ES2214837T3 - Procedimiento para fabricar una estructura de filtros cromaticos de interferencia. - Google Patents

Abstract

Procedimiento para fabricar una estructura de sistemas de capas de filtro cromático sobre un substrato (30), en el cual, con la técnica levantamiento (Lift-Off), sobre el substrato (30) es depositada una capa de laca estructurada (32), con zonas planas de capas de laca y zonas libres de capas de laca, luego mediante un procedimiento de recubrimiento en vacío es depositado un sistema de capas de filtro cromático (31) y después de esto, con las zonas planas de capas de laca, las zonas del sistema de capas de filtro cromático (31) depositadas sobre ellas son eliminadas, realizándose el procedimiento de recubrimiento en vacío a una temperatura de a lo sumo 150 ºC, caracterizado porque el depósito del sistema de capas de filtro cromático (31) se realiza mediante un recubrimiento ayudado por plasma, a saber, mediante pulverización por magnetrón o vaporización ayudada por plasma.

Description

Procedimiento para fabricar una estructura de filtros cromáticos de interferencia.

El presente invento se refiere a un procedimiento para fabricar una estructura de sistemas de capas de filtro cromático sobre un substrato según el preámbulo de la reivindicación 1.

Una técnica semejante es conocida como técnica de levantamiento (Lift-Off). Es relativamente económica, porque con ella tienen que realizarse relativamente pocas fases de proceso en atmósfera de vacío. Esta técnica es conocida por ejemplo por el documento US-A-3 914 464.

Como máscara de levantamiento es precipitada una laca fotosensible o una capa metálica de un espesor predeterminado de por ejemplo 4 a 6 \mum y sobre ella un sistema de capas de filtro cromático de interferencia dieléctrico de sólo la mitad de espesor. Antes de la precipitación del sistema de capas de filtro cromático la laca de levantamiento es endurecida durante largo tiempo, más de 8 horas a 200ºC, en atmósfera de vacío. La laca de levantamiento y respectivamente sus superficies estructuradas, tras la precipitación del sistema de capas de filtro cromático, son eliminadas con xilol caliente en la propia fase de levantamiento.

Es evidente que la estructura de capas de laca de levantamiento tiene un tratamiento costoso, y eso que como procedimiento de precipitación para el sistema de capas de filtro cromático generalmente puede emplearse la metalización. Para asegurar precisamente una calidad suficiente de las capas del sistema precipitadas debe ser mantenida una temperatura de metalización de más de 200ºC. La capa de laca situada debajo debe por lo tanto resistir sin variación estas temperaturas.

Es además conocido por la literatura, por ejemplo por H.A. MACLEOD, "Thin-Film Optical Filters" 2ª edición, Adam Hilger Ltd., 1986, páginas 357 a 405, que las capas ópticas metalizadas a temperaturas bajas no son espectralmente estables. Sus propiedades espectrales cambian con la temperatura ambiente y la humedad del aire, siendo en particular desplazados en el espectro los bordes de inicio y de corte de la curva característica espectral. Si se quieren precipitar capas espectralmente estables, que presenten una calidad suficiente, la temperatura de metalización debe elegirse muy alta, lo que conduce a que la laca situada debajo se polimeriza y el ulterior proceso de levantamiento se dificulta extraordinariamente. Si por el contrario se intenta mantener baja la temperatura del proceso de metalización, esto tiene por consecuencia, como se ha mencionado, desplazamientos espectrales de los citados bordes fuertemente dependientes de la temperatura y de la humedad del aire.

Por otra parte el largo calentamiento de la laca en vacío propuesto en la publicación arriba mencionada es extremadamente costoso y reduce considerablemente la tasa de producción de las instalaciones de fabricación para semejantes estructuras. Además el empleo de xilol caliente para disolver la laca que forzosamente resiste temperaturas relativamente altas, teniendo en cuenta las propiedades cancerígenas del xilol, es peligroso en el máximo grado. Puesto que además, debido al procedimiento de aplicación del sistema de capas de filtro cromático a temperaturas muy por encima de 200ºC, debe preverse una capa de laca que resista estas temperaturas, para la posterior eliminación de la laca tienen que prepararse grandes superficies de ataque para el disolvente. Por esa razón el espesor de la capa de laca debe elegirse considerablemente mayor que el espesor de los sistemas de capas de filtro cromático a depositar sobre ella. Esto produce grandes zonas de perturbación: si a continuación del lacado y el estructurado de la capa de laca en las zonas de laca y libres de laca es precipitado un sistema por partes de filtro cromático, a causa del desvanecimiento debido a los bordes de las zonas de laca 1, en las zonas límite 3 de la estructura de filtro cromático se producen, como está representado en la Figura 1, zonas de perturbación, en las cuales el espesor de la estructura de filtro cromático es menor que en las zonas no perturbadas 5. Cuanto mayor es el espesor de laca d, mayores resultan las zonas de perturbación de la estructura de filtro cromático.

Además es conocido que a las temperaturas necesarias para la metalización de los mencionados sistemas de capas de filtro cromático los vidrios de substrato se contraen, es decir, modifican su forma. Esto conduce a que la precipitación de sistemas de capas de filtro cromático que se efectúa una al lado de otra con espectros diferentes, como por ejemplo para el rojo, el amarillo y el azul, no puede realizarse geométricamente exacta, lo que lleva a falta de nitidez entre sectores del filtro de diferentes zonas espectrales.

Además el substrato de vidrio se fragiliza a las altas temperaturas mencionadas, en particular habida cuenta de la solicitación térmica alternativa, por ejemplo durante la precipitación sucesiva de varios sistemas de capas de filtro cromático en la técnica de levantamiento. Esto conduce a la reducción de la resistencia a la rotura de las estructuras fabricadas y con ello también al aumento del fallo.

Otra alternativa sería emplear una laca que resista las altas temperaturas de metalizado requeridas, es decir, temperaturas en la zona de 300ºC. Tales lacas sin embargo son caras y difíciles de preparar.

Además podrían emplearse máscaras de levantamiento de metal, por ejemplo de Al o Cr. Puesto que su aplicación sin embargo usualmente de nuevo requiere una fase de recubrimiento en vacío, esto sería también demasiado caro.

En el documento US 5 246 803 se admite que sería conocido realizar el procedimiento mencionado al principio mediante pulverización, a cuyo efecto, para resistir las temperaturas que en ello se producen, habría sido aplicado un procedimiento de levantamiento de metal doble, empleando aluminio y cromo. Por otra parte es conocido un procedimiento del género mencionado al principio en el cual, por medio de la técnica de vaporización, se obtiene un recubrimiento a menos de 150ºC.

Por el documento US 3 996 461 es conocido depositar sistemas de capas no estructurados.

El objeto del presente invento es proporcionar un procedimiento mejorado del género mencionado al principio.

De este modo se hace posible además durante la precipitación del sistema de capas del filtro cargar térmicamente poco la laca de levantamiento, es decir, muy por debajo de la temperatura de polimerización por ejemplo de las lacas fotosensibles convencionales. Mediante el procedimiento propuesto de precipitación ayudada por plasma, en el cual el substrato es sometido a una alta densidad de bombardeo iónico, a saber, pulverización por magnetrón o vaporización ayudada por plasma, se producen además filtros con capas compactas y con propiedades espectrales estables a la temperatura y a la humedad. Debido a que la laca es poco cargada térmicamente su necesaria capacidad de resistencia térmica puede permanecer decisivamente reducida, lo que por su parte conduce a que resultan necesarios un tratamiento de la laca considerablemente más corto y espesores de capa de laca considerablemente reducidos, lo que a su vez reduce la extensión de las zonas de perturbación 3 según la Figura 1. Además pueden emplearse lacas fotosensibles convencionales y pueden ser disueltas para el levantamiento mediante disolventes usuales, como mediante acetona o NMP (N-metil-2-pirrolidona).

El procedimiento según el presente invento

\bullet asegura además por lo tanto temperaturas de recubrimiento considerablemente reducidas, lo que conduce a la reducción de los espesores de laca necesarios y a la aplicabilidad de lacas económicas usuales. La reducción adicional resultante de espesores de laca lleva directamente a la reducción de la extensión de las zonas de perturbación según la Figura 1.

\bullet Mediante pulverización por magnetrón o vaporización ayudada por plasma se lleva a cabo un bombardeo del substrato con una corriente de iones de alta densidad, con lo que se obtienen capas de filtro compactas, ópticamente estables.

\bullet La extensión de las zonas de perturbación causadas por el desvanecimiento puede reducirse mediante medidas básicas adicionales, como la previsión de colimadores o mediante la alineación electrostática del movimiento de iones. Se emplean también presiones lo más bajas posible en la cámara de recubrimiento, con la correspondientemente mayor longitud de recorrido libre medio.

Si, sin la previsión de medidas básicas adicionales, se emplea la pulverización por magnetrón, se producen, según la Figura 1, zonas de perturbación 3 de una extensión de aproximadamente 5\cdotd, y con procedimientos más dirigidos ayudados por plasma hasta por debajo de aproximadamente 1\cdotd. Esto con los valores para d ya de por sí pequeños según el invento.

Un procedimiento de recubrimiento más dirigido que la pulverización es la vaporización ayudada por plasma, en la cual, como es conocido, material de un crisol de vaporización es vaporizado térmicamente en la atmósfera de proceso, por ejemplo mediante vaporización por haz de electrones, manteniéndose en la atmósfera un plasma. De este modo se mejora aún más sensiblemente el problema del desvanecimiento y se hace posible precipitar también estructuras de sistemas de capas de filtro cromático con extensiones muy pequeñas de forma controlada y con alta eficiencia.

El procedimiento propuesto es especialmente apropiado para la estructuración de filtros cromáticos para proyectores de LCD y sensores de CCD (dispositivo acoplado por carga).

A continuación el invento es explicado a manera de ejemplo con ayuda de Figuras.

Éstas muestran:

La Figura 1: una representación esquemática de un substrato lacado, estructurado y recubierto para explicar la formación de zonas de perturbación,

la Figura 2: esquemáticamente una instalación de recubrimiento por pulverización apropiada para la realización del procedimiento según el invento, en forma esquemática,

la Figura 3: una instalación apropiada para realizar el procedimiento según el invento para la metalización térmica ayudada por plasma, de nuevo representada esquemáticamente,

la Figura 4: esquemáticamente una estructura de laca depositada sobre un substrato y su redondeado del subsiguiente recubrimiento y

La Figura 5: en representación análoga a la Figura 4 la previsión de una capa intermedia entre la estructura de laca y la capa de filtro precipitada a continuación para evitar el redondeado de los bordes de la laca fotosensible explicado con ayuda de la Figura 4.

En la Figura 2 está representada esquemáticamente una primera variante de realización de una instalación para pulverización por magnetrón empleada según el invento. Sobre una fuente de pulverización por magnetrón 10 con el blanco del material a pulverizar se mantiene un plasma 13. Iones de un gas de trabajo alimentado AG, como por ejemplo Ar, golpean por transmisión de impulsos partículas N de material del blanco preponderantemente neutras, las cuales se depositan en la pieza de trabajo 15. Como está representado esquemáticamente en la unidad de alimentación 17, el plasma puede ser activado a través de la fuente de pulverización por potencia en corriente continua DC o por medio de una tensión continua pulsante PL o de un modo general por medio de potencia en corriente continua DC y en corriente alterna AC superpuestas o con potencia en corriente alterna AC, especialmente con potencia de RF. Por razón de la precipitación que interesa en el presente caso, de capas dieléctricas en substratos de piezas de trabajo 15 normalmente no conductores, se llama la atención en particular sobre la posibilidad de activar el plasma por medio de una tensión continua, pero conectando los electrodos generadores de plasma, representados esquemáticamente con 19a y 19b en la Figura 2, y como en ella se indica en línea de trazos, con baja resistencia en intervalos de tiempo predeterminados, preferentemente periódicos. En lo referente al recubrimiento ayudado por plasma de substratos no conductores con capas dieléctricas y empleando plasmas de corriente continua o polarización del substrato puede llamarse la atención sobre los documentos:

- EP-508 359 o

US-5 423 970;

- EP-564 789 o las solicitudes US

US SN 08/300865

US SN 08/641707

Las capas de los sistemas de capas de filtro cromático son producidas en cada caso o no reactivas, es decir, empleando exclusivamente el gas de trabajo AG y/o mediante un proceso de pulverización reactivo y empleo de un gas reactivo RG, como el O_{2}, por ejemplo según qué materiales de capa se empleen. Según el invento se mantienen temperaturas de las piezas de trabajo 15 recubiertas, provistas de la laca de levantamiento 11, de a lo sumo 150ºC, preferentemente de a lo sumo 100ºC.

Debido a la alta densidad de bombardeo iónico se obtienen capas compactas, las cuales, en caso de temperatura ambiente y humedad del aire variables, apenas modifican sus propiedades espectrales.

Sin otras medidas básicas, como la previsión de colimadores, el recubrimiento por pulverización según el invento es apropiado para aplicaciones en las cuales puedan aceptarse zonas de perturbación 3 según la Figura 1 con una extensión de aproximadamente 5\cdotd.

En la Figura 3, en forma de exposición análoga a la de la Figura 1, está representado esquemáticamente un segundo procedimiento empleado según el invento, a saber, la vaporización ayudada por plasma o ayudada por ionización. Aquí por ejemplo por medio de un haz de electrones 23 y/o una calefacción 25 es vaporizado material de un crisol 27. De nuevo mediante una fuente de alimentación 28, que en cuanto a las señales emitidas puede estar constituida análogamente a la fuente 17 explicada con ayuda de la Figura 2, se mantiene un plasma denso 24 por encima del crisol 27. Las piezas de trabajo están aquí colocadas preferentemente en un segmento esférico de soporte 26 accionado giratorio, cuyo centro de esfera es el centro Z de la fuente de vaporización 27. De nuevo se mantienen temperaturas de a lo sumo 150ºC, en particular de a lo sumo 100ºC. Este procedimiento dirigido posibilita recubrir estructuras de laca de levantamiento 11 con sistemas de capas de filtro, las cuales requieran zonas de perturbación 3 según la Figura 1 cuya extensión sea de aproximadamente 1\cdotd y menor.

También en la vaporización ayudada por plasma o ayudada por ionización de acuerdo con la Figura 3, según la capa del sistema de capas de filtro cromático a fabricar se prepara no reactiva empleando exclusivamente el gas de trabajo AG o reactiva empleando un gas reactivo RG.

En la Figura 4 está representada aumentada la estructura de laca de levantamiento 32 sobre el substrato 30. Sobre ella está representado esquemáticamente el plasma 34 del procedimiento de precipitación ayudado por plasma. Si la primera capa 31 del sistema de capas de filtro cromático, representada en línea de trazos en la Figura 4, tiene que ser depositada por un proceso reactivo, como en particular empleando oxígeno ionizado, la estructura de laca de levantamiento, como se indica esquemáticamente en 35, en particular en las zonas de borde es atacada por el gas reactivo excitado, particularmente O_{2} como se ha mencionado, o por H_{2}O del gas residual activada y/o disociada en el plasma.

Una primera posibilidad de impedir esto consiste en depositar la primera capa del sistema de capas de filtro cromático no reactiva, es decir, con referencia a la Figura 2 o a la Figura 3, empleando exclusivamente el gas de trabajo Ar. Para esto el material de capa se emplea o directamente como material de blanco o como material de la fuente de vaporización.

Una segunda y preferida posibilidad consiste según la Figura 5 en, antes de la aplicación de la primera capa 31 del sistema de capas de filtro cromático, aplicar sobre la estructura de laca de levantamiento una capa intermedia de buena adherencia, ópticamente de banda ancha y en el máximo grado transmisora sin pérdidas, es decir, ópticamente neutra, la cual, como capa protectora, resista el subsiguiente proceso. La capa intermedia 45 representada en la Figura 5, de un espesor de 5 a 10 nm, se compone preferentemente de SiO o de SiO_{2}, que no es atacado químicamente por el gas reactivo ionizado excitado, en particular O_{2} o H_{2}O del gas residual. En la Figura 5 la capa 31 dibujada en línea de trazos designa la primera capa del sistema de capas de filtro cromático ópticamente activa aplicada posteriormente, que ahora puede ser depositada mediante un proceso reactivo. Por lo demás la capa intermedia 45 puede estar compuesta también de SiO_{2}, que se deposita no reactivo o sólo débilmente reactivo. Una capa intermedia de SiO_{2} forma entonces la primera capa de más baja refractividad del sistema de capas de filtro con subsiguientes capas de más alta refrac-
tividad.

A continuación se presentan a manera de ejemplo procedimientos de recubrimiento empleados, con las estructuras de filtro cromático resultantes.

Ejemplo 1

- Substrato:	Vidrio
- Estructura del filtro:	Tiras de ancho 160 \mum, largo 20 mm, distancia 100 \mum
- Espesor de capa de laca:	3,2 \mum
- Laca:	Shipley 1045, diluida 6:1
- Sistema de capa filtrante óptica:	1,5 \mum (d_{5} de la Figura 1)
- Sistema de capas:	SiO_{2} / TiO_{2}
- Proceso de recubrimiento SiO_{2}:	Pulverización reactiva, instalación BAS 767
- Fuente:	Blanco de Si
- Potencia de pulverización:	6,4 kW
- Gas de trabajo:	Ar
- Gas reactivo:	O_{2}
- Flujo de gas de trabajo:	40 cm^{3} estándar por minuto
- Flujo de gas reactivo:	50 cm^{3} estándar por minuto
- Velocidad:	0,3 nm/s
- Proceso de recubrimiento TiO_{2}:	Pulverización reactiva
- Fuente:	Blanco de Ti
- Potencia de pulverización:	10 kW
- Gas de trabajo:	Ar
- Gas reactivo:	O_{2}
- Flujo de gas de trabajo:	40 cm^{3} estándar por minuto
- Flujo de gas reactivo:	36 cm^{3} estándar por minuto
- Velocidad:	0,16 nm/s
- Temperatura de recubrimiento:	T \leq 80ºC
Resultados
Tamaño de la zona de perturbación junto
a la máscara de laca (l de la Figura 1):	\leq 10 \mum
Estabilidad de los bordes del filtro:	\leq 1 nm de desplazamiento de bordes de 20ºC a 80ºC.

En este ejemplo se prescinde de la capa intermedia. El plasma se conecta antes del comienzo del propio recubrimiento. Por lo tanto la máscara de laca entra en contacto con plasma de O_{2}/Ar. Por tal motivo los bordes de la laca se redondean. Esto dificulta la fase de levantamiento o hace necesaria una máscara de laca relativamente grue-
sa.

Ejemplo 2

- Substrato:	Vidrio
- Estructura del filtro:	Tiras de 10 x 10 \mum hasta 100 x 100 \mum
- Espesor de capa de laca (d):	0,5 \mum - 2 \mum
- Capa filtrante óptica (d_{5}):	1,4 \mum
- Laca:	Shipley 1045, dilución 6:1 hasta 1:1
- Sistema de capas:	Capa intermedia SiO de espesor 10 nm, SiO_{2} / TiO_{2}
- Proceso de recubrimiento: Capa intermedia de SiO no reactiva sin ayuda por plasma, metalización ayudada por
plasma sistema SiO_{2} / TiO_{2}, instalación LEYBOLD APS 1100
SiO no reactivo, sin fuente de plasma APS:
- Fuente:	Vaporizador de haz de electrones con crisol de 4 agujeros,
	granulado de SiO
- Velocidad:	0,1 nm/s
- Instalación:	BAS 767
- Presión:	1\cdot10^{-5} mbar
SiO_{2}: Metalización reactiva con fuente de plasma APS
- Fuente:	Vaporizador de haz de electrones con crisol de cuatro
	agujeros, granulado de SiO_{2}
- Velocidad:	0,6 m/s
Fuente de plasma APS:
- Corriente de descarga:	50 A
- Tensión de polarización:	150 V
- Diferencia de potencial ánodo-cátodo:	130 V
- Gas de trabajo:	Ar
- Gas reactivo:	O_{2}
- Flujo de gas de trabajo:	15 cm^{3} estándar por minuto
- Flujo de gas reactivo:	10 cm^{3} estándar por minuto
- Presión total:	3,5\cdot10^{-3} mbar
TiO_{2}: Metalización reactiva con fuente de plasma APS
- Fuente:	Vaporizador de haz de electrones con crisol de cuatro
	agujeros, tabletas de TiO
- Velocidad:	0,3 m/s
Fuente de plasma APS:
- Corriente de descarga:	50 A
- Tensión de polarización:	110 - 120 V
- Diferencia de potencial ánodo-cátodo:	100 - 110 V
- Gas de trabajo:	Ar
- Gas reactivo:	O_{2}
- Flujo de gas de trabajo:	11 cm^{3} estándar por minuto
- Flujo de gas reactivo:	35 cm^{3} estándar por minuto
- Presión total:	4,2\cdot10^{-3} mbar
- Temperatura de recubrimiento:	T \leq 105ºC

Resultados
Estabilidad:	< 1 nm de desplazamiento espectral de bordes de 20ºC a
	80ºC
Tamaño (l) de la zona de perturbación:	< 2 \mum

Mediante el procedimiento según el invento es posible fabricar económicamente y con pequeña cuota de chatarra estructuras de pixels como en particular para proyectores de válvula luminosa de LCD y sensores de CCD, las cuales además de esto son espectralmente estables en el máximo grado frente a alteraciones del ambiente, en particular cambios de temperatura y de humedad. En particular empleando la capa intermedia mencionada se obtiene además una extraordinariamente buena adherencia del sistema de filtro cromático sobre el substrato. Las capas de laca de levantamiento necesarias pueden ser considerablemente más delgadas que el doble de los sistemas de capas de filtro cromático depositados sobre ellas. La previsión de paredes laterales sobresalientes de las zonas de laca, como es usual en el caso del aluminizado en la fabricación de semiconductores, está de sobra.

Debido a que la aplicación de los sistemas de capas de filtro cromático se realiza a bajas temperaturas y por lo tanto las estructuras de laca de levantamiento situadas debajo están expuestas correspondientemente a pequeñas cargas por temperatura - por lo tanto sólo tienen que ser un poco resistentes a la temperatura - resulta una técnica de levantamiento simplificada al máximo, sin que tengan que emplearse para el levantamiento disolventes calientes y agresivos en grado máximo o ultrasonidos.

El empleo preferente de la capa intermedia mencionada evita la influencia negativa de la precipitación reactiva de la primera capa del filtro sobre la laca de levantamiento, en particular el dañado de bordes de las estructuras de laca por plasmas reactivos de Ar-O_{2}-H_{2}O.

Claims (10)

1. Procedimiento para fabricar una estructura de sistemas de capas de filtro cromático sobre un substrato (30), en el cual, con la técnica levantamiento (Lift-Off), sobre el substrato (30) es depositada una capa de laca estructurada (32), con zonas planas de capas de laca y zonas libres de capas de laca, luego mediante un procedimiento de recubrimiento en vacío es depositado un sistema de capas de filtro cromático (31) y después de esto, con las zonas planas de capas de laca, las zonas del sistema de capas de filtro cromático (31) depositadas sobre ellas son eliminadas, realizándose el procedimiento de recubrimiento en vacío a una temperatura de a lo sumo 150ºC, caracterizado porque el depósito del sistema de capas de filtro cromático (31) se realiza mediante un recubrimiento ayudado por plasma, a saber, mediante pulverización por magnetrón o vaporización ayudada por plasma.

2. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque la vaporización-depósito se realiza ayudada por una descarga en arco de baja tensión.

3. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 o 2, caracterizado porque el depósito del sistema de capas de filtro cromático (31) se realiza a una temperatura de a lo sumo 100ºC.

4. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque la generación de plasma se realiza por medio de corriente continua o alterna, en particular RF o por medio de una tensión continua pulsante o por medio de corriente alterna y corriente continua superpuestas (17).

5. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque el depósito de al menos una capa del sistema de capas de filtro cromático se realiza en una atmósfera de gas reactivo.

6. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque el depósito de la primera capa del sistema de capas de filtro cromático se realiza en una atmósfera de gas noble o en una atmósfera que contiene oxígeno.

7. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque el sistema de capas de filtro cromático comprende capas de más alto índice de refracción y capas de más bajo índice de refracción.

8. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque como primera capa sobre la capa de laca se aplica una capa intermedia en esencia ópticamente neutra, que con respecto a la atmósfera de recubrimiento subsiguientemente empleada es más estable que la capa de laca, que preferentemente es de 5 nm a 10 nm de espesor y además preferentemente se compone de SiO o de SiO_{2}.

9. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque el depósito de las capas se realiza con dirección preferente de incidencia del material de las capas perpendicular al substrato.

10. Empleo del procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 9 para la fabricación de filtros cromáticos para proyectores de válvula luminosa de LCD o para la coloración para sensores de CCD.