmaske und verfahren zur herstellung einer roentgenmaske |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6625487A JPH0628230B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232425A JPS63232425A (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0628230B2 true JPH0628230B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=13310541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6625487A Expired - Fee Related JPH0628230B2 (ja) | 1986-08-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628230B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| JPH05343299A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクの製造方法 |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6625487A patent/JPH0628230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63232425A (ja) | 1988-09-28 |
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